專(zhuān)利名稱(chēng)：產(chǎn)品管理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由讀取器/寫(xiě)入器讀取和寫(xiě)入關(guān)于與ID標(biāo)簽相連包括存儲(chǔ)器、CPU等的產(chǎn)品的信息的產(chǎn)品管理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近來(lái)，在諸如食品業(yè)和制造業(yè)等各種行業(yè)中，提高了對(duì)加強(qiáng)產(chǎn)品安全性和管理系統(tǒng)的要求，從而關(guān)于產(chǎn)品的信息量增加。然而，當(dāng)前關(guān)于產(chǎn)品的信息僅是諸如制造國(guó)、制造商或項(xiàng)目號(hào)等信息，主要由條形碼的十幾個(gè)數(shù)字提供，信息量相當(dāng)小。此外，在使用條形碼的情況中，用手逐個(gè)掃描條形碼需要長(zhǎng)時(shí)間。因而，代替條形碼系統(tǒng)，被稱(chēng)為RFID(射頻標(biāo)識(shí))的利用電磁波的非接觸IC標(biāo)簽的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)引起注意。
此外，為了確保動(dòng)物和植物的安全性(例如，原產(chǎn)地、傳染病的存在與否等)，一種系統(tǒng)正在普及，其中IC芯片被直接植入動(dòng)物和植物體內(nèi)，以便通過(guò)體外的信息讀取設(shè)備(讀取器)獲得和管理關(guān)于動(dòng)物和植物的信息(參考12002年11月18日出版的Nikki Electronics(Nikkei Business Pubilications公司)67-76頁(yè))。
發(fā)明的公開(kāi)然而，配備(附有)ID標(biāo)簽的產(chǎn)品通常置于諸如波面纖維板或集裝箱的包裝體中，并被傳送。此時(shí)，當(dāng)產(chǎn)品處于包裝體中時(shí)，存在使用讀取器/寫(xiě)入器(也被稱(chēng)為R/W)與ID標(biāo)簽的通信被阻斷的風(fēng)險(xiǎn)。此外，當(dāng)包含產(chǎn)品的包裝體被堆疊在倉(cāng)庫(kù)等中時(shí)，與附連至每一產(chǎn)品的ID標(biāo)簽的通信可能被阻斷。具體地，如果R/W通信范圍較短，則較內(nèi)部的產(chǎn)品或由較多的內(nèi)部包裝體包裝的產(chǎn)品難以接收從R/W發(fā)出的電磁波。
因此，難以在產(chǎn)品的分發(fā)過(guò)程中管理產(chǎn)品，這導(dǎo)致丟失ID標(biāo)簽的方便性。
考慮上述問(wèn)題作出了本發(fā)明。本發(fā)明的目的在于提供即使產(chǎn)品由包裝體包裝，也可保護(hù)附連于產(chǎn)品的ID標(biāo)簽與R/W之間的通信的穩(wěn)定性且可簡(jiǎn)單并有效地進(jìn)行產(chǎn)品管理的產(chǎn)品管理系統(tǒng)。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明，一種產(chǎn)品管理系統(tǒng)包括用于包裝與ID標(biāo)簽連接的產(chǎn)品的包裝體、以及用于讀取和寫(xiě)入ID標(biāo)簽中所存儲(chǔ)的信息的讀取器/寫(xiě)入器，其中ID標(biāo)簽包括包含薄膜晶體管的薄膜集成電路部分以及天線；包裝體包括包含天線線圈和電容器的諧振電路部分；諧振電路部分可與讀取器/寫(xiě)入器以及ID標(biāo)簽通信。
換言之，根據(jù)本發(fā)明，為用于包裝產(chǎn)品的包裝體設(shè)置諧振電路部分，且通過(guò)使用諧振電路部分與用于讀取和寫(xiě)入ID標(biāo)簽中所存儲(chǔ)的信息的R/W之間的諧振，ID標(biāo)簽與R/W之間的通信可確實(shí)和順利地進(jìn)行。諧振電路部分至少包括分別由天線線圈和電容器提供的電感L和電容C。
根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品管理系統(tǒng)具有上述結(jié)構(gòu)。因此，通過(guò)經(jīng)由諧振電路部分進(jìn)行R/W與ID標(biāo)簽之間的信號(hào)的接收/發(fā)送，ID標(biāo)簽中所存儲(chǔ)的信息可確實(shí)讀取和擦除，且信息可被確實(shí)寫(xiě)入或重寫(xiě)等等到ID標(biāo)簽中。特別地，可解決由于R/W與連接到產(chǎn)品的ID標(biāo)簽之間的方向性(僅在某一方向上進(jìn)入的屬性或僅從某一方向接收的屬性)引起的通信不可用或通信不穩(wěn)定，然后可確實(shí)地進(jìn)行它們之間的通信。從而，當(dāng)短時(shí)間內(nèi)一次讀取或?qū)懭敫竭B于產(chǎn)品1的ID標(biāo)簽2中的信息時(shí)，本發(fā)明是有效的。
本發(fā)明所使用的ID標(biāo)簽至少包括包含薄膜晶體管的薄膜集成電路部分以及天線，因此相比在硅片上形成多個(gè)集成電路，并研磨和移除該硅片來(lái)隔離薄膜集成電路的常規(guī)方法形成的ID標(biāo)簽，前者可以更低的成本制造。換言之，薄膜集成電路可從其上形成多個(gè)薄膜集成電路的襯底上分離以隔離各元件。由于相比硅片較不昂貴的玻璃襯底等可用作分離襯底(從中分離元件的襯底)，因此ID標(biāo)簽可以更低成本制造，分離襯底也可多次使用。
此外，在形成諧振電路部分的過(guò)程中，在襯底上形成主要具有薄膜結(jié)構(gòu)的多個(gè)薄膜集成電路部分，且經(jīng)由分離方法形成諧振電路部分，從而以低成本制造諧振電路部分。
注意，引用了使用諸如ClF3的鹵化物氣體或液體的化學(xué)分離方法、以及對(duì)配備多個(gè)薄膜集成電路部分的襯底施壓來(lái)分離襯底的物理分離方法，作為分離方法。可采用它們中的任一。然而，相比物理分離方法，經(jīng)由化學(xué)分離方法可更確實(shí)地進(jìn)行元件分離。
如上所述，經(jīng)由使用以低成本制造的ID標(biāo)簽的諧振電路部分，可更安全地進(jìn)行R/W與ID標(biāo)簽之間的通信。從而，可提供具有更高性能的產(chǎn)品管理系統(tǒng)。
附圖簡(jiǎn)述附圖中圖l是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的產(chǎn)品管理系統(tǒng)的示意圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的產(chǎn)品管理系統(tǒng)的電路配置的示例的框圖；圖3示出了其中應(yīng)用本發(fā)明的機(jī)場(chǎng)中的行李管理系統(tǒng)；圖4示出了配備諧振電路部分的運(yùn)輸車(chē)輛；圖5A到5C各自示出多種通信方法；圖6是示出了ID標(biāo)簽的電路配置的示例的框圖；圖7A到7E各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟；圖8F到8I各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟；圖9J到9L各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟；

圖10M到10O各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟；圖11A到11B各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟；圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面用于形成ID標(biāo)簽的低壓CVD裝置的示意圖；以及圖13A到13C各自示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的ID標(biāo)簽的制造步驟(到入口襯底的轉(zhuǎn)移方法)。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式將在后文中參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。本發(fā)明可按照多種不同的模式實(shí)現(xiàn)，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員可以容易地理解此處公開(kāi)的模式和細(xì)節(jié)能以各種方式修改，而不背離本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)注意，本發(fā)明不應(yīng)被解釋為限于以下給出的實(shí)施方式的描述。
實(shí)施方式1參考圖1描述了根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品管理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
圖1中，堆疊了其中包裝產(chǎn)品1的多個(gè)包裝體3。存儲(chǔ)關(guān)于產(chǎn)品1的各種信息的ID標(biāo)簽2附連于產(chǎn)品1。在包裝體3上形成諧振電路部分4。產(chǎn)品1可以是相同類(lèi)型或不同類(lèi)型的。
此處，附連于產(chǎn)品的ID標(biāo)簽(標(biāo)識(shí)標(biāo)簽)主要具有標(biāo)識(shí)分布在市場(chǎng)中的產(chǎn)品的功能或存儲(chǔ)關(guān)于產(chǎn)品的信息的功能，取決于其模式而被稱(chēng)為ID芯片、ID標(biāo)記、ID戳記、ID貼紙等。
