具有粒子罩的晶片容器的制造方法
【專利摘要】可在諸如FOUPS的晶片容器內(nèi)的頂部晶片以上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)粒子罩，以防止微粒積聚在晶片上。該粒子罩或屏障可由兼容的材料形成以保持低于5%的RH，特別是不會(huì)吸收大量水以及將所吸收的水分帶入容器中的材料。在實(shí)施方式中，發(fā)現(xiàn)合適的特別材料包括環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物和液晶聚合物。在特定的實(shí)施方式中，F(xiàn)OUP可設(shè)置有超過(guò)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的25條狹槽的額外狹槽，以容納專用屏障。在實(shí)施方式中，該屏障可以是與晶片形狀相對(duì)應(yīng)的固體薄形。在實(shí)施方式中，該屏障可具有與在容器中發(fā)現(xiàn)的微粒相反的固有電荷性質(zhì)，從而將微粒吸至該屏障。在實(shí)施方式中，該屏障可具有孔，如狹槽或其他開口，以促進(jìn)電荷發(fā)展用于增強(qiáng)將微粒吸至該屏障的吸引力。在實(shí)施方式中，該屏障可改造到現(xiàn)有晶片容器，例如FOUPS上。在實(shí)施方式中，該罩可符合特定FOUP配置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
【專利說(shuō)明】具有粒子罩的晶片容器
[0001]相關(guān)申請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)要求2011年5月3日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)?1/482，151的權(quán)益，其公開的內(nèi)容通過(guò)引用方式全部并入本文。
【背景技術(shù)】
[0003]控制微粒和其它污染物在半導(dǎo)體加工中一直是至關(guān)重要的。因此，加工成集成電路的晶片在封閉環(huán)境中存儲(chǔ)和運(yùn)輸，通常為前開口盒，有時(shí)也被稱為FOUPS (前端開口片盒)和FOSBS (前端開口裝運(yùn)箱)。這些晶片容器將晶片保持在間隔排列的堆疊陣列中，并具有可自動(dòng)開啟的密封門。該容器還具有允許搬運(yùn)以及自動(dòng)進(jìn)入晶片的特點(diǎn)。隨著電路尺寸有所下降，晶片控制(containment)環(huán)境完整性的重要性有所增加。在高級(jí)半導(dǎo)體的處理中，特別是40nm和以下，已發(fā)現(xiàn)晶片的含水率控制在或低于10%或5%的相對(duì)濕度(“RH”)對(duì)所需的集成電路產(chǎn)量來(lái)說(shuō)是非常有益或關(guān)鍵的。為了控制運(yùn)輸和儲(chǔ)存晶片的晶片載體內(nèi)的水分，氣體凈化，如氮?dú)庥脕?lái)代替環(huán)境空氣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在FOUPS和FOSBS中保持晶片控制環(huán)境在5%以下的相對(duì)濕度會(huì)產(chǎn)生微粒問(wèn)題，特別涉及在間隔排列的堆疊陣列中的頂部晶片，以及特別是在通過(guò)它們位于FOUPS頂部的自動(dòng)凸緣運(yùn)送FOUPS的過(guò)程中。這意味著要提供增強(qiáng)的微?？刂?，特別是在保持約5%以下的RH的應(yīng)用中。
[0005]可在諸如FOUPS的晶片容器內(nèi)提供放置在頂部晶片以上的粒子罩，以防止微粒積聚在晶片上。該粒子罩或屏障(barrier)可由兼容的材料形成以保持低于5%的RH,特別是不會(huì)吸收大量水以及將所吸收的水分帶入容器中的材料。在實(shí)施方式中，發(fā)現(xiàn)合適的特別材料包括環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物和液晶聚合物。在特定的實(shí)施方式中，F(xiàn)OUP可設(shè)置有超過(guò)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的25條狹槽的附加狹槽，以容納專用屏障。