專利名稱：真空處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及所謂一列式的真空處理裝置，尤其涉及適用于一邊長為Im以上的大 型基板且改良基板的搬送系統(tǒng)而實現(xiàn)省空間化、低費用化的真空處理裝置。
背景技術(shù)：
例如，在加工用于等離子顯示器或者液晶顯示器的大型玻璃基板時，需要在真空 條件下進行升溫到規(guī)定溫度的加熱工序、采用濺射、CVD(Chemical Vapor Deposition)等 成膜工序、或者蝕刻等加工工序等而實現(xiàn)多層成膜的各種成膜工序。以下，除了這些在真空下的成膜工序之外、還將該成膜工序附帶的加熱工序等在 真空下進行的處理工序統(tǒng)稱為真空處理。另外，將除具備濺射裝置、CVD裝置或者蝕刻裝置 之外、還具備加熱裝置等真空處理機構(gòu)的、能發(fā)揮對基板進行真空處理的一個工序的功能 的真空室統(tǒng)稱為真空處理室。如專利文獻(特開平11-131232號公報)公開的那樣，以前各種真空處理裝置就 已被實用化。在使用如所述專利文獻公開的對基板以水平裝置成膜的成膜裝置時，如后述的那 樣，如果基板大型化，則存在裝置也跟著大型化的問題。因此，已開發(fā)了在使基板大致直立 的狀態(tài)下進行成膜等的立式真空處理裝置。下面參照圖5和圖6，對具有兩個不同構(gòu)造的以往的立式真空處理裝置進行說明。首先關(guān)于以往例1，參照圖5，說明大型基板用立式真空處理裝置。圖5是表示以往例1的大型基板用立式真空處理裝置的外觀構(gòu)成的部分截斷立體 圖。如圖5所示，以往的真空處理裝置100具備以下部分基板裝卸室110、具備基板 保持盤42的基板搬運器40、取入載置有基板30的基板搬運器40的基板裝入室120、對基板 30進行真空處理的發(fā)揮一工序份功能的多個(圖中顯示有3個)的真空處理室130、132、 134、對基板30進行真空處理后取出基板搬運器40的基板取出室140、橫移室150、以及將 基板搬運器40搬送到基板裝卸室的返回運送器160。橫移室150具備轉(zhuǎn)移機構(gòu)(未圖示)，用于將從基板取出室140取出的基板搬運器 40轉(zhuǎn)移到返回運送器160。另外，在基板裝入室120、各真空處理室130、132、134、基板取出室140中分別安裝 有真空排氣裝置，但在圖5中省略其表示。接著，參照圖5，對以往例1的真空處理裝置100進行說明。首先，在基板裝卸室110中，基板轉(zhuǎn)移機構(gòu)112取出橫向蓄積的基板30，使其垂直 站立，再載置于轉(zhuǎn)動機構(gòu)114上的基板搬運器40的基板保持盤42。
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轉(zhuǎn)移基板30的基板搬運器40，用基板保持盤42固定保持大致垂直的基板30。此 后，基板搬運器40通過轉(zhuǎn)動機構(gòu)114的轉(zhuǎn)動而改變方向成朝向基板裝入室120的方向，進 而與返回運送器160的搬送方向平行地搬入到基板裝入室120內(nèi)。另外，如后述的那樣，在基板裝卸室110中，由于載置有被真空處理的基板30的基 板搬運器40借助返回運送器160搬送過來，因此可以將該基板30從基板搬運器40取下。取下基板30后的基板搬運器40用于搬送接下來的基板30。將基板30設(shè)置為縱向，主要是為以下目的，S卩，伴隨著大型的液晶顯示器或者等 離子顯示器的普及，基板30自身變得大型化、薄膜化，而如果橫向設(shè)置，則真空處理裝置 100自身的平面面積也會跟著大型化，因此可通過縱向設(shè)置獲得省空間效果。另外還有個原因，S卩，當(dāng)橫向設(shè)置時，由于基板有自重，會產(chǎn)生撓曲現(xiàn)象而很難保 持平坦性，進而很難均勻成膜。對于基板裝入室120，雖然在從基板裝卸室110搬入基板搬運器40時向大氣壓開 放，但在搬入后則關(guān)閉隔門，并用真空排氣裝置排氣。當(dāng)基板裝入室120內(nèi)成為規(guī)定真空度 之后，打開與第一真空處理室130之間的隔門，將基板搬運器40搬出到該第一真空處理室 130。搬出基板搬運器40后，基板裝入室120關(guān)閉與相鄰的第一真空處理室130之間的 隔門，并通過導(dǎo)入氮氣或者大氣而返回大氣壓之后，再打開通向與基板裝卸室110之間的 隔門，并搬入下一個基板搬運器40。此時，由于是在關(guān)閉與第一真空處理室130之間的隔門之后再使基板裝入室120 開放為大氣壓，因此可以保持第一真空處理室130的高真空狀態(tài)。從基板裝入室120到橫移室150，設(shè)有基板搬運器40的搬送路徑。關(guān)于該搬送路徑，簡單補充說明其一例。該搬送路徑由一對導(dǎo)軌構(gòu)成，而基板搬運 器40借助設(shè)在其底部的多個車輪，在導(dǎo)軌上移動?；灏徇\器40的下面設(shè)有齒條?；逖b入室120、第一至第三真空處理室130、 132、134、基板取出室140、橫移室150上分別設(shè)有多個能與基板搬運器40的齒條咬合、且借 助電機轉(zhuǎn)動力轉(zhuǎn)動的小齒輪。通過這些小齒輪和齒條的咬合，可以將電機的驅(qū)動力傳達給 基板搬運器40，搬送基板搬運器40。在第一真空處理室(加熱室)130內(nèi)設(shè)有加熱裝置(未圖示)。當(dāng)基板搬運器40 進入到第一真空處理室130，則載置于基板搬運器40上的基板30被升溫到適于成膜的溫度。在加熱室130中將基板30加熱至期望溫度，則加熱室130和第二真空處理室132 之間的隔門就被打開。基板搬運器40搬出到第二真空處理室132，并在加熱室130中搬入 下一個基板搬運器40。在第二真空處理室(成膜室)132中，采用濺射裝置133等，實施基板30的成膜處 理。進行成膜處理后，打開第二真空處理室132和第三真空處理室134之間的隔門，基板 搬運器40搬出到第三真空處理室134，并在第二真空處理室132中搬入下一個基板搬運器 40。同樣，在第三真空處理室(成膜室)134中，采用濺射裝置135等，實施基板30的 成膜處理。進行成膜處理后，打開第三真空處理室134和基板取出室140之間的隔門，基板搬運器40搬出到基板取出室140，并在第三真空處理室134中搬入下一個基板搬運器40。在該以往例1的真空處理裝置100中，在第二和第三真空處理室(成膜室)132、 134內(nèi)進行的成膜工序，采用固定靜止基板搬運器40再成膜的固定成膜方式。當(dāng)基板搬運器40從第三真空處理室134搬送到基板取出室140時，借助真空排氣 裝置，基板取出室140維持高真空狀態(tài)。當(dāng)基板搬運器40從第三真空處理室134搬送到基 板取出室140之后，關(guān)閉基板取出室140和第三真空處理室134之間的隔門，并在此后將基 板取出室140開放為大氣壓。