專利名稱：卷式硅橡膠薄膜的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其是提供一常壓卷式壓延法制法，以制造連續(xù)卷狀高溫加硫型(HTV)硅橡膠且厚度均一的硅橡膠薄膜，其具有高及低熱傳導(dǎo)散熱功效用途的薄膜，可制造幅寬為160cm的硅橡膠薄膜。
本發(fā)明的主要目的是提供一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其主要是以一段密閉包覆加硫及二段常壓開放式加硫，其所產(chǎn)出的厚度均一的寬幅連續(xù)卷式硅橡膠薄膜，可用于高發(fā)熱制品提供散熱及耐熱，利用硅橡膠薄膜的原料特性，將熱源經(jīng)由本身傳導(dǎo)至風(fēng)扇導(dǎo)出，達(dá)到穩(wěn)定產(chǎn)品使用的執(zhí)行效能的目的。
本發(fā)明的第二目的是提供一種連續(xù)卷式硅橡膠薄膜的制法，其所制得的寬幅連續(xù)卷式硅橡膠薄膜，可用于大面積產(chǎn)品須求，達(dá)到提高產(chǎn)品的放大延伸性及提高產(chǎn)品的競爭力的目的。
本發(fā)明的第三目的是提供一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其所制得的連續(xù)卷式硅橡膠組成薄膜，可制得不同硬度、比重、厚度及幅寬的硅橡膠薄膜，達(dá)到增加產(chǎn)品的多樣性及提高附加價(jià)格的目的。
本發(fā)明的第四目的是提供一種卷式硅橡膠薄膜的制法，達(dá)到制法簡易及生產(chǎn)效率高的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是它包含下列步驟A、配料硅橡膠組成物中各成分的重量份數(shù)比例為硅橡膠樹脂100份、架橋劑0.25-5.0份、填充劑20-200份、其他添加劑及助劑5-20份；該硅橡膠樹脂其平均分子量范圍在20,000-50,000，硬度在20-60ShoreA；該架橋劑為有機(jī)過氧化物；該填充劑為氧化鋁、氮化硼、氧化鈦、輕質(zhì)碳酸鈣、Sillica、滑石粉、鋁粉、硅煅燒土、天然纖維、玻璃纖維或濕潤劑；該其他特殊添加劑為Silicone Oil、硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、氧化鋅或氧化銻；B、混煉將各原料組成物置入加壓式混合裝置中，充分?jǐn)嚢杌ハ嗷旌?，使其混合物均勻分散在混煉過程中；C、薄膜產(chǎn)出是將經(jīng)加壓式混合裝置混合的硅橡膠混合物送至常壓連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置，隨同導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至滾筒加硫裝置上，形成連續(xù)的硅橡膠薄膜；D、一次加硫架橋其是將所述隨同導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至滾筒加硫裝置上，形成連續(xù)的硅橡膠薄膜，送入蒸氣加壓式加硫架橋裝置中加熱架橋，加硫完成后冷卻并隨同導(dǎo)引媒介層一同卷出；E、二次加硫加熱其是將經(jīng)蒸氣加壓式加硫架橋裝置加熱架橋所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，隨同導(dǎo)引媒介層卷出，并同時(shí)帶入連續(xù)開放式加熱裝置中加熱，加熱完成后冷卻將導(dǎo)引媒介層與硅橡膠薄膜分離各別卷出，即得連續(xù)卷式硅橡膠薄膜。
該混煉過程的混煉溫度控制在60-150℃。該混煉過程的混煉溫度低于該架橋劑的分解溫度。該混合制程的溫度為常溫至100℃，時(shí)間為5-60分鐘，壓力為5-15kg/cm2。該薄膜產(chǎn)出的操作溫度為室溫至60℃。該薄膜產(chǎn)出的各輪轉(zhuǎn)速比為1∶1-1∶1.1。該一次加硫架橋的架橋溫度的控制在130-170℃。該一次加硫架橋的壓力控制在2-5kg/cm2。該一次加硫架橋的停留時(shí)間為2-4小時(shí)。該二次加硫加熱的加熱溫度控制在130-200℃。該二次加硫加熱的加熱時(shí)間在30-60分鐘。該薄膜產(chǎn)出制成中包含一筒狀包覆繞取裝置的繞取包覆制程，其是將導(dǎo)引媒介層，與連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，同時(shí)繞取至筒狀式包覆繞取加硫座上。該繞取包覆制程中包含一導(dǎo)引媒介層，該硅橡膠薄膜分層的導(dǎo)引媒介層與連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，同時(shí)繞取至筒狀式包覆繞取裝置上。該導(dǎo)引媒介層是選自纖維制品、紙制品或橡膠薄膜的其中之一。