在實(shí)施方式中，該屏障可以是與晶片形狀相對(duì)應(yīng)或覆蓋晶片形狀的固體薄形。在實(shí)施方式中，該屏障可具有與在容器中發(fā)現(xiàn)的微粒相反的固有電荷性質(zhì)，從而將微粒吸至該屏障。在實(shí)施方式中，該屏障可具有孔，如狹槽或其他開口，以促進(jìn)電荷發(fā)展用于增強(qiáng)將微粒吸至該屏障的吸引力。在實(shí)施方式中，該屏障可改造到現(xiàn)有晶片容器，如FOUPS上。在實(shí)施方式中，該罩可符合特定FOUP配置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在實(shí)施方式中，第25條狹槽可用作屏障，其保護(hù)在第24條狹槽內(nèi)的晶片不受從晶片容器頂部脫落的微粒之害。
[0006]本發(fā)明實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是屏障提供了在自動(dòng)凸緣/外殼界面和最上面晶片中間的罩。已發(fā)現(xiàn)此區(qū)域是微粒來(lái)源，特別是當(dāng)由自動(dòng)凸緣輸送該晶片容器時(shí)。所述微粒落在所述屏障上，而不是在最上面的晶片上。
[0007]本發(fā)明實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是屏障可由聚碳酸酯、聚醚酰亞胺或環(huán)烯烴共聚物形成，所述聚合物可以是天然的或具有紫外線防護(hù)的。所述聚合物可具有碳粉、碳纖維和/或碳納米管。[0008]本發(fā)明實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是屏障可由聚醚醚酮或液晶聚合物形成。所述聚合物可以是天然的，或可具有碳粉、碳纖維和/或碳納米管。
[0009]本發(fā)明實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是一種方法，其中容器用凈化氣體，如氮?dú)鈨艋?，以保持RH在5%以下，以及還提供屏障以控制在最上面晶片上的微粒，該方法可包括使用選擇的材料來(lái)保持RH在5%以下。該選擇的材料可在屏障內(nèi)。該選擇的材料還可包括晶片容器的其它部分或全部或基本上整個(gè)的晶片容器。該選擇的材料可以是環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物、聚醚醚酮。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施方式包括具有用于屏障、改裝屏障、槽形屏障、多孔屏障、符合容器結(jié)構(gòu)配置的屏障的附加狹槽的前端開口晶片容器以及具有多個(gè)屏障的容器。
[0011]本發(fā)明特定實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是為前端開口晶片容器內(nèi)的頂部晶片提供微?？刂?，其中晶片容器的RH維持在5%以下。該微?？刂瓢ㄔ谧钌厦婢恼戏降奈恢弥兴窖由斓恼?，并且該罩放置在晶片容器的頂壁結(jié)構(gòu)的下方。
[0012]特定實(shí)施方式的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)是在粒子罩中的孔促進(jìn)空氣或氣體流通過(guò)該屏障，以允許該罩發(fā)展來(lái)自逆向經(jīng)過(guò)該罩表面的氣體的電荷。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是被稱為FOUP的晶片容器的透視圖，其適用于本發(fā)明。
[0014]圖2是晶片容器的具有第26條狹槽以及插入其中的微粒罩的容器部分的透視圖。
[0015]圖3是具有適于與其組裝或改裝的微粒罩的FOUP的分解透視圖。
[0016]圖4是適合于在圖1所示的組裝FOUP上改裝的晶片罩的透視圖。
[0017]圖5是表示在圖1和3的FOUP的內(nèi)部晶片支撐結(jié)構(gòu)上的圖4的晶片罩的俯視圖。
[0018]圖6是從根據(jù)與圖1和3相一致結(jié)構(gòu)的FOUP容器部分向上看進(jìn)去的透視圖，還示出了所述FOUP的底部部分。