如果基板取出室140返回到大氣壓，則載置有結(jié)束了成膜處理的基板30的基板搬 運器40退到橫移室150。此時，由于在關(guān)閉與第三真空處理室134之間的隔門之后再將基板取出室140開 放到大氣壓，因此第三真空處理室134可以保持高真空狀態(tài)?；灏徇\器40在橫移室150中從搬送路徑轉(zhuǎn)移到返回運送器160上，并如上面所 述的那樣，借助返回運送器160，搬送至基板裝卸室110。另一方面，在如實施例1這樣的一列式真空處理裝置中，雖然基板裝入室和基板 取出室反復(fù)進行真空排氣和大氣壓開放，但在真空處理室則在始終保持高真空的條件下進 行真空處理。下面，參照圖6，對與所述以往例1的真空處理裝置結(jié)構(gòu)不同的以往例2的真空處 理裝置進行說明。圖6是表示以往例2的大型基板用立式真空處理裝置的概略構(gòu)成的俯視圖。其中，為避免圖面復(fù)雜，省去了基板搬運器40的圖示。如圖6所示，該以往例2的真空處理裝置200具備以下部分基板裝卸室110、多個 (圖中顯示有3個)的真空處理室130、132、134、將基板搬運器40在真空處理室130、132、 134和大氣側(cè)之間進行搬入、搬出的預(yù)備室210、轉(zhuǎn)動返回室220。在預(yù)備室210內(nèi)和各真空處理室130、132、134內(nèi)，平行設(shè)置有成為搬送基板搬運 器40的往去路230、返回路232的搬送路徑230、232。在預(yù)備室210和各真空處理室130、132、134中分別安裝有真空排氣裝置50。基板裝卸室110、各真空處理室130、132、134、基板搬運器40的構(gòu)成與所述以往例 1相同。預(yù)備室210在大氣壓開放的狀態(tài)下，打開隔門，并在與基板裝卸室110之間進行基 板搬運器40的裝入取出操作。預(yù)備室210借助真空排氣裝置50與別的真空處理裝置而成為高真空狀態(tài)后，使與 第一真空處理室130之間的隔門打開。在此狀態(tài)下，基板搬運器40可以在預(yù)備室210和第 一真空處理室130之間搬入 搬出，因此各真空處理室130、132、134與以往例1 一樣，可以 在真空處理裝置200運轉(zhuǎn)時始終保持高真空狀態(tài)。與以往例1 一樣，基板搬運器40從預(yù)備室210到第三真空處理室134為止通過往 去路230搬送，并在第三真空處理室134內(nèi)完成成膜工序后，退出到轉(zhuǎn)動返回室220。基板搬運器40在該轉(zhuǎn)動返回室220中改變180°角度之后，轉(zhuǎn)移到設(shè)置在第三真 空處理室134內(nèi)的成為返回路的搬送路徑232上，并搬送至預(yù)備室210。最終，進行真空處理的基板30在基板裝卸室110中從基板搬運器40被取下。
轉(zhuǎn)動返回室220維持真空，從而基板搬運器40在真空狀態(tài)下經(jīng)由返回路232，搬送 至預(yù)備室210。然而，在如圖5所示的以往例1的真空處理裝置100中，由于是采用借助返回運送 器160將基板搬運器40搬送至基板裝卸室110并取出已進行了真空處理的基板30的方式， 因此返回運送器160或者橫移室150必不可缺。此外，必須具備反復(fù)進行大氣壓開放和真空排氣操作的基板裝入室120和基板取 出室140，且在這兩者都必須安裝真空排氣裝置。從而，在以往例1的真空處理裝置100中，存在設(shè)置空間過大的問題。S卩，如圖5所示，在以往例1中，不僅要有設(shè)置返回運送器160或者基板取出室 140、橫移室150的空間，還必須在真空處理室130、132、134和返回運送器160之間設(shè)置規(guī) 定間隔。這樣就導(dǎo)致了裝置100整體的設(shè)置空間變大的問題。一般來說，在設(shè)置真空處理裝置的潔凈室中，為維持潔凈度，一直運轉(zhuǎn)空氣凈化裝 置。如果增大真空處理裝置的設(shè)置空間，則能設(shè)在潔凈室中的真空處理裝置的臺數(shù)就會受 限制，從而導(dǎo)致對應(yīng)于每一臺裝置的潔凈室的建設(shè)費用、設(shè)備費用以及維持費用增大的問 題。另外，在以往例1的真空處理裝置100中，存在各種構(gòu)成數(shù)量多，裝置的制造費用 增大的問題。另一方面，在圖6所示的以往例2的真空處理裝置200中，由于基板搬運器40從轉(zhuǎn) 動返回室220經(jīng)由設(shè)置在各真空處理室130、132、134內(nèi)的返回路232而搬出到預(yù)備室210， 因此與以往例1不同，可以不安裝基板取出室140或者返回運送器160，由此減少相應(yīng)設(shè)置 空間。然而，在以往例2的真空處理裝置200中必須設(shè)置轉(zhuǎn)動返回室220，因此還留有設(shè)置 空間大的問題。另外，在采用在轉(zhuǎn)動返回室220中將基板30的方向轉(zhuǎn)換180°的方式的以往例2 的真空處理裝置200中，存在基板30的方向性反轉(zhuǎn)而產(chǎn)生不合適的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上的事實，其目的在于提供一種改良了基板的搬送系統(tǒng)、以簡單結(jié) 構(gòu)實現(xiàn)省空間化、低成本化的真空處理裝置。本發(fā)明提供一種真空處理裝置，是以使基板在直立狀態(tài)對基板進行真空處理的立 式的真空處理裝置，其特征是，包括對所述基板進行真空處理的成膜室；載置所述基板并 將其搬送的基板搬運器；預(yù)備室，設(shè)在大氣側(cè)和所述成膜室之間，并搬送載置有所述基板的 所述基板搬運器；第一搬送路徑，設(shè)在所述預(yù)備室內(nèi)和所述成膜室內(nèi)，成為從所述預(yù)備室搬 送到所述成膜室的所述基板搬運器的往去路；第二搬送路徑，設(shè)在所述預(yù)備室內(nèi)和所述成 膜室內(nèi)，成為從所述成膜室搬送到所述預(yù)備室的所述基板搬運器的返回路；轉(zhuǎn)移機構(gòu)，設(shè)在 所述成膜室內(nèi)，將所述基板搬運器從所述第一搬送路徑移動到所述第二搬送路徑。另外，本發(fā)明提供真空處理裝置，是以使基板在直立狀態(tài)對基板進行真空處理的 立式的真空處理裝置，其特征是，包括對所述基板進行真空處理的成膜室；載置所述基板 并將其搬送的基板搬運器；多個預(yù)備室，設(shè)在大氣側(cè)和所述成膜室之間，并搬送載置有所述 基板的所述基板搬運器；基板搬運器貯存室，設(shè)在所述成膜室和所述預(yù)備室之間，用于貯存
