微組件的傳送方法以及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是涉及一種微組件的傳送方法以及顯示面板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微型發(fā)光二極管數(shù)組(Micro Light-Emitting D1de Array)為將尺寸微小(小于100微米)的微型發(fā)光二極管以數(shù)組方式排列設置于具有畫素電路的數(shù)組基板上。透過尋址化驅(qū)動技術(shù)，每個微型發(fā)光二極管可以尋址控制、單獨驅(qū)動點亮，因而可以作為點畫素，于是，微型發(fā)光二極管數(shù)組將能發(fā)揮顯示器的功能。
[0003]除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反應時間快等特點，微型發(fā)光二極管數(shù)組更具節(jié)能、機構(gòu)簡易、體積小、薄型等優(yōu)勢。比起同樣是自發(fā)光的有機發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting D1de)顯示器，微型發(fā)光二極管數(shù)組有較佳的材料穩(wěn)定性、壽命長、且無影像烙印等問題。
[0004]在制作微型發(fā)光二極管數(shù)組時，可以先分別形成微型發(fā)光二極管與數(shù)組基板，然后再透過封裝技術(shù)如覆晶封裝方式(Flip Chip Bonding)形成電性連結(jié)。微型發(fā)光二極管亦能藉由整合微透鏡數(shù)組(Microlens Array)，提高亮度及對比度。
[0005]為了進一步改善微型發(fā)光二極管數(shù)組的各項特性，相關(guān)領(lǐng)域莫不費盡心思開發(fā)。如何能提供一種具有較佳特性的微型發(fā)光二極管數(shù)組與其相關(guān)制程，實屬當前重要研發(fā)課題的一，亦成為當前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進的目標。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的旨在提供一種微組件的傳送方法以及顯示面板的制作方法，藉由整合制程方式，減少制造成本并增加制程良率。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一實施方式，提供一種微組件的傳送方法，包含以下步驟。首先，提供承載基板，并形成多個微組件于承載基板上。接著，形成固定層于承載基板上，固定層至少接觸微組件的底部。然后，圖案化固定層，選擇性地裸露部份的微組件。再來，提供轉(zhuǎn)置裝置，并對應位于承載基板上，且經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的微組件。最后，提供接收基板，并移轉(zhuǎn)提取裸露的微組件至接收基板上。
[0008]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，形成固定層為一種光感應有機材包括光阻材料或感光材料，光阻材料包括正型光阻材料(Positive Photoresist)或負型光阻材料(Negative Photoresist)。
[0009]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的微組件，更包括轉(zhuǎn)置裝置提供提取面，且提取面與裸露的微組件接觸，讓轉(zhuǎn)置裝置進行提取。
[0010]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，轉(zhuǎn)置裝置藉由超距力提取裸露的微組件。
[0011]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，轉(zhuǎn)置裝置的提取面具有金屬層，提供外電路于金屬層產(chǎn)生靜電力藉以提取裸露的微組件。
[0012]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，轉(zhuǎn)置裝置的提取面具有導電磁化層，提供外電路于導電磁化層層產(chǎn)生磁力藉以提取裸露的微組件。
[0013]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，轉(zhuǎn)置裝置的提取面具有彈性黏著層，轉(zhuǎn)置裝置以彈性黏著層提取裸露的微組件。
[0014]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，形成多個微組件于承載基板上時，位于承載基板上的微組件間更形成第一間距；移轉(zhuǎn)提取裸露的微組件至接收基板上時，位于接收基板上的微組件間更形成第二間距，且第二間距為第一間距的整數(shù)倍，其中整數(shù)較佳為大于二。
[0015]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，傳送方法還包括以下步驟。首先，再次圖案化固定層，選擇性地裸露其他部分的微組件。接著，經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的其他部分微組件。然后，移轉(zhuǎn)提取裸露的其他部份微組件至另一接收基板上。最后，重復進行多次前述的圖案化固定層與移轉(zhuǎn)提取裸露的微組件至多個其他接收基板。