本發(fā)明中的ID標(biāo)簽包括薄膜集成電路部分。薄膜集成電路部分與硅片上形成的常規(guī)IC(集成電路)概念上不同。薄膜集成電路部分表示至少包括由以TFT(薄膜晶體管)為代表的薄膜有源元件、用于連接薄膜有源元件的布線、用于將薄膜有源元件與外部機(jī)構(gòu)(諸如非接觸ID標(biāo)簽的天線)的布線等。當(dāng)然，薄膜集成電路部分的組成元素不限于此，且薄膜集成電路部分可包括以TFT為代表的至少一個(gè)薄膜有源元件。
注意，構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的ID標(biāo)簽的一部分的薄膜集成電路部分比常規(guī)IC芯片中的集成電路薄。因此，薄膜集成電路部分也被稱(chēng)為IDT芯片(標(biāo)識(shí)薄芯片)等。此外，本發(fā)明中所使用的薄膜集成電路部分原則上使用諸如玻璃襯底或石英襯底的絕緣襯底，而不使用硅片，且可被轉(zhuǎn)移到如后所述的柔性(flexible)的襯底上。從而，薄膜集成電路部分也被稱(chēng)為IDG芯片(標(biāo)識(shí)玻璃芯片)、IDF芯片(標(biāo)識(shí)柔性芯片)、軟芯片等。安裝有天線的芯片也被稱(chēng)為射頻芯片。
ID標(biāo)簽2被附連于產(chǎn)品1的外表面，如圖1中可見(jiàn)。然而，ID標(biāo)簽2也可設(shè)置在產(chǎn)品1的內(nèi)部。注意，此處的產(chǎn)品包括其包裝以及產(chǎn)品本身的內(nèi)容。
如圖2中所示，諧振電路部分4至少包括用作電感的天線線圈18和電容器19。諧振電路部分4從用于讀取和寫(xiě)入ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的關(guān)于產(chǎn)品1的各種信息的讀取器/寫(xiě)入器(R/W)5中接收電磁波，并將該電磁波發(fā)送給ID標(biāo)簽2。此外，諧振電路部分4從ID標(biāo)簽2中接收電磁波，并將該電磁波發(fā)送給R/W5。如上所述，諧振電路部分4用作R/W5與ID標(biāo)簽2之間的發(fā)送/接收的中繼站。
諧振電路部分4被設(shè)計(jì)成用與從R/W5中發(fā)出的電磁波的頻率幾乎相同的頻率諧振。換言之，構(gòu)成諧振電路部分4的天線線圈18的電感L和電容器19的電容C的值(參考圖2)被調(diào)節(jié)來(lái)與R/W5諧振。
此處的諧振指的是，當(dāng)對(duì)象從外部添加時(shí)它以與振動(dòng)器最容易振動(dòng)的頻率(自然頻率)相同的頻率振動(dòng)，即使該頻率是很小的力。該自然頻率被稱(chēng)為諧振頻率，它對(duì)每一振動(dòng)器唯一。諧振頻率f表示為f＝1/{2π(LC)1/2}。換言之，調(diào)整構(gòu)成諧振電路部分4的天線線圈18的電感L和電容器19的電容C的值，調(diào)整頻率f為與R/W5的頻率幾乎相同的頻率，從而使諧振電路部分4諧振。
當(dāng)將R/W5拿近包含產(chǎn)品1的包裝體3時(shí)，從天線部分6中發(fā)出電磁波到包裝體3。由于包裝體3中形成的諧振電路部分4以與R/W5的頻率幾乎相同的頻率諧振，諧振電路部分4可有效地從R/W5中接收振蕩的電磁波。此外，諧振電路部分4經(jīng)由電磁耦合方法、電磁感應(yīng)方法、靜電耦合方法等進(jìn)行對(duì)ID標(biāo)簽2的電力供應(yīng)以及ID標(biāo)簽2與諧振電路部分4之間的信號(hào)的發(fā)送/接收(換言之，即ID標(biāo)簽與R/W5之間的信號(hào)的發(fā)送/接收)。
因此，通過(guò)經(jīng)由諧振電路部分4進(jìn)行R/W5與ID標(biāo)簽2之間的信號(hào)接收/發(fā)送，可安全地讀取和擦除ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的信息，且信息可安全地被寫(xiě)入、重寫(xiě)等等到ID標(biāo)簽中。特別地，可解決由于R/W5與連接到產(chǎn)品1的ID標(biāo)簽2之間的方向性(僅在某一方向上進(jìn)入的屬性或僅從某一方向接收的屬性)引起的通信不可用或通信不穩(wěn)定，從而可確實(shí)地進(jìn)行它們之間的通信。
注意，可對(duì)R/W5和諧振電路部分4之間的通信方法和諧振部分4與ID標(biāo)簽2之間的通信方法使用電磁感應(yīng)方法、電磁耦合方法、微波方法、光學(xué)通信方法、靜電耦合方法等。這兩者的通信方法可相同或不同。
一般，取決于通信范圍，電磁感應(yīng)方法、電磁耦合方法和靜電耦合方法被歸類(lèi)為鄰近類(lèi)型、接近類(lèi)型和附近類(lèi)型；然而，可使用它們中的任一種。
讀取器/寫(xiě)入器與諧振電路部分之間的通信范圍可以長(zhǎng)于諧振電路部分與ID標(biāo)簽之間的通信范圍。通過(guò)擴(kuò)展諧振電路部分和讀取器/寫(xiě)入器之間的通信范圍，即可能遠(yuǎn)距離與ID標(biāo)簽通信并進(jìn)行遙控。
由天線部分6接收的ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的信息在R/W5內(nèi)部設(shè)置的顯示部分7上顯示。例如，顯示產(chǎn)品1的信息，諸如原產(chǎn)國(guó)、生產(chǎn)商、生產(chǎn)季節(jié)、進(jìn)口商、有效期、價(jià)格等。在R/W5中提供了操作鍵8，借此有可能ON/OFF與ID標(biāo)簽2的通信，并對(duì)已讀取的信息進(jìn)行選擇、刪除等。R/W5被連接至計(jì)算機(jī)9。計(jì)算機(jī)9控制R/W5，并處理由R/W5讀取的信息。
注意，諧振電路部分4自身可包括電池、CPU、存儲(chǔ)器等。因此，信息可臨時(shí)地存儲(chǔ)到諧振電路部分4中。此外，諧振電路部分4可用作R/W。因此，例如，在對(duì)產(chǎn)品1打包過(guò)程中，諧振電路部分4中累積的信息可被寫(xiě)入ID標(biāo)簽2中，并可讀出ID標(biāo)簽2中累積的信息。
當(dāng)產(chǎn)品1從包裝體3中取出之后，可再次使用包裝體3。
實(shí)施方式2參考圖2更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品管理系統(tǒng)。圖2是示出ID標(biāo)簽2、諧振電路部分4和R/W5的配置的框圖。
R/W5至少包括輸出接口12、輸入接口13、輸出天線14和輸入天線15。注意，每種天線的數(shù)目不限于圖2中所示。而且，天線的形狀不限于線圈形。
從輸出天線14中輸出R/W5的輸出接口12中調(diào)制的信號(hào)，并經(jīng)由包裝體3中設(shè)置的諧振電路部分4將其發(fā)送給ID標(biāo)簽2。
諧振電路部分4至少包括配備電感和電容的阻抗Z的電路。電感阻抗是電感L，電容阻抗是電容C。例如，如圖2中所示，諧振電路部分4至少包括用作電感L的天線線圈18和用作電容C的電容器19。電感L和電容C可彼此串聯(lián)(串聯(lián)諧振)或可并聯(lián)(并聯(lián)諧振)。
在諧振電路部分4中，例如，其中線圈(電感L)和電容器(電容C)彼此串聯(lián)的情況中，由于線圈和電容器的電抗(阻抗的虛數(shù)部分)在諧振點(diǎn)處抵消，阻抗在諧振點(diǎn)上變?yōu)榱?f1/{2π(LC)1/2})。注意，阻抗等于布線的電阻R，因?yàn)殡娮鑂(阻抗的實(shí)數(shù)部分)在實(shí)際元件中不可避免地生成。構(gòu)成諧振電路部分4的一部分的布線的材料較佳地采用具有低布線電阻的材料。
例如，期望采用諸如Cu(1.55×10-6Ω·cm)、Al(2.65×10-6Ω·cm)、Au(2.2×10-6Ω·cm)、Ag(1.62×10-6Ω/cm)等低電專(zhuān)用(specific)阻率材料。這些材料可鍍敷或堆疊。
另一方面，ID標(biāo)簽2至少包括輸入天線20、輸出天線21、輸入接口22、輸出接口23和諸如CPU 30、協(xié)處理器31、ROM 32、RAM 33和非易失性存儲(chǔ)器34以及用于連接它們的總線28的各種電路。注意每種天線的數(shù)量不限于圖2中所示。而且，每一天線的形狀不限于線圈形。
輸入接口22至少配備整流電路24和解調(diào)電路25。來(lái)自輸入天線20的交流電源電壓輸入被整流成整流電路24中的直流電源電壓，并經(jīng)由總線28供應(yīng)給以上各種電路。來(lái)自輸入天線20的各種信號(hào)輸入的交流電流在解調(diào)電路25中解調(diào)。通過(guò)解調(diào)形成波形的各種信號(hào)經(jīng)由總線28提供給以上各種電路。
當(dāng)所有的處理在薄膜集成電路部分29中被控制時(shí)協(xié)處理器31用來(lái)協(xié)助作為主處理器的CPU 30工作的子處理器。一般，協(xié)處理器用作專(zhuān)用來(lái)處理代碼的指令執(zhí)行單元，且可執(zhí)行對(duì)代碼的處理，這對(duì)諸如結(jié)算(settlement)的應(yīng)用程序是必需的。作為非易失性存儲(chǔ)器34，例如較佳使用其中信息可被重寫(xiě)多于一次的EPROM、EEPROM、UV-EPROM、閃存或FRAM(注冊(cè)商標(biāo))。
