用于施加膜的方法和設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種用于施加膜的方法，其中利用(A)超聲振動(dòng)單元將由超聲振動(dòng)產(chǎn)生的非接觸排斥力施加到基底的表面以在不接觸的情況下支撐基底的該表面，并且利用壓力輥按壓膜并使膜施加到基底的另一表面。(A)超聲振動(dòng)單元可以包括：面對(duì)基底的表面的超聲振動(dòng)體；以及用于激發(fā)超聲振動(dòng)體的超聲激發(fā)單元。此外，本發(fā)明提供了一種用于施加膜的設(shè)備，所述設(shè)備包括：(A)超聲振動(dòng)單元，用于將由超聲振動(dòng)產(chǎn)生的非接觸排斥力施加到基底的表面以在不接觸的情況下支撐基底的該表面；以及壓力輥，用于按壓膜并將膜施加到基底的另一表面。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
用于施加膜的方法和設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種膜層壓的方法和設(shè)備，更具體地講，涉及一種能夠在不接觸的情 況下支撐基底的一個(gè)表面并且用膜同時(shí)層壓基底的另一表面的膜層壓的方法和設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 在一些情況下，出于某種原因用膜層壓基底的表面。例如，為防止基底表面劃傷或 污漬用保護(hù)膜層壓基底的一個(gè)表面，或者為特殊用途用功能膜層壓基底的一個(gè)表面。
[0003] 圖1示意性示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜F層壓基底S的兩個(gè)表面的方法。
[0004] 如圖1所示，雖然僅需要用膜F層壓基底S的一個(gè)表面，但是為了防止基底S的另一 表面被損壞而用膜F層壓基底S的兩個(gè)表面。膜F不必用在基底S的兩個(gè)表面上，從而增加了 耗材成本，這是有問(wèn)題的。
[0005] 圖2和圖3示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜F層壓基底S的一個(gè)表面的方法。
[0006] 當(dāng)基底S的表面質(zhì)量相對(duì)不重要時(shí)，利用壓力輥通過(guò)面向基底S的一個(gè)表面(B側(cè)表 面)按壓膜F來(lái)用膜F層壓基底S的B側(cè)表面，在由軟材料(例如，硅樹(shù)脂)形成的輥上通過(guò)使基 底S的另一表面(A側(cè)表面)與軟輥接觸來(lái)支撐基底S的A側(cè)表面。然而，隨著持續(xù)地使用工作 線，軟輥被污損和損壞，從而導(dǎo)致基底S的A側(cè)表面遭受如上所述的諸如劃傷或污漬的損壞。
[0007] 圖4示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜F層壓基底S的一個(gè)表面的另一方法。
[0008] A側(cè)壓力輥10a的與基底S接觸的表面通過(guò)與粘性輥10c滾動(dòng)接觸來(lái)保持清潔。然 而，在這種情況下，來(lái)自粘性輥l〇c的粘性材料會(huì)通過(guò)壓力輥10a傳遞到基底S的表面，從而 導(dǎo)致諸如污漬的缺陷。未解釋的附圖標(biāo)記l〇b表示另一個(gè)壓力輥。
[0009] 圖5示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜F層壓基底S的一個(gè)表面的又一方法。
[0010] 除了從其上分離附著到基底S的A側(cè)表面的膜F之外，此方法類(lèi)似于圖1中示出的現(xiàn) 有技術(shù)的膜層壓法。然而，在這種情況下，來(lái)自膜F的粘性材料被傳遞到基底S的表面，從而 污損基底S，這是有問(wèn)題的。此外，將要分離的膜F的連續(xù)使用導(dǎo)致制造成本的增加，這是有 問(wèn)題的。
[0011] 同時(shí)，提出了在不接觸的情況下通過(guò)結(jié)合諸如空氣浮置(air floating)的非接觸 技術(shù)來(lái)用于支撐基底S的A側(cè)表面的技術(shù)。然而，在這種情況下，遭受過(guò)度的使用成本。此外， 當(dāng)施加預(yù)定量的壓力以使膜F結(jié)合到基底S時(shí)，空氣可能不具有足夠量的排斥力，這往往導(dǎo) 致基底S與輥接觸的問(wèn)題。此外，基底S的表面會(huì)被空氣污損。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0012] 技術(shù)問(wèn)題
