專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于ー種基板處理裝置。本申請是根據(jù)2010年4月9日申請的美國臨時申請61/322347號及2010年4月9日申請的美國臨時申請61/322417號主張優(yōu)先權，并將其內(nèi)容援引于此。
背景技術：
作為構成顯示器裝置等顯示設備的顯示組件，例如有液晶顯示組件、有機電致發(fā)光(有機EL)組件、用于電子紙的電泳組件等。目前，此等顯示組件是以在基板表面形成被稱為薄膜晶體管(Thin Film Transistor TFT)的開關組件或增幅組件或電流驅動組件等之后，于其上形成各自的顯示組件的主動顯示組件(Active display device)漸為主流。近年來，提出了一種在片狀的基板(例如薄膜構件等)上形成顯示組件的技術。作 為此種技術，例如有ー種被稱為滾動條對滾動條(roll to roll)方式(以下，簡記為「滾動條方式」)者廣為人知(例如，參照專利文獻I)。滾動條方式，是將卷繞在基板供應側的供應用滾筒的基板(例如，帯狀的薄膜構件)送出、井一邊將送出的基板以基板回收側的回收用滾筒加以卷繞來搬送基板。在基板送出至被卷繞為止的期間，例如ー邊使用多個搬送滾筒等搬送基板、ー邊使用多個處理裝置來形成構成TFT的柵極電極、柵極絕緣膜、半導體膜、源極ー漏極電極等，在基板的被處理面上依序形成顯示組件的構成要件。例如，在形成有機EL組件的情形吋，是于基板上依序形成發(fā)光層、陽扱、陰極、電路等。專利文獻I :國際公開第2006 / 100868號小冊子

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述方法中，由于必須沿著基板的搬送路徑配置處理裝置，因此會依例如基板的搬送形態(tài)使裝置整體大型化。本發(fā)明的形態(tài)的目的在于提供一種能省空間化的基板處理裝置。一形態(tài)的基板處理裝置，是將形成為帶狀的基板搬送于長邊方向，并處理該基板的被處理面，其特征在于，具備基板供應部，在使該基板的短邊方向相對于水平方向交叉的狀態(tài)下供應該基板；基板處理部，具有搬送部及多個處理部，該搬送部，將從該基板供應部供應的該基板在該交叉狀態(tài)下搬送，該多個處理部，是沿著該搬送部的該基板的搬送路徑配置，對該交叉狀態(tài)的該基板的被處理面進行處理；以及基板回收部，將在該基板處理部進行處理后的該基板在該交叉狀態(tài)下回收。一形態(tài)的基板處理裝置，是將形成為帶狀的基板搬送于長邊方向，并處理該基板的被處理面，其特征在于，具備支承機構，具備第一支承部及第ニ支承部；第一搬送機構，將該基板搬送至該第一支承部；轉換部，在該基板的被處理面搬送至該第一支承部后，將該基板的搬送方向朝向該第二支承部而轉換搬送方向；第一處理部，對該基板之中被該第一支承部支承的被處理面進行第一處理；以及第二處理部，對該基板之中被該第二支承部支承的被處理面進行第二處理。根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，可提供能省空間化的基板處理裝置。


圖I是顯示第一實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的立體圖。圖2是顯示本實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖3是顯示第二實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖4是顯示第三實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖5是顯示第四實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的立體圖。
圖6是顯示本實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖7是顯示本實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖8是顯示本實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖9是顯示第五實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的立體圖。圖10是顯示第六實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖11是顯示第七實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。圖12是顯示另ー實施形態(tài)的基板處理裝置的構成的俯視圖。
具體實施例方式(第一實施形態(tài))接著，說明第一實施形態(tài)的基板處理裝置。圖I是顯示本實施形態(tài)的基板處理裝置FPA4的構成的立體圖。圖2是顯示基板處理裝置FPA4的構成的俯視圖。如圖I及圖2所示，基板處理裝置FPA具有供應片狀基板(例如，帯狀的膜構件)FB的基板供應部SU、對片狀基板FB的表面(被處理面)Fp進行處理的基板處理部PR、收容該基板處理部PR的腔室CB (圖I中省略圖示)、回收片狀基板FB的基板回收部CL、及控制該各部的控制部C0NT?；逄幚硌b置FPA是設置在例如エ廠等。本實施形態(tài)中，片狀基板FB是在豎立狀態(tài)下被供應、處理、回收。本實施形態(tài)中，該豎立狀態(tài)包含使片狀基板FB的被處理面Fp相對于水平面(XY平面)以既定角度交叉的狀態(tài)，例如傾斜狀態(tài)或配置成大致垂直的狀態(tài)。亦即，使該片狀基板FB的基板處理面Fp豎立的狀態(tài)亦包含基板FB的短邊方向為非水平姿勢的狀態(tài)。以下的說明中，設定XYZ正交坐標系統(tǒng)，ー邊參照此XYZ正交坐標系統(tǒng)一邊說明各構件的位置關系。具體而言，設水平面上的既定方向為X軸方向、在該水平面上與X軸方向正交的方向為Y軸方向、鉛垂方向為Z軸方向。又，設繞X軸、Y軸、Z軸的旋轉(傾斜)方向分別為θχ、ΘΥ、ΘΖ方向。又，實施形態(tài)中，以片狀基板FB的基板處理面Fp相對于水平面為大致垂直的狀態(tài)為例進行說明?；逄幚硌b置FPA，是在從基板供應部SU送出卷繞成滾動條狀的片狀基板FB后至以基板回收部CL將片狀基板FB回收成滾動條狀的期間對片狀基板FB的表面進行各種處理的滾動條對滾動條方式(以下，簡記為「滾動條方式」)的裝置?；逄幚硌b置FPA，可使用于在片狀基板FB上形成例如有機EL組件、液晶顯示組件等顯示組件(電子組件)的情形。當然，在形成此等組件以外的組件的情形使用基板處理裝置FPA亦可。作為在基板處理裝置FPA成為處理對象的片狀基板FB，可使用例如樹脂膜或不銹鋼等的箔(foil)。樹脂膜可使用例如聚こ烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、こ烯こ烯基共聚物(Ethylene vinyl copolymer)樹脂、聚氯こ烯基樹脂、纖維素樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯こ烯樹脂、こ酸こ烯基樹脂等材料。片狀基板FB的短邊方向的尺寸是形成為例如50cm 2m程度、長邊方向的尺寸則形成為例如IOm以上。當然，此尺寸僅為一例，并不限于此例。例如片狀基板FB的短邊方向的尺寸為50cm以下亦可、亦可為2m以上。又，片狀基板FB的長邊方向的尺寸亦可在IOm以下。片狀基板FB是形成為例如具有Imm以下的厚度且具有撓性。此處，所謂撓性，是指例如對基板施以至少自重程度的既定力亦不會斷裂或破裂、而能將該基板加以彎折的性質。此外，例如因上述既定力而彎折的性質亦包含于所指的撓性。又，上述撓性會隨著該基 板材質、大小、厚度、以及溫度等的環(huán)境等而改變。再者，片狀基板FB可使用一片帯狀的基板、亦可使用將多個単位基板加以連接而形成為帶狀的構成。片狀基板FB，以承受例如200°C程度的熱其尺寸亦實質上無變化的熱膨脹系數(shù)較小者較佳。例如可將無機填料混于樹脂膜以降低熱膨脹系數(shù)。作為無機填料，例如有氧化
鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化硅等。基板供應部SU具有供應端ロ 10 (圖I中省略圖標)與配置在該供應端ロ 10內(nèi)的軸構件11及支承部12。軸構件11是形成為例如圓柱狀，中心軸配置成例如與Z方向大致平行。因此，在軸構件11，以豎立狀態(tài)卷繞有片狀基板FB。軸構件11是設成可相對支承部12拆裝。支承部12將該軸構件11可旋轉地支承在周方向(例如Θ Z方向)。基板供應部SU，將卷繞成例如滾動條狀的片狀基板FB在該片狀基板FB的短邊方向豎立的狀態(tài)下、亦即在與Z方向一致的狀態(tài)下(亦即，該片狀基板FB為非水平姿勢)送出并供應至基板處理部PR。在供應端ロ 10內(nèi)設有卷繞有保護片狀基板FB的被處理面Fp的保護基板PB的軸構件13。此外，將設在供應端ロ 10內(nèi)的軸構件13稱為保護基板供應部亦可。保護基板PB，是在基板處理部PR的處理完成后、借助基板回收部CL回收前粘貼于片狀基板FB的基板。保護基板PB，與片狀基板FB相同，是形成為例如帶狀且具有撓性的構成。軸構件13是形成為例如圓筒狀，中心軸配置成例如與Z方向大致平行。因此，在軸構件13，以豎立狀態(tài)卷繞有保護基板PB。軸構件13是借助支承部14可旋轉地支承在周方向(例如Θ Z方向)。軸構件13是設成可相對支承部14拆裝?；骞縎U，將保護基板PB在豎立狀態(tài)下送出并供應至基板處理部PR?；寤厥詹緾L將在粘貼有保護基板PB的狀態(tài)下從基板處理部PR搬送來的片狀基板FB，在該片狀基板FB及保護基板PB的短邊方向豎立的狀態(tài)下卷繞回收。在基板回收部CL的回收端ロ 20 (圖I中省略圖示)，與基板供應部SU同樣地，設有用以卷繞片狀基板FB及保護基板PB的軸構件21與將該軸構件21支承成可旋轉的支承部22。軸構件21是設成可相對支承部22拆裝?；骞縎U的供應端ロ 10與基板回收部CL的回收端ロ 20是配置在例如收容基板處理部PR的腔室CB的外部。供應端ロ 10及回收端ロ 20是配置在腔室CB的例如一Y側的面，相對于基板處理部PR例如在X方向并排配置。如上述，由于供應端ロ 10與回收端ロ 20共同配置在ー個部位，因此能對該供應端ロ 10及回收端ロ 20高效率進行存取?；逄幚聿縋R將從基板供應部SU供應的片狀基板FB在豎立狀態(tài)下搬送向基板回收部CL，且在搬送過程中對豎立狀態(tài)的片狀基板FB的被處理面Fp進行處理。基板處理部PR具有例如搬送機構等的搬送裝置30、處理裝置40及對準裝置(未圖標)等。基板處理部PR是收容于經(jīng)空調管理的真空腔室CB內(nèi)，管理成環(huán)境溫度與環(huán)境濕度一定且保護上述各裝置不受塵埃等影響。如圖I及圖2所示，搬送裝置30具有多個(例如6個)導引滾筒RlOl R106與2個處理滾筒31及32。導引滾筒RlOl R104將片狀基板FB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。導引滾筒R105及R106以與片狀基板FB不同的路徑將保護基板PB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。導引滾筒RlOl R106是配置成例如旋轉軸與Z軸方向大致平行。因此，在導引滾筒RlOl R104，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)(如上述，基板FB的短邊方向實質上非水平 的姿勢)張設。又，在導引滾筒R105及R106，保護基板PB是以豎立狀態(tài)張設。導引滾筒RlOl R106為例如設有驅動機構的構成亦可。由于導引滾筒RlOl R104卷繞有片狀基板FB的被處理面Fp，因此為例如在各導引滾筒RlOl R104的圓筒面設有形成氣體層的未圖示的氣體層形成裝置的構成亦可。借助上述構成，片狀基板FB是保持既定張カ被搬送于至少導引滾筒RlOl R104之間。處理滾筒31及32是配置在例如導引滾筒RlOl R104的片狀基板FB的導引路徑。處理滾筒31及32是配置成在腔室CB內(nèi)例如于Y方向上的位置相同。本實施形態(tài)中，例如處理滾筒31及32皆配置在腔室CB內(nèi)于Y方向的大致中央部。處理滾筒31及32是分別形成為圓筒狀(作為一例，直徑I 數(shù)m程度的桶狀)。處理滾筒31及32是配置成例如中心軸與Z方向大致平行，以豎立狀態(tài)張設有片狀基板FB。處理滾筒31及32是形成為例如較導引滾筒RlOl R104大徑。處理滾筒31及32是分別設在夾著連接于基板供應部SU的供應ロ SUa與連接于基板回收部CL的回收ロ CLa的位置。更具體而言，處理滾筒31是配置在供應ロ SUa的一X側，處理滾筒32是配置在回收ロ CLa的+ X側。作為基板處理部PR內(nèi)中片狀基板FB的搬送方向，首先，例如從供應ロ SUa往+ Y方向搬送，借助導引滾筒RlOl往ー X方向(其中往ー Y側傾斜45°的方向)轉換搬送方向。經(jīng)過導引滾筒RlOl的片狀基板FB是借助處理滾筒31折返，搬送方向轉換成+X方向。從處理滾筒31往+ X方向折返后的片狀基板FB，借助導引滾筒R102往+ Y方向轉換搬送方向，借助處理裝置40的一部分(預備加工裝置44)搬送方向轉換成一 Y方向。經(jīng)過預備加エ裝置44的片狀基板FB，借助導引滾筒R103往+ X方向轉換搬送方向，借助處理滾筒32折返，往ー X方向(其中往+Y側傾斜45°的方向)轉換搬送方向。經(jīng)過處理滾筒32的片狀基板FB，借助導引滾筒R104往ー Y方向轉換搬送方向，搬送至回收ロ CLa。以上述方式，搬送裝置30，在腔室CB內(nèi)于X方向及Y方向頻繁切換搬送方向并同時搬送片狀基板FB。處理裝置40是用以對片狀基板FB的被處理面Fp形成例如有機EL組件的裝置。本實施形態(tài)中，作為例如處理裝置40，使用例如洗浄裝置41、TFT層形成裝置42、干燥裝置(干燥部)43、預備加工裝置44、發(fā)光層形成裝置45、層壓裝置46等。此外，設置例如用以在被處理面Fp上形成分隔壁的分隔壁形成裝置(未圖標)等其他裝置亦可。作為此種處理裝置40的種類，使用例如液滴涂布裝置(例如噴墨型涂布裝置、網(wǎng)版印刷型涂布裝置等)、蒸鍍裝置、濺鍍裝置等成膜裝置、或曝光裝置、顯影裝置、表面改質裝置、洗浄裝置等各種裝置。此等各裝置是適當設在例如片狀基板FB的搬送路徑上。洗浄裝置41具有洗凈片狀基板FB的第一洗浄裝置41A與洗凈保護基板PB的第ニ洗浄裝置41B。第一洗浄裝置41A是設在片狀基板FB的搬送路徑例如供應ロ SUa (參照圖2)與處理滾筒31之間。又，第二洗浄裝置41B是設在保護基板PB的搬送路徑例如供應ロ SUb與層壓裝置46之間。洗凈裝置41將從腔室CB的外部往內(nèi)部供應的片狀基板FB或保護基板PB潔凈化。TFT層形成裝置42是形成用以驅動有機EL組件的TFT組件或電極的裝置。TFT層形成裝置42具有例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C。第一形成裝置42A是配置在處理滾筒31的一 Y側。第二形成裝置42B是配置在處理滾筒31的一X側。第三形成裝置42C是配置在處理滾筒31的+ Y側。處理滾筒31的+ X側為空的狀 態(tài)，配置有例如導引滾筒R101。此等第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C是設在例如處理滾筒31的周圍。形成TFT組件及電極的一連串步驟是借助例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分擔進行。第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分別朝向處理滾筒31，可對以豎立狀態(tài)卷繞于處理滾筒31的片狀基板FB進行處理。處理滾筒31成為在進行TFT層形成裝置42的處理時支承片狀基板FB的支承部。干燥裝置43是借助例如加熱片狀基板FB以使形成在該片狀基板FB的TFT組件或電極等穩(wěn)定化的裝置。干燥裝置43是配置在片狀基板FB的搬送路徑處理滾筒31與處理滾筒32之間。干燥裝置43是配置成例如從Y方向觀察時與處理滾筒31及處理滾筒32
