用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型主要涉及到硅片制備設(shè)備領(lǐng)域，特指一種用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)疊放在一起的硅片進(jìn)行品質(zhì)檢測(cè)，即需要將硅片進(jìn)行檢測(cè)分類或抽檢，有隱裂、崩邊以及缺角等的硅片需要重新鑄錠；其余的硅片會(huì)根據(jù)電阻率、厚度、尺寸、少子壽命、位錯(cuò)、黑邊以及黑心等一系列測(cè)試參數(shù)分成不同等級(jí)，不同等級(jí)的硅片做出的太陽(yáng)能電池片效率不一樣。
[0003]硅片品質(zhì)分選設(shè)備則是集上料、測(cè)試以及分選于一體的設(shè)備，它主要用于檢測(cè)硅片外觀、電阻率、隱裂、少子壽命以及黑心等參數(shù)。目前，傳統(tǒng)的硅片品質(zhì)分選設(shè)備所采用的疊片上料方式，存在生產(chǎn)效率低、可靠性不好、難以突破產(chǎn)能低的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題就在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、可靠性好的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0006]—種用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，包括平移組件、一個(gè)以上的上料槽以及傳送組件，所述上料槽內(nèi)放置有疊好的硅片，所述平移組件上設(shè)置有一個(gè)以上的真空吸盤，所述平移組件帶著真空吸盤運(yùn)動(dòng)至上料槽以吸附上料槽內(nèi)的硅片，然后帶著所述真空吸盤運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方放下硅片，由所述傳送組件進(jìn)行硅片的傳送。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述上料槽為多個(gè)，分成兩組；沿著所述平移組件的運(yùn)動(dòng)行程，在所述平移組件兩端分別設(shè)置一組上料槽，并在平移組件上設(shè)置兩組真空吸盤，每組真空吸盤對(duì)應(yīng)一組上料槽；當(dāng)其中一組真空吸盤處于吸附硅片狀態(tài)時(shí)，另外一組真空吸盤運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方處于放片狀態(tài)。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):同一組的上料槽包括兩個(gè)，所述真空吸盤的數(shù)量為四個(gè)，同一組內(nèi)的兩個(gè)上料槽呈垂直90度的方式安裝。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):在所述上料槽處設(shè)置有風(fēng)刀，所述風(fēng)刀用于將堆疊在一起的娃片吹散。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述上料槽內(nèi)設(shè)置有料盒，所述硅片堆放于料盒中。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述上料槽內(nèi)具有供料盒移動(dòng)的一段行程。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):在所述料盒的下方設(shè)置有頂升部件，通過頂升部件升降裝載在料盒里面的硅片。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述頂升部件的行程上設(shè)置傳感器，用來檢測(cè)頂升部件頂升的硅片停止的位置。
[0014]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述頂升部件為滾珠絲桿。
[0015]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn):所述平移組件為電動(dòng)滑臺(tái)，所述傳送組件為傳送帶。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0017]1、本實(shí)用新型的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、可靠性好，采用平移組件與真空吸盤配合的方式，能夠自動(dòng)完成硅片的吸附上料，最終實(shí)現(xiàn)自動(dòng)上料、傳送。
[0018]2、本實(shí)用新型的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，進(jìn)一步采用完全對(duì)稱的左右兩個(gè)上料單元，每一個(gè)單元有兩套獨(dú)立的由滾珠絲桿、料盒、風(fēng)刀、停止傳感器等組成的送料裝置。一邊的兩個(gè)真空吸盤抓片的同時(shí)，另外一邊的兩個(gè)真空吸盤進(jìn)行放片，等抓片、放片完成后，電動(dòng)滑臺(tái)平移，抓片的真空吸盤進(jìn)行放片，沒有抓片的真空吸盤進(jìn)行抓片，從而實(shí)現(xiàn)不間斷送料，大大提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0019]圖1是本實(shí)用新型在具體應(yīng)用實(shí)例中的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本實(shí)用新型在具體應(yīng)用實(shí)例中的側(cè)視示意圖。
[0021]圖3是本實(shí)用新型在具體應(yīng)用實(shí)例中的俯視示意圖。
[0022]圖例說明:
[0023]1、電動(dòng)滑臺(tái)；2、上料槽；3、風(fēng)刀；4、傳感器；5、硅片；6、料盒；7、真空吸盤；8、傳送帶；9、滾珠絲桿。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下將結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0025]如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置包括平移組件、一個(gè)以上的上料槽2以及傳送組件，上料槽2內(nèi)放置有疊好的硅片5，平移組件上設(shè)置有一個(gè)以上的真空吸盤7，平移組件帶著真空吸盤7運(yùn)動(dòng)至上料槽2以吸附上料槽2內(nèi)的硅片5，然后帶著真空吸盤7運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方放下硅片5，由傳送組件完成硅片5的傳送。
[0026]進(jìn)一步，在較佳實(shí)施例中，在上料槽2處設(shè)置有風(fēng)刀3，用于將堆疊在一起的硅片5吹散開，使得真空吸盤7能吸附硅片5，同時(shí)可防止疊片。