[0013] 本發(fā)明的各個(gè)方面提供一種能夠在防止基底的兩個(gè)表面損壞(諸如劃傷或污漬） 的同時(shí)，用膜可靠地層壓基底的一個(gè)表面的膜層壓的方法和設(shè)備。
[0014] 技術(shù)方案
[0015] 在本發(fā)明的一方面中，提供了一種膜層壓方法，其包括:在不接觸的情況下通過(guò)從 超聲振動(dòng)單元產(chǎn)生超聲振動(dòng)來(lái)支撐基底的一個(gè)表面，并且將由超聲振動(dòng)引起的排斥力施加 到基底的所述一個(gè)表面上；以及利用壓力輥通過(guò)面向基底的另一表面按壓膜來(lái)用膜同時(shí)層 壓基底的所述另一表面。
[0016] 超聲振動(dòng)單元可以包括設(shè)置在壓力輥的上游的第一超聲振動(dòng)部和設(shè)置在壓力輥 的下游的第二超聲振動(dòng)部。
[0017] 在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種膜層壓設(shè)備，其包括:超聲振動(dòng)單元，在不接 觸的情況下通過(guò)將由超聲振動(dòng)引起的排斥力施加到基底的一個(gè)表面上來(lái)支撐基底的所述 一個(gè)表面;以及壓力輥，通過(guò)面向基底的另一表面按壓膜來(lái)用膜層壓基底的所述另一表面。
[0018] 發(fā)明效果
[0019] 根據(jù)如上闡述的本發(fā)明，能夠在防止基底的兩個(gè)表面損壞(諸如劃傷或污漬）的同 時(shí)，用膜可靠地層壓基底的一個(gè)表面。因此，能夠在允許基底具有優(yōu)良的表面質(zhì)量的同時(shí)減 半耗材的使用，從而增強(qiáng)了產(chǎn)品的成本競(jìng)爭(zhēng)力。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1示意性示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜層壓基底的每個(gè)表面的方法；
[0021] 圖2和圖3示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜層壓基底的一個(gè)表面的方法；
[0022] 圖4示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜層壓基底的一個(gè)表面的另一方法；
[0023] 圖5示出現(xiàn)有技術(shù)中用膜層壓基底的一個(gè)表面的又一方法；
[0024] 圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第一示例性實(shí)施例；
[0025] 圖7示意性示出圖6中所示的超聲振動(dòng)單元；
[0026] 圖8是示出從超聲振動(dòng)單元到基底的距離與排斥力之間的關(guān)系的曲線圖；
[0027] 圖9至圖11示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第二示例性實(shí)施例；
[0028]圖12示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第三示例性實(shí)施例；
[0029] 圖13示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第四示例性實(shí)施例；
[0030] 圖14示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第五示例性實(shí)施例，圖15示意性示出根 據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第六示例性實(shí)施例；
[0031] 圖16示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第七示例性實(shí)施例；
[0032] 圖17示意性示出圖16中所示的方法中的膜切割工藝，其中，在兩個(gè)單個(gè)基底之間 的位置處切割膜；
[0033] 圖18至圖22示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第八示例性實(shí)施例；
[0034] 圖23示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第九示例性實(shí)施例；以及