7從所述預(yù)備室搬送到所述成膜室的所述基板搬運器、以及、從所述成膜室搬送到所述預(yù)備 室的所述基板搬運器；第一搬送路徑，設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為從所述基板搬運器貯存室搬 送到所述成膜室的所述基板搬運器的往去路；第二搬送路徑，設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為從所 述成膜室搬送到所述基板搬運器貯存室的所述基板搬運器的返回路；轉(zhuǎn)移機構(gòu)，設(shè)在所述 成膜室內(nèi)，將所述基板搬運器從所述第一搬送路徑移動到所述第二搬送路徑。在該真空處理裝置中，在對所述基板進行成膜加工時，采用使基板搬運器靜止固 定的固定成膜方式。在該真空處理裝置中，在對所述基板進行成膜加工時，采用在所述基板搬運器的 基板保持盤的單面保持所述基板的、僅對所述基板的單面進行成膜處理的單面成膜方式。優(yōu)選方式是，所述成膜室具備多個所述成膜室，且所述成膜室的任意的至少一個 具備所述移動機構(gòu)。優(yōu)選方式是，在所述成膜室之中，最下游部的所述成膜室具備所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)。優(yōu)選方式是，在所述成膜室之中，在最下游部的所述成膜室的更下游側(cè)，設(shè)置具有 所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)的轉(zhuǎn)移室。優(yōu)選方式是，在所述成膜室之中，在所述第一搬送路徑和所述第二搬送路徑之間 具備將所述基板加熱到期望溫度的加熱裝置。優(yōu)選方式是，在所述成膜室之中，采用返回路成膜方式，S卩，在所述第一搬送路徑 上具備加熱所述基板的加熱裝置的同時，在所述第二搬送路徑上具備對所述基板進行成膜 處理的成膜裝置。優(yōu)選方式是，在所述成膜室之中，采用往去路成膜方式，S卩，在所述第一搬送路徑 上具備對所述基板進行成膜處理的成膜裝置的同時，在所述第二搬送路徑上使所述基板放 熱。本發(fā)明的真空處理裝置由于具有上述構(gòu)成，因此具有以下良好效果。(1)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，由于構(gòu)成數(shù)量少，裝置整體精簡化，因此能大幅 省空間化、低成本化。(2)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，即使對于具有多個預(yù)備室的類型，也能進行裝 置整體精簡化，因此能大幅省空間化、低成本化。(3)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，通過固定成膜方式，實現(xiàn)省空間化、低成本化。(4)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，通過單面成膜方式，實現(xiàn)省空間化、低成本化。(5)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，不需要橫移室，從而能進一步省空間化、低成本 化。(6)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，不僅不需要橫移室而能實現(xiàn)省空間化、低成本 化，還能進行高效的真空處理工序。(7)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，不僅能謀求省空間化、低成本化，還能對應(yīng)迅速
的真空處理。(8)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，不需要加熱室，因此能進一步省空間化、低成本 化。(9)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，由于在開始進行成膜處理時基板已加熱至適于 成膜的溫度，因此不僅能謀求省空間化、低成本化，還能對應(yīng)迅速的真空處理。
(10)可構(gòu)成以下真空處理裝置，即，由于在取出基板時基板已放熱至一定程度，因 此能縮短放熱待機時間，且還能謀求省空間化、低成本化。尤其能構(gòu)成以下真空處理裝置， 即，在將基板加熱至高溫時，對應(yīng)于迅速的真空處理。


圖1是表示本發(fā)明的真空處理裝置的第一實施方式的俯視圖。圖2是表示使用于本發(fā)明的真空處理裝置的第一實施方式的真空處理室的概略 構(gòu)造的俯視圖。圖3是表示使用于本發(fā)明的真空處理裝置的第一實施方式的、具備轉(zhuǎn)移機構(gòu)(橫 移機構(gòu))的真空處理室的概略構(gòu)造的俯視圖。圖4是表示本發(fā)明的真空處理裝置的第二實施方式的俯視圖。圖5是表示以往例1的立式真空處理裝置的外觀結(jié)構(gòu)的部分截斷立體圖。圖6是表示以往例2的立式真空處理裝置的概略構(gòu)成的俯視圖。圖7是示意性表示具備搬送以及定位裝置的真空處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖8是表示基板搬運器的驅(qū)動機構(gòu)的側(cè)視圖。圖9是表示基板搬運器的驅(qū)動機構(gòu)的正視圖。圖10是表示配置在真空處理室側(cè)的制動機構(gòu)的配置的立體圖。圖11是表示圖10中的制動機構(gòu)的構(gòu)成例的簡略構(gòu)成圖。圖12是表示對基板搬運器的搬送速度進行制動控制時的相關(guān)機構(gòu)的時間特性 圖。圖13是表示圖4的真空處理裝置的貯存室的構(gòu)成的俯視圖。
具體實施例方式使用圖1至圖4，并參照圖5和圖6，以此說明本發(fā)明的真空處理裝置的第一和第
二實施方式。(第一實施方式)參照圖1至圖3，說明本發(fā)明的真空處理裝置的第一實施方式。參照圖1，說明本實施方式的真空處理裝置10的基本構(gòu)成。如圖1所示，本實施方式的真空處理裝置10具有基板裝卸室12、預(yù)備室14、在一 個線上連結(jié)的第一至第三的三個真空處理器20、22、24。預(yù)備室14將基板搬運器40相對真 空處理器20、22、24搬入、搬出。另外，在預(yù)備室14內(nèi)和各真空處理室20、22、24內(nèi)，平行設(shè)置有成為將基板搬運器 40從預(yù)備室14搬送到各真空處理室20、22、24的往去路的第一搬送路徑16、以及成為將基 板搬運器40從各真空處理室20、22、24搬送到預(yù)備室14的返回路的第二搬送路徑18。另外，在本實施方式的真空處理裝置10的最后部的第三真空處理室24中具備轉(zhuǎn) 移機構(gòu)M，該轉(zhuǎn)移機構(gòu)M將基板搬運器40從往去路16移動轉(zhuǎn)移到返回路18、即相對于兩個 搬送路徑16、18橫方向移動轉(zhuǎn)移。該轉(zhuǎn)移機構(gòu)M具有暫時舉起往去路16上的基板搬運器40并轉(zhuǎn)移到返回路18上 的機構(gòu)。