ID標(biāo)簽2中所使用的存儲(chǔ)器基于其功能和行為被劃分成程序存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)程序的區(qū)域)、工作存儲(chǔ)器(在執(zhí)行程序的過(guò)程中臨時(shí)保存數(shù)據(jù)的區(qū)域)以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(除存儲(chǔ)對(duì)產(chǎn)品唯一的信息以外還存儲(chǔ)由程序處理的固定數(shù)據(jù)的區(qū)域)。一般，ROM被用作程序存儲(chǔ)器，RAM被用作工作存儲(chǔ)器。此外，RAM在與R/W的通信期間也用作緩沖區(qū)。為了在預(yù)定地址存儲(chǔ)作為信號(hào)的數(shù)據(jù)輸入，一般使用EEPROM。
解調(diào)電路25中解調(diào)的各種信號(hào)被供應(yīng)給各種電路，然后以各種電路中的信號(hào)代替存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的對(duì)產(chǎn)品唯一的信息。此外，信號(hào)在輸出接口23中調(diào)制，并由輸出天線21經(jīng)由諧振電路部分4發(fā)送給R/W5。
輸出接口23至少包括調(diào)制電路26和放大器27。從各種電路輸入到輸出接口23的各種信號(hào)在調(diào)制電路26中調(diào)制，在放大器27中放大或緩沖放大，然后從輸出天線21發(fā)送到諸如R/W5的終端設(shè)備。R/W5的輸入天線15接收從ID標(biāo)簽2中發(fā)送的信號(hào)。信號(hào)在輸入接口13中解調(diào)，經(jīng)由控制器11發(fā)送給計(jì)算機(jī)9，并受到數(shù)據(jù)處理，從而識(shí)別對(duì)產(chǎn)品唯一的信息。
此外，讀取的信息可在連接至計(jì)算機(jī)9的數(shù)據(jù)庫(kù)10中累積。相反，數(shù)據(jù)庫(kù)10中累積的信息可經(jīng)由R/W5寫(xiě)入ID標(biāo)簽2中。
盡管計(jì)算機(jī)9含有具有處理關(guān)于產(chǎn)品的信息的功能的軟件，仍可使用硬件來(lái)進(jìn)行信息處理。因此，當(dāng)與以常規(guī)方式逐一讀取條形碼的工作相比時(shí)，減少了用于信息處理的時(shí)間和工作以及錯(cuò)誤，從而減少了產(chǎn)品管理的負(fù)擔(dān)。
圖2中所示的各種電路僅是根據(jù)本發(fā)明的配置的一個(gè)模式。ID標(biāo)簽2或R/W5上安裝的各種電路不限于上述電路。圖2示出了使用非接觸類(lèi)型天線的示例。然而，非接觸類(lèi)型不限于該示例?？墒褂冒l(fā)光元件、光傳感器等來(lái)以光來(lái)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。
圖2中，輸入接口22和輸出接口23被形成為一個(gè)薄膜集成電路部分29，它們包括諸如整流電路24、解調(diào)電路25、調(diào)制電路26的模擬電路；CPU 30；各種存儲(chǔ)器等。然而，該配置僅是一個(gè)示例，本發(fā)明不限于該配置。普通術(shù)語(yǔ)“薄膜集成電路部分29”意味著，以TFT為代表的薄膜有源元件被包含在每一組成部分中；然而，所有的組成部分不必均由TFT形成，且至少一個(gè)組成部分可由TFT等形成。例如，作為常規(guī)方式，包括諸如整流電路24、解調(diào)電路25、調(diào)制電路26的模擬電路的輸入接口22和輸出接口23可在硅片上形成，而CPU 30、各種存儲(chǔ)器可以用在通過(guò)使用TFT形成的薄膜集成電路形成。
如上所述，如果對(duì)ID標(biāo)簽2的至少一個(gè)組成部分使用包含諸如TFT的薄膜有源元件的薄膜集成電路部分，則與硅片上形成的常規(guī)IC芯片不同，不需背部研磨(back-grinding)?？色@得顯著簡(jiǎn)化的工藝和顯著減少的制造成本等的有利效果。此外，如果在形成薄膜集成電路部分的過(guò)程中采用物理或化學(xué)分離的方法，可使用玻璃襯底、石英襯底、太陽(yáng)能電池級(jí)硅襯底等作為分離襯底。此外，可重復(fù)使用分離襯底來(lái)顯著減少制造成本。
注意，輸入天線20和輸出天線21可被形成包含在薄膜集成電路部分29中。此外，一個(gè)天線可用作輸入天線和輸出天線兩者，而不需區(qū)分輸入電線20和輸出天線21。
圖2示出了從作為終端設(shè)備的R/W5供應(yīng)電源電壓的示例，但本發(fā)明不限于此。例如，盡管未示出，可在ID標(biāo)簽2中設(shè)置太陽(yáng)能電池。此外，可內(nèi)裝諸如鋰電池等超薄電池。
注意，R/W5的薄膜集成電路部分16(至少包括輸出接口12和輸入接口13)可使用以常規(guī)方式在硅片上形成的IC。然而，可使用由如薄膜晶體管(TFT)的薄膜有源元件(薄膜非線性元件)制造的薄膜集成電路部分，類(lèi)似于形成小且薄的R/W5的情況中的ID標(biāo)簽2的薄膜集成電路部分29。
當(dāng)使用薄膜集成電路作為R/W5的組成部分時(shí)，可獲得類(lèi)似于在ID標(biāo)簽2中使用薄膜集成電路部分29的情況的以上工作效果。
注意，輸出天線14和輸入天線15可被形成為包含在薄膜集成電路部分16中。此外，一個(gè)天線可用作輸入天線和輸出天線兩者，而不需區(qū)分輸入電線14和輸出天線15。
實(shí)施例1參考實(shí)施例1的圖3描述了應(yīng)用本發(fā)明的示例。在圖3中示出了機(jī)場(chǎng)等處的行李檢查。此處，游客等的手提箱35等用作包裝體。手提箱35至少包括一個(gè)諧振電路部分4。諧振電路部分4可設(shè)置在手提箱35的外表面；然而，較佳地形成在蓋子的內(nèi)部或內(nèi)側(cè)以防止由于外力、偷竊等造成的分離。手提箱35內(nèi)，打包了產(chǎn)品1等。ID標(biāo)簽2與每一產(chǎn)品相連。
諸如包含產(chǎn)品1的手提箱35的行李由傳送裝置37傳送。當(dāng)行李到達(dá)R/W5的天線部分6時(shí)，為手提箱35設(shè)置的諧振電路部分4從R/W5中接收電磁波，并將該電磁波發(fā)送給ID標(biāo)簽2。如上所述，諧振電路部分4用作R/W5與ID標(biāo)簽2之間的發(fā)送/接收的中繼站。
如圖2中所示，諧振電路部分4至少包括用作電感的天線線圈18和電容器19。諧振電路部分4被設(shè)計(jì)成以與從R/W5中發(fā)送的電磁波的頻率幾乎相同的頻率諧振。換言之，構(gòu)成諧振電路部分4的天線線圈18的電感L和電容器19的電容C的值被調(diào)節(jié)為與R/W5諧振。
由于手提箱35中形成的諧振電路部分4以與R/W5的頻率幾乎相同的頻率諧振，因此諧振電路部分可從R/W5中有效地接收振蕩的電磁波。此外，諧振電路部分4經(jīng)由電磁耦合方法、電磁感應(yīng)方法、靜電耦合方法等進(jìn)行對(duì)ID標(biāo)簽2的電力供應(yīng)以及ID標(biāo)簽2與諧振電路部分4之間的信號(hào)的發(fā)送/接收(換言之，即ID標(biāo)簽2與R/W5之間的信號(hào)的發(fā)送/接收)。
因此，通過(guò)經(jīng)由諧振電路部分4進(jìn)行R/W5與ID標(biāo)簽2之間的信號(hào)的接收/發(fā)送，可確實(shí)讀取和擦除ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的信息，信息可確實(shí)被寫(xiě)入、重寫(xiě)等到ID標(biāo)簽中。在根據(jù)本發(fā)明對(duì)行李中所包含的產(chǎn)品的檢查系統(tǒng)中，對(duì)諸如包含產(chǎn)品1的手提箱35的包裝體設(shè)置諧振電路部分4。因此，可解決由于R/W5與連接到產(chǎn)品1的ID標(biāo)簽2之間的方向性(僅在某一方向上進(jìn)入的屬性或僅從某一方向中接收的屬性)引起的通信不可用或通信不穩(wěn)定，然后可確實(shí)地進(jìn)行它們之間的通信。
注意，由天線部分6接收并存儲(chǔ)在ID標(biāo)簽2中的信息由連接至R/W5的計(jì)算機(jī)9處理。此外，當(dāng)連接至諸如手提箱35的行李的標(biāo)簽36是ID標(biāo)簽時(shí)，由R/W5寫(xiě)入和讀取附連于產(chǎn)品1的ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的信息，且同時(shí)可由R/W5寫(xiě)入和讀取標(biāo)簽36中所存儲(chǔ)的信息。
如有必要，可為R/W5或計(jì)算機(jī)9設(shè)置顯示屏，并可在其上適當(dāng)?shù)仫@示關(guān)于產(chǎn)品1的讀取信息或標(biāo)簽36的信息。例如，顯示諸如產(chǎn)品名、原產(chǎn)國(guó)、重量、價(jià)格等產(chǎn)品的所有信息或標(biāo)簽36中所存儲(chǔ)的諸如出發(fā)地、路線、目的地的信息。
此外，數(shù)據(jù)庫(kù)10可連接至計(jì)算機(jī)9?？山徊鏅z查由R/W5讀取的關(guān)于產(chǎn)品1的信息和數(shù)據(jù)庫(kù)中所存儲(chǔ)的關(guān)于產(chǎn)品的信息，因此可即時(shí)確定手提箱35中所包含的產(chǎn)品1是否是適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)品(非偽造的產(chǎn)品、危險(xiǎn)的材料等的產(chǎn)品)。此外，如果行李的總重量不等于由R/W5讀取的產(chǎn)品的總重量(或由對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)的查詢(xún)獲得的重量)，可識(shí)別對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)中未存儲(chǔ)的偽造產(chǎn)品等的扣留。以此方式，可在邊界阻斷偽造產(chǎn)品，且可事先阻止偽造產(chǎn)品的走私和恐怖主義。