[0035] 圖24和圖25示意性示出在根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第十示例性實(shí)施例中將膜粘 附到壓力輥的工藝。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 在下文中，參照附圖給出本發(fā)明的實(shí)施例。
[0037] 圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第一示例性實(shí)施例。
[0038] 這里，將要層壓有膜F的基底S可以是玻璃基底?；譙也可以由柔性材料或硬材料 形成。圖6所示的膜層壓法可以用于由柔性材料形成的基底S，而圖16所示的膜層壓法可以 用于由硬材料形成的基底s。
[0039] 當(dāng)基底S為薄玻璃基底(具有0.2mm或更小的厚度)時(shí)，由于基底為柔性的，所以膜 層壓法可以作為連續(xù)的工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣沿縱向方向連續(xù)的柔性基底被稱(chēng)為幅材(web)。除 了根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法之外，幅材可以經(jīng)受諸如加工和印刷的其它連續(xù)的工藝。
[0040] 圖6所示的膜層壓設(shè)備包括(A側(cè)或第一)超聲振動(dòng)單元和(B側(cè))壓力輥。
[0041] 超聲振動(dòng)單元產(chǎn)生超聲振動(dòng)。超聲振動(dòng)單元采用了超聲振動(dòng)技術(shù)（第10-2010-0057530號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)）。超聲振動(dòng)單元在不接觸的情況下通過(guò)將由超聲振動(dòng)引起的 非接觸排斥力施加到基底S的一個(gè)表面(A側(cè)表面)來(lái)支撐基底S的這一表面。超聲振動(dòng)單元 包括設(shè)置在壓力輥110的上游的第一超聲振動(dòng)部211和設(shè)置在壓力輥110的下游的第二超聲 振動(dòng)部212。這里，術(shù)語(yǔ)"上游"和"下游"以傳輸基底S所沿的路徑為基礎(chǔ)。
[0042] 壓力輥110通過(guò)面向基底S的另一表面(B側(cè)表面）按壓膜F來(lái)用膜F層壓這另一表 面。壓力輥110將壓力施加到層壓有膜F的基底S，使得基底S的一個(gè)表面具有正曲率(因此基 底S的另一表面具有負(fù)曲率）。超聲振動(dòng)部211、212的面對(duì)基底S的表面的至少一部分是曲 面，其曲率與基底S的一個(gè)表面的正曲率對(duì)應(yīng)。
[0043]在平衡的狀態(tài)下，將來(lái)自壓力輥110的接觸壓力(FPR:來(lái)自壓力輥的力）以及來(lái)自 超聲振動(dòng)部211、212的非接觸排斥力(支持力)F1和F2施加到基底S的兩個(gè)表面。為了防止諸 如薄玻璃的脆性材料的破損，壓力輥110和超聲振動(dòng)部211、212被構(gòu)造為平滑地按壓基底S。 此外，壓力輥110的接觸壓力FPR的量和超聲振動(dòng)部211、212的非接觸排斥力的量可以以對(duì) 應(yīng)的方式調(diào)整。
[0044] 下面的表1顯示了通過(guò)將本發(fā)明的膜層壓法與現(xiàn)有技術(shù)的膜層壓法比較獲得的結(jié) 果。
[0045] 表 1
[0046]
[0047] 如從上面的表1可知，由于A側(cè)表面不經(jīng)受任何機(jī)械接觸，所以根據(jù)本發(fā)明的膜層 壓法在基底S的未層壓有膜F的A側(cè)表面上不產(chǎn)生劃傷。此外，由于既不使用粘性帶也不使用 膜，所以不產(chǎn)生污漬。此外，有益的是不存在耗材的成本。由于膜F設(shè)置在基底S的B側(cè)表面和 壓力輥110之間，所以對(duì)基底S的B側(cè)表面不會(huì)造成損壞。
[0048] 雖然未示出，但是優(yōu)選的是，基底S從解繞輥展開(kāi)，用膜F層壓，并且隨后卷繞在卷 繞輥上(卷對(duì)卷工藝）。
[0049] 圖7示意性示出圖6中所示的超聲振動(dòng)部211、212中之一。
[0050] 超聲振動(dòng)部211、212包括面對(duì)基底S的一個(gè)表面的超聲振動(dòng)器201(例如，超聲振動(dòng) 臺(tái)）和用于振動(dòng)超聲振動(dòng)器的超聲波發(fā)生器203。超聲振動(dòng)部211、212還包括支撐超聲振動(dòng) 器201的框架205。超聲振動(dòng)部211、212還包括設(shè)置在超聲振動(dòng)器201和框架205之間的減振 器207以阻擋從超聲振動(dòng)器201到框架205的振動(dòng)的傳遞。超聲振動(dòng)在超聲振動(dòng)器201的表面 上產(chǎn)生具有預(yù)定的壓力量的空氣層。空氣層在沒(méi)有任何機(jī)械接觸的情況下形成可靠地推壓 基底S的排斥力，從而防止基底表面損壞。