作為該機構(gòu)的實例，可以具備搬運器升降機構(gòu)，可從下方支撐基板搬運器40且 能在上下方向移動；磁鐵升降機構(gòu)，能從上方吸引保持基板搬運器40，且能在上下方向移 動；搬運器滑動機構(gòu)，能在上述橫方向移動上述搬運器升降機構(gòu)。此時，首先用搬運器升降機構(gòu)和磁鐵升降機構(gòu)舉起搬入到真空處理室24中且在 往去路16上的基板搬運器40。接著，僅上升磁鐵升降機構(gòu)，使基板搬運器40處于被搬運器 升降機構(gòu)支撐的狀態(tài)。接著，使用搬運器滑動機構(gòu)，將搬運器升降機構(gòu)從往去路16側(cè)移動 到返回路18側(cè)，從而將基板搬運器40從往去路16側(cè)移動到返回路18側(cè)。對于該基板搬 運器40，下降搬運器升降機構(gòu)，使返回路18上的基板搬運器40處于僅由磁鐵升降機構(gòu)保 持的狀態(tài)。然后，使用搬運器滑動機構(gòu)，將搬運器升降機構(gòu)從往去路18側(cè)退避到往去路16 側(cè)之后，下降保持有基板搬運器40的磁鐵升降機構(gòu)，并由此將基板搬運器40轉(zhuǎn)移到返回路 18。在預(yù)備室14中安裝有真空排氣裝置50。在各真空處理室20、22、24中分別安裝有 濺射裝置等成膜裝置21、23、25以及真空排氣裝置50。在真空處理室20內(nèi)的第一搬送路徑16和第二搬送路徑18之間安裝有用于將基 板30加熱至期望溫度的加熱裝置32 (參照圖2)?；逖b卸室12、預(yù)備室14、各真空處理室20、22、24、基板搬運器40的構(gòu)成與所述 以往例1和2相同。與以往例1中說明的一樣，在各搬送路徑16、18上分別敷設(shè)有兩根導(dǎo)軌，并在基板 搬運器40上設(shè)置了用于在該導(dǎo)軌上行走的車輪。在基板搬運器40側(cè)安裝的齒條上，咬合 設(shè)在預(yù)備室14和各真空處理室20、22、24側(cè)設(shè)置的小齒輪，通過傳達電機的驅(qū)動力，使基板 搬運器40在導(dǎo)軌上移動。本實施方式的真空處理裝置10按以下設(shè)想動作。首先，與以往例1和2 —樣，采用在多個真空處理室20、22、24中，將基板30的一 邊為Im以上的大型基板30相對垂直面稍微傾斜，進而在大致垂直的狀態(tài)下進行真空處理 的立式處理方式。接著，在對基板30進行成膜加工時，采用靜止固定基板搬運器40并進行成膜的固 定成膜方式。當(dāng)基板30載置于基板搬運器40的時候，相對垂直面稍微傾斜、大致垂直地固定在 基板保持盤42上。這樣做的目的如下，即，基板30的厚度為0. 5mm至5mm左右，該尺寸與基板30的 大小相比相對比較薄，而當(dāng)垂直載置時，有可能會出現(xiàn)壓曲現(xiàn)象，然而通過采用上述方法， 可以保持基板30的穩(wěn)定性、確保其平坦性。另外，基板30被保持在基板搬運器40的基板保持盤42的表面上。從而，各成膜 裝置21、23、25中的成膜方式采用僅對基板30的單面進行成膜處理的單面成膜方式。另外，采用將往去路16作為加熱搬送工序、將返回路18作為成膜工序的返回路成 膜方式。其中，為避免圖面復(fù)雜，在圖1中省略了基板搬運器40和加熱裝置32的圖示。下面使用圖1至圖3、并參照圖5和圖6，關(guān)于本實施方式的真空處理裝置10進行 說明。
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與圖5中一樣，基板30在基板裝卸室12中被保持在基板搬運器40上。將基板30 保持在基板保持盤42上的基板搬運器40，借助作為往去路的第一搬送路徑16，搬入到預(yù)備 室14。預(yù)備室14借助真空排氣裝置50而排氣為高真空狀態(tài)后，基板搬運器40被搬送到第
一真空室20。在第一和第二真空處理室20、22內(nèi)，如圖2所示，在第一搬送路徑16和第二搬送 路徑18之間安裝有加熱裝置32。在往去路16上的搬送過程中，基板30不進行成膜處理， 而只是加熱到期望的溫度。從而，與以往例不同，不用另外設(shè)置加熱室。如圖2和圖3所示，在各真空處理室20、22、24中各自收容有兩個基板搬運器40， 其分別是在往去路16上搬送的基板搬運器40、以及在返回路18上搬送的基板搬運器40。 這樣做可以在返回路18上用成膜裝置25、23、21對基板30進行成膜加工期間，對往去路16 上的基板30進行加熱處理，因此能夠提高真空處理裝置10的生產(chǎn)效率。保持在基板搬運器40上的基板30，在第一、第二以及第三真空處理室20、22、24內(nèi) 沿著作為往去路的第一搬送路徑16，邊進行加熱處理邊被搬送。如圖3所示，具備成膜裝置 25的第三真空處理室24具有轉(zhuǎn)移機構(gòu)M，用于將基板搬運器40從第一搬送路徑16移動 轉(zhuǎn)移到第二搬送路徑18 ；以及轉(zhuǎn)移空間24a。在該第三真空處理室24內(nèi)，借助轉(zhuǎn)移機構(gòu)M， 將基板搬運器40轉(zhuǎn)移到第二搬送路徑18。由此，本實施方式的真空處理裝置10與以往例1和以往例2不同，可以不設(shè)置橫 移室150和轉(zhuǎn)動返回室220 (參照圖5、圖6)。轉(zhuǎn)移到作為返回路的第二搬送路徑18的基板搬運器40，依次搬送到第三、第二、 第一的真空處理室24、22、20。在各真空處理室24、22、20內(nèi)，使用成膜裝置25、23、21，以固 定成膜方式對基板30進行成膜處理。成膜處理后的基板30搬出到預(yù)備室14，最終在基板裝卸室110中從基板搬運器 40取下。從而，在本實施方式的真空處理裝置10中，基板搬運器40從第三真空處理室24 到預(yù)備室14為止，經(jīng)由設(shè)在其內(nèi)部的第二搬送路徑18，邊進行高真空下的成膜處理邊返 送。另外，在以往例1中，是在基板裝入室120和基板取出室140這兩個室內(nèi)進行基板 搬運器40的裝入取出工作。即，在以往例1中，由于在基板裝入室120和基板取出室140中 要分別反復(fù)進行真空排氣和大氣壓開放動作，因此在基板裝入室120和基板取出室140中 分別需要設(shè)置真空排氣裝置。與之相對，在本實施方式的真空處理裝置10中，由于能在預(yù) 備室14這1個室中進行裝入取出動作，因此使用一臺真空排氣裝置即可。另外，與以往例2不同，本實施方式的真空處理裝置10能夠避免產(chǎn)生基板30的方 向性反轉(zhuǎn)的不合適的情況。綜上所述，在本實施方式的真空處理裝置10中，不需要個別設(shè)置以往例中必備的 返回運送器160、加熱室120、取出室140、轉(zhuǎn)動返回室220、以及橫移室150等(參照圖5、圖 6)，構(gòu)成數(shù)量減少，實現(xiàn)了大幅的省空間化、低成本化。