該薄膜產(chǎn)生裝置是包含有壓延機(jī)、加硫罐或開放式烘箱。該生產(chǎn)的最終產(chǎn)品的幅寬度在150cm以下。該硅橡膠是選用高溫架橋型硅橡膠，其數(shù)量平均分子量為30萬。該二次加硫制程是采用連續(xù)開放式烘箱加熱。該二次加硫制程采用的連續(xù)開放式烘箱，其選自為水平式或直立式烘箱的其中之一。該填充劑是選自氮化硼或氧化鋁材料作制造熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜的其中之一。該填充劑是選自防火材料作為制造具有熱傳導(dǎo)及耐燃硅橡膠薄膜。該包覆式加硫繞取座的數(shù)量為1-5個(gè)。該包覆式加硫繞取座的形態(tài)為圓筒狀或桿狀的其中之一。該包覆式加硫繞取座包含一加硫度及厚度控制程序，是用合成橡膠薄膜包覆整個(gè)加硫繞取座，將未加硫硅橡膠薄膜于完全封閉空間中完全升溫加硫。該包覆式加硫繞取座上的硅橡膠薄膜儲(chǔ)存密閉空間，須要通入有機(jī)氣體填滿整個(gè)空間，未架橋的硅橡膠薄膜直接受到有機(jī)氣體作用，以控制其加硫度及厚度免受水氣的影響。該方法制得厚度為0.2-3.0mm的硅橡膠薄膜。該方法制得幅寬50-160cm的硅橡膠薄膜。該方法制得硬度20-60的硅橡膠薄膜。該方法制得比重1.0-2.0的硅橡膠薄膜。該方法制得熱傳導(dǎo)系數(shù)為0.4-3W/mk的硅橡膠薄膜。該二次加硫段是采用熱風(fēng)加硫式烘箱。該方法生產(chǎn)不同程序熱傳導(dǎo)程度的硅橡膠薄膜。
本發(fā)明的連續(xù)卷式硅橡膠薄膜應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛，適用于熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜的各種用途，其包括電漿顯示器(PDP)、電腦中央處理器(CPU)及半導(dǎo)體(IC)晶片面板等容易產(chǎn)生高熱度的電子零件或構(gòu)造，主要提供散熱、耐熱、絕緣及斷熱作用，保護(hù)精密的電子產(chǎn)品內(nèi)部在運(yùn)作執(zhí)行上，使其整體性能免于受到高溫導(dǎo)致衰解而出現(xiàn)異常。
本發(fā)明的制法是以一段密閉包覆加硫及二段二次常壓開放加硫方式，其所制得厚度均一的連續(xù)卷式硅橡膠薄膜，所制得的高溫加硫型硅橡膠薄膜，具有優(yōu)良的散熱性、撓曲性及柔軟貼附性，可以使用在容易產(chǎn)生高熱源的裝置及構(gòu)造上，提供散熱的功效；本發(fā)明的制法與一般傳統(tǒng)制法相比較，其制法簡易及生產(chǎn)效率高。
下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖
詳細(xì)說明。
硅橡膠樹脂的平均分子量范圍在20,000-50,000，硬度在20-60Shore A；架橋劑為有機(jī)過氧化物(Organic Peroxide)，分為高溫架型及低溫架橋型有機(jī)過氧化物；填充劑為氧化鋁、氮化硼、氧化鈦、輕質(zhì)碳酸鈣、Sillica(包含干式及濕式)、滑石粉、鋁粉、硅煅燒土、天然纖維、玻璃纖維或濕潤劑等；其他特殊添加劑為Silicone Oil、硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、氧化鋅、氧化銻等；硅橡膠組成物中各成分的重量份數(shù)比例為硅橡膠樹脂100份、架橋劑0.25-5.0份、填充劑20-200份、其他添加劑及助劑5-20份。
本發(fā)明為一種連續(xù)卷式硅橡膠組成薄膜的壓延制法，其制造方法及流程分別敘述如下步驟1首先為配料，硅橡膠組成物中各成分的重量份數(shù)比例為硅橡膠樹脂100份、架橋劑0.25-5.0份、填充劑20-200份、其他添加劑及助劑5-20份；接著混煉10，是將各原料組成物置入加壓式混合裝置中，充分?jǐn)嚢杌旌?，使混合物均勻分散，在混煉過程中，混煉溫度不可超過架橋劑的分解溫度，混煉溫度控制在50-100℃；步驟2其次為薄膜形成制程20，將經(jīng)加壓式混合裝置均勻混合的硅橡膠混合物，送至常壓連續(xù)卷式薄膜形成裝置連續(xù)卷出，并與導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至中空滾筒狀加硫裝置的中間位置上，操作溫度為室溫至60℃，各輪轉(zhuǎn)速比為1∶1-1∶1.1；步驟3接著為加硫裝置的色覆制程30，在滾筒狀加硫裝置上，套上一層直徑大于滾筒狀加硫裝置外徑的合成橡膠薄膜套，并將兩側(cè)開口用繩索纏住密封，中空滾筒狀加硫裝置的側(cè)邊設(shè)有一個(gè)排氣閥；