[0051]圖8是示出從超聲振動(dòng)部211、212到基底S的距離與排斥力之間的關(guān)系的曲線圖。 [0052] 超聲振動(dòng)部211、212和基底S之間的距離越小，空氣層的壓力變得越大。因此，當(dāng)壓 力輥110和超聲振動(dòng)部211、212之間的距離減小時(shí)，能夠產(chǎn)生預(yù)定的壓力量，其中，可以通過(guò) 所述預(yù)定的壓力量用膜F層壓基底S?？諝鈱拥母邏嚎梢苑乐够譙與超聲振動(dòng)部211、212接 觸。
[0053]圖9至圖11示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第二示例性實(shí)施例的膜附著工 〇
[0054]在本示例性實(shí)施例中采用的膜層壓設(shè)備，除了設(shè)置在A側(cè)上的超聲振動(dòng)部211、212 和設(shè)置在B側(cè)上的壓力輥110之外，還包括(B側(cè)或第二)超聲振動(dòng)單元300、傳輸輥400、解繞 輥120以及設(shè)置在B側(cè)上用于施加恒力的力施加單元130。
[0055] B側(cè)超聲振動(dòng)單元300設(shè)置在壓力輥110的上游。膜層壓設(shè)備利用B側(cè)超聲振動(dòng)單元 300來(lái)產(chǎn)生超聲振動(dòng)，并且將由超聲振動(dòng)引起的非接觸排斥力施加到基底S的另一表面(B側(cè) 表面），從而在不接觸的情況下支撐基底S的這另一表面。
[0056]傳輸輥400設(shè)置在壓力輥110的下游。傳輸輥400通過(guò)與附著到基底S的另一表面的 膜F接觸來(lái)傳輸基底S。
[0057]設(shè)置在B側(cè)上的解繞輥120通過(guò)從解繞輥120展開(kāi)膜F來(lái)向基底S的另一表面(B側(cè)表 面)供應(yīng)膜F。
[0058]力施加單元130沿朝向基底S的方向?qū)毫?10提供恒力，使得對(duì)膜F和基底S施 加恒定量的恒壓力。雖然在圖9至圖11中力施加單元130示出為氣缸，但是這并不意圖成為 限制?？梢允褂酶鞣N可選的形式，諸如，重量或彈簧。
[0059] 參照膜層壓法，如圖9所示，將基底S和膜F傳輸?shù)交蚬?yīng)到用膜F層壓基底S的位置 處。然后，如圖10所示，向上提升壓力輥110以對(duì)膜F和基底S施加壓力。隨后，如圖11所示，在 按壓的狀態(tài)下通過(guò)傳輸基底S和膜F持續(xù)執(zhí)行膜層壓法。
[0060] 圖12示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第三示例性實(shí)施例。
[00611 A側(cè)超聲振動(dòng)單元還包括設(shè)置在A側(cè)上的第三超聲振動(dòng)部213。第三超聲振動(dòng)部213 設(shè)置在面對(duì)壓力輥110的位置處，使得基底S位于第三超聲振動(dòng)部213和壓力輥110之間。力 施加單元230設(shè)置在A側(cè)上以沿朝向基底S的方向?qū)Φ谌曊駝?dòng)部213施加恒力。
[0062] 膜層壓設(shè)備還包括用于調(diào)整膜F的張力的跳動(dòng)輥(dancer r〇ller)150。
[0063] 圖13示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第四示例性實(shí)施例。
[0064] 圖13所示的膜層壓設(shè)備包括力施加單元130的定位裝置140以及對(duì)超聲振動(dòng)部 211、212定位的定位裝置241、242和對(duì)超聲振動(dòng)單元300定位的定位裝置340。力施加單元 130的位置可以利用力施加單元的定位裝置140來(lái)調(diào)整。超聲振動(dòng)部211、212的位置可以利 用超聲振動(dòng)部211、212的定位裝置241、242來(lái)調(diào)整，超聲振動(dòng)單元300的位置可以利用超聲 振動(dòng)單元300的定位裝置340來(lái)調(diào)整。
[0065]此外，可以利用切割裝置來(lái)切割膜F，所述切割裝置在供應(yīng)膜F所沿的路徑上設(shè)置 在壓力輥110的上游。還可以在面對(duì)壓力輥110的位置處設(shè)置另一切割裝置，以切割膜F的前 部和尾部。