一部分重疊。如圖I及圖2所示，預備加工裝置44是進行在片狀基板FB形成發(fā)光層時的預備步驟(例如，絕緣層形成步驟等)的裝置。預備加工裝置44是與干燥裝置43—起配置在例如片狀基板FB的搬送路徑處理滾筒31與處理滾筒32之間。預備加工裝置44具有例如第一加工裝置44A、第二加工裝置44B及第三加工裝置44C，ー連串預備加工步驟是分擔進行。發(fā)光層形成裝置45是形成構成有機EL組件的發(fā)光層的裝置。發(fā)光層形成裝置45具有例如第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C。該第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C是設在例如處理滾筒32的周圍。形成發(fā)光層的一連串步驟是借助例如第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C分擔進行。第一形成裝置45A是配置在處理滾筒32的+ Y側。第二形成裝置45B是配置在處理滾筒32的+X側。第三形成裝置45C是配置在處理滾筒32的一 Y側。處理滾筒32的一 X側為空的狀態(tài)，配置有例如導引滾筒R104。層壓裝置46是將片狀基板FB與保護基板(保護材)PB加以貼合的裝置。層壓裝置46是配置在片狀基板FB的搬送路徑例如處理滾筒32與回收ロ CLa之間。層壓裝置46的構成，是使保護基板PB面對配置在例如片狀基板FB的被處理面Fp側，在片狀基板FB與保護基板PB之間進行對準，之后，將片狀基板FB與保護基板PB加以貼合。上述處理裝置40之中，例如TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、第一洗浄裝置41A、第二洗浄裝置41B、發(fā)光層形成裝置45的第三形成裝置45C是配置成從X方向觀察時重疊。又，TFT層形成裝置42的第二形成裝置42B、處理滾筒31、處理滾筒32、發(fā)光層形成裝置45的第二形成裝置45B是配置成從X方向觀察時重疊。再者，TFT層形成裝置42的第三形成裝置42C、干燥裝置43、發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A是配置成從X方向觀察時重疊。又，例如TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、處理滾筒31、第三形成裝置42C是配置成從Y方向觀察時重疊。又，例如洗凈裝置4IA及4IB與干燥裝置43是配置成從Y方向觀察時重疊。又，預備加工裝置44與層壓裝置46是配置成從Y方向觀察時重疊。再者，發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A、處理滾筒32、第三形成裝置45C是配置成從Y方向觀察時重疊。如上述，搬送裝置30及處理裝置40是密集配置成從X方向及Y方向觀察時重疊部分變多。
以上述方式構成的基板處理裝置FPA是借助控制部CONT的控制以滾動條方式制造有機EL組件、液晶顯示組件等顯示組件(電子組件)。以下，說明使用上述構成的基板處理裝置FPA制造顯示組件的步驟。首先，將在軸構件11卷繞成滾動條狀的帯狀的片狀基板FB安裝于基板供應部SU的供應端ロ 10內(nèi)的支承部12。又，將卷繞在軸構件13的帯狀的保護基板PB安裝于基板供應部SU的供應端ロ 10內(nèi)的支承部14。再者，將回收用的軸構件21安裝于基板回收部CL的回收端ロ 20內(nèi)的支承部22?？刂撇緾ONT在此狀態(tài)下通過支承部12使軸構件11旋轉，從基板供應部SU送出該片狀基板FB。從基板供應部SU送出的片狀基板FB，是從基板處理部PR的供應ロ SUa供應至腔室CB內(nèi)?？刂撇緾ONT將供應至腔室CB內(nèi)的片狀基板FB搬送至搬送裝置30并同時借助各處理裝置40對該片狀基板FB進行處理。本實施形態(tài)中，控制部CONT以借助適當設在加工用滾筒31，32及各滾筒RlOl R106的旋轉驅動用馬達對片狀基板FB賦予既定張カ的方式逐一控制各馬達。 借助此動作，供應至基板處理部PR的片狀基板FB是借助第一洗浄裝置41A洗浄，借助導引滾筒RlOl導引至處理滾筒31。片狀基板FB，是以被處理面Fp分別朝向TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C的方式，以豎立狀態(tài)卷繞纏掛在處理滾筒31。在卷繞纏掛在處理滾筒31的片狀基板FB的被處理面Fp，借助該TFT層形成裝置42形成TFT組件或配線等。經(jīng)過處理滾筒31的片狀基板FB是供應至干燥裝置43，例如施加加熱處理等干燥處理。干燥處理后的片狀基板FB是通過例如導引滾筒R102供應至預備加工裝置44。預備加工裝置44，在例如第一加工裝置44A 第三加工裝置44C，在片狀基板FB形成絕緣膜或電洞注入層或電子注入層等。預備加工后的片狀基板FB是通過例如導引滾筒R103導引至處理滾筒32。片狀基板FB，是以被處理面Fp分別朝向發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C的方式，以豎立狀態(tài)卷繞纏掛在處理滾筒32。在卷繞纏掛在處理滾筒32的片狀基板FB的被處理面Fp，借助該發(fā)光層形成裝置45形成發(fā)光層等。
經(jīng)過處理滾筒32的片狀基板FB是供應至層壓裝置46，在被處理面Fp粘貼保護基板PB。粘貼保護基板(保護材)PB后的片狀基板FB是從例如回收ロ CLa回收至基板回收部CL?；厥罩粱寤厥詹緾L的片狀基板FB是在回收端ロ 20內(nèi)的軸構件21卷繞成滾動條狀。在軸構件21卷繞有既定量的片狀基板FB后，將片狀基板FB例如切斷，將卷繞有片狀基板FB的軸構件21從支承部22移除。在該支承部22安裝例如未卷繞片狀基板FB的新的軸構件21?？刂撇緾ONT是借助進行上述處理，對片狀基板FB的被處理面Fp形成組件。如上述，根據(jù)本實施形態(tài)，由于具備將形成為帶狀的片狀基板FB的短邊方向在豎立狀態(tài)下供應該片狀基板FB的基板供應部SU、具有將從該基板供應部SU供應的片狀基板FB在豎立狀態(tài)下搬送的搬送裝置30及沿著該搬送裝置30的片狀基板FB的搬送路徑配置且對豎立狀態(tài)的片狀基板FB的被處理面Fp進行處理的多個處理裝置40的基板處理部PR、將在該基板處理部PR進行處理后的片狀基板FB在豎立狀態(tài)下回收的基板回收部CL，因此成為易于將片狀基板FB的搬送方向在水平方向(X方向及Y方向)轉換的構成。 因此，可增加處理裝置40在X方向及Y方向的布置的選擇寬度，例如亦能以極カ縮小基板處理裝置FPA4的裝置面積的方式選擇配置處理裝置40的布置。由此，可謀求基板處理裝置FPA4的省空間化。(第二實施形態(tài))接著，說明本發(fā)明第二實施形態(tài)的基板處理裝置。圖3是顯示基板處理裝置FPA2的構成的俯視圖。在基板處理裝置FPA2，基板處理部PR的構成與第一實施形態(tài)不同。其他構成能與例如第一實施形態(tài)為相同構成。本實施形態(tài)中，以該不同點為中心進行說明。如圖3所示，基板處理裝置FPA2具有基板供應部SU、基板處理部PR、基板回收部CL、腔室CB及控制部CONT?；逄幚聿縋R是收容在腔室CB內(nèi)?；骞縎U具有形成為圓筒狀且中心軸配置成與Z方向平行的軸構件111、及將該軸構件111支承成可旋轉的支承部112。在軸構件111，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)卷繞。此外，為了簡化說明，圖3中，在基板供應部SU省略供應保護基板的構成的圖示?；寤厥詹緾L具有形成為圓筒狀且中心軸配置成與Z方向平行的軸構件121、及將該軸構件121支承成可旋轉的支承部122?；逄幚聿縋R的搬送裝置130，在腔室CB內(nèi)的俯視時中央部具有處理搬送滾筒131。處理搬送滾筒131是形成為例如圓筒狀，配置成中心軸與Z方向平行。處理搬送滾筒131是設成例如可在Θ Z方向旋轉。片狀基板FB是以豎立狀態(tài)張設在該處理搬送滾筒131。如上述，在基板處理部PR，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)被搬送。處理搬送滾筒131具有例如未圖標的旋轉驅動機構。該旋轉驅動機構是借助例如控制部CONT控制。從供應ロ SUa供應的片狀基板FB是張設在該處理搬送滾筒131并搬送至回收ロ CLa。在處理搬送滾筒131，以例如被處理面Fp朝向外側的方式張設片狀基板FB?；逄幚聿縋R，在處理搬送滾筒131的周圍以沿著該處理搬送滾筒131的圓筒面的方式配置有多個處理裝置140。作為該處理裝置140，是使用例如在第一實施形態(tài)說明的各種處理裝置。在圖3所示的例，作為多個處理裝置140，將進行TFT層形成步驟的各處理裝置、發(fā)光層形成步驟的前置處理(預備步驟)各處理裝置、進行發(fā)光層形成步驟的各處理裝置沿著處理搬送滾筒131的周方向一列并排。多個處理裝置140是分別朝向處理搬送滾筒 131。在上述基板處理裝置FPA2，從基板供應部SU對基板處理部PR以豎立狀態(tài)供應片狀基板FB。片狀基板FB，是在基板處理部PR以豎立狀態(tài)張設在處理搬送滾筒131被搬送至基板回收部CL。又，借助多個處理裝置140，對例如以豎立狀態(tài)張設在處理搬送滾筒131的片狀基板FB依序進行處理。如上述，根據(jù)本實施形態(tài)，處理搬送滾筒131兼具支承以豎立狀態(tài)卷繞的片狀基板FB的功能、及將該片狀基板FB以豎立狀態(tài)搬送的功能。由此，可謀求基板處理裝置FPA2的省空間化。又，由于在ー個處理搬送滾筒131的周圍進行所有步驟，因此能使基板處理部PR內(nèi)的裝置的布置簡單化。(第三實施形態(tài))接著，說明本發(fā)明第三實施形態(tài)的基板處理裝置。