(第二實施方式)接著，使用圖4并參照圖1、圖5、圖6，對本發(fā)明的真空處理裝置的第二實施方式進行說明。如圖4所示，本實施方式的真空處理裝置60的基本構(gòu)成具備基板裝卸室12、多 個(圖中是兩個)預(yù)備室14A、14B，基板搬運器貯存室62，在一線上連結(jié)的第一至第三的真 空處理室20、22、24，以及基板搬運器40。其中，在圖4中省略了基板搬運器40的圖示。另外，對與第一實施方式具有相同 構(gòu)成的部分附上了相同符號，并省略了相關(guān)說明。在各真空處理室20、22、24內(nèi)設(shè)有成為將基板搬運器40向下游側(cè)搬送的往去路的 第一搬送路徑64、以及成為將基板搬運器40向上游側(cè)搬送的返回路的第二搬送路徑66。第 一和第二搬送路徑64、66在水平方向大致平行。本實施方式的真空處理裝置60在最后部(下游側(cè))的第三真空處理室24內(nèi)具備 轉(zhuǎn)移機構(gòu)M，用于將基板搬運器40從第一搬送路徑64轉(zhuǎn)移到第二搬送路徑66?；逖b卸室12和第一真空處理室20的下游側(cè)的各構(gòu)成與所述第一實施方式相 同。在這里，對與第一實施方式具有不同點的多個預(yù)備室14A、14B和基板搬運器貯存室62 進行說明。一般來說，在預(yù)備室中除了基板搬運器的搬入搬出之外，還進行真空排氣和大氣 壓開放。當(dāng)在預(yù)備室中的作業(yè)時間遠長于在各真空處理室中需要的加工時間、且預(yù)備室為 一個的情況下，在將基板搬運器從預(yù)備室搬入到真空處理室內(nèi)期間，各真空處理室內(nèi)會產(chǎn) 生不能進行真空處理的空白時間，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。在本實施方式中，如圖4所示，設(shè)置多個(圖中為兩個)預(yù)備室14A、14B和基板搬 運器貯存室62，以謀求提高生產(chǎn)效率。在預(yù)備室14A、14B中分別設(shè)有第一搬送路徑63、65 以及第二搬送路徑67、68。其中，在該實施方式中，在預(yù)備室14A、14B分別設(shè)置往返各一個 (分別共計兩個)搬送路徑，但預(yù)備室內(nèi)的搬送路徑的個數(shù)并不限定于兩個。例如，還可在 各預(yù)備室設(shè)置兼作往去路和返回路的一個搬送路徑?；灏徇\器貯存室62配置在預(yù)備室14A、14B和真空處理室20之間，并維持為真 空狀態(tài)。該基板搬運器貯存室62在預(yù)備室14A、14B和真空處理室20之間具有用于過渡基 板搬運器40的移動空間。即，通過設(shè)置多個預(yù)備室，可以在多處平行地進行需要耗費長時間的真空排氣·大 氣開放等作業(yè)，因此可以不用等待在預(yù)備室內(nèi)的作業(yè)，即可推進真空處理。其中，作為在基板搬運器貯存室62內(nèi)搬送基板搬運器40的構(gòu)造，如圖13所示，采 用下述構(gòu)造，即，將與預(yù)備室14A、14B以及真空處理室20的各搬送路徑63 68相同的導(dǎo) 軌400，以保持基板搬運器40的狀態(tài)進行移動，從而連接到搬送路徑63 68中的任何一 個。導(dǎo)軌400可借助直線前進機構(gòu)在各搬送路徑63 68之間移動，其中，所述直線前進機 構(gòu)使用例如與預(yù)備室14A、14B以及真空處理室20正交的滾珠絲杠401和直線前進引導(dǎo)軸 402。設(shè)置多個導(dǎo)軌400，不僅可以更高效地搬送基板搬運器40，還可以將基板搬運器40暫 時留在基板搬運器貯存室62中。另外，如果采用分別使用不同的滾珠絲杠401而個別地移 動各導(dǎo)軌400的構(gòu)造，則還能謀求基板搬運器貯存室62的小型化。此外，由于在本實施方式的真空處理裝置60與第一實施方式一樣在真空處理室 24內(nèi)具備移動機構(gòu)M，因此可以不需要設(shè)置以往例中必備的返回運送器160、加熱室120、取出室140、轉(zhuǎn)動返回室220、以及橫移室150等，使得構(gòu)成數(shù)量減少，能實現(xiàn)大幅的省空間化、 低成本化。本發(fā)明的真空處理裝置并不限定于所述各實施方式。例如，在所述各實施方式中，以真空處理裝置具備三個真空處理室為例進行了說 明，但是該數(shù)量沒有特別限制，例如在形成單層膜而采用一個真空處理室的情況下，或者對 于具有多個真空處理室的真空處理裝置，本發(fā)明當(dāng)然都能夠適用。另外，在所述實施方式中，說明了在返回路中進行成膜的方式(返回路成膜方式) 的真空處理裝置，但對將基板高溫加熱并在往去路中進行成膜的方式(往去路成膜方式) 的真空處理裝置，也能獲得與本發(fā)明相同的效果，并包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，在所述各實施方式的說明中，沒有對基板的材質(zhì)、加熱溫度等進行具體論 述，但這些要素不限制本發(fā)明。另外，在所述說明中，對于基板搬運器的搬送路徑是通過基板搬運器在兩根導(dǎo)軌 上通過齒條和小齒輪的咬合進行搬送的構(gòu)成進行了說明，但搬送路徑并不一定具有該構(gòu) 成。例如，可以不采用借助附屬于基板搬運器的車輪在導(dǎo)軌上行走的構(gòu)成，而采用在 安裝在真空處理室內(nèi)的輥上運載基板搬運器再移動的構(gòu)成。其中，在所述各實施方式中，設(shè)想在各成膜室(進行成膜的真空處理室)中與基板 的多層成膜相對應(yīng)地進行各個不同的成膜處理。但是可以設(shè)想，例如如果在一個真空處理室中的成膜工序中為增大膜厚而使成膜 時間極端變長，則在等待此處理的期間，在其他真空處理室中會出現(xiàn)長時間的不能進行真 空處理的空白時間。在此情況下，為提高生產(chǎn)性，可以考慮將該成膜工序分割為兩個以上，并連結(jié)兩個 以上的進行相同成膜處理的成膜室。從而，本發(fā)明中包括各成膜室分別進行不同的成膜處理的情況、或者具有多個進 行相同成膜處理的成膜室的情況、這兩種情況。以下，對在本發(fā)明的真空處理裝置的真空處理室中的基板搬運器的搬送以及定位 裝置的一例，進行具體說明。圖7是示意性表示具備該搬送以及定位裝置的真空處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的側(cè)視 圖。圖8是表示基板搬運器的驅(qū)動機構(gòu)的側(cè)視圖。圖9是表示基板搬運器的驅(qū)動機構(gòu)的正 視圖。圖10是表示配置在真空處理室側(cè)的制動機構(gòu)的配置的立體圖。圖11是表示圖10 中的制動機構(gòu)的構(gòu)成例的簡略構(gòu)成圖。圖12是表示對基板搬運器的搬送速度進行制動控 制時的相關(guān)機構(gòu)的時間特性圖。關(guān)于該搬送以及定位裝置，是對向用于進行多層成膜處理的多個(圖中為3個) 真空處理室搬送如玻璃基板等大型基板進行說明，但在這里，僅對將基板搬運器搬送至第 一真空處理室304A內(nèi)的規(guī)定位置的情況進行說明。在圖7中符號301表示真空處理裝置；302A和302B分別表示基板搬運器被搬入 搬出的預(yù)備室；304A 304C分別表示第一 第三真空處理室；305a、305d分別表示設(shè)在真 空處理裝置301的入口、出口的隔門；305b表示設(shè)在預(yù)備室302A和第一真空處理室304A之 間的隔門；305c表示設(shè)在第三真空處理室304C和預(yù)備室302B之間的隔門。