[0066] 圖14示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第五示例性實(shí)施例，圖15示意性示出根 據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第六示例性實(shí)施例。
[0067] 如圖14和圖15所示，能夠?qū)⒛訅悍ㄔO(shè)計(jì)為:可以將膜F附著到基底S的各種部分， 諸如水平表面、豎直表面、上表面、下表面、左表面或者右表面。
[0068] 圖16示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第七示例性實(shí)施例，其中，用膜F層壓由 硬材料形成的(非連續(xù)的)單個(gè)基底S。
[0069]膜層壓設(shè)備包括用于切割膜F的切割裝置500。切割裝置500設(shè)置在壓力輥110的下 游并面對(duì)基底S的另一表面的位置處。A側(cè)處的超聲振動(dòng)單元包括設(shè)置在A側(cè)上并位于面對(duì) 切割裝置500的位置處的第四超聲振動(dòng)部214,使得基底S位于A側(cè)上的第四超聲振動(dòng)部214 和B側(cè)上的切割裝置500之間。面對(duì)切割裝置500的第四超聲振動(dòng)部214用于防止膜F離開(kāi)其 位置。
[0070] 圖17示意性示出在圖16中所示的方法中的膜切割工藝，其中，在兩個(gè)單個(gè)基底S之 間的位置處切割膜F。利用切割裝置500在兩個(gè)單個(gè)基底S之間的位置處切割膜F。
[0071] 圖18至圖22示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第八示例性實(shí)施例。
[0072] 基底S浮置在B側(cè)超聲振動(dòng)單元300的上方并且在浮置的狀態(tài)下傳輸?shù)接媚層壓 基底S的位置處。在這時(shí)，壓力輥110利用諸如真空壓力的適當(dāng)?shù)氖侄卧陬A(yù)定位置處固定膜 F。預(yù)定位置被設(shè)定為用膜F層壓基底S所處的位置(圖18)。
[0073]當(dāng)基底S到達(dá)壓力輥110和A側(cè)超聲振動(dòng)部213之間的位置處時(shí)，壓力輥110在旋轉(zhuǎn) 的同時(shí)將膜F附著到基底S的表面，并且超聲振動(dòng)部213在與基底S保持預(yù)定距離的同時(shí)對(duì)基 底S施加排斥力（圖19)。
[0074]當(dāng)完成用膜F層壓一個(gè)基底S的工藝時(shí)，下一個(gè)基底S在與前面的基底S保持預(yù)定距 離的同時(shí)到達(dá)壓力輥110和A側(cè)超聲振動(dòng)單元213之間的位置處，并且執(zhí)行以上描述的層壓 (圖20和圖21)。
[0075]當(dāng)以其間預(yù)定的距離傳輸兩個(gè)基底S時(shí)，利用切割裝置500在預(yù)定位置處切割膜F 在兩個(gè)基底S之間的部分(圖22)。
[0076] 雖然為了便于解釋已經(jīng)在此描述了傳輸基底S，但是能夠在基底S被固定地設(shè)置的 狀態(tài)下通過(guò)移動(dòng)壓力輥110來(lái)用膜F層壓基底S。
[0077] 根據(jù)圖21所示的膜層壓法，膜F的尺寸大于層壓有膜F的基底S的尺寸。為了將膜F 的尺寸設(shè)定為小于層壓有膜F的基底S的尺寸，可以將切割裝置設(shè)置在面對(duì)壓力輥110的外 周的位置處。
[0078] 圖23示意性示出根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第九示例性實(shí)施例。
[0079] 超聲振動(dòng)單元的超聲振動(dòng)部可以具有諸如弧形、圓形和平板的各種形狀。平板形 狀的超聲振動(dòng)部213可以有利于壓力輥110和超聲振動(dòng)部213之間的對(duì)齊。
[0080] 可以使用圖16至圖23所示的膜層壓法來(lái)用膜F層壓由硬材料形成的單個(gè)基底S。
[0081] 圖24和圖25示意性示出在根據(jù)本發(fā)明的膜層壓法的第十示例性實(shí)施例中將膜F粘 附到壓力輥110的工藝。