圖4是顯示基板處理裝置FPA3的構成的俯視圖。在基板處理裝置FPA3，基板處理部PR的構成與第一實施形態(tài)不同。其他構成能與例如第一實施形態(tài)為相同構成。本實施形態(tài)中，以該不同點為中心進行說明。如圖4所示，基板處理裝置FPA3的構成，是在基板處理部PR設置多個在第二實施形態(tài)說明的處理搬送滾筒。本實施形態(tài)中，基板處理部PR的搬送裝置230具有導引滾筒Rlll R114與處理搬送滾筒231 233。導引滾筒Rlll R114及處理搬送滾筒231 233是分別形成為圓筒狀，配置成中心軸分別與Z方向平行。處理搬送滾筒231 233是形成為較導引滾筒Rlll R114大徑。片狀基板FB是以豎立狀態(tài)張設在該處理搬送滾筒231 233及導引滾筒Rlll R114。如上述，在基板處理部PR，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)被搬送。作為搬送裝置230的配置，例如導引滾筒Rlll R114是以縱橫各并排二列的狀態(tài)配置在腔室CB的大致中央部。又，處理搬送滾筒231 233是配置成從三方向(一 X方向、+Y方向、一 X方向)圍繞該四個導引滾筒Rlll R114?；逄幚聿縋R，在處理搬送滾筒231 233的周圍以沿著該處理搬送滾筒231 233的圓筒面的方式分別配置有多個處理裝置241 243。作為該處理裝置241 243，是使用例如在第一實施形態(tài)說明的各種處理裝置。例如，作為處理裝置241是使用進行TFT層形成步驟的各處理裝置，作為處理裝置242是使用進行發(fā)光層形成步驟的前置處理(預備步驟)的各處理裝置，作為處理裝置243是使用進行發(fā)光層形成步驟的各處理裝置亦可。各處理裝置241 243是朝向例如處理搬送滾筒231 233。基板處理部PR，多個處理搬送滾筒231 233是形成為例如圓筒狀，配置成中心軸與Z方向平行。處理搬送滾筒231是設成可在例如Θ Z方向旋轉。處理搬送滾筒231 233具有例如未圖標的旋轉驅動機構。該旋轉驅動機構是借助例如控制部CONT控制。從供應ロ SUa供應的片狀基板FB是張設在該處理搬送滾筒231 233并搬送至回收ロ CLa。在處理搬送滾筒231 233，以例如被處理面Fp朝向外側的方式張設片狀基板FB。另ー方面,在導引滾筒Rlll R114,以被處理面Fp朝向內(nèi)側的方式張設片狀基板FB。在上述基板處理裝置FPA3，從基板供應部SU對基板處理部PR以豎立狀態(tài)供應片狀基板FB。片狀基板FB，是在基板處理部PR以豎立狀態(tài)張設在處理搬送滾筒231 233被搬送至基板回收部CL。又，借助多個處理裝置241 243，對例如以豎立狀態(tài)張設在處理搬送滾筒231 233的片狀基板FB分別依序進行處理。如上述，根據(jù)本實施形態(tài)，借助使用多個處理搬送滾筒231 233，能在例如多個區(qū)域分別使連續(xù)的處理分擔進行。由此，能増加布置的選擇寬度。又，根據(jù)本實施形態(tài)，由于為導引滾筒Rlll R114集中在例如腔室CB的中央部的構成，因此借助例如使干燥裝置等處理裝置244配置在該腔室CB的中央部，能使在各處理搬送滾筒231 233處理后的片狀基板FB的干燥處理等的處理共通化。由此，可謀求省空間化。(第四實施形態(tài))以下，參照圖式說明本發(fā)明第四實施形態(tài)。以下，適當省略關于賦予與上述實施形態(tài)相同符號的構成品的說明。圖5是顯示基板處理裝置FPA的構成的立體圖。圖6是顯示基板處理裝置FPA的構成的俯視圖。 在第四實施形態(tài)，搬送裝置30具有多個(例如10個)導引滾筒Rl R10、桶機構DRM、處理滾筒32。導引滾筒Rl R8將片狀基板FB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。導引滾筒R9及RlO將保護基板PB以與片狀基板FB不同的路徑從基板供應部SU導引至基板回收部CL。此外，設桶機構DRM為第一桶機構、處理滾筒32為第二桶機構亦可。導引滾筒Rl R3，R6 RlO是配置成例如旋轉軸與Z軸方向大致平行。因此，在導引滾筒Rl R3，R6 R8，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)張設。又，在導引滾筒R9及RlO，保護基板PB是以豎立狀態(tài)張設。導引滾筒Rl RlO為設有例如驅動機構的構成亦可。關于卷繞有例如片狀基板FB的被處理面Fp的導引滾筒Rl，R4, R7, R8，為在圓筒面設有形成氣體層(空氣軸承)的未圖示的氣體層形成裝置的構成亦可。不論如何，本實施形態(tài)的情形，片狀基板FB是保持既定張カ被搬送于至少導引滾筒Rl R9之間。圖7是顯示基板處理部PR的中桶機構DRM的附近的構成的立體圖。如圖7所示，桶機構DRM具有配置成旋轉中心軸與Z方向大致平行的圓筒構件CYL、及將該圓筒構件CYL支承成可在圓周方向旋轉的旋轉驅動機構(驅動部)ACT。圓筒構件CYL具有第一圓筒部(第I滾筒)CY1、第二圓筒部(第2滾筒)CY2、及導引部G。第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2是分別為該圓筒構件CYL的圓筒面的一部分。由于第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2皆為ー個圓筒構件CYL的一部分，因此若圓筒構件CYL旋轉則第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2會一體旋轉。第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2是借助例如導引部G在Z方向分割。亦即，第ニ圓筒部CY2，相對于第一圓筒部CYl在Z方向的位置、亦即在相對于水平方向交叉的方向的位置不同。第一圓筒部CYl是配置在導引部G的+ Z側(上方)，第二圓筒部CY2是配置在導引部G的一 Z側(下方)。第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2是形成為例如彼此具有相等的徑。第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2是形成為較例如導引滾筒Rl RlO大徑(例如直徑Im以上)。導引部G是以片狀基板FB之中卷繞于第一圓筒部CYl的部分及卷繞于第二圓筒部CY2的部分沿著與XY平面平行的面搬送的方式進行導引。在片狀基板FB的搬送路徑，在第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY2之間配置有導引滾筒R2 R5。導引滾筒R2將被第一圓筒部CYl以半周程折返成U字狀并往+ X方向搬送的片狀基板FB往ー Y方向折返。導引滾筒R3將往ー Y方向折返后的片狀基板FB往ーX方向折返。導引滾筒R4及R5，是以例如+ Z側的端部往+ X側傾斜的狀態(tài)配置。導引滾筒R4將通過導引滾筒R3導引至一 X方向的片狀基板FB往斜下方向(+ X方向且往ー Z側傾斜的方向)折返。導引滾筒R5是配置在導引滾筒R4的斜下方向(+ X方向且往ー Z側傾斜的方向)上。導引滾筒R5將從導引滾筒R4往斜下方向搬送的片狀基板FB往ー X方向折返，使其朝向第二圓筒部CY2。導引滾筒R4及R5，在圖7的構成的情形，設定成其旋轉軸線保持彼此大致平行且在XZ平面內(nèi)傾斜既定量。又，在導引滾筒R4及R5設有可調整例如旋轉軸的傾斜(傾斜量或傾斜方向)的致動器。借助調整導引滾筒R4及R5的至少ー個的該旋轉軸的傾斜狀態(tài)，能使從導引滾筒R5往ー X方向送出的片狀基板FB的搬送方向成為水平(與X軸平行)并同時將片狀基板的Z方向的位置維持成大致一定。導引滾筒R4及R5的至少ー個的旋轉軸的傾斜狀態(tài)的調 整，可借助接收來自精密監(jiān)測從導引滾筒R5往ー X方向送出的片狀基板FB的姿勢或位置的變化的傳感器的測量訊號的控制部CONT驅動傾斜調整用的致動器來控制。如上述，導引滾筒R2 R5是以卷繞在第一圓筒部CYl的外周面后的片狀基板FB的搬送方向朝向第二圓筒部CY2的方向的方式轉換片狀基板FB的搬送方向。尤其是，能借助導引滾筒R4，R5的對，不改變片狀基板FB的搬送方向(一 X方向)而僅使Z方向的高度位置偏移既定量(本實施形態(tài)中為片狀基板FB的Z方向的寬度量以上)。此外，如本實施形態(tài)般，使片狀基板折返往Z方向平行偏移的情形，在導引滾筒R4及R5之間片狀基板FB在XZ面內(nèi)被傾斜搬送，但此傾斜量是根據(jù)片狀基板的寬度量、導引滾筒R4，R5的X方向的間隔、導引滾筒R4，R5的旋轉中心軸的傾斜角度或傾斜方向等以幾何學方式?jīng)Q定。是以，本實施形態(tài)的情形，若使導引滾筒R4，R5以各旋轉中心軸在XZ面內(nèi)皆傾斜45度的方式在Z方向的上下井置，則使在導引滾筒R4及R5之間行進的片狀基板垂直(傾斜量90度)亦可。