在圖7中，符號S301表示設(shè)在第一真空處理室304A和第二真空處理室304B之間 的隔門，符號S302表示設(shè)在第二真空處理室304B和第三真空處理室304C之間的隔門。在圖7中，符號306表示基板搬運器，以直立地載置基板307的狀態(tài)，借助在貫通 真空處理裝置內(nèi)并橫向(水平方向)配置的導(dǎo)軌315之上行走的車輪316，被搬送。在圖7 中，符號313表示作為驅(qū)動力傳達機構(gòu)的小齒輪、314表示作為驅(qū)動力傳達機構(gòu)的齒條。在圖8和圖9中，表示了基板搬運器306的驅(qū)動機構(gòu)。車輪316的作用是將基板 搬運器306的負載確切地在導(dǎo)軌315上支撐，使得能順暢地搬送。在基板搬運器306的底 部以規(guī)定間隔設(shè)有數(shù)對(圖中為四對)所述車輪316。齒條314借助彈簧320設(shè)在基板搬運器306的底盤部。在圖8中，符號321是齒 條314的樞軸。在齒條314的右端側(cè)(行進方向前端部)，一直存在朝上方方向提起的力起 作用，而該力是由彈簧320以樞軸321作為支點引起的。由于存在該朝上的力，因此在將基 板搬運器306搬入到真空處理室內(nèi)的時候，可以防止齒條314的齒和小齒輪313的齒猛然 對接而以強力接觸的情況發(fā)生，使兩者的咬合變得順滑?？紤]到基板搬運器306的齒條314的咬合位置，如圖10所示，小齒輪313相對基 板搬運器306的搬送路徑以規(guī)定間隔配置多個。在該驅(qū)動機構(gòu)中，伺服電機等的驅(qū)動用電機323的驅(qū)動力通過傳動帶322而傳達 到小齒輪313，并通過小齒輪313的轉(zhuǎn)動驅(qū)動，使齒條314直線前進。伴隨著該齒條314的 直線前進，由在導(dǎo)軌315上行走的車輪316支撐的基板搬運器306沿著導(dǎo)軌315即搬送路 徑移動。圖10和圖11表示基板搬運器306的制動裝置。在該制動裝置中，在真空處理室 側(cè)(固定側(cè))，在基板搬運器306的停止位置的前方規(guī)定位置配置有制動機構(gòu)312。該制動 機構(gòu)312具備例如三個制動力付與位置檢測用的傳感器317a 317c、以及通過這些傳感器 317a 317c的動作而進行動作且個數(shù)與傳感器個數(shù)相同的電磁鐵318a 318c。另一方 面，在基板搬運器306側(cè)(移動側(cè))，配置有作為制動用制鐵的永久磁鐵式車上子311。圖12是，從基板搬運器306的啟動到停止為止的、表示與基板搬運器306的定位 動作相關(guān)的構(gòu)成要素的動作的時間圖表。其中縱軸表示以下所述的波形信號A I、橫軸表 示時間軸t。在圖12中，波形A表示驅(qū)動用電機323的標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)動速度特性、波形B表示制動 時修正的驅(qū)動用電機323的實際轉(zhuǎn)動速度特性。在圖12中，波形C、D以及E分別表示傳感器317a、317b以及317c的檢測輸出值， 波形F、G以及H分別表示電磁鐵318a、318b以及318c的勵磁電壓。波形I表示未圖示的機械鎖定機構(gòu)的動作期間。接著，除了圖7之外，還參照圖8 圖12，說明該搬送以及定位裝置的動作。首先，當(dāng)作為一連串的工序的始端的隔門305a打開，則驅(qū)動用電機323的驅(qū)動力 從小齒輪313傳達到齒條314，從而載置有實施真空處理的基板307的基板搬運器306，在 導(dǎo)軌315上被搬送，并搬入到預(yù)備室302A中。此時，作為真空處理室304A(真空)和預(yù)備室302A(大氣壓)的邊界的隔門305b 處于密閉狀態(tài)。當(dāng)基板搬運器306搬入到預(yù)備室302A之后，若隔門305關(guān)閉，未圖示的排 氣泵動作，則預(yù)備室302A就處于作為作業(yè)環(huán)境的真空狀態(tài)。
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當(dāng)預(yù)備室302A獲得必要真空度之后，打開作為預(yù)備室302A和事先保持在與預(yù)備 室302A大致等壓狀態(tài)的第一真空處理室304A之間的邊界的隔門305b。雖然省略了圖示， 但通過在各室設(shè)置一個以上的小齒輪313的轉(zhuǎn)動(在圖8中是右轉(zhuǎn))，向基板搬運器306下 部的齒條314施加推力，進而使基板搬運器306搬入到第一真空處理室304A。如圖12所示，在時刻、，當(dāng)對驅(qū)動用電機323的速度控制機構(gòu)(未圖示)給予移 動基板搬運器306的指令，則驅(qū)動用電機323最初沿著波形A所示的方式被控制速度。驅(qū) 動電機323在時刻t2之后，以低速繼續(xù)轉(zhuǎn)動之后，從時刻t3開始，根據(jù)接下來要詳細說明的 制動指令，沿著波形B所示的轉(zhuǎn)動速度特性被控制，并通過慣性前進或者制動被減速、停止 (時刻t5)。關(guān)于區(qū)間t3 t5(制動中)的各構(gòu)成要素的動作，以下進行詳細說明。首先，如圖7所示，在真空處理裝置301中，基板搬運器306被搬入到第一真空處 理室304A內(nèi)?；灏徇\器306前進，使安裝在基板搬運器306的前端部的車上子311的前 端，到達與配置在基板搬運器306的停止位置正前面的制動機構(gòu)312內(nèi)的制動力付與位置 檢測用傳感器317a(參照圖11)相對的位置(時刻t3)。這之后，基于圖12的波形C所示 的傳感器317a的檢測輸出，以如波形F所示的方式使電磁鐵318a被勵磁，從而在與基板搬 運器306側(cè)的永久磁鐵式車上子311相對的位置，以與永久磁鐵式車上子311的磁極成為 不同極的方式，發(fā)揮上下方向為S、N極的磁鐵的功能。由于車上子311和電磁鐵318a之間 的各磁鐵之間的吸引力，基板搬運器306受到制動力，從而從時刻t3之后，驅(qū)動用電機323 的轉(zhuǎn)動速度就會按波形B所示的那樣衰減?