【具體實(shí)施方式】
[0019]參照?qǐng)D1、2和3，示出了被稱為FOUP的前端開口晶片容器20，通常包括容器部分24和門26。該容器部分具有前開口 27和大小能容納門26的門框27.2。該容器部分具有帶頂壁27.8的頂部27.6、一對(duì)側(cè)壁28、帶背面壁28.8的背面28.6以及具有三個(gè)凹槽運(yùn)動(dòng)聯(lián)結(jié)件30的底部29。該門密封地與容器部分接合，并通過(guò)閂鎖機(jī)構(gòu)32進(jìn)行閉鎖。圖1的門具有手動(dòng)把手36和在門的前側(cè)40上露出的鍵孔38。自動(dòng)凸緣44安裝到容器部分的頂部，并用于在其中的晶片加工過(guò)程中架空運(yùn)輸晶片容器。各組件通?？捎勺⒛５臒崴苄运芰希缇厶妓狨バ纬?。在其它實(shí)施方式中，組件可由下列低吸濕性材料形成:環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物、聚醚醚酮的其中之一或組合。
[0020]參照?qǐng)D2和3，該容器部分具有專用于容納粒子罩50的附加狹槽48。所述狹槽可以是第26條狹槽，比300mm晶片容器，例如所示配置中的常規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)狹槽數(shù)多了一條。在其它實(shí)施方式中，第25條狹槽可用于粒子罩。在具有粒子罩的狹槽下面的狹槽容納晶片
51。該罩與頂壁和最上面的晶片隔開，以收集或防止從容器部分的頂部產(chǎn)生或源自容器部分的頂部的微粒落在最上面的晶片上。在某些情況下，通過(guò)由該自動(dòng)凸緣運(yùn)輸該容器而給予頂壁結(jié)構(gòu)53的壓力可由該頂壁結(jié)構(gòu)產(chǎn)生或釋放微粒。[0021]該粒子罩層可配置為直接與容納在容器中的晶片的尺寸和形狀相對(duì)應(yīng)，并在第25條狹槽，最上面晶片狹槽54中的晶片的正上方。在實(shí)施方式中，該罩可成形為基本上覆蓋最上面的晶片。在實(shí)施方式中，該粒子罩可略大于包含在晶片容器中的晶片。即，直徑尺寸約大0.5?2%。在其它實(shí)施方式中，直徑尺寸約大2?5%。
[0022]該晶片容器具有凈化端口 56，用于該晶片容器關(guān)閉時(shí)凈化其內(nèi)部。這種凈化端口可位于容器部分的前部或后部，通常在運(yùn)動(dòng)聯(lián)結(jié)板58的同一外側(cè)底部上。如在本發(fā)明的所有者擁有的美國(guó)專利號(hào)為7，328，727中公開的端口公開了凈化端口的合適配置。所述專利通過(guò)引用的方式并入本文。
[0023]該罩可由具有固有電荷的材料制成，該電荷與晶片容器中微粒所攜帶的電荷相反。這種相反的電荷將導(dǎo)致微粒吸引到該罩上并粘在上面。該罩還可由高度抗吸水性的材料形成，例如環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物和聚醚醚酮。該罩可由這些材料的任意一種或這些材料的任意組合或任意材料與其它材料的組合形成。該罩還可具有導(dǎo)電性和/或靜態(tài)耗散特性，由另外的碳粉、碳纖維和/或碳納米管所提供。通過(guò)將罩容納在第26條狹槽中的架子上，還利用該架子也是導(dǎo)電材料或至少是靜電耗散的且連接到地面，該罩將有效地接地。
[0024]在應(yīng)用中，其中容器內(nèi)部的RH保持在低濕度水平，例如低于10%或低于5%，使用上述材料有助于保持低的RH。在實(shí)施方式中，凈化可降低RH至低于10%，其中至少保持30分鐘。在實(shí)施方式中，凈化可降低RH至低于5%，其中至少保持30分鐘。在實(shí)施方式中，凈化可降低RH至低于10%，其中逐漸上升。在實(shí)施方式中，凈化可降低RH至低于5%，然后逐漸上升。已發(fā)現(xiàn)如此低的RH引起了促進(jìn)微粒產(chǎn)生的傾向，特別是在臨近該自動(dòng)凸緣44的容器部分內(nèi)的頂部，并與通過(guò)自動(dòng)凸緣架空運(yùn)輸該容器有關(guān)。覆蓋最上面晶片的罩的存在防止在晶片疊層的上方產(chǎn)生的或存在的微粒落在最上面的晶片上。由低吸濕性材料形成的罩減少了晶片容器中RH的上升。