又，借助導引滾筒R2 R5，片狀基板FB是導引至例如在導引滾筒Rl的位置被導引的片狀基板FB的一 Z側(下側)的空間。如上述，本實施形態(tài)中，相對于片狀基板FB往第一圓筒部CYl的卷繞方向，片狀基板FB往第二圓筒部CY2的卷繞方向相同，以片狀基板FB的表面背面不反轉的方式，借助導引滾筒R2 R5導引片狀基板FB。如圖5及圖6所示，處理滾筒32是配置在例如導引滾筒Rl R4的片狀基板FB的導引路徑。處理滾筒32是形成為例如圓筒狀。處理滾筒32是配置成例如中心軸與Z方向大致平行，片狀基板FB以豎立狀態(tài)張設。處理滾筒32是形成為較例如導引滾筒Rl RlO大徑。該處理滾筒32的徑構成為與上述第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2大致等徑亦可。洗浄裝置41是用以使從腔室CB的外部往內(nèi)部供應的片狀基板FB或保護基板PB潔凈化而設，具有洗凈片狀基板FB的第一洗浄裝置41A及洗凈保護基板PB的第二洗浄裝置41B。第一洗浄裝置41A是設在片狀基板FB的搬送路徑例如供應ロ SUa(參照圖6)與圓筒構件CYL之間。又，第二洗凈裝置41B是設在保護基板PB的搬送路徑例如供應ロ SUb與層壓裝置46之間。配置在桶機構DRM的周圍的TFT層形成裝置42是形成用以驅動有機EL組件的TFT組件或電極、配線層等的裝置。TFT層形成裝置42具有例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C。第一形成裝置42A是配置在圓筒構件CYL的一 Y側。第二形成裝置42B是配置在圓筒構件CYL的一 X側。第三形成裝置42C是配置在圓筒構件CYL的+ Y側。如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C是設在圓筒構件CYL的周圍，形成TFT組件及電極、配線層等的一連串步驟是借助例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分擔進行。圖8是顯示第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C與桶機構DRM的圓筒構件CYL的關系的圖。如圖8所示，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分別具有ニ個處理部42A1及42A2、處理部42B1及42B2、處理部42C1及42C2。處理部42A1, 42B1, 42C1是分別與第一圓筒部CYl面對設置，可對張設在該第一圓筒部CYl的片狀基板FB進行處理。處理部42A2，42B2, 42C2是分別與第二圓筒部CY2面對設置，可對張設在該第二圓筒部CY2的片狀基板FB進行處理。如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C可對以豎立狀態(tài)卷繞的片狀基板FB進行處理。此外，第一圓筒部 CYl及第ニ圓筒部CY2，在進行TFT層形成裝置42的處理時，成為支承片狀基板FB的支承部。又，第一圓筒部CYl及第ニ圓筒部CY2成為支承片狀基板FB的支承部的情形，將桶機構稱為支承機構亦可。如圖5 圖7所示，干燥裝置43是借助例如加熱片狀基板FB以使形成在該片狀基板FB的TFT組件或電極等穩(wěn)定化的裝置。在干燥裝置43的一 X側的面，如圖7所示設有ニ個插入口 43a及43b。插入口 43a是配置在+Z側，插入有經(jīng)過第一圓筒部CYl后的片狀基板FB。插入口 43b是配置在一 Z側，插入有經(jīng)過第二圓筒部CY2后的片狀基板FB。在干燥裝置43的+ X側的面，設有ニ個排出口 43c及43d。排出ロ 43c是配置在+Z側，供從插入口 43a插入并進行干燥處理后的片狀基板FB排出。排出ロ 43d是配置在一Z側，供從插入口 43b插入并進行干燥處理后的片狀基板FB排出。如圖5及圖6所示，預備加工裝置44是進行在片狀基板FB形成發(fā)光層時的預備步驟(例如，絕緣層形成步驟等)的裝置。預備加工裝置44是與干燥裝置43—起配置在例如片狀基板FB的搬送路徑桶機構DRM的圓筒構件CYL與處理滾筒32之間。預備加工裝置44具有例如第一加工裝置44A、第二加工裝置44B及第三加工裝置44C，ー連串預備加工步驟是分擔進行。上述處理裝置40之中，例如TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、第一洗浄裝置41A、第二洗浄裝置41B、發(fā)光層形成裝置45的第三形成裝置45C是沿著第I方向(本實施形態(tài)中第I方向為X方向)配置。又，TFT層形成裝置42的第二形成裝置42B、圓筒構件CYL、處理滾筒32、發(fā)光層形成裝置45的第二形成裝置45B是沿著X方向配置。再者，TFT層形成裝置42的第三形成裝置42C、干燥裝置43、發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A是沿著X方向配置。又，例如TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、圓筒構件CYL、第三形成裝置42C是沿著第2方向(本實施形態(tài)中為與X方向交叉的Y方向)配置。又，例如洗凈裝置41A及41B與干燥裝置43是沿著Y方向配置。又，預備加工裝置44與層壓裝置46是沿著Y方向配置。再者，發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A、處理滾筒32、第三形成裝置45C是沿著Y方向配置。如上述，搬送裝置30及處理裝置40是沿著X方向及Y方向配置，因此密集配置成從X方向及Y方向觀察時各裝置彼此重疊部分變多。以上述方式構成的基板處理裝置FPA是借助控制部CONT的控制以滾動條方式制造有機EL組件、液晶顯示組件等顯示組件(電子組件)。以下，說明使用上述構成的基板處理裝置FPA制造顯示組件的步驟。首先，將在軸構件11卷繞成滾動條狀的帯狀的片狀基板FB安裝于基板供應部SU的供應端ロ 10內(nèi)的支承部12。又，將卷繞在軸構件13的帯狀的保護基板PB安裝于基板供應部SU的供應端ロ 10內(nèi)的支承部14。再者，將回收用的軸構件21安裝于基板回收部CL的回收端ロ 20內(nèi)的支承部22。控制部CONT在此狀態(tài)下通過支承部12使軸構件11旋轉，從基板供應部SU送出該片狀基板FB。從基板供應部SU送出的片狀基板FB，是從基板處理部PR的供應ロ SUa供應至腔室CB內(nèi)?？刂撇緾ONT將供應至腔室CB內(nèi)的片狀基板FB搬送至搬送裝置30并同 時借助各處理裝置40對該片狀基板FB進行處理。此外，預先于在軸構件11卷繞成滾動條狀的片狀基板FB的前端部及終端部，粘貼用以使片狀基板FB往處理裝置FPA的自動裝載變?nèi)菀椎膶ь^片亦可。借助此動作，供應至基板處理部PR的片狀基板FB是借助第一洗浄裝置41A洗浄，借助導引滾筒Rl導引至桶機構DRM的第一圓筒部CY1。片狀基板FB，是以被處理面Fp分別朝向TFT層形成裝置42的第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C的方式，以豎立狀態(tài)卷繞纏掛在第一圓筒部CY1。在卷繞纏掛在第一圓筒部CYl的片狀基板FB的被處理面Fp，借助該TFT層形成裝置42 (例如，處理部Al，BI及Cl)形成TFT組件或配線等。經(jīng)過第一圓筒部CYl的片狀基板FB是從干燥裝置43的+ Z側的插入口 43a供應至干燥裝置43的內(nèi)部，例如施加加熱處理等干燥處理。干燥處理后的片狀基板FB是從干燥裝置43的+ Z側的排出ロ 43c搬出。搬出的片狀基板FB是借助例如導引滾筒R2往ー Y方向導引，借助導引滾筒R3往ー X方向導引。經(jīng)過導引滾筒R3的片狀基板FB是借助導引滾筒R4往斜下方向(+ X方向且往ー Z側傾斜的方向)導引，借助導引滾筒R5往ー X方向導引。經(jīng)過導引滾筒R5的片狀基板FB是以豎立狀態(tài)卷繞纏掛在桶機構DRM的第二圓筒部CY2。在卷繞纏掛在第二圓筒部CY2的片狀基板FB的被處理面Fp，借助該TFT層形成裝置42 (例如，處理部A2，B2及C2)重疊形成必要層的TFT組件或配線等。經(jīng)過第二圓筒部CY2的片狀基板FB是從干燥裝置43的一 Z側的插入口 43b供應至干燥裝置43的內(nèi)部，例如再次施加加熱處理等干燥處理。干燥處理后的片狀基板FB是從干燥裝置43的一 Z側的排出ロ 43d搬出。搬出的片狀基板FB是借助例如導引滾筒R6供應至預備加工裝置44。預備加工裝置44，在例如第一加工裝置44A 第三加工裝置44C，在片狀基板FB形成絕緣膜或電洞注入層或電子注入層等。預備加工后的片狀基板FB是通過例如導引滾筒R7導引至處理滾筒32。片狀基板FB，是以被處理面Fp分別朝向發(fā)光層形成裝置45的第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C的方式，以豎立狀態(tài)卷繞纏掛在處理滾筒32。在卷繞纏掛在處理滾筒32的片狀基板FB的被處理面Fp，借助該發(fā)光層形成裝置45形成發(fā)光層等。