[0082]壓力輥110在其與膜F接觸的外周中具有多個(gè)空氣吸孔111。這種構(gòu)造有助于膜F在 初始附著位置與壓力輥110緊密地接觸，從而有利于膜F的供應(yīng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種膜層壓方法，所述膜層壓方法包括： 在不接觸的情況下通過(guò)從第一超聲振動(dòng)單元產(chǎn)生超聲振動(dòng)來(lái)支撐基底的一個(gè)表面，并 且將由超聲振動(dòng)引起的排斥力施加到基底的所述一個(gè)表面上；以及 利用壓力輥通過(guò)面向基底的另一表面按壓膜來(lái)用膜同時(shí)層壓基底的所述另一表面。2. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中，第一超聲振動(dòng)單元包括設(shè)置在壓力輥的上游 的第一超聲振動(dòng)部和設(shè)置在壓力輥的下游的第二超聲振動(dòng)部。3. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中，第一超聲振動(dòng)單元包括設(shè)置在面對(duì)壓力輥的 位置處的第三超聲振動(dòng)部，使得基底位于第三超聲振動(dòng)部和壓力輥之間。4. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括:在不接觸的情況下通過(guò)從設(shè) 置在壓力輥的上游的第二超聲振動(dòng)單元產(chǎn)生超聲振動(dòng)來(lái)支撐基底的所述另一表面，并且將 由來(lái)自第二超聲振動(dòng)單元的超聲振動(dòng)引起的排斥力施加到基底的所述另一表面上。5. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括:利用設(shè)置在壓力輥的下游的 傳輸輥通過(guò)與附著到基底的所述另一表面的膜接觸來(lái)傳輸基底。6. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中， 基底包括柔性基底， 壓力輥在基底的所述一個(gè)表面的曲率經(jīng)由其變?yōu)檎膲毫ο掳磯簩訅河心さ幕?，?及 第一超聲振動(dòng)單元的面對(duì)基底的表面的至少一部分具有與基底的正曲率對(duì)應(yīng)的曲率。7. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括:通過(guò)從解繞輥展開(kāi)膜將膜供 應(yīng)到基底的所述另一表面。8. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括:從解繞輥展開(kāi)基底，并在用 膜層壓基底之后將基底卷繞在卷繞輥上。9. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中，壓力輥在其與膜接觸的外周中具有多個(gè)空氣 吸孔。10. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括:利用設(shè)置在壓力輥的下游 并位于與基底的所述另一表面面對(duì)的位置處的切割裝置來(lái)切割膜。11. 如權(quán)利要求10所述的膜層壓方法，其中，第一超聲振動(dòng)單元包括設(shè)置在面對(duì)切割裝 置的位置處的第四超聲振動(dòng)部，使得基底位于第四超聲振動(dòng)部和切割裝置之間。12. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中，基底包括玻璃基底。13. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，其中，第一超聲振動(dòng)單元包括面對(duì)基底的所述一 個(gè)表面的超聲振動(dòng)器和振動(dòng)超聲振動(dòng)器的超聲波發(fā)生器。14. 如權(quán)利要求1所述的膜層壓方法，所述膜層壓方法包括： 利用第一力施加單元沿朝向基底的方向?qū)Φ谝怀曊駝?dòng)單元施加恒力；以及 利用第二力施加單元沿朝向基底的方向?qū)毫伿┘雍懔Α?5. -種膜層壓設(shè)備，所述膜層壓設(shè)備包括： 超聲振動(dòng)單元，在不接觸的情況下通過(guò)將由超聲振動(dòng)引起的排斥力施加到基底的一個(gè) 表面上來(lái)支撐基底的所述一個(gè)表面;以及 壓力輥，通過(guò)面向基底的另一表面按壓膜來(lái)用膜層壓基底的所述另一表面。
【文檔編號(hào)】B32B37/12GK105873843SQ201480071829
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月29日
【發(fā)明人】薛文煥, 金氣南, 金信, 趙東榮
【申請(qǐng)人】康寧精密素材株式會(huì)社