實(shí)施例2
實(shí)施例2參考圖4描述了應(yīng)用本發(fā)明的另一示例。圖4中，包裝體3中所包含的產(chǎn)品1被裝載到諸如運(yùn)貨卡車(chē)的運(yùn)輸車(chē)輛38中。ID標(biāo)簽2附連于產(chǎn)品1，諧振電路部分4(下文在本實(shí)施例中稱(chēng)之為第一諧振電路部分)在包裝體3中形成。此外，至少一個(gè)且不同于諧振電路部分4的另一諧振電路部分39(下文在本實(shí)施例中稱(chēng)之為第二諧振電路部分)設(shè)置在運(yùn)輸車(chē)輛38的門(mén)部分或車(chē)架部分中。第一諧振電路部分可設(shè)置在包裝體3的外表面；然而它較佳地在蓋子的內(nèi)部或內(nèi)側(cè)形成，以防止由于外力、偷竊等造成的分離。第二諧振電路部分可設(shè)置在運(yùn)輸車(chē)輛38的門(mén)部分或車(chē)架部分的外表面；然而它較佳地設(shè)置在蓋子的內(nèi)部或內(nèi)側(cè)以防止由于外力、偷竊等造成的分離。
當(dāng)ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的關(guān)于產(chǎn)品1的信息由R/W5從運(yùn)輸車(chē)輛38外部讀取和寫(xiě)入時(shí)，由第二諧振電路部分接收從R/W5的天線部分6中發(fā)出的電磁波，并將其發(fā)送給第一諧振電路部分。發(fā)送給第一諧振電路部分的電磁波再被發(fā)送給ID標(biāo)簽2。在某些情況中，如果ID標(biāo)簽2存在于第二諧振電路部分的周?chē)校瑒t電磁波從第二諧振電路部分直接發(fā)送給ID標(biāo)簽2。而且，在某些情況中，來(lái)自R/W5的電磁波由第一諧振電路部分或ID標(biāo)簽2直接接收。然而，通過(guò)提供第二諧振電路部分，可解決由于R/W5與連接到產(chǎn)品1的ID標(biāo)簽2之間的方向性(僅在某一方向上進(jìn)入的屬性或僅從某一方向中接收的屬性)引起的通信不可用或通信不穩(wěn)定，因此可確實(shí)地進(jìn)行它們之間的通信。
類(lèi)似于圖2中所示，第一和第二諧振電路部分各自至少包括用作電感的天線線圈和電容器。且每一諧振電路部分被設(shè)計(jì)成以與從R/W5中發(fā)出的電磁波的頻率幾乎相同的頻率諧振。換言之，構(gòu)成每一諧振電路部分的天線線圈的電感L和電容器的電容C的值被調(diào)節(jié)來(lái)與R/W5諧振。
由于第一和第二諧振電路部分以與R/W5的頻率幾乎相同的頻率諧振，因此這些諧振電路部分可有效地從R/W5中接收振蕩的電磁波。此外，通過(guò)采用電磁耦合方法、電磁感應(yīng)方法、靜電耦合方法等在第一和第二諧振電路部分之間、在ID標(biāo)簽和第一諧振電路部分之間以及在ID標(biāo)簽和第二諧振電路部分之間，執(zhí)行對(duì)ID標(biāo)簽2的電力供應(yīng)，部分或全部地進(jìn)行ID標(biāo)簽2與R/W5之間的信號(hào)的發(fā)送/接收。注意，即使當(dāng)運(yùn)輸車(chē)輛38停止或運(yùn)行時(shí)仍可進(jìn)行R/W5與ID標(biāo)簽之間的通信。
如上所述，當(dāng)以多個(gè)阻擋物(此處為包裝體3和運(yùn)輸車(chē)輛38)覆蓋產(chǎn)品1時(shí)，經(jīng)由為每一阻擋物設(shè)置的諧振電路部分在ID標(biāo)簽2與R/W5之間接收和發(fā)送信號(hào)，因此可安全地進(jìn)行讀取和擦除ID標(biāo)簽2中所存儲(chǔ)的信息，以及寫(xiě)入或重寫(xiě)信息到ID標(biāo)簽2。
注意，由天線部分6接收并然后存儲(chǔ)在ID標(biāo)簽2中的信息由連接至R/W5的計(jì)算機(jī)9處理。如有必要，可為R/W5設(shè)置顯示屏7，并可適當(dāng)?shù)仫@示關(guān)于產(chǎn)品1的讀取信息。例如，顯示諸如產(chǎn)品名、數(shù)量、運(yùn)往地址、始發(fā)地址、原產(chǎn)國(guó)、生產(chǎn)者、生產(chǎn)季節(jié)等關(guān)于產(chǎn)品1的所有信息?？蔀橛?jì)算機(jī)9設(shè)置顯示屏。為R/W5設(shè)置操作鍵8，可控制與ID標(biāo)簽2的通信的ON/OFF，也可進(jìn)行對(duì)讀取信息的選擇、刪除等。
此外，數(shù)據(jù)庫(kù)10可連接至計(jì)算機(jī)9。由R/W5讀取的關(guān)于產(chǎn)品1的信息和數(shù)據(jù)庫(kù)中所存儲(chǔ)的關(guān)于產(chǎn)品的信息可被交叉檢查。
實(shí)施例3實(shí)施例3參考圖5A到5C描述了根據(jù)本發(fā)明的通信方法的示例。
作為根據(jù)本發(fā)明的通信方法，存在其中R/W5與諧振電路部分4之間的通信方法和ID標(biāo)簽2與諧振電路部分4之間的通信方法相同的情況，以及其中R/W5與諧振電路部分4之間的通信方法不同于ID標(biāo)簽2與諧振電路部分4之間的通信方法的情況。在使用相同通信方法的情況中，如圖5A中所示，作為示例可對(duì)兩種方法均采用電磁感應(yīng)方法(一般，通信范圍為大約1米或更小)。在使用電磁感應(yīng)方法的情況中，所用的頻率可從小于135KHz、大于13.56MHz和從135KHz到13.56MHz的范圍中廣泛采用。一般，采用4.9MHz、13.56MHz、900MHz的頻帶。
此外，在使用相同通信方法的情況中，即使諧振電路部分4由于任何原因不工作，通過(guò)R/W5與ID標(biāo)簽2之間的電磁波的直接接收/發(fā)送仍可進(jìn)行通信。
在采用不同通信方法的情況中，如圖5B中所示，例如在R/W5與諧振電路部分4之間的通信使用電磁感應(yīng)方法，而諧振電路部分4與ID標(biāo)簽2之間的通信使用電磁耦合方法。電磁耦合方法具有比電磁感應(yīng)方法短的通信范圍(一般，數(shù)十毫米或更短的通信范圍)。在電磁耦合方法的情況中，可采用與電磁感應(yīng)方法的頻率幾乎相同的頻率。
如圖5C中所示，R/W5與諧振電路部分4之間的通信采用微波方法(一般，通信范圍為大約3米或更小)，諧振電路部分4與ID標(biāo)簽2之間的通信可采用具有比微波方法短的通信范圍的電磁感應(yīng)方法或電磁耦合方法。在微波方法的情況中，所使用的頻率一般為2.45GHz頻帶。
具體地，作為R/W5與諧振電路部分4之間的通信方法，采用電磁感應(yīng)方法或微波方法，使R/W5與諧振電路部分4之間的通信范圍大于諧振電路部分4與ID標(biāo)簽2之間的通信范圍，從而處于較遠(yuǎn)處的R/W5可與ID標(biāo)簽2通信。
注意，當(dāng)通信方法在電磁波穿過(guò)諧振電路部分4之前和之后有所改變時(shí)，諸如天線線圈和電容器等電路元件及其在諧振電路部分4中的布置可根據(jù)通信方法改變。
當(dāng)然，通信方法的組合不限于本發(fā)明的這些。此外，可組合靜電耦合方法或光學(xué)通信系統(tǒng)。
如實(shí)施例2中所示，如果雙倍或三倍地設(shè)置諧振電路部分，可適當(dāng)組合上述通信方法。注意，諧振電路部分較佳地如此設(shè)計(jì)，使得R/W5與諧振電路部分之間的范圍可盡可能的長(zhǎng)。
實(shí)施例4實(shí)施例4參考圖6具體描述了根據(jù)本發(fā)明的ID標(biāo)簽2配置的示例。圖6示出了ID標(biāo)簽2的示意圖，它包括供電電路214、輸入-輸出電路215、天線電路216、邏輯電路210、放大器211、時(shí)鐘生成電路-解碼器212、存儲(chǔ)器213等。天線電路216具有天線布線201和天線電容器202。
由于通過(guò)接收從R/W5中發(fā)出的電磁波17來(lái)供應(yīng)電力，ID標(biāo)簽可無(wú)需其自己的電源而工作。當(dāng)天線電路216從R/W5中接收電磁波17時(shí)，作為被檢測(cè)的輸出信號(hào)的信號(hào)由輸入-輸出電路215檢測(cè)，電路215包括第一電容器裝置203、第一二極管204、第三二極管207、第三電容器裝置208等。該信號(hào)由放大器211放大，以具有足夠大的振幅，然后它由時(shí)鐘生成電路-解碼器212劃分成時(shí)鐘和數(shù)據(jù)指令。所發(fā)送的指令由邏輯電路210解碼，以例如進(jìn)行存儲(chǔ)器213中的數(shù)據(jù)的回復(fù)，并將必要的信息寫(xiě)入存儲(chǔ)器中。
回復(fù)由根據(jù)邏輯電路210的輸出的開(kāi)關(guān)元件209的ON/OFF進(jìn)行。這改變天線電路216的阻抗，導(dǎo)致天線電路216的反射率的改變。R/W5通過(guò)監(jiān)視天線電路216的反射率的改變從ID標(biāo)簽中讀取信息。
ID標(biāo)簽2中的各個(gè)電路消耗的電力由通過(guò)檢測(cè)和平滑由供電電路214接收的電磁波17來(lái)生成的直流電源VDD供應(yīng)。類(lèi)似于輸入-輸出電路215，供電電路214含有第一電容器裝置203、第一二極管204、第二二極管205以及第二電容器裝置206，使第二電容器裝置206具有足夠大的值以便向各個(gè)電路供應(yīng)電力。