經(jīng)過處理滾筒32的片狀基板FB是供應至層壓裝置46，在被處理面Fp粘貼保護基板PB。粘貼保護基板PB后的片狀基板FB是從例如回收ロ CLa回收至基板回收部CL?；厥罩粱寤厥詹緾L的片狀基板FB是在回收端ロ 20內(nèi)的軸構件21卷繞成滾動條狀。在軸構件21卷繞有既定量的片狀基板FB后，將片狀基板FB例如切斷，將卷繞有片狀基板FB的軸構件21從支承部22移除。在該支承部22安裝例如未卷繞片狀基板FB的新的軸構件21。控制部CONT是借助進行上述處理，對片狀基板FB的被處理面Fp形成組件。如上述，根據(jù)本實施形態(tài)，在片狀基板FB卷繞在桶機構DRM的第一圓筒部CYl的外周面的一部分后，該片狀基板FB的搬送方向轉換向第二圓筒部CY2，該片狀基板FB卷繞在第二圓筒部CY2，對卷繞在第一圓筒部CYl的一部分的被處理面Fp進行第一處理且對卷繞在第二圓筒部CY2的一部分的被處理面Fp進行第二處理，因此可對片狀基板FB高密度進行處理。由此，可謀求基板處理裝置FPA的省空間化。
此外，在圖5及圖6所示的基板處理裝置FPA，在處理滾筒32，片狀基板FB僅卷繞一次，但與桶機構DRM的圓筒構件CYL同樣地，以具備第I圓筒部與第2圓筒部的ニ段圓筒部構成，在各圓筒部卷繞片狀基板FB亦可。再者，此構成中，將發(fā)光層形成裝置45配置在第I圓筒部與第2圓筒部亦可。此外，以ニ段圓筒部構成處理滾筒32的情形，如圖7所示的導引滾筒R4，R5，使用各旋轉中心軸傾斜的ニ個導引滾筒使片狀基板FB折返亦可。(第五實施形態(tài))接著，說明本發(fā)明第五實施形態(tài)。本實施形態(tài)中，桶機構的構成與第四實施形態(tài)不同，因此以桶機構的構成為中心進行說明。圖9是顯示本實施形態(tài)的桶機構DRM2的構成的立體圖。上述實施形態(tài)中，是以第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY2形成為單ー的圓筒構件CYL的構成為例進行說明，但第五實施形態(tài)中，如圖9所示，是顯示第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY2形成為不同的圓筒構件(例如，第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2)的構成。如圖9所示，第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2是以在Z方向分離的狀態(tài)配置。第一圓筒構件Cl的+ Z側的端面Cla與第二圓筒構件C2的一 Z側的端面C2a彼此面對。旋轉軸SF的中心線是設成在第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2之間共通(在XY面內(nèi)相同位置)。圖9所示的構成中，在例如第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2之間，徑不同。具體而言，第一圓筒構件Cl的徑Dl大于第二圓筒構件C2的徑D2。如上述，借助第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2具有不同的徑，可調整搬送路徑的路徑長度。旋轉驅動機構ACT2為能使第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2分別獨立旋轉的構成亦可。又，旋轉驅動機構ACT2為僅使第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2中的ー個旋轉的構成亦可。根據(jù)圖9所示的構成，經(jīng)過例如導引滾筒R21的片狀基板FB卷繞張設在第一圓筒部CY1，通過導引滾筒(轉換部)R22及R23導引至第二圓筒部CY2。卷繞張設在第二圓筒部CY2后的片狀基板FB是通過導引滾筒R24導引。第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2的直徑的差異，可取決于配置在各圓筒構件Cl，C2的周圍的各種處理裝置的加工形態(tài)或加工條件、加工部(加工頭部等)的設置尺寸
等產(chǎn)生。
本實施形態(tài)中，由于連續(xù)的片狀基板FB從第一圓筒構件Cl搬送至第二圓筒構件C2，因此各圓筒構件Cl，C2的直徑不同的情形，必須與該直徑的差異量對應使旋轉速度(rpm)亦產(chǎn)生差異。又，在第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2分別、或任ー個圓筒構件設置旋轉驅動用的馬達的情形，在從片狀基板FB的與第一圓筒構件Cl接觸的部分至與第二圓筒構件C2接觸的部分之間，可賦予既定張力。此外，圖9所示的構成中，第一圓筒構件Cl配置在一 Z側，第二圓筒構件C2配置在+ Z側，但并不限于此，第一圓筒構件Cl配置在+ Z側，第二圓筒構件C2配置在一 Z側亦可。(第六實施形態(tài))接著，說明本發(fā)明第六實施形態(tài)。本實施形態(tài)中，桶機構的構成與上述實施形態(tài)不同，因此以桶機構的構成為中心進行說明。圖10是顯示本實施形態(tài)的桶機構DRM3的構成 的立體圖。如圖10所示，本實施形態(tài)的桶機構DRM3的構成是相對第一圓筒部(加工用基準面)CYl配置有分離的多個第二圓筒部(加工用基準面)。具體而言，桶機構DRM3的構成是相對第一圓筒部CYl配置有ニ個第二圓筒部CY21，CY22。本實施形態(tài)中，第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY21，CY22是形成為不同的圓筒構件(例如，第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件 C21, C22)。桶機構DRM3的構成是在第一圓筒構件Cl的+ Z側配置有ニ個第二圓筒構件C21及C22。ニ個第二圓筒構件C21及C22是形成為例如相同的徑D4及D5。第一圓筒構件Cl的徑D3是形成為大于此等徑D4及D5。如圖10所示，第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C21及C22是以在Z方向分離的狀態(tài)配置。第一圓筒構件Cl的+ Z側的端面Cla與第二圓筒構件C21及C22的一 Z側的端面C21a及C22a彼此面對。第一圓筒構件Cl及第ニ圓筒構件C21，C22分別具有個別的旋轉軸SFl及SF21，SF22。旋轉軸SFl、旋轉軸SF21及旋轉軸SF22是配置成彼此平行。旋轉驅動機構ACT3能控制第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C21及C22分別獨立旋轉。根據(jù)圖10所示的構成，經(jīng)過例如導引滾筒R31的片狀基板FB卷繞張設在第一圓筒部CY1，通過作為轉換部的導引滾筒R32及R33 (必要時設置追加的導引滾筒)導引至Z方向的上段的第二圓筒部CY2。卷繞張設在第二圓筒部CY2后的片狀基板FB是通過導引滾筒R34卷繞張設在第二圓筒部CY22，之后，是通過導引滾筒R35導引。圖10所示的構成中，第一圓筒構件Cl配置在一 Z側，第二圓筒構件C21及C22配置在+ Z側，但并不限于此，第一圓筒構件Cl配置在+ Z側，第二圓筒構件C21及C22配置在一 Z側亦可。(第七實施形態(tài))接著，說明本發(fā)明第七實施形態(tài)。本實施形態(tài)中，桶機構的構成與上述實施形態(tài)不同，因此以桶機構的構成為中心進行說明。圖11是顯示本實施形態(tài)的桶機構DRM4的構成的立體圖。如圖11所示，本實施形態(tài)的桶機構DRM4，設有第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2及第三圓筒構件C3。此等第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2及第三圓筒構件C3是在Z方向三段配置。本實施形態(tài)中，片狀基板FB是掛架在第一圓筒構件Cl的外周面即第一圓筒部CY1、第二圓筒構件C2的外周面即第二圓筒部CY2、及第三圓筒構件C3的外周面即第三圓筒部CY3，被施加ー連串加工處理。第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3是以在Z方向分離的狀態(tài)配置。