[0025]參照?qǐng)D3、4、5和6，示出了具有關(guān)聯(lián)的粒子罩64的晶片容器60的另一個(gè)實(shí)施方式。該罩的大小可符合由該申請(qǐng)的擁有者Entegris公司制造的F300 FOUP的配置。該罩具有主體部分66和翼片(tab) 68以及中央狹槽70。該罩符合F300F0UP的頂部?jī)?nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)76。該狹槽70緊密配合支撐結(jié)構(gòu)，特別是晶片盒部分80的橋接件79上的上部78，其連接到所述容器部分24外部上的自動(dòng)凸緣44上。該晶片盒部分具有兩套由所述橋接件連接的晶片架子81。該狹槽70的大小可以是過(guò)盈配合，使得該罩保持在適當(dāng)位置。可選擇地，可用棘爪、柄腳、掣爪或緊固件將罩保持到位。
[0026]除了這種FOSB的300mm晶片容器之外，本發(fā)明還適合用于450mm的晶片容器，特別是那些利用容器頂部上的自動(dòng)凸緣來(lái)運(yùn)輸?shù)娜萜鳌?br> [0027]該罩具有配置為狹槽82的孔或開口，其呈現(xiàn)格柵結(jié)構(gòu)。這允許凈化氣體或周圍大氣通過(guò)所述孔，提高了氣體與表面的接觸，這被認(rèn)為是增加了該罩的電荷，從而增加了將微粒吸引到罩上的吸引力。該罩放置在最上面晶片槽的上方。在可選擇的實(shí)施方式中，兩塊板可彼此覆蓋，使得一塊板的開口在水平方向上與另一塊板的開口偏離，而不會(huì)為來(lái)自上述兩塊板的微粒提供到最上面晶片的直接垂直路徑。在另一實(shí)施方式中，該孔可與垂直方向成角度，使得不會(huì)為來(lái)自晶片容器頂部的微粒提供到晶片的直接路徑或減少的直接路徑，同時(shí)仍然允許空氣或氣體通過(guò)所述板來(lái)吸引電荷。在另一實(shí)施方式中，板可具有兩層或兩層以上由垂直間隙分隔的微粒收集表面，通過(guò)該垂直間隙空氣或氣體可穿過(guò)。這樣的空氣或氣體在凈化或打開和/或關(guān)閉門的過(guò)程中可穿過(guò)所述板。
[0028]該粒子罩的尺寸可基本上覆蓋晶片或完全覆蓋晶片。當(dāng)在本文中使用“基本上”時(shí)，是指75%以上，即該粒子罩在晶片的垂直正上方覆蓋了至少75%的晶片面積。在其它實(shí)施方式中，晶片頂表面的90%將由粒子罩覆蓋。在其它實(shí)施方式中，該粒子罩將覆蓋100%的晶片頂表面區(qū)域。
[0029]可放置該粒子罩，使得在該粒子罩和最上面的晶片之間存在至少Icm的間隙或間距。在實(shí)施方式中，該粒子罩和最上面的晶片之間的間距在Icm和3cm之間。在實(shí)施方式中，在頂壁結(jié)構(gòu)和該粒子罩之間有至少0.5cm的間隙或間距。在實(shí)施方式中，在頂壁結(jié)構(gòu)和該粒子罩之間有至少Icm的間隙。在實(shí)施方式中，在頂壁結(jié)構(gòu)和該粒子罩之間有在0.5cm和2cm之間的間隙。
[0030]該罩結(jié)構(gòu)還可由具有固有電荷的材料形成，該固有電荷與由晶片容器中微粒所攜帶的電荷相反。這種相反的電荷將導(dǎo)致粒子吸引到該罩上并粘在上面。該罩還可由高度抗吸水性的材料形成，例如環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物和聚醚醚酮。該罩還可具有導(dǎo)電性和/或靜態(tài)耗散特性，由另外的碳粉、碳纖維和/或碳納米管所提供。通過(guò)與該晶片盒部分接合，其中該晶片盒部分由導(dǎo)電性材料形成或至少是靜態(tài)耗散的，并連接到地面，該罩將有效地接地。在實(shí)施方式中，該罩可由金屬形成。
[0031]美國(guó)專利號(hào)為RE38, 221,6, 010，008,6, 267，245,6, 736268,5, 472，086,5, 785，186、5，755，332和PCT公開文本W(wǎng)02008/008270、W02009/089552中示出了晶片容器、密封件、特征
件和其它晶片容器結(jié)構(gòu)和組件。公布的專利和發(fā)明由本申請(qǐng)的所有者擁有。此外，參閱美國(guó)專利號(hào)5，346，518，其示出了蒸汽去除元件。這些專利和公開文本通過(guò)引用方式并入本文。