步驟4為一吹加硫架橋制程40，其是將前述隨同導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至中空滾筒狀加硫裝置上的連續(xù)的熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜，送入蒸氣加壓式加硫裝置中加熱架橋，其架橋溫度控制在120-170℃，壓力控制在3-10kg/cm2，停留時(shí)間2-4小時(shí)，加硫完成后冷卻，并隨同導(dǎo)引媒介層一同卷出；步驟5最后為二次加硫加熱制程50，將經(jīng)蒸氣加壓式加硫架橋裝置加熱架橋的熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜，隨同導(dǎo)引媒介層卷出，并帶入連續(xù)開放式熱空氣加硫裝置中加熱，加硫溫度控制在100-180℃，加硫時(shí)間控制在30-120分鐘，加硫完成后冷卻，并將導(dǎo)布與熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜分離卷出，即形成連續(xù)卷式熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜。
實(shí)施例1連續(xù)卷式硅橡膠薄膜的制法，本實(shí)施例所使用的組成物的重量份數(shù)為硅橡膠100份，過氧化物0.35份、硅油3份、氧化鋁150份、脫模劑2份。
其加工條件參考附表1中所示，加工過程包括用混煉裝置混煉，并經(jīng)薄膜產(chǎn)出裝置產(chǎn)出，最后經(jīng)加硫裝置加壓密閉加硫及常壓熱空氣下的二次加硫，制得厚度2.0毫米的膠卷制品；然后分別測(cè)定其發(fā)泡倍率及物性，如硬度、比重、抗張強(qiáng)度、伸長率、撕裂強(qiáng)度、熱傳導(dǎo)系數(shù)，其測(cè)定結(jié)果如附表1中所示。
上述物性檢測(cè)依下列方法進(jìn)行(1-1)木尼粘度依ASTMD1646-61標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-2)加硫時(shí)間依ASTMD1646-61標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-3)總厚以精密度0.1×10mm的厚度計(jì)量測(cè)。
(1-4)比重依JISK6350標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-5)硬度依JISK6301標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-6)抗張強(qiáng)度依ASTMD412標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-7)伸長率依ASTMD412標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-8)撕裂強(qiáng)度依ASTMD624標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
(1-9)熱傳導(dǎo)值依ASTMD5470標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
實(shí)施例2本實(shí)施例所使用的組成物重量份數(shù)為硅橡膠100份、低溫過氧化物0.45份、高溫過氧化物0.25份、氧化鋁100份。
其加工條件參考附表1中所示，加工過程為用混煉裝置混煉，并經(jīng)薄膜產(chǎn)出裝置產(chǎn)出，最后經(jīng)加硫裝置加壓密閉加硫及常壓熱空氣下的二次加硫，制得厚度為1.8毫米的膠卷。
實(shí)施例3本實(shí)施例所使用的組成物的重量份數(shù)為硅橡膠100份、過氧化物0.25份、硅油10份、氮化硼100份。其加工條件參考附表1中所示，加工過程為用混煉裝置混煉，并經(jīng)薄膜產(chǎn)出裝置產(chǎn)出，最后經(jīng)加硫裝置加壓密閉加硫及常壓熱空氣下的二次加硫，制得厚度1.2毫米的膠卷。
實(shí)施例4-6本實(shí)施例所使用的組成物為硅橡膠100份，過氧化物0.25份、硅油7份、脫膜劑3份。其加工條件參考表1中所示，加工過程為用混煉裝置混煉，并經(jīng)薄膜產(chǎn)出裝置產(chǎn)出，最后經(jīng)加硫裝置加壓密閉加硫及常壓熱空氣下的二吹加硫，制得厚度1.6、0.8及0.2毫米的膠卷制品。
表1硅橡膠薄膜的制程及加工條件

注1加硫時(shí)間TS2(分一秒)定義達(dá)到平衡扭矩2％所須要的時(shí)間。注2加硫時(shí)間K90(分一秒)定義達(dá)到平衡扭矩90％所須要的時(shí)間。
表2硅橡膠薄膜的物性

綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其可制造連續(xù)卷狀HTV型硅橡膠配方組成且厚度均一的散熱薄膜，具有高及低熱傳導(dǎo)散熱功效用途的薄膜，本發(fā)明的常壓卷式壓延法制法，可制造幅寬160cm的硅橡膠薄膜，且薄膜性能和厚度均一，同時(shí)具有制法簡易、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點(diǎn)。故本發(fā)明實(shí)為一具有新穎性、創(chuàng)造性及實(shí)用性。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是它包含下列步驟A、配料硅橡膠組成物中各成分的重量份數(shù)比例為硅橡膠樹脂100份、架橋劑0.25-5.0份、填充劑20-200份、其他添加劑及助劑5-20份；該硅橡膠樹脂其平均分子量范圍在20,000-50,000，硬度在20-60Shore A；該架橋劑為有機(jī)過氧化物；該填充劑為氧化鋁、氮化硼、氧化鈦、輕質(zhì)碳酸鈣、Sillica、滑石粉、鋁粉、硅煅燒土、天然纖維、玻璃纖維或濕潤劑；該其他特殊添加劑為Silicone 0il、硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、氧化鋅或氧化銻；B、混煉將各原料組成物置入加壓式混合裝置中，充分?jǐn)嚢杌ハ嗷旌希蛊浠旌衔锞鶆蚍稚⒃诨鞜掃^程中；C、薄膜產(chǎn)出是將經(jīng)加壓式混合裝置混合的硅橡膠混合物送至常壓連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置，隨同導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至滾筒加硫裝置上，形成連續(xù)的硅橡膠薄膜；D、一次加硫架橋其是將所述隨同導(dǎo)引媒介層同時(shí)卷繞至滾筒加硫裝置上，形成連續(xù)的硅橡膠薄膜，送入蒸氣加壓式加硫架橋裝置中加熱架橋，加硫完成后冷卻并隨同導(dǎo)引媒介層一同卷出；E、二次加硫加熱其是將經(jīng)蒸氣加壓式加硫架橋裝置加熱架橋所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，隨同導(dǎo)引媒介層卷出，并同時(shí)帶入連續(xù)開放式加熱裝置中加熱，加熱完成后冷卻將導(dǎo)引媒介層與硅橡膠薄膜分離各別卷出，即得連續(xù)卷式硅橡膠薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該混煉過程的混煉溫度控制在60-150℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該混煉過程的混煉溫度低于該架橋劑的分解溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該混合制程的溫度為常溫至100℃，時(shí)間為5-60分鐘，壓力為5-15kg/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該薄膜產(chǎn)出的操作溫度為室溫至60℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該薄膜產(chǎn)出的各輪轉(zhuǎn)速比為1∶1-1∶1.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該一次加硫架橋的架橋溫度的控制在130-170℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該一次加硫架橋的壓力控制在2-5kg/cm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該一次加硫架橋的停留時(shí)間為2-4小時(shí)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該二次加硫加熱的加熱溫度控制在130-200℃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該二次加硫加熱的加熱時(shí)間在30-60分鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該薄膜產(chǎn)出制成中包含一筒狀包覆繞取裝置的繞取包覆制程，其是將導(dǎo)引媒介層，與連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，同時(shí)繞取至筒狀式包覆繞取加硫座上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該繞取包覆制程中包含一導(dǎo)引媒介層，該硅橡膠薄膜分層的導(dǎo)引媒介層與連續(xù)卷式薄膜產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的硅橡膠薄膜，同時(shí)繞取至筒狀式包覆繞取裝置上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該導(dǎo)引媒介層是選自纖維制品、紙制品或橡膠薄膜的其中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該薄膜產(chǎn)生裝置是包含有壓延機(jī)、加硫罐或開放式烘箱。