實(shí)施例5在實(shí)施例5中，將參考圖7A到10O描述ID標(biāo)簽2的具體制造方法。為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，此處將通過(guò)示出使用n溝道TFT和p溝道TFT的CPU和存儲(chǔ)器的橫截面結(jié)構(gòu)來(lái)描述該制造方法。
在襯底40上形成多個(gè)TFT、保護(hù)膜、各種布線和天線(下文中，包含至少這些元件的元件或電路被稱(chēng)為薄膜集成電路部分)。
首先，在襯底40上形成分離層41(圖7A)。此處經(jīng)由濺射方法在玻璃襯底(例如，Corning 1737襯底)上形成具有膜厚度為50nm(500)的a-Si膜(非晶體硅膜)。作為襯底，除玻璃襯底以外，可使用在隨后的處理中可經(jīng)受處理溫度的諸如石英襯底、包含諸如氧化鋁的絕緣材料的襯底、硅片襯底、熱(thermal)氧化硅襯底、SIMOX襯底以及耐熱塑料襯底等襯底。
作為分離層，除非晶硅以外，可使用包含硅作為其主要成分的層，諸如多晶硅、單晶硅或SAS(半非晶硅(也稱(chēng)為微晶硅))。代替濺射方法，這些分離層可由諸如CVD的方法形成。較佳地，使分離層的薄膜厚度為50到54nm(500到540)。對(duì)于SAS，薄膜厚度可以是30到50nm(300到500)。
接著，在分離層41上形成保護(hù)膜42(也稱(chēng)為基膜或基絕緣膜)(圖7A)。盡管此處采用了膜厚度100nm的SiON膜、膜厚度50nm的SiNO膜以及膜厚度100nm的SiON膜的三層結(jié)構(gòu)，但材料、膜厚度或?qū)盈B的數(shù)目不限于此。例如，代替較低的SiON膜，可經(jīng)由諸如旋涂、狹縫式涂布機(jī)或微滴排放(dropletdischaging)的方法形成具有膜厚度為0.5到3μm的硅氧烷的耐熱樹(shù)脂?；蛘?，可使用氮化硅膜(例如，SiN或Si3N4)。較佳地，使每一膜厚度為0.05到3μm，可在該范圍內(nèi)自由選擇。
可經(jīng)由諸如熱CVD、等離子CVD、大氣CVD或偏壓ECRCVD的方法使用諸如SiH4-O2混合氣體或TEOS(四乙氧基甲硅烷)-O2混合氣體來(lái)形成氧化硅膜。氮化硅膜一般可經(jīng)由等離子CVD方法使用SiH4-NH3混合氣體形成。SiON膜或SiNO膜一般可經(jīng)由等離子CVD方法使用SiH4-N2O混合氣體形成。
在其中包含諸如a-Si的硅作為主要成分的材料被用作分離層41，且稍后將形成島形半導(dǎo)體膜43作為與之接觸的保護(hù)膜42的情況中，從確保粘附的觀點(diǎn)可使用SiOxNy。
接著，在保護(hù)膜42上形成構(gòu)成薄膜集成電路部分的CPU和存儲(chǔ)器的一部分的薄膜晶體管(TFT)。除TFT以外，也可形成諸如有機(jī)TFT和薄膜二極管的薄膜有源元件。
在制造TFT的方法中，首先在保護(hù)膜42上形成島形半導(dǎo)體膜43(圖7B)。通過(guò)使用非晶半導(dǎo)體、晶體半導(dǎo)體或半非晶半導(dǎo)體來(lái)形成島形半導(dǎo)體膜43。在任何情況中，均有可能使用包含諸如硅或鍺化硅(SiGe)作為其主要成分的材料的半導(dǎo)體膜。
在該實(shí)施例中，形成具有膜厚度70nm的非晶硅，還對(duì)非晶硅的表面給予使用含有鎳的溶液的處理。此外，通過(guò)以500到750℃熱結(jié)晶過(guò)程獲得晶體硅半導(dǎo)體膜，并執(zhí)行激光結(jié)晶以改進(jìn)結(jié)晶度。作為沉積的方法，可使用諸如等離子CVD、濺射、或LPCVD的方法。作為結(jié)晶的方法，可使用諸如激光結(jié)晶、熱結(jié)晶或使用其它催化劑(諸如Fe、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu或Au)的結(jié)晶方法，而且上述方法可交替地使用多于一次。
對(duì)具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶，可使用連續(xù)波激光。為了經(jīng)由結(jié)晶獲得大粒度的晶體，較佳地使用連續(xù)波固體激光，并應(yīng)用基波的第二到第四諧波的任一(該情況中，結(jié)晶被稱(chēng)為“CWLC”)。一般，可使用Nd:YVO4激光(基波1064nm)的第二諧波(532nm)或第三諧波(355nm)。在使用連續(xù)波激光的情況中，具有10W輸出的連續(xù)波YVO4激光發(fā)出的激光由非線性光學(xué)元件轉(zhuǎn)換成諧波。也存在其中YVO4晶體或GdVO4晶體之一和非線性光學(xué)元件被置入諧振器以發(fā)出諧波的方法。然后，較佳地在將由光學(xué)系統(tǒng)照射的表面上形成矩形或橢圓形的激光來(lái)照射要處理的對(duì)象。在此情況中，大約0.01到100MW/cm2(較佳地，0.1到10MW/cm2)的功率密度是必要的。半導(dǎo)體膜可被移動(dòng)來(lái)以相對(duì)激光大約10到2000cm/s的速度被照射。
在使用脈沖激光的情況中，一般使用數(shù)十到數(shù)百Hz的頻帶。然而，可使用具有遠(yuǎn)高于上述頻帶的10MHz或更大的重復(fù)頻率的脈沖激光。由于從用脈沖激光激光照射至半導(dǎo)體膜到半導(dǎo)體膜的完全凝固的時(shí)段據(jù)說(shuō)為數(shù)十到數(shù)百毫微秒，使用上述高頻帶允許在從由激光熔化半導(dǎo)體膜到其凝固的時(shí)段期間發(fā)出下一脈沖激光。從而，與使用常規(guī)脈沖激光的情況不同，在半導(dǎo)體膜中可連續(xù)移動(dòng)固體-液體界面，以便形成使晶粒沿掃描方向連續(xù)生長(zhǎng)的半導(dǎo)體膜。具體地，可形成掃描方向上大約10到30μm的寬度且在垂直于掃描方向的方向上大約1到5μm的寬度的晶粒的集群。沿掃描方向延伸的單晶晶粒的形成使得可能形成其中在TFT的至少一溝道方向上幾乎不存在任何晶粒分界的半導(dǎo)體膜。
對(duì)保護(hù)膜42的一部分使用作為耐熱樹(shù)脂的硅氧烷的情況中，在上述結(jié)晶期間可防止熱量從半導(dǎo)體膜中耗散，以便可有效執(zhí)行結(jié)晶。
根據(jù)上述方法，獲得晶體硅半導(dǎo)體膜，其中較佳地晶體沿源極-溝道-漏極方向取向，使晶體層的厚度為20到200nm(一般為40到170nm，較佳為50到150nm)。此后，在半導(dǎo)體膜上形成用于金屬催化劑吸氣的非晶硅膜，其間置有氧化物膜，并通過(guò)在500到750℃的熱處理執(zhí)行吸氣。此外，為控制TFT元件的閾值電壓，大約1013/cm2劑量的硼離子被添加到晶體硅半導(dǎo)體膜。此后，通過(guò)以抗蝕劑作為掩膜進(jìn)行蝕刻形成島形半導(dǎo)體膜。
當(dāng)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜時(shí)，可使用乙硅烷(Si2H6)和四氟化鍺(GeF4)作為原料氣體，以經(jīng)由LPCVD(低壓CVD)方法直接形成多晶半導(dǎo)體膜，以便可獲得結(jié)晶半導(dǎo)體膜。在此情況中，氣體流速可以是Si2H6/GeF4＝20/0.9，沉積溫度可以是400到500℃，可使用He或Ar作為載氣。然而，條件不限于此。
較佳地，TFT中的溝道區(qū)特定以1×1019到1×1022cm-3的氫或鹵素?fù)诫s，較佳為1×1019到5×1020cm-3，或在SAS的情況中為1×1019到2×1021cm-3。在任何情況中，TFT中溝道區(qū)中所包含的氫或鹵素的量可大于為IC芯片所使用的單晶中所包含的量。這使得即使當(dāng)在TFT部分中生成局部裂縫時(shí)，也可能以氫或鹵素終止該局部裂縫。
在使用SAS(半非晶半導(dǎo)體)等的情況中，可略去半導(dǎo)體膜(高溫?zé)崽幚磉^(guò)程)的結(jié)晶過(guò)程。在此情況中，可在柔性襯底上直接形成芯片。根據(jù)本發(fā)明，原則上不使用硅片，然而，硅片可在轉(zhuǎn)移到柔性襯底等上之前被用作分離襯底。
接著，在島形半導(dǎo)體膜43上形成柵絕緣膜44(圖7B)。較佳地，使用諸如等離子CVD或?yàn)R射的形成薄膜的方法來(lái)形成單層或包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或氮氧化硅的層的疊層作為柵絕緣膜。在層疊層的情況中，較佳地可采用從襯底側(cè)依次為氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜的三層結(jié)構(gòu)。
接著，形成柵電極46(圖7C)。在此實(shí)施例中，當(dāng)通過(guò)濺射層疊和形成Si和W(鎢)之后，通過(guò)使用抗蝕劑45作為掩膜進(jìn)行蝕刻來(lái)形成柵電極46。當(dāng)然，柵電極46的材料、結(jié)構(gòu)或制造方法不限于此，它們可被適當(dāng)選擇。例如，可采用n型雜質(zhì)摻雜或非摻雜Si和NiSi(硅化鎳)的層疊結(jié)構(gòu)或TaN(氮化鉭)和W的層疊結(jié)構(gòu)?；蛘撸墒褂酶鞣N導(dǎo)電材料來(lái)形成作為單層的柵電極46。
代替抗蝕劑掩膜，可使用諸如SiOx的掩膜。在此情況中，添加通過(guò)圖案形成來(lái)形成諸如SiOx或SiON的掩膜(被稱(chēng)為硬掩膜)的工藝。然而，由于該掩膜相比抗蝕劑在蝕刻期間較少減少，因此可形成具有期望寬度的柵電極層。或者，不使用抗蝕劑45，可使用微滴排放的方法來(lái)選擇性地形成柵電極46。
作為導(dǎo)電材料，取決于導(dǎo)電膜的功能可選擇各種材料。在同時(shí)形成柵電極和天線的情況中，可考慮其功能來(lái)選擇材料。
作為在通過(guò)蝕刻形成柵電極的情況中的蝕刻氣體，使用其中混合CF4、Cl2和O2的混合氣體或Cl2氣體。然而，蝕刻氣體不限于這些氣體。