[0032]本發(fā)明可以其它特定形式來(lái)體現(xiàn)，而不脫離其精神或本質(zhì)屬性；并且因此理想的是，本實(shí)施方式被認(rèn)為在所有方面均是說(shuō)明性的，而不是限制性的，參照所附權(quán)利要求而不是前面的描述來(lái)表示本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.具有增強(qiáng)的粒子防護(hù)的晶片容器，包括具有前開口的容器部分和大小能關(guān)閉該前開口的門，該容器部分具有帶頂壁的頂部、一對(duì)側(cè)壁、帶背面壁的背面和帶三個(gè)外露的凹槽運(yùn)動(dòng)聯(lián)結(jié)件的底部，該頂壁、側(cè)壁、背面壁、底部限定了開放的內(nèi)部，該容器部分還包括位于開放內(nèi)部的兩套相對(duì)的架子，在容器部分的每一側(cè)限定了多個(gè)狹槽，包括最上面的狹槽，用于容納通過(guò)前開口的晶片，該晶片容器還包括在該容器部分的頂部從該容器部分向上延伸的自動(dòng)凸緣， 該晶片容器還包括通常配置為平板的粒子罩，該粒子罩在與該自動(dòng)凸緣相對(duì)的容器部分的頂部處的開放內(nèi)部，連接到容器部分并與頂壁間隔開，從而收集在頂壁產(chǎn)生的微粒，并防止它們落在最上面狹槽內(nèi)的晶片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片容器，其中該板包括配置為多個(gè)狹槽的多個(gè)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任何一項(xiàng)所述的晶片容器，其中該粒子罩具有周長(zhǎng)，其符合并沿著該背面壁、側(cè)壁和前開口，并且大小至少基本上覆蓋在最上面的晶片狹槽中的晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的方法，其中該罩由環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物、聚醚醚酮其中之一形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任何一項(xiàng)所述的晶片容器，其中所述兩套相對(duì)的架子在晶片容器內(nèi)部的晶片容器頂部通過(guò)橋接件彼此連接，該兩套相對(duì)的架子和橋接件彼此統(tǒng)一，其中所述自動(dòng)凸緣與橋接件接合。
6.根據(jù)權(quán)利 要求1-5中任何一項(xiàng)所述的晶片容器，其中所述罩通過(guò)過(guò)盈配合、柄腳，掣爪和棘爪機(jī)構(gòu)的其中之一保持在適當(dāng)位置。
7.在晶片容器中提供增強(qiáng)的粒子防護(hù)的方法，包括: 為前開口晶片容器提供凈化，使晶片容器中的相對(duì)濕度在5%以下； 通過(guò)晶片容器頂部上的自動(dòng)凸緣運(yùn)送該晶片容器，從而在晶片容器內(nèi)部的晶片容器頂部產(chǎn)生微粒； 在晶片容器內(nèi)的最上面晶片和晶片容器頂部之間通過(guò)放置其間的粒子罩而提供屏障，并且由該晶片容器支撐該晶片罩。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括提供由低吸濕性材料構(gòu)成的晶片罩，該材料由環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物、聚醚醚酮的至少一種形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8任何一項(xiàng)所述的方法，還包括向粒子屏障提供不同于晶片上電荷的電荷，從而微粒吸引到粒子屏障上，而非晶片上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7、8和9中任何一項(xiàng)所述的方法，還包括為該屏障提供有多個(gè)孔，用于通過(guò)穿過(guò)該孔的氣體或空氣之一產(chǎn)生電荷。