[0016]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，承載基板更包含離型層與本體，其中離型層暫時性地將微組件固定于本體上。
[0017]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，離型層材料為一種有機聚合物、金屬、合金、或減黏膠帶。
[0018]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，在經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的微組件前，藉由照射紫外光、照射激光或加熱使離型層脫離本體。
[0019]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，接收基板包含連接層與數(shù)組基板，在移轉(zhuǎn)提取裸露的微組件后，利用連接層固定移轉(zhuǎn)的微組件于數(shù)組基板上，其中連接層的材料包括熔融態(tài)的金屬、導電膠或黏著膠。
[0020]于本發(fā)明的一或多個實施方式中，提供一種顯示面板的形成方法，包含以下步驟。首先，提供第一承載基板，并形成多個紅色微型發(fā)光二極管于第一承載基板上。接著，形成并圖案化固定層于第一承載基板上，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發(fā)光二極管。然后，經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的紅色微型發(fā)光二極管，并移轉(zhuǎn)提取與固定裸露的紅色微型發(fā)光二極管至接收基板上。再來，提供第二承載基板，并形成多個綠色微型發(fā)光二極管于第二承載基板上。然后，形成并圖案化固定層于第二承載基板上，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發(fā)光二極管。接著，經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的綠色微型發(fā)光二極管，并移轉(zhuǎn)提取與固定裸露的綠色微型發(fā)光二極管至接收基板上。再來，提供第三承載基板，并形成多個藍色微型發(fā)光二極管于第三承載基板上。然后，形成并圖案化固定層于第三承載基板上，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發(fā)光二極管。接著，經(jīng)由轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的藍色微型發(fā)光二極管，并移轉(zhuǎn)提取與固定裸露的藍色微型發(fā)光二極管至接收基板上。最后，形成上電極于設置于接收基板上的紅色微型發(fā)光二極管、綠色微型發(fā)光二極管以及藍色微型發(fā)光二極管，因而形成顯示面板。
[0021]藉由固定層固定部份的微組件，再以轉(zhuǎn)置裝置提取裸露的微組件的方式來傳送微組件，因此在使用此方法時，將可減少添購新的操作設備，因而減少制造成本，同時因為制程為熟悉常用，亦可以增加制程良率。
【附圖說明】
[0022]圖1示出本發(fā)明一實施方式的第一承載基板、第二承載基板、第三承載基板、接收基板、設置于其上的微組件以及轉(zhuǎn)置裝置的不同立體示意圖。
[0023]圖2A?2G示出本發(fā)明一實施方式的微組件的傳送方法各步驟的剖面圖。
[0024]圖3A示出本發(fā)明一實施方式的微組件的上視圖。
[0025]圖3B示出本發(fā)明另一實施方式的微組件的上視圖。
[0026]圖3C示出本發(fā)明又一實施方式的微組件的上視圖。
[0027]圖4示出示本發(fā)明另一實施方式的微組件的傳送方法其中一步驟的剖面圖。
[0028]圖5示出本發(fā)明又一實施方式的微組件的傳送方法其中一步驟的剖面圖。
[0029]圖6示出本發(fā)明一實施方式的顯示面板的剖面圖。
[0030]圖7示出本發(fā)明一實施方式的顯示面板的形成方法的流程示意圖。
[0031]圖8示出本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的形成方法的流程示意圖。
[0032]其中，附圖標記說明如下:
[0033]110:承載基板
[0034]IlOr:第一承載基板
[0035]IlOg:第二承載基板
[0036]IlOb:第三承載基板
[0037]112:本體
[0038]114:離型層
[0039]120、120r、120g、120b:微組件
[0040]121:第一電極
[0041]122:第一半導體層
[0042]123:活性層
[0043]124:第二半導體層
[0044]126:輔助電極
[0045]130、130r、130g、130b:固定層
[0046]140:上電極
[0047]200,300:轉(zhuǎn)置裝置(第一轉(zhuǎn)置裝置)
[0048]200’:第二轉(zhuǎn)置裝置
[0049]202、301:提取面
[0050]302:彈性黏著層
[0051]400:接收基板
[0052]402:數(shù)組基板
[0053]404:連接層
[0054]406:畫素電路
[0055]408:絕緣層
[0056]410:凸起部
[0057]490:容置空間
[0058]502、504、506、508、512、514、516、518、522、524、526、528、532、702、704、706、712、714、716、722、724、