接著，要變成p溝道TFT 54和56的部分由抗蝕劑47覆蓋，以給予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素48(一般為P(磷)或As(砷))摻雜要變成n溝道TFT 53和55的島形半導(dǎo)體膜，以形成柵電極作為掩膜的低濃度雜質(zhì)區(qū)(圖7D中所示的第一摻雜過(guò)程)。第一摻雜過(guò)程的條件如下劑量為1×1013到6×1013/cm2、加速電壓為50到70keV。然而，條件不限于此。通過(guò)該第一摻雜處理，進(jìn)行經(jīng)由柵絕緣膜44的摻雜以形成一對(duì)低濃度雜質(zhì)區(qū)49。可對(duì)整個(gè)區(qū)域進(jìn)行第一摻雜處理，而不需以抗蝕劑覆蓋p溝道TFT區(qū)。
接著，當(dāng)經(jīng)由諸如灰化的方法移除抗蝕劑47之后，形成新的抗蝕劑50來(lái)覆蓋n溝道TFT區(qū)，以給予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素51(一般為B(硼))摻雜要變成p溝道TFT 54和56的島形半導(dǎo)體膜，以形成柵電極作為掩膜的高濃度雜質(zhì)區(qū)(圖7E中所示的第二摻雜過(guò)程)。第二摻雜過(guò)程在如下條件下執(zhí)行劑量為1×1016到3×1016/cm2、加速電壓為20到40keV。通過(guò)該第二摻雜處理，進(jìn)行經(jīng)由柵絕緣膜44的摻雜以形成一對(duì)高濃度p型雜質(zhì)區(qū)52。
接著，當(dāng)經(jīng)由諸如灰化的方法移除抗蝕劑50之后，在襯底上形成絕緣膜59(圖8F)。在此實(shí)施例中，經(jīng)由等離子CVD方法形成膜厚度為100nm的SiO2膜。之后，蝕刻并移除絕緣膜59和柵絕緣膜44以自對(duì)準(zhǔn)方式形成側(cè)壁60。作為蝕刻氣體，使用CHF3-He混合氣體。
用于形成側(cè)壁60的方法不限于上述方法。例如，當(dāng)形成絕緣膜59之后，襯底的整個(gè)表面可由抗蝕劑覆蓋，可由深蝕刻(etchback)方法蝕刻并移除該抗蝕劑、絕緣膜59和柵絕緣膜44，來(lái)以自對(duì)準(zhǔn)方式形成側(cè)壁60。此外，如果由于膜形成方法的性質(zhì)在襯底的對(duì)面形成絕緣膜59，則使用抗蝕劑作為掩膜進(jìn)行背面處理以移除在襯底背面上形成的絕緣膜，然后可進(jìn)行深蝕刻處理。
絕緣膜59可具有兩層或多層的層疊層結(jié)構(gòu)。例如，采用膜厚度100nm的SiON(氮氧化硅)和膜厚度200nm的LTO膜(低溫氧化膜)的兩層結(jié)構(gòu)，其中SiON膜由等離子CVD方法形成，SiO2膜由低壓CVD方法形成為L(zhǎng)TO膜。側(cè)壁60的形狀不限于至少圖8G中所示。側(cè)壁可具有L型或L型和圓環(huán)形的組合形狀。
上述側(cè)壁用作掩膜，用于當(dāng)稍后執(zhí)行高濃度n型雜質(zhì)元素的摻雜時(shí)，形成側(cè)壁60下方的低濃度雜質(zhì)區(qū)或非摻雜偏移區(qū)。在用于形成側(cè)壁的上述方法的任何一種中，取決于低濃度雜質(zhì)區(qū)或偏移區(qū)的期望的寬度，可適當(dāng)改變深蝕刻的條件和絕緣膜59的厚度。
接著，形成新抗蝕劑61來(lái)覆蓋p溝道TFT區(qū)，以柵電極46和側(cè)壁60作為掩膜，執(zhí)行給予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素62(一般為P或As)的摻雜來(lái)形成高濃度雜質(zhì)區(qū)(圖8H中所示的第三摻雜過(guò)程)。第三摻雜過(guò)程在如下條件下執(zhí)行劑量為1×1013到5×1015/cm2、加速電壓為60到100keV。通過(guò)該第三摻雜處理，進(jìn)行經(jīng)由柵絕緣膜44的摻雜以形成一對(duì)高濃度n型雜質(zhì)區(qū)63。
當(dāng)經(jīng)由諸如灰化的方法移除抗蝕劑61之后，可熱激活雜質(zhì)區(qū)。例如，當(dāng)形成50nm的SiON膜之后，可在氮保護(hù)氣氛中以550℃執(zhí)行熱處理4小時(shí)。此外，當(dāng)形成膜厚度100nm的含氫SiNx膜之后，結(jié)晶半導(dǎo)體膜的缺陷可由氮保護(hù)氣氛中1小時(shí)410℃的熱處理修復(fù)。這是例如用于終止晶體硅中存在的懸空鍵的過(guò)程，被稱(chēng)為氫化處理過(guò)程。此外，之后，可形成膜厚度600nm的SiON膜作為保護(hù)TFT的蓋絕緣膜。氫化處理過(guò)程可在形成SiON膜之后執(zhí)行。在此情況中，可在SiNx膜上連續(xù)形成SiON膜。以此方式，在TFT上形成SiON、SiNx、SiON的三層絕緣膜。然而，絕緣膜的結(jié)構(gòu)或材料不限于此。較佳形成也具有保護(hù)TFT的功能的這些絕緣膜。
接著，在TFT上形成夾層膜64(圖8I)。可對(duì)夾層膜64使用諸如聚酰亞胺、丙烯酸和聚酰胺的耐熱有機(jī)樹(shù)脂以及諸如硅氧烷等耐熱樹(shù)脂。在形成夾層膜64的過(guò)程中，取決于夾層膜的材料，可采用旋涂方法、浸漬方法、噴涂方法、微滴排放方法(諸如噴墨方法、網(wǎng)印方法和膠印方法)、刮刀、輥涂機(jī)、簾幕式淋涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)等。此外可使用無(wú)機(jī)材料。在此情況中，可使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、PBSG(磷硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)、氧化鋁膜等。注意，這些絕緣膜可層疊來(lái)形成夾層膜64。
此外，可在夾層膜64上形成保護(hù)膜65。作為保護(hù)膜65，可采用包含碳諸如DLC(鉆石形碳)或氮化碳(CN)等的膜、氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等。至于形成方法，可采用等離子CVD、大氣等離子等。或者，可采用諸如聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、抗蝕劑和苯并環(huán)丁烯的光敏性或非光敏性有機(jī)材料，或諸如硅氧烷的耐熱樹(shù)脂。
注意，可將填料混入夾層膜64或保護(hù)膜65中，以防止由于夾層膜64或保護(hù)膜65與后續(xù)步驟形成的布線的導(dǎo)電材料等之間的熱膨脹系數(shù)的差異生成的應(yīng)力而造成膜脫離或這些膜的破裂。
在形成抗蝕劑之后經(jīng)由蝕刻形成接觸孔。形成用于連接TFT的布線66和連接至天線的連接布線67(圖8I)。至于用于形成接觸孔的蝕刻氣體，采用CHF3-He混合氣體，但本發(fā)明不限于此。
此處，布線66具有五層結(jié)構(gòu)，其中從襯底側(cè)堆疊Ti、TiN、Al-Si、Ti和TiN。該布線較佳經(jīng)由濺射方法形成并形成圖案。通過(guò)將Si混合入Al層，當(dāng)形成布線圖案時(shí)，在抗蝕劑焙燒期間可防止生成小丘。代替Si，可混合大約0.5％的Cu。此外，通過(guò)以Ti或TiN夾住Al-Si層，可進(jìn)一步防止小丘的生成。在圖案形成時(shí)，較佳采用上述SiON等的硬掩膜。注意，這些布線的材料和形成方法不限于此，且可采用用于形成柵電極的前述材料。
布線66和連接布線67的材料可以相同或不同。作為其形成方法，可在經(jīng)由濺射在襯底的整個(gè)表面上形成膜之后使用抗蝕劑掩膜執(zhí)行圖案形成，或可使用微滴排放方法使用噴嘴選擇性地形成布線。注意，微滴排放方法包括網(wǎng)印、膠印以及噴墨。布線和天線可在同時(shí)形成，或一個(gè)可在之前形成的另一個(gè)上形成。
在此實(shí)施例中，分開(kāi)形成含有CPU 57、存儲(chǔ)器58等的TFT區(qū)以及天線連接部分68；然而當(dāng)TFT區(qū)和天線集成時(shí)，也可應(yīng)用本發(fā)明。
通過(guò)上述過(guò)程，完成包含TFT的薄膜集成電路部分。盡管，在此實(shí)施例中采用了頂柵結(jié)構(gòu)，但可采用底柵結(jié)構(gòu)(倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)的結(jié)構(gòu))?；^緣膜、夾層絕緣膜和布線的材料主要在其中不存在諸如TFT的任何薄膜有源元件部分(有源元件)的區(qū)域中提供，其中較佳地該區(qū)域占整個(gè)薄膜集成電路部分的50％或以上，較佳為其70到95％。這使得易于彎曲和處理作為完成的制品的ID標(biāo)簽2。在此情況中，較佳地，包含TFT部分的有源元件的島形半導(dǎo)體區(qū)域(島)占整個(gè)薄膜集成電路部分的1到30％，較佳為其5到15％。
此外，如圖8I中所示，較佳地控制上下保護(hù)膜和夾層膜的厚度，使得從TFT的半導(dǎo)體層到下保護(hù)膜的距離(tunder)和從半導(dǎo)體層到上夾層膜(在其中形成保護(hù)膜的情況中的保護(hù)膜)的距離(tover)在薄膜集成電路部分中相等或基本相等。通過(guò)以此方式將半導(dǎo)體層定位在薄膜集成電路部分的中央，可減輕對(duì)半導(dǎo)體層的應(yīng)力，并可防止生成裂縫。
根據(jù)本實(shí)施例制造的TFT具有0.35V/dec或更小(較佳為0.07到0.25V/dec)的S值(亞閾值)，以及10cm2/Vsec或更大的遷移率，還具有在環(huán)形振蕩器電平上(3到5V)上1MHz或更多，較佳為10MHz或更多的特征，或具有每門(mén)100kHz或更多，較佳為1MHz或更多的頻率特征(3到5V)。