第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3的相鄰的端面彼此面對。旋轉軸SF是設成在第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3之間共軸(在XY面內(nèi)的位置相同)。第一圓筒構件Cl、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3是形成為例如徑相等。桶機構DRM4具有旋轉驅動機構ACT4。旋轉驅動機構ACT4為使例如三個圓筒構件Cl，C2, C3 一體旋轉的構成、或驅動使其等個別旋轉的構成亦可，為使第一圓筒構件Cl與第二圓筒構件C2分別獨立旋轉的構成亦可。又，旋轉驅動機構ACT4為以馬達等僅使三個圓筒構件Cl，C2, C3中的任一個強制旋轉的構成亦可。根據(jù)圖11所示的構成，經(jīng)過例如導引滾筒R41的片狀基板FB卷繞張設在第一圓筒部CY1，通過導引滾筒(轉換部)R42 R45導引至第二圓筒部CY2。卷繞張設在第二圓 筒部CY2后的片狀基板FB是通過導引滾筒(轉換部)R46 R49導引至第三圓筒部CY3。卷繞張設在第三圓筒部CY3后的片狀基板FB是通過導引滾筒R50導引。如上述，本實施形態(tài)中，使在第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY2之間的片狀基板FB的回繞的構成在第二圓筒部CY2與第三圓筒部CY3之間亦同樣地反復構成，因此能使使用桶機構DRM4的處理步驟進一歩高密度化(處理裝置的設置底面積的減少)。本發(fā)明的技術范圍并不限于上述實施形態(tài)，在不脫離本發(fā)明的趣g的范圍內(nèi)可施加適當變更。例如，上述實施形態(tài)中，假設在三個圓筒部CY1，CY2, CY3各自的位置進行對片狀基板的處理、加工，但例如在從第一圓筒部CYl至第二圓筒部CY2之間對片狀基板FB不進行處理亦可。又，在具有作為方向轉換部的功能的導引滾筒的處進行對片狀基板的處理亦可。如圖12所示，借助導引滾筒R51導引至桶機構DRM5的片狀基板FB卷繞張設在第一圓筒部CY1，通過導引滾筒R52導引后，在至第二圓筒部CY2的路徑上，卷繞張設在例如旋轉軸配置成水平(與XY平面平行)的導引滾筒R53。此處，可在例如導引滾筒R53設置加熱該片狀基板FB的加熱裝置(加熱干燥用的桶)。亦即，能將導引滾筒R53構成為加熱桶。此情形，片狀基板FB之中卷繞張設在導引滾筒R53的部分被加熱。如圖12所示，導引滾筒R53，為了將從導引滾筒R52以豎立狀態(tài)送來的片狀基板FB以豎立狀態(tài)送入導引滾筒R54,是成為賦予扭曲的配置。例如，在使用涂布裝置等作為桶機構DRM5中處理裝置40的情形，較佳為，對涂布處理后的片狀基板FB進行干燥處理等，但在此種情形，可在導引滾筒(加熱處理用的旋轉桶)R53繞繞張設涂布步驟后一刻的片狀基板并利用于干燥步驟。干燥處理后的片狀基板FB，是通過例如導引滾筒R54導引至第二圓筒部CY2，卷繞在第二圓筒部CY2之后，借助導引滾筒R55導引。又，上述各說明中，以將例如片狀基板FB以豎立狀態(tài)搬送的構成為例進行說明，但并不限于此。例如，在桶機構DRM及處理滾筒32的至少ー個，將片狀基板FB的被處理面Fp以相對于水平面垂直或傾斜的狀態(tài)搬送，在搬送至桶機構DRM及處理滾筒32的至少ー個的搬送路徑上，將片狀基板FB的被處理面Fp配置成相對于水平面實質上平行亦可。又，在片狀基板FB的搬送路徑，組合使片狀基板FB豎立的狀態(tài)與橫向的狀態(tài)亦可。此外，在將片狀基板FB以非水平姿勢、例如將片狀基板FB的被處理面Fp以相對于水平面(XY平面)傾斜既定角度的狀態(tài)搬送或處理的情形，使桶機構DRM的圓筒構件CYL、處理滾筒32、導引滾筒Rl，R2, R6, R7, R8等的旋轉中心軸相對于Z方向傾斜即可。本發(fā)明的技術范圍并不限于上述實施形態(tài)，在不脫離本發(fā)明的趣g的范圍內(nèi)可施加適當變更。例如，除了上述實施形態(tài)的構成之外，圖I、圖2、圖5、圖6所示的搬送裝置30，除了導引滾筒RlOl R106、處理滾筒31及32之外，具有調整片狀基板FB的姿勢的姿勢調整滾筒亦可。此姿勢調整滾筒，可配置在例如片狀基板FB的搬送路徑處理裝置40的上游側。又，在例如緊鄰處理裝置40的前方配置姿勢調整滾筒亦可。姿勢調整滾筒是配置成例如中 心軸與Z方向平行，設成可在X方向、Y方向及Z方向移動。又，姿勢調整滾筒是配置成例如中心軸相對于Z軸方向傾斜。此情形，借助使例如姿勢調整滾筒的傾斜或位置變化，可調整片狀基板FB的姿勢。又，上述導引滾筒或處理滾筒、處理搬送滾筒兼用姿勢調整滾筒的構成亦可。又，上述實施形態(tài)中，以處理滾筒31、處理滾筒32形成為圓筒狀為例進行說明，但并不限于圓筒狀。例如，使處理滾筒31的形狀為橢圓或多角柱、或在處理滾筒31的表面的一部分形成曲率面亦可。此情形，較佳為，固定處理滾筒31、處理滾筒32，使片狀基板FB以接觸或非接觸方式在處理滾筒31，32的表面滑動。又，桶機構DRM的圓筒構件CYL亦同樣地，并不限于圓筒構件。例如，替代圓筒構件CYL，在各處理裝置40對片狀基板的被處理面進行處理時，使用形成有能以曲率面導引被處理面的導引面的導引構件、或形成有能平坦地導引被處理面的導引面的導引構件亦可。此外，使用導引構件的情形，較佳為，使片狀基板FB以接觸或非接觸方式滑動。又，在設置于基板供應部SU的滾動條狀的片狀基板FB的前端，以既定長度粘貼具有與片狀基板FB相同程度的厚度且剛性較片狀基板高的導頭片亦可。如此，在將新的片狀基板FB的滾動條安裝于基板供應部SU時，亦可將片狀基板自動裝填于處理裝置FPA4內(nèi)。又，上述各說明中，以將例如片狀基板FB以豎立狀態(tài)搬送的構成為例進行說明，但并不限于此。例如，在處理滾筒31及處理滾筒32的至少ー個，將片狀基板FB的被處理面Fp以相對于水平面垂直或傾斜的狀態(tài)搬送，在搬送至處理滾筒31及處理滾筒32的至少ー個的搬送路徑上，將片狀基板FB的被處理面Fp配置成相對于水平面實質上平行亦可。又，在片狀基板FB的搬送路徑，組合使片狀基板FB豎立的狀態(tài)與橫向的狀態(tài)亦可。此外，在將片狀基板FB以非水平姿勢、例如將片狀基板FB的被處理面Fp以相對于水平面(XY平面)傾斜既定角度的狀態(tài)搬送或處理的情形，使處理滾筒31、處理滾筒32、導引滾筒R101，R102, R103, R104, R8等的旋轉中心軸相對于Z方向傾斜即可。主要組件符號說明FB 片狀基板SU 基板供應部PR 基板處理部
CB 腔室CL 基板回收部CONT 控制部Fp 被處理面DRM 桶機構CYL 圓筒構件CYl 第一圓筒部CY2 第二圓筒部ACT 旋轉驅動機構 Cl 第一圓筒構件C2 第二圓筒構件DRM DRM5 桶機構42A1, 42A2, 42B1, 42B2, 42C1, 42C2 處理部43 干燥裝置FPA, FPA4, FPA2, FPA3 基板處理裝置RlOl R106, Rlll R114 導引滾筒10 供應端ロ11，13，21，111，121 軸構件12，14，22，112，122 支承部20 回收端ロ30, 130, 230 搬送裝置31, 32 處理滾筒40, 140, 241 244 處理裝置131，231 233處理搬送滾筒
權利要求
1.一種基板處理裝置，其將形成為帶狀的基板搬送于長邊方向，并處理該基板的被處理面，其特征在于，具備 基板供應部，其在使該基板的短邊方向相對于水平方向交叉的狀態(tài)下供應該基板； 基板處理部，其具有搬送部及多個處理部，該搬送部將從該基板供應部供應的該基板在該交叉狀態(tài)下搬送，該多個處理部沿著該搬送部的該基板的搬送路徑配置，對該交叉狀態(tài)的該基板的被處理面進行處理；以及 基板回收部，將在該基板處理部進行處理后的該基板在該交叉狀態(tài)下回收。
2.如權利要求I所述的基板處理裝置，其中，該交叉狀態(tài)包含將該基板的被處理面相對于水平面配置成大致垂直的狀態(tài)。
3.如權利要求I或2所述的基板處理裝置，其中，該基板供應部及該基板回收部之中至少一方具有該基板在該交叉狀態(tài)下卷繞的軸構件、及在該軸構件的周方向支承成能旋轉的支承部。
4.如權利要求I至3中任一項所述的基板處理裝置，其中，該基板供應部的供應端口與該基板回收部的回收端口相對該基板處理部并排配置。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置，其中，該搬送部具有通過該基板處理部將該基板從該基板供應部導引至該基板回收部的多個導引滾筒。
6.如權利要求I至5中任一項所述的基板處理裝置，其進一步具備收容該基板處理部的腔室； 該基板供應部及該基板回收部配置于該腔室的外部。