11.具有增強(qiáng)的粒子防護(hù)的晶片容器，包括具有前開口的容器部分和大小能關(guān)閉該前開口的門，該容器部分具有帶頂壁的頂部、一對(duì)側(cè)壁、帶背面壁的背面和帶三個(gè)外露的凹槽運(yùn)動(dòng)聯(lián)結(jié)件的底部，該頂壁、側(cè)壁、背面壁、底部限定了開放的內(nèi)部，該容器部分還包括位于開放內(nèi)部的兩套相對(duì)的架子，在容器部分的每一側(cè)限定了多個(gè)晶片狹槽，包括最上面的晶片狹槽，用于容納通過(guò)前開口的晶片，該晶片容器還包括在該容器部分的頂部從該容器部分向上延伸的自動(dòng)凸緣， 該晶片容器還包括放置在最上面晶片狹槽和頂壁的中間且放置在自動(dòng)凸緣下面的粒子罩，該粒子罩提供了屏障以防止在頂壁產(chǎn)生的微粒落在最上面晶片狹槽內(nèi)的晶片上。
12.向晶片容器中的晶片提供增強(qiáng)的粒子防護(hù)的方法，包括:保持晶片容器中低于10%的低RH超過(guò)30分鐘，并通過(guò)在晶片容器的頂壁和晶片疊層之間提供可去除的粒子罩來(lái)控制存在于容器內(nèi)的頂部或在此散發(fā)的微粒，所述屏障基本上覆蓋了最上面的晶片。
13.向晶片容器中的晶片提供增強(qiáng)的粒子防護(hù)的方法，包括: 在前端開口晶片容器的頂部狹槽中插入粒子罩； 使空氣或氣體通過(guò)該粒子罩中的開口，然后在該粒子罩中產(chǎn)生用于吸引微粒的電荷；以及 用所述電荷吸引微粒并粘在所述粒子罩上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括確定該粒子罩的大小并布置該粒子罩以基本上覆蓋最上 面的晶片。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，還包括降低RH至低于10%。
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，還包括降低RH至低于5%。
17.根據(jù)權(quán)利要求13-16中任何一項(xiàng)所述的方法，還包括通過(guò)晶片容器頂部的自動(dòng)凸緣運(yùn)送該晶片容器。
18.具有增強(qiáng)的粒子防護(hù)的晶片容器，包括具有前開口的容器部分和大小能關(guān)閉該前開口的門，該容器部分具有帶頂壁的頂部、一對(duì)側(cè)壁、帶背面壁的背面和帶三個(gè)外露的凹槽運(yùn)動(dòng)聯(lián)結(jié)件的底部，該頂壁、側(cè)壁、背面壁、底部限定了開放的內(nèi)部，該容器部分還包括位于開放內(nèi)部的兩套相對(duì)的架子，在容器部分的每一側(cè)限定了多個(gè)狹槽，包括最上面的狹槽，用于容納通過(guò)前開口的晶片，該晶片容器還包括在該容器部分的頂部從該容器部分向上延伸的自動(dòng)凸緣和一對(duì)用于凈化該晶片容器的凈化端口， 該晶片容器還包括通常配置為平板的粒子罩，該板具有多個(gè)在其上的開口，該粒子罩在與該自動(dòng)凸緣相對(duì)的容器部分的頂部處的開放內(nèi)部，連接到容器部分并與頂壁和最上面的狹槽間隔開，其大小基本上將最上面狹槽內(nèi)的晶片和頂壁屏蔽開，從而收集在頂壁產(chǎn)生的微粒，并基本上防止它們落在最上面狹槽內(nèi)的晶片上。
19.在運(yùn)送的過(guò)程中通過(guò)晶片容器上的自動(dòng)凸緣向晶片容器中的晶片提供增強(qiáng)的粒子防護(hù)的方法，該方法包括:保持晶片容器中低于10%的低RH超過(guò)30分鐘，并通過(guò)提供在晶片容器的頂壁和晶片疊層之間布置的可去除粒子罩來(lái)控制存在于容器內(nèi)的頂部或在此散發(fā)的微粒，所述屏障基本上覆蓋了晶片疊層的最上面晶片。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括提供由低吸濕性材料構(gòu)成的晶片罩，該材料由環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物和液晶聚合物以及聚醚醚酮的至少一種形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的方法，還包括向該晶片罩提供電荷以吸引微粒。
【文檔編號(hào)】B65D85/38GK103765569SQ201280033141
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月3日
【發(fā)明者】馬丁·L·福布斯, 約翰·伯恩斯, 馬修·A·富勒 申請(qǐng)人:恩特格里公司