[0027]進(jìn)一步，在較佳實(shí)施例中，上料槽2為多個(gè)，分成兩組；沿著平移組件的運(yùn)動(dòng)行程，在平移組件兩端分別設(shè)置一組上料槽2，并在平移組件上設(shè)置兩組真空吸盤7，每組真空吸盤7對(duì)應(yīng)一組上料槽2。當(dāng)其中一組真空吸盤7處于吸附硅片5狀態(tài)時(shí)，另外一組真空吸盤7運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方處于放片狀態(tài)。這樣，就能夠使兩組上料槽2交替完成上料工作，大大提高了工作效率。
[0028]進(jìn)一步，在較佳實(shí)施例中，同一組的上料槽2包括兩個(gè)，此時(shí)真空吸盤7的數(shù)量為四個(gè)，以與上料槽2的數(shù)量保持一一對(duì)應(yīng)。為了節(jié)約空間，將處于同一端的(單邊的)兩個(gè)上料槽2呈垂直90度的方式安裝。
[0029]本實(shí)施例中，上料槽2內(nèi)設(shè)置有料盒6，硅片5堆放于料盒6中。上料槽2內(nèi)具有供料盒6移動(dòng)的一段行程，即可以將料盒6推送至上料槽2的上料位，或者將料盒6從上料位抽出。在料盒6的下方設(shè)置有頂升部件，通過頂升部件可以升降裝載在料盒6里面的硅片5。
[0030]進(jìn)一步，可以頂升部件的行程上設(shè)置傳感器4，用來檢測(cè)頂升部件頂升的硅片5停止的位置，以保證最佳的吸附位置。
[0031]平移組件可以根據(jù)實(shí)際需要采用電動(dòng)滑臺(tái)1、電動(dòng)滑軌或其他方式的平移部件。傳送組件可以根據(jù)實(shí)際需要采用傳送帶8、傳送鏈板或其他方式的傳動(dòng)部件。頂升部件可以根據(jù)實(shí)際需要采用滾珠絲桿9、伸縮氣缸、伸縮油缸或其他方式的頂升部件。硅片5是在切割后完成清洗的。
[0032]工作原理:首先，將4個(gè)裝滿硅片5的料盒6分別放入上料槽2中并推送至上料位，準(zhǔn)備就緒后啟動(dòng)設(shè)備運(yùn)行。滾珠絲桿9將頂升硅片5至停止位，風(fēng)刀3開始吹散硅片5，同時(shí)真空吸盤7產(chǎn)生真空，直至真空吸盤7吸附到硅片，此時(shí)關(guān)閉風(fēng)刀3。
[0033]當(dāng)兩個(gè)用于抓片的真空吸盤7都成功吸附硅片5后，電動(dòng)滑臺(tái)1平移，將抓有硅片5的真空吸盤7移至傳送帶8上方；此時(shí)，真空吸盤7的工作模式由吸片轉(zhuǎn)換成放片，硅片5掉落在傳送帶8上，由傳送帶8進(jìn)行傳輸上料。與此同時(shí)，位于另一端的真空吸盤7由放片模式轉(zhuǎn)換成吸附模式，重復(fù)之前的抓片動(dòng)作。如此反復(fù)抓放片不間斷運(yùn)行進(jìn)行上料。
[0034]以上僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本實(shí)用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，包括平移組件、一個(gè)以上的上料槽(2)以及傳送組件，所述上料槽(2)內(nèi)放置有疊好的硅片(5)，所述平移組件上設(shè)置有一個(gè)以上的真空吸盤(7)，所述平移組件帶著真空吸盤(7)運(yùn)動(dòng)至上料槽(2)以吸附上料槽(2)內(nèi)的硅片(5)，然后帶著所述真空吸盤(7)運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方放下硅片(5)，由所述傳送組件進(jìn)行硅片(5)的傳送。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述上料槽(2)為多個(gè)，分成兩組；沿著所述平移組件的運(yùn)動(dòng)行程，在所述平移組件兩端分別設(shè)置一組上料槽(2)，并在平移組件上設(shè)置兩組真空吸盤(7)，每組真空吸盤(7)對(duì)應(yīng)一組上料槽(2);當(dāng)其中一組真空吸盤(7)處于吸附硅片(5)狀態(tài)時(shí)，另外一組真空吸盤(7)運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方處于放片狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，同一組的上料槽(2)包括兩個(gè)，所述真空吸盤(7)的數(shù)量為四個(gè)，同一組內(nèi)的兩個(gè)上料槽(2)呈垂直90度的方式安裝。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，在所述上料槽(2 )處設(shè)置有風(fēng)刀(3 )，所述風(fēng)刀(3 )用于將堆疊在一起的硅片(5 )吹散。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述上料槽(2 )內(nèi)設(shè)置有料盒(6 )，所述硅片(5 )堆放于料盒(6 )中。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述上料槽(2)內(nèi)具有供料盒(6)移動(dòng)的一段行程。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，在所述料盒(6 )的下方設(shè)置有頂升部件，通過頂升部件升降裝載在料盒(6 )里面的硅片(5 )。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述頂升部件的行程上設(shè)置傳感器(4)，用來檢測(cè)頂升部件頂升的硅片(5)停止的位置。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述頂升部件為滾珠絲桿(9)。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，其特征在于，所述平移組件為電動(dòng)滑臺(tái)(1)，所述傳送組件為傳送帶(8)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于硅片品質(zhì)分選設(shè)備的上料裝置，包括平移組件、一個(gè)以上的上料槽以及傳送組件，所述上料槽內(nèi)放置有疊好的硅片，所述平移組件上設(shè)置有一個(gè)以上的真空吸盤，所述平移組件帶著真空吸盤運(yùn)動(dòng)至上料槽以吸附上料槽內(nèi)的硅片，然后帶著所述真空吸盤運(yùn)動(dòng)至傳送組件的上方放下硅片，由所述傳送組件進(jìn)行硅片的傳送。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】B65G47/91
【公開號(hào)】CN205011021
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520670078
【發(fā)明人】尹昊, 陳勇平, 郭立
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日