當(dāng)在襯底40上形成多個(gè)薄膜集成電路部分之后(圖9J)，經(jīng)由切割形成溝槽70，并為每一ID標(biāo)簽隔離多個(gè)薄膜集成電路部分以獲得薄膜集成電路部分69(圖9K)。在此情況中，通常使用利用切割設(shè)備(切塊機(jī))的刀片切割方法。刀片是其中植入鉆石磨蝕劑的磨石，具有大約30到50μm的寬度。通過(guò)快速旋轉(zhuǎn)該刀片，為每一ID標(biāo)簽隔離薄膜集成電路部分。切割必需的區(qū)域被稱(chēng)為間隔，考慮到對(duì)元件的損害，它較佳具有80到150μm的寬度。
除切割以外，可使用諸如劃割或利用掩膜的蝕刻的方法。在劃割的情況中，存在諸如鉆石劃割和激光劃割的方法。在采用激光劃割的情況中，可使用從脈沖激光諧振器中發(fā)出功率200到300W的線性激光，例如，Nd:YAG激光的波長(zhǎng)1064nm的基波或波長(zhǎng)532nm的第二諧波。
在蝕刻的情況中，當(dāng)根據(jù)曝光和顯影的過(guò)程形成掩膜圖案之后，可通過(guò)干蝕刻將元件彼此分開(kāi)。在干蝕刻過(guò)程中，可使用大氣等離子體。作為用于干蝕刻的氣體，使用以Cl2、BCl3、SiCl4、CCl4等為代表的氯基氣體，以CF4、SF6、NF3、CHF3等氟基氣體以及O2。然而，用于干蝕刻的氣體不限于此。蝕刻也可通過(guò)使用大氣等離子體執(zhí)行。在此情況中，較佳使用CF4-O2混合氣體作為蝕刻氣體?？赏ㄟ^(guò)使用不同種類(lèi)的氣體進(jìn)行多于一次的蝕刻來(lái)形成溝槽70。當(dāng)然，可通過(guò)濕蝕刻來(lái)形成溝槽70。
當(dāng)形成溝槽70時(shí)，溝槽可具有到分離層的至少一表面外露的點(diǎn)的深度，且較佳地，適當(dāng)控制諸如切割的方法，以便不擦傷襯底，從而襯底40可重復(fù)使用。
接著，帶有凸起71的支架72(支撐襯底)被連接至薄膜集成電路部分69的每一部分中，其間置有粘合劑73(圖9L)。支架具有臨時(shí)性固定多個(gè)薄膜集成電路部分以便防止當(dāng)移除分離層之后薄膜集成電路部分分散開(kāi)的功能。較佳地，如圖9L中所示，支架具有含有凸起71且為梳形的結(jié)構(gòu)，以便使其易于在稍后引入含有鹵素氟化物的氣體或液體。然而，可使用平坦的支架。較佳地，可設(shè)置開(kāi)口部分74以便使其易于在稍后引入含有鹵素氟化物的氣體或液體。
作為支架72，例如可使用不被鹵素氟化物損害的玻璃襯底、含有氧化硅作為其主要成分的石英襯底以及不銹(SUS)襯底。只要使用不會(huì)被鹵素氟化物損害的材料，支架不限于這些襯底。
作為粘合劑73，一般，可使用經(jīng)UV光照射其粘合力(粘性)會(huì)減少或丟失的材料。此處使用由Nitto Denko制造的UV照射分離帶。除此以外，可使用可反復(fù)連接和分離的粘合劑，這用于諸如由THREE M INNOVATIVE PROPERTIES制造的“Post-it”(注冊(cè)商標(biāo))和由MOORE BUSINESS FORMS INC制造的“NOTESTIX”(注冊(cè)商標(biāo))的產(chǎn)品。例如，可使用日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2001-30403號(hào)、日本專(zhuān)利第2992092號(hào)以及日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第H6-299127號(hào)中描述的丙烯酸粘合劑、合成橡膠粘合劑以及天然橡膠粘合劑。當(dāng)然，只要所使用的材料可容易地移除支架，粘合劑不限于這些材料?？刹捎貌恍鑅V光照射等即可分離的粘合劑。
接著，通過(guò)將鹵素氟化物氣體75引入溝槽70蝕刻并移除作為分離層的a-Si膜(圖10M)。此處使用圖12中所示的低壓CVD系統(tǒng)在氣體ClF3(三氟化氯)、溫度350℃、流速300sccm、壓力8×102Pa、以及時(shí)間3小時(shí)的條件下蝕刻并移除該a-Si膜。然而，該條件不是限定的，可適當(dāng)改變?；蛘?，可使用與氮混合的ClF3氣體的氣體，其中兩種氣體的流速均可適當(dāng)設(shè)定。除ClF3以外，也可使用諸如BrF3或ClF2的氣體。
圖12中所示的低壓CVD具有這樣一種機(jī)構(gòu)，諸如ClF3氣體75的鹵素氟化物氣體被引入作為反應(yīng)場(chǎng)的鐘形罩86中以使氣體環(huán)流至襯底87。此外，在鐘形罩外設(shè)置加熱器88，剩余的氣體從排氣管89中排出。
盡管由諸如ClF3的鹵素氟化物選擇性地蝕刻硅，但氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy或SiNxOy)難以蝕刻。從而，隨著時(shí)間蝕刻分離層41，使得襯底40可最終分離(圖10N)。另一方面，作為含有諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或耐熱樹(shù)脂的材料的基膜、夾層膜或保護(hù)膜難以蝕刻，可防止對(duì)薄膜集成電路的損害。已分離的襯底40當(dāng)然可被重新使用，相比按照常規(guī)方式研磨硅片的情況這導(dǎo)致成本的進(jìn)一步減少。
接著，經(jīng)由UV光照射減少或丟失粘合劑73的粘性，以從薄膜集成電路部分69中分離支架72(圖10O)。較佳地，重復(fù)使用支架72以便減少成本。
由上述方法為每一ID標(biāo)簽隔離的薄膜集成電路部分69由小型真空鑷子等傳送。例如，如圖11A和11B中所示涂布薄膜集成電路部分來(lái)完成ID標(biāo)簽2。
圖11A和11B示出ID標(biāo)簽2的生產(chǎn)線的示意圖以及作為完成的制品的ID標(biāo)簽的放大圖。一開(kāi)始，如圖11A中所示，從襯底供應(yīng)裝置76中供應(yīng)將作為ID標(biāo)簽2的入口襯底81(圖11B)的材料。入口襯底81可具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B層結(jié)構(gòu)。
事先在入口襯底81中形成天線82。作為天線82的導(dǎo)電性材料，一般可使用Ag、Au、Al、Cu、Zn、Sn、Ni、Cr、Fe、Co或Ti或包含這些元素的合金。注意，天線82被形成來(lái)包含具有足夠展性和延展性的材料，較佳地，它形成得較厚以便經(jīng)受由于變換引起的應(yīng)力。注意，形成天線82，然后可由保護(hù)膜覆蓋。
作為天線82的形成方法，當(dāng)經(jīng)由濺射在襯底的整個(gè)表面上形成膜或可選擇性以噴嘴使用微滴排放方法用于形成膜之后可使用抗蝕劑掩膜執(zhí)行圖案形成。注意，微滴排放方法包括網(wǎng)印、膠印以及噴墨。
然后，經(jīng)由連接裝置77將薄膜集成電路部分69附連于(連接)至入口襯底81的期望區(qū)域。此時(shí)，可適當(dāng)?shù)夭捎酶飨虍愋詫?dǎo)電膜(ACF)、超聲波連接方法、UV連接方法等作為連接方法。在其中薄膜集成電路部分69被連接至入口襯底81的情況中，薄膜集成電路部分69可連接至已經(jīng)與每一ID標(biāo)簽隔離的入口襯底81，或其中已經(jīng)設(shè)置薄膜集成電路部分69的入口襯底81的材料可與每一ID標(biāo)簽隔離。注意，入口襯底81的材料可以是輥形、板形等。通過(guò)采用層疊設(shè)備79，每一入口襯底81的周?chē)趯盈B過(guò)程中被覆蓋。薄膜集成電路部分69的周?chē)墒孪扔砂盍?4的填充層83覆蓋。此外，可使用填料填充層疊樹(shù)脂層85。
以此方式，完成了ID標(biāo)簽2。當(dāng)在帶形襯底的期望部分中形成薄膜集成電路部分69，并執(zhí)行層疊過(guò)程之后，可為每一ID標(biāo)簽隔離襯底。經(jīng)受層疊過(guò)程的ID標(biāo)簽2由收集裝置80收集。
注意，薄膜集成電路部分69的涂布裝置不限于層疊方法。此外，用于涂布的材料可適當(dāng)?shù)夭捎弥T如紙或樹(shù)脂的各種材料。例如，使用諸如具有彎曲性的塑料的柔性樹(shù)脂材料，因此可容易地處理ID標(biāo)簽2。
圖11B是本實(shí)施例中制造的ID標(biāo)簽2的橫截面和放大圖。天線82和連接至天線82的薄膜集成電路部分69在入口襯底81上形成，入口襯底81由層疊樹(shù)脂層85覆蓋，填充層83含有填料84。天線82可直接連接至薄膜集成電路部分69，或可在天線82與薄膜集成電路部分69之間形成包含導(dǎo)電材料的連接墊部分。
為了在層疊過(guò)程期間在熱處理等中保護(hù)薄膜集成電路部分69和天線82，較佳對(duì)填充層83使用諸如硅氧烷的耐熱樹(shù)脂。此外，可單獨(dú)形成保護(hù)膜。作為保護(hù)膜，可使用包含諸如DLC或氮化碳(CN)的碳的膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等。然而，保護(hù)膜不限于此。作為其形成方法，可使用諸如等離子CVD或大氣等離子的方法。
在此實(shí)施例中，作為分離襯底的方法，可采用這樣一種方法，其中對(duì)配備多個(gè)薄膜集成電路部分的襯底給予應(yīng)力以便物理地分離襯底。在此情況中，可使用諸如W、SiO2和WO3的材料作為分離層。為給予應(yīng)力，可使用鉆石筆等施加沖擊。
以上描述了ID標(biāo)簽2的制造方法。至于諧振電路部分4和39，其集成電路部分通過(guò)使用薄膜形成并由分離方法隔離。
注意，該實(shí)施例可與其它實(shí)施方式和實(shí)施例自由組合。
實(shí)施例6實(shí)施例6參考圖13A到13C描述了這樣一個(gè)示例，其中薄膜集成電路部分69被直接轉(zhuǎn)移并連接至ID標(biāo)簽的入口襯底81上，而沒(méi)有在實(shí)施例5中由鹵素氟化物氣體分離薄膜集成電路部分之后移除連接至薄膜集成電路部分69上的支架72。