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該生產(chǎn)的最終產(chǎn)品的幅寬度在150cm以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該硅橡膠是選用高溫架橋型硅橡膠，其數(shù)量平均分子量為30萬。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該二次加硫制程是采用連續(xù)開放式烘箱加熱。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該二次加硫制程采用的連續(xù)開放式烘箱，其選自為水平式或直立式烘箱的其中之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該填充劑是選自氮化硼或氧化鋁材料作制造熱傳導(dǎo)硅橡膠薄膜的其中之一。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該填充劑是選自防火材料作為制造具有熱傳導(dǎo)及耐燃硅橡膠薄膜。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該包覆式加硫繞取座的數(shù)量為1-5個(gè)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該包覆式加硫繞取座的形態(tài)為圓筒狀或桿狀的其中之一。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該包覆式加硫繞取座包含一加硫度及厚度控制程序，是用合成橡膠薄膜包覆整個(gè)加硫繞取座，將未加硫硅橡膠薄膜于完全封閉空間中完全升溫加硫。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該包覆式加硫繞取座上的硅橡膠薄膜儲(chǔ)存密閉空間，須要通入有機(jī)氣體填滿整個(gè)空間，未架橋的硅橡膠薄膜直接受到有機(jī)氣體作用，以控制其加硫度及厚度免受水氣的影響。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法制得厚度為0.2-3.0mm的硅橡膠薄膜。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法制得幅寬50-160cm的硅橡膠薄膜。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法制得硬度20-60的硅橡膠薄膜。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法制得比重1.0-2.0的硅橡膠薄膜。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法制得熱傳導(dǎo)系數(shù)為0.4-3W/mk的硅橡膠薄膜。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該二次加硫段是采用熱風(fēng)加硫式烘箱。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷式硅橡膠薄膜的制法，其特征是該方法生產(chǎn)不同程序熱傳導(dǎo)程度的硅橡膠薄膜。
全文摘要
一種卷式硅橡膠薄膜的制法，是將硅橡膠配方組成物，經(jīng)加壓式捏合混煉裝置預(yù)先混合，再由壓延裝置產(chǎn)生薄膜，通過密閉式加硫裝置進(jìn)行第一次加硫，再通過開放式加熱裝置進(jìn)行第二次加硫制造。采用高溫加硫型硅橡膠樹脂，所制得的連續(xù)卷式硅橡膠薄膜硬度Shore A介于20－60，其厚度范圍為0.1－3.0mm。具有優(yōu)良的散熱性、撓曲性及柔軟貼附性，可使用在容易產(chǎn)生高熱源的裝置及構(gòu)造上，提供散熱及耐熱的功效；具有制法簡易、生產(chǎn)效率高及能夠制造厚度均一及寬幅硅橡膠薄膜的功效。
文檔編號(hào)B29C69/00GK1398714SQ0112346
公開日2003年2月26日 申請(qǐng)日期2001年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月25日
發(fā)明者李文炫, 吳敬堂, 林宗儀 申請(qǐng)人:厚生股份有限公司