；灏徇\器306進一步前進，使永久磁鐵式車上子311到達與傳感器317b相對的 位置(時刻t4)，則檢測出車上子311接近的傳感器317b按波形D所示的方式輸出。基于 該檢測輸出，電磁鐵318b由波形G所示的勵磁電壓勵磁，吸引永久磁鐵式車上子311。此 外，當(dāng)基板搬運器306的永久磁鐵式車上子311到達與傳感器317c相對的位置(時刻t5)， 則傳感器317c按波形D所示的方式輸出。基于該檢測輸出，電磁鐵318c由波形H所示的 勵磁電壓勵磁，吸引永久磁鐵式車上子311?；灏徇\器306接受這些車上子311以及電磁 鐵318c的電磁制動力而急速減速。另一方面，在此期間(時刻t3 t5)，對于所述的驅(qū)動用電機323，也由速度控制機 構(gòu)付與以如圖10的波形A的衰減特性所示的方式降低驅(qū)動用電機323的轉(zhuǎn)動速度的制動 力?；灏徇\器306受到的制動力是，在由該波形A表示的衰減特性的制動力上，加上所述 各電磁鐵318a 318c與永久磁鐵式車上子311之間的吸引力的力。對于驅(qū)動用電機323 的轉(zhuǎn)動速度，由于波形A的速度特性被修正，因此而呈現(xiàn)如波形B所示的急速降低現(xiàn)象，并 在時刻t5停止。在該時刻t5，通過在車上子311和電磁鐵318c之間作用的引力，基板搬運 器306被停止在真空處理室304A內(nèi)的規(guī)定位置。進行如上制動的結(jié)果是，可以在沒有起塵作用的情況下，順暢、確切地停止基板搬 運器306。其中，雖然未圖示，但如果作為輔助性機構(gòu)設(shè)置將基板搬運器306鎖定在真空處 理室304A的規(guī)定位置的機械式鎖定機構(gòu)，則即使在基板搬運器的重量大的情況下，也能按 如下的方式進行定位。用圖12中的波形圖I，補充說明基于該機械式鎖定機構(gòu)的動作。
在圖12中，波形I是表示機械式鎖定機構(gòu)的動作的波形。如果從最后的制動用電 磁鐵318c的勵磁結(jié)束之后的時刻、開始以規(guī)定時間運轉(zhuǎn)機械式鎖定機構(gòu)，則即使在基板 搬運器306欲用慣性進行慣性前進的情況下，也能將基板搬運器306相對于真空處理室固 定，而不從規(guī)定位置脫離。適用于本申請發(fā)明的真空處理裝置的基板搬運器的搬送以及定位裝置并不限定 于以上說明的裝置。例如，在所述裝置中，僅對第一真空處理室304A的基板搬運器306的 定位動作代表性地進行了說明，但在第二、第三真空處理室304B、304C的基板搬運器306的 定位中也可以同樣地進行。另外，雖然未圖示，但當(dāng)真空處理裝置具備加熱室，從而在真空 環(huán)境下進行熱處理時，對于加熱室中的基板搬運器的定位也當(dāng)然能適用。另外，在上述的真空處理裝置中，如圖7所示，采用了載置有在第三真空處理室 304C中結(jié)束了處理的基板的基板搬運器經(jīng)由預(yù)備室302B而從隔門305d向右方側(cè)排出的 構(gòu)成，但也可以采用以下構(gòu)成，即，在真空處理裝置內(nèi)設(shè)置用于搬送基板搬運器的往去路、 返回路這兩個搬送路徑，并在真空處理裝置301的右方端鎖閉的同時，在右方端設(shè)置將基 板搬運器從往去路移動到返回路的轉(zhuǎn)移機構(gòu)。換言之可采用以下結(jié)構(gòu)，即，具備往返搬送路 徑，且載置有完成真空處理的基板的基板搬運器經(jīng)由返回路而從左方端的返回路出口側(cè)搬 出ο另外，在上述裝置中，對于在與傳感器317a的檢測信號相同的時刻t3從基板搬運 器306的速度控制機構(gòu)付與驅(qū)動用電機的衰減特性(制動信號)的情況進行了說明，但并 不限定于此，可以從以該時刻為基準(zhǔn)的有若干偏差的時刻開始。另外，在上述裝置中，作為制動力付與位置檢測用傳感器，配置了三個傳感器 317a 317c，但并不限定于三個，也可以是一個。然而，如果像圖示的那樣設(shè)置多個傳感 器，則能以更高的精度檢測出基板搬運器306的制動力付與位置，進而能更適當(dāng)?shù)馗杜c制 動力，因此更為優(yōu)選。另外，在上述裝置中，作為基板搬運器306的制動用機構(gòu)，在基板搬運器306上配 置永久磁鐵式車上子311，其中，該永久磁鐵式車上子311如圖11所示具備左方所示的上下 方向帶有N極、S極極性的一個永久磁鐵，而另一方面，在真空處理室側(cè)配置有三個電磁鐵 318a 318c，其中，三個電磁鐵318a 318c分別被勵磁為在上下方向與車上子311的永 久磁鐵具有相反極性即S極、N極?；谏鲜鰞?nèi)容，說明了借助配置在基板搬運器306側(cè)和 真空處理室側(cè)的各磁鐵的相互吸引力，而向基板搬運器306付與制動力的情況。但是，可以使配置在搬運器側(cè)和真空處理室側(cè)的各磁鐵的極性為同極性，并借助 這些磁鐵之間的斥力引起的速度緩沖作用進而形成制動力。另外，作為利用磁鐵引力或者斥力作用的構(gòu)成，可以考慮以下各情況。(1)使用如下的永久磁鐵式車上子，其具備將基板搬運器側(cè)的制動用磁鐵以其磁 極在沿搬送方向的水平方向排列的方式配置，并將行進方向的后方磁化為N極性、且將行 進方向的前方磁化為S極性的永久磁鐵。另一方面，配置在真空處理室側(cè)的三個電磁鐵也 同樣在沿搬送方向的水平方向配置，并被勵磁為行進方向的后方配置為S極性且行進方向 的前方配置為N極性。永久磁鐵式車上子隨著基板搬運器的行進，依次到達與配置在真空處理室側(cè)的三 個電磁鐵相對的位置。由于車上子和基板搬運器的各磁鐵在橫方向排列配置磁極，因此在與第一個電磁鐵相對的位置，首先同極性的S極和S極產(chǎn)生斥力，接著逆極性的N極和S極 產(chǎn)生引力。在分別與三個電磁鐵相對時，由于會反復(fù)出現(xiàn)像這樣的相斥、吸引過程，因此基 板搬運器會受到各磁鐵的斥力和引力的二階段制動力。作為付與像這樣的二階段制動力的其他構(gòu)成，還可以考慮以下構(gòu)成。(2)將配置在基板搬運器側(cè)以及真空處理室側(cè)的磁鐵，與圖示的裝置相同，上下方 向配置磁鐵?？梢圆捎靡韵聵?gòu)成，即，通過在基板搬運器側(cè)以及真空處理室側(cè)分別配置多個 磁鐵且使其極性相互交替，伴隨基板搬運器的行進而使這些磁鐵依次相對時，經(jīng)由成為同 極性的位置而到達成為逆極性的位置。另外，作為基板搬運器的驅(qū)動機構(gòu)，說明了小齒輪和齒條的組合機構(gòu)，但并不限定 于此，即還可以采用滾子驅(qū)動機構(gòu)或者鏈條驅(qū)動機構(gòu)。以上所說明的本申請發(fā)明的真空處理裝置可作為包含液晶顯示器用的濺射裝置、 大型基板用濺射裝置、等離子顯示器用濺射裝置等各種濺射裝置的真空處理裝置使用。以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。在不超出本 發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，可以進行構(gòu)成附加、省略、置換、以及其他變更。本發(fā)明并不被所述的說 明所限定，而僅由附加的權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