首先，如實(shí)施例5中所示，形成了多個(gè)薄膜集成電路部分69，并由粘合劑73連接支架72。如圖13A中所示，采用具有凸起71的材料作為支架72。作為粘合劑73，此處使用經(jīng)由UV光照射其粘性會(huì)減少或丟失的材料。此外，設(shè)置由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料制成的保護(hù)膜90以防止薄膜集成電路部分69被損害。由諸如ClF3的鹵素氟化物進(jìn)行蝕刻以隔離元件。
接著，與多個(gè)薄膜集成電路部分69連接的支架72被轉(zhuǎn)移至其中安排了ID標(biāo)簽的入口襯底81的臺(tái)91并與其對(duì)準(zhǔn)。此時(shí)，如圖13A中所示，可使用為支架72和臺(tái)91設(shè)置的對(duì)齊標(biāo)記。事先在入口襯底81的一部分中形成粘合劑92，以便形成薄膜集成電路部分69，且通過(guò)控制支架72的位置，期望的元件被附連于產(chǎn)品的期望位置(圖13A)。同時(shí)，薄膜集成電路部分69被電連接至入口襯底81上形成的天線82。
接著，以UV光94選擇性地照射要連接到入口襯底81上的薄膜集成電路部分69以減少或引起粘合劑73的粘性的丟失，從而將支架72從薄膜集成電路部分中分離(圖13B)。因此，可在入口襯底81的期望部分中形成期望的薄膜集成電路部分69。此外，薄膜集成電路部分69由涂層95覆蓋(圖13C)。注意，此處天線82形成在入口襯底81內(nèi)部；然而，天線可事先形成在薄膜集成電路部分69中。
根據(jù)本實(shí)施例中所示的本發(fā)明，期望的薄膜集成電路部分69可在期望部分中形成，而不需在通過(guò)使用諸如ClF3的鹵素氟化物蝕刻分開(kāi)元件的過(guò)程中將元件分離地分開(kāi)。注意，該實(shí)施例可與其它實(shí)施方式和實(shí)施例自由組合。
如上所述，本發(fā)明用于由包裝體包裝產(chǎn)品、存儲(chǔ)和分發(fā)等很有效。根據(jù)本發(fā)明，可顯著改進(jìn)ID標(biāo)簽的方便性。此外，在上述實(shí)施方式和實(shí)施例中，與ID標(biāo)簽相連的對(duì)象是產(chǎn)品；然而，不限于產(chǎn)品，與ID標(biāo)簽相連的對(duì)象也可是要管理的對(duì)象，諸如動(dòng)物和植物。從而，本發(fā)明可廣泛應(yīng)用，其可用性非常大。
權(quán)利要求
1.一種包括用于包裝配備半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品的包裝、以及用于讀取和寫(xiě)入所述半導(dǎo)體器件中所存儲(chǔ)的信息的讀取器/寫(xiě)入器的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體器件包括含有薄膜晶體管的薄膜集成電路以及天線；所述包裝配備包含天線線圈和電容器的諧振電路；以及所述諧振電路可與所述讀取器/寫(xiě)入器和所述半導(dǎo)體器件通信。
2.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述讀取器/寫(xiě)入器與所述諧振電路之間的通信方法和所述諧振電路與所述半導(dǎo)體器件之間的通信方法相同。
3.如權(quán)利要求2所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述通信方法是電磁感應(yīng)方法。
4.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述讀取器/寫(xiě)入器與所述諧振電路之間的通信方法不同于所述諧振電路與所述半導(dǎo)體器件之間的通信方法。
5.如權(quán)利要求4所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述讀取器/寫(xiě)入器與所述諧振電路之間的通信方法是電磁感應(yīng)方法與微波方法中的任一種。
6.一種包括用于包裝配備半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品的包裝、以及用于讀取和寫(xiě)入所述半導(dǎo)體器件中所存儲(chǔ)的信息的讀取器/寫(xiě)入器的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體器件包括含有薄膜晶體管的薄膜集成電路以及天線；所述包裝配備包含天線線圈和電容器的諧振電路；所述諧振電路可與所述讀取器/寫(xiě)入器和所述半導(dǎo)體器件通信；以及所述讀取器/寫(xiě)入器與所述諧振電路之間的通信范圍長(zhǎng)于所述諧振電路與所述半導(dǎo)體器件之間的通信范圍。
7.如權(quán)利要求6所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述讀取器/寫(xiě)入器與所述諧振電路之間的通信方法是電磁感應(yīng)方法與微波方法中的任一種。
8.如權(quán)利要求1和6中的任一項(xiàng)所述的產(chǎn)品管理系統(tǒng)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是從ID標(biāo)簽、ID芯片、ID標(biāo)記、ID戳記和ID粘紙的組中選擇的。
9.一種方法，包括從讀取器/寫(xiě)入器將包含第一信息的第一信號(hào)和第一電力的至少其中之一發(fā)送到諧振電路；響應(yīng)于接收所述第一信號(hào)和第一電力的至少其中之一，從所述諧振電路將包含所述第一信息的第二信號(hào)和第二電力的至少其中之一發(fā)送給半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括含有薄膜晶體管的薄膜集成電路以及天線；響應(yīng)于由所述半導(dǎo)體器件接收所述第二信號(hào)和所述第二電力的至少其中之一，從所述半導(dǎo)體器件將包含第二信息的第三信號(hào)發(fā)送到所述諧振電路；從所述諧振電路將包含所述第二信息的第四信號(hào)發(fā)送給所述讀取器/寫(xiě)入器，其中所述半導(dǎo)體器件附連于產(chǎn)品，所述產(chǎn)品被包含在包裝中，所述諧振電路被連接至所述包裝，且所述讀取器/寫(xiě)入器置于所述包裝之外。
10.一種方法，包括從讀取器/寫(xiě)入器將包含第一信息的第一信號(hào)和第一電力的至少其中之一發(fā)送到第一諧振電路；響應(yīng)于接收所述第一信號(hào)和第一電力的至少其中之一，從所述第一諧振電路將包含所述第一信息的第二信號(hào)和第二電力的至少其中之一發(fā)送到第二諧振電路，響應(yīng)于接收所述第二信號(hào)和所述第二電力的至少其中之一，從所述第二諧振電路將包含所述第一信息的第三信號(hào)和第三電力的至少其中之一發(fā)送到半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括含有薄膜晶體管的薄膜集成電路以及天線；響應(yīng)于由所述半導(dǎo)體器件接收所述第三信號(hào)與所述第三電力的至少其中之一，從所述半導(dǎo)體器件將包含第二信息的第四信號(hào)發(fā)送給所述第二諧振電路；從所述第二諧振電路將包含所述第二信息的第五信號(hào)發(fā)送給所述第一諧振電路；從所述第一諧振電路將包含所述第二信息的第六信號(hào)發(fā)送給所述讀取器/寫(xiě)入器，其中所述半導(dǎo)體器件附連于產(chǎn)品，所述產(chǎn)品被包含在第二包裝中，所述第二諧振電路被連接至所述第二包裝，所述第二包裝包含在第一包裝中，所述第一諧振電路連接至所述第一包裝，且所述讀取器/寫(xiě)入器置于所述第一包裝之外。
11.如權(quán)利要求9和10中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是從ID標(biāo)簽、ID芯片、ID標(biāo)記、ID戳記和ID粘紙中選擇的。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一包裝是從手提箱、波面纖維板、集裝箱和運(yùn)輸車(chē)輛中選擇的。
全文摘要
當(dāng)與ID標(biāo)簽相連的產(chǎn)品置于包裝體內(nèi)部時(shí)，存在使用讀取器/寫(xiě)入器與ID標(biāo)簽的通信被阻斷的風(fēng)險(xiǎn)。從而，難以在產(chǎn)品的分發(fā)過(guò)程中管理產(chǎn)品，這導(dǎo)致失去ID標(biāo)簽的方便性。本發(fā)明的一個(gè)特征是包括用于包裝與ID標(biāo)簽相連的產(chǎn)品的包裝體和讀取器/寫(xiě)入器的產(chǎn)品管理系統(tǒng)。ID標(biāo)簽包括薄膜集成電路部分和天線，包裝體包括含有天線線圈和電容器的諧振電路部分，諧振電路部分可與讀取器/寫(xiě)入器和ID標(biāo)簽通信。從而，即使當(dāng)產(chǎn)品被包裝體包裝時(shí)，也可確保附連于產(chǎn)品的ID標(biāo)簽與R/W之間的通信的穩(wěn)定性，且可簡(jiǎn)單并有效地進(jìn)行產(chǎn)品管理。
文檔編號(hào)B65G61/00GK1947132SQ20058001218
公開(kāi)日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者荒井康行, 秋葉麻衣, 館村祐子, 神野洋平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所