7.如權利要求I至6中任一項所述的基板處理裝置，其中，該搬送部具有該基板在該交叉狀態(tài)下張設的圓筒狀的處理滾筒； 多個該處理部之中至少一部分配置在該處理滾筒的周圍。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置，其中，在該處理滾筒的周圍配置有對該基板進行相同種類的處理的該處理部。
9.如權利要求7或8所述的基板處理裝置，其中，該處理滾筒設置多個。
10.如權利要求I至6中任一項所述的基板處理裝置，其中，該搬送部具有 第一處理滾筒，在周圍配置有多個處理部之中進行第一處理的多個第一處理部；以及 第二處理滾筒，在周圍配置有多個該處理部之中進行與該第一處理不同的第二處理的多個第二處理部。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置，其中，該第一處理滾筒及該第二處理滾筒配置在夾著該基板處理部之中從該基板供應部供應該基板的供應位置及該基板回收至該基板回收部的回收位置的位置。
12.如權利要求10或11所述的基板處理裝置，其中，該第一處理是將構成顯示組件的發(fā)光層形成在該基板的處理； 該第二處理是將驅動該發(fā)光層的開關組件或晶體管組件形成在該基板的處理。
13.如權利要求10至12中任一項所述的基板處理裝置，其中，多個該處理部具有第三處理部； 該第三處理部配置在該搬送路徑之中該供應位置與該第一處理滾筒之間、該第一處理滾筒與該第二處理滾筒之間、該第二處理滾筒與該回收位置之間的至少一個，對該基板進行與該第一處理及該第二處理不同的第三處理。
14.如權利要求13所述的基板處理裝置，其中，該第三處理包含該基板的洗凈處理、該基板的干燥處理、該第一處理或該第二處理的前置處理之中至少一個。
15.如權利要求I至14中任一項所述的基板處理裝置，其中，該搬送部具有配置在至少一個該處理部的該搬送路徑的上游側且調整該基板的姿勢的姿勢調整滾筒。
16.如權利要求I至15中任一項所述的基板處理裝置，其進一步具備供應粘貼于回收至該基板回收部的該基板的保護基板的保護基板供應部。
17.如權利要求16所述的基板處理裝置，其中，該保護基板供應部與該基板回收部并排配置。
18.如權利要求16或17所述的基板處理裝置，其中，該基板處理部具有將該保護基板粘貼于該基板的粘貼部; 該搬送部具有將該基板及該保護基板導引至該粘貼部的第二導引滾筒。
19.一種基板處理裝置，其將形成為帶狀的基板搬送于長邊方向，并處理該基板的被處理面，其特征在于，具備 支承機構，其具備第一支承部及第二支承部； 第一搬送機構，其將該基板搬送至該第一支承部； 轉換部，其在該基板的被處理面搬送至該第一支承部后，將該基板的搬送方向朝向該第二支承部而轉換搬送方向； 第一處理部，其對該基板之中被該第一支承部支承的被處理面進行第一處理；以及 第二處理部，其對該基板之中被該第二支承部支承的被處理面進行第二處理。
20.如權利要求19所述的基板處理裝置，其中，該第一支承部在該第一處理部對該基板的被處理面進行第一處理時，在該基板的被處理面的短邊方向相對于水平方向交叉的狀態(tài)下支承該基板的被處理面； 該第二支承部在該第二處理部對該基板的被處理面進行第二處理時，在該基板的被處理面的短邊方向與該水平方向交叉的狀態(tài)下支承該基板的被處理面。
21.如權利要求19或20所述的基板處理裝置，其中，該第一搬送機構在該基板的被處理面的短邊方向與水平方向交叉的狀態(tài)下將該基板搬送至該第一支承部。
22.如權利要求19至21中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第二支承部相對于該第一支承部與該水平方向交叉的方向的位置不同。
23.如權利要求19至22中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一支承部具有圓筒面的一部分； 該第二支承部具有圓筒面的一部分。
24.如權利要求23所述的基板處理裝置，其中，該第一支承部具有形成有該圓筒面的第一圓筒部，該第二支承部具有形成有該圓筒面的第二圓筒部。
25.如權利要求24所述的基板處理裝置，其中，該第一圓筒部及該第二圓筒部形成為具有相同的徑。
26.如權利要求25所述的基板處理裝置，其中，該第一圓筒部及該第二圓筒部形成為單一圓筒構件。
27.如權利要求26所述的基板處理裝置，其中，該支承機構具備將該圓筒構件支承成能旋轉的旋轉機構。
28.如權利要求24或25所述的基板處理裝置，其中，該支承機構具備形成有該第一圓筒部的第一圓筒構件、及形成有該第二圓筒部的第二圓筒構件。
29.如權利要求28所述的基板處理裝置，其中，該支承機構具備將該第一圓筒部及該第二圓筒部之中至少一方支承成能旋轉的旋轉機構。
30.如權利要求28所述的基板處理裝置，其中，該支承機構具備將該第一圓筒部及該第二圓筒部支承成能分別獨立旋轉的旋轉機構。
31.如權利要求28至30中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一圓筒部的中心軸與該第二圓筒部的中心軸彼此平行。
32.如權利要求28至30中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一圓筒部的端面與該第二圓筒部的端面彼此面對。
33.如權利要求19至32中任一項所述的基板處理裝置，其中，該轉換部具有導引構件，該導引構件以往該第二支承部的該基板的搬送方向相對于往該第一支承部的該基板的搬送方向成為相同方向的方式導引該基板。
34.如權利要求19至33中任一項所述的基板處理裝置，其進一步具有對該基板之中卷繞于該導引構件的外周面的一部分的被處理面進行第三處理的第三處理部。
35.如權利要求19至34中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一處理及該第二處理是彼此相關的處理。
36.如權利要求35所述的基板處理裝置，其中，該第一處理是該第二處理的前置處理。
37.如權利要求35所述的基板處理裝置，其中，該第二處理是該第一處理的后續(xù)處理。
38.如權利要求19至34中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一處理及該第二處理是相同種類的處理。
39.如權利要求38所述的基板處理裝置，其中，該第一處理及該第二處理是在該基板形成涂布膜的涂布處理。
40.如權利要求39所述的基板處理裝置，其進一步具有使該涂布膜干燥的干燥部，該干燥部在該導引構件的該基板的導引路徑上配置在該第一支承部與該第二支承部之間。
41.如權利要求24至32中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一處理部在該第一圓筒部的周方向設置多個。
42.如權利要求24至32、41中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第二處理部在該第二圓筒部的周方向設置多個。
43.如權利要求19至42中任一項所述的基板處理裝置，其具有在該基板的短邊方向相對于水平方向交叉的狀態(tài)下供應該基板的基板供應部； 該第一搬送機構將該基板在該交叉狀態(tài)下搬送至該第一支承部； 該第一支承部及第二支承部以該交叉狀態(tài)的該基板被搬送的方式配置。
44.如權利要求43所述的基板處理裝置，其中，該交叉狀態(tài)包含將該基板的短邊方向相對于水平面配置成大致垂直的狀態(tài)。
45.如權利要求19至44中任一項所述的基板處理裝置,其具備 供應部，其供應該基板；以及 回收部，其回收來自該第二處理部的該基板；該供應部的供應端口與該回收部的回收端口并排配置。
46.如權利要求45所述的基板處理裝置，其進一步具備收容該第一處理部及該第二處理部的腔室； 該供應部及該回收部配置在該腔室之外。
47.如權利要求19至46中任一項所述的基板處理裝置，其中，該第一搬送機構進一步具有調整該基板的姿勢的姿勢調整滾筒。
48.如權利要求19至47中任一項所述的基板處理裝置，其進一步具備對該基板供應保護材的保護材供應部。
49.如權利要求48所述的基板處理裝置，其進一步具有將該保護材粘貼于該基板的粘貼部； 該第一搬送機構具有將來自該保護材供應部的該保護材導引至該粘貼部的滾筒。
全文摘要
基板處理裝置，具備基板供應部，在使形成為帶狀的基板的短邊方向豎立的狀態(tài)下供應基板；基板處理部，具有搬送部及多個處理部，該搬送部，將從該基板供應部供應的基板在豎立狀態(tài)下搬送，該多個處理部，是沿著該搬送部的基板的搬送路徑配置，對豎立狀態(tài)的基板的被處理面進行處理；以及基板回收部，將在該基板處理部進行處理后的基板在豎立狀態(tài)下回收。
文檔編號B65H23/038GK102835189SQ201180018300
公開日2012年12月19日 申請日期2011年4月11日 優(yōu)先權日2010年4月9日
發(fā)明者浜田智秀, 奈良圭, 增川孝志, 木內(nèi)徹 申請人:株式會社尼康