一種真空處理裝置，是以使基板在直立狀態(tài)對基板進行真空處理的真空處理裝置，其特征是，包括對所述基板實施成膜處理的多個成膜室；載置所述基板并將其搬送的基板搬運器；第一搬送路徑，其設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為在所述多個成膜室之間進行搬送的所述基板搬運器的往去路；第二搬送路徑，其設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為在所述多個成膜室之間進行搬送的所述基板搬運器的返回路；轉(zhuǎn)移機構(gòu)，其設(shè)在所述多個成膜室的任意的至少一個的內(nèi)部，將所述基板搬運器從所述第一搬送路徑移動到所述第二搬送路徑。
2.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是還具備預(yù)備室，其設(shè)在大氣側(cè)和所述成膜室之間，并搬送載置有所述基板的所述基板 搬運器。
3.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是在對所述基板進行成膜加工時，采用使基板搬運器靜止固定的固定成膜方式。
4.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是在對所述基板進行成膜加工時，采用在所述基板搬運器的基板保持盤的單面保持所述 基板的、僅對所述基板的單面進行成膜處理的單面成膜方式。
5.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是在所述成膜室之中，最下游部的所述成膜室具備所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是在所述第一搬送路徑和所述第二搬送路徑之間具備將所述基板加熱到期望溫度的加 熱裝置。
7.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是采用返回路成膜方式，即，在所述第一搬送路徑上具備加熱所述基板的加熱裝置，并且 在所述第二搬送路徑上具備對所述基板進行成膜處理的成膜裝置。
8.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是采用往去路成膜方式，即，在所述第一搬送路徑上具備對所述基板進行成膜處理的成 膜裝置，并且在所述第二搬送路徑上使所述基板放熱。
9.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征是所述成膜室是濺射室。
10.一種真空處理裝置，是以使基板在直立狀態(tài)對基板進行真空處理的真空處理裝置， 其特征是，包括對所述基板實施成膜處理的至少一個成膜室；載置所述基板并將其搬送的基板搬運器；多個預(yù)備室，其設(shè)在大氣側(cè)和所述成膜室之間，并搬送載置有所述基板的所述基板搬 運器；基板搬運器貯存室，其設(shè)在所述成膜室和所述預(yù)備室之間，用于貯存從所述預(yù)備室搬 送到所述成膜室的所述基板搬運器、以及從所述成膜室搬送到所述預(yù)備室的所述基板搬運器；第一搬送路徑，其設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為從所述基板搬運器貯存室搬送到所述成膜 室的所述基板搬運器的往去路；第二搬送路徑，其設(shè)在所述成膜室內(nèi)，成為從所述成膜室搬送到所述基板搬運器貯存 室的所述基板搬運器的返回路；轉(zhuǎn)移機構(gòu)，其設(shè)在所述成膜室內(nèi)，將所述基板搬運器從所述第一搬送路徑移動到所述 第二搬送路徑。
11.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是具備多個所述成膜室，且所述成膜室中的任意的至少一個具備所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)。
12.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是在對所述基板進行成膜加工時，采用使基板搬運器靜止固定的固定成膜方式。
13.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是在對所述基板進行成膜加工時，采用在所述基板搬運器的基板保持盤的單面保持所述 基板的、僅對所述基板的單面進行成膜處理的單面成膜方式。
14.如權(quán)利要求11所述的真空處理裝置，其特征是在所述成膜室之中，最下游部的所述成膜室具備所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)。
15.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是在所述第一搬送路徑和所述第二搬送路徑之間具備將所述基板加熱到期望溫度的加 熱裝置。
16.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是采用返回路成膜方式，即，在所述第一搬送路徑上具備加熱所述基板的加熱裝置，并且 在所述第二搬送路徑上具備對所述基板進行成膜處理的成膜裝置。
17.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是采用往去路成膜方式，即，在所述第一搬送路徑上具備對所述基板進行成膜處理的成 膜裝置，并且在所述第二搬送路徑上使所述基板放熱。
18.如權(quán)利要求10所述的真空處理裝置，其特征是所述成膜室是濺射室。全文摘要
本發(fā)明提供一種真空處理裝置，是具備真空處理室(20、22、24)和基板搬運器(40)、和預(yù)備室(14)的立式真空處理裝置(10)，其特征是，在預(yù)備室(14)內(nèi)以及真空處理室(20、22、24)內(nèi)設(shè)置往去路(16)和返回路(18)這兩個搬送路徑的同時，在真空處理室(24)內(nèi)具備將基板搬運器從往去路(16)轉(zhuǎn)移至返回路(18)的轉(zhuǎn)移機構(gòu)。
文檔編號B65G49/06GK101916716SQ20101024680
公開日2010年12月15日 申請日期2005年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月26日
發(fā)明者中島利夫, 新井進, 森勝彥, 肉倉真人 申請人:株式會社愛發(fā)科