專利名稱：具有直立室的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有直立室的等離子體連續(xù)處理設(shè)備，更具體地說，涉及具有至少一個直立室的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備，在所述室中要經(jīng)表面處理的材料可以垂直移動。
另外，當在鋼板表面上形成的涂料薄膜經(jīng)等離子體處理時，可得到具有優(yōu)異耐久性和耐磨性的涂料涂布的硬質(zhì)鋼板。
WO 99/28530(1999年6月10日公開)公開了等離子體聚合的表面處理設(shè)備。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體聚合設(shè)備的平面示意圖。
如圖1所示，傳統(tǒng)的等離子體聚合設(shè)備包括真空室1、真空泵5和6控制真空室內(nèi)的壓力，測量儀器7和8測量真空度，電源裝置3給物質(zhì)產(chǎn)生勢差，反應(yīng)氣控制裝置9和10向待處理的表面周圍注射聚合氣例如不飽和烴氣體例如乙炔氣，和非聚合氣體例如氮。
物質(zhì)2置于室中，旋轉(zhuǎn)泵6啟動。在室內(nèi)的壓力調(diào)整到10-6乇后，啟動擴散泵5以保持室內(nèi)的壓力為10-6乇。
通過電源裝置使物質(zhì)偏壓，相對的電極4接地。
當室內(nèi)的壓力保持在一定的真空度時，不飽和的脂肪烴氣體如乙炔氣和非聚合氣體如氮被注射到室內(nèi)。
當室內(nèi)的壓力達到一定的程度時，使用DC或高頻使等離子體放電。
接著，由DC或高頻產(chǎn)生的等離子體切斷氣體分子的鍵，被切斷的鏈和被活化的正離子或負離子鍵合在置于電極之間的物質(zhì)表面上形成聚合的物質(zhì)。
但是由等離子體聚合的傳統(tǒng)的表面處理設(shè)備有許多問題。
例如，首先由于表面處理是以這樣的方式進行，一種物質(zhì)被表面處理，不同的物質(zhì)重新被置于室內(nèi)進行表面處理。因此很難連續(xù)表面處理大量的物質(zhì)。
其次，在由等離子體聚合處理物質(zhì)表面例如金屬片聚合物膜的情況下，隨聚合過程的進行，在電極上形成聚合的物質(zhì)，引起電極碳化產(chǎn)生碳化物。于是，當碳化物從電極脫落時，其落到了正在進行表面處理的物質(zhì)表面上損壞表面。
第三，很難保持聚合氣體或非聚合氣體均一地流動被引入室內(nèi)到達物質(zhì)的表面。這樣氣體流動的不均一性引起了物質(zhì)表面的不同部分具有不同的表面處理效果，是物質(zhì)表面上形成均一聚合膜的障礙。
第四，在室內(nèi)長時間的表面處理過程中，物質(zhì)不能保證一定的張力，由于重力而下垂。而且，在這樣的情況下，物質(zhì)表面的每一部分具有不同的表面處理效果。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是提供等離子體聚合的連續(xù)處理設(shè)備，所述的設(shè)備可以更有效地得到高質(zhì)量的等離子體聚合膜。
本發(fā)明的另一個目的是提供等離子體聚合處理系統(tǒng)，通過連續(xù)布置多個室而具有各種形式。
本發(fā)明的再一個目的是提供等離子體聚合處理系統(tǒng)，其具有減少電極被碳化而形成的碳化物落到物質(zhì)表面上的可能性。
本發(fā)明的又一個目的是提供等離子體聚合處理系統(tǒng)，其可使氣體注射到室內(nèi)均一平穩(wěn)地流動，這樣對于表面每一部分得到的表面處理效果都是均一的。
本發(fā)明的另一個目的是提供等離子體聚合處理系統(tǒng)，其具有多個室，其安裝空間大幅減少。
本發(fā)明的又一個目的是提供等離子體聚合系統(tǒng)，其可防止表面待處理物質(zhì)由于重力而下垂。
根據(jù)本發(fā)明目的，為實現(xiàn)在此處具體說明和泛泛描述的這些和其他的優(yōu)點，提供具有多個室的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備，以對被移入室內(nèi)物質(zhì)的表面通過等離子體聚合進行表面處理，包括至少一個直立室，其中待涂布的物質(zhì)被垂直移動及其中至少包括一個電極。
在本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備中，電極優(yōu)選置于與直立室中物質(zhì)移動方向平行的位置。
在本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備中，在連續(xù)處理設(shè)備的情況下，包括多個直立室，優(yōu)選在其中之一的直立室中通過等離子體聚合進行物質(zhì)的表面處理。
在本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備中，被連續(xù)移動到多個室內(nèi)要進行表面處理的物質(zhì)，當給其施加電壓時，其本身可以作為電極使用。
在本發(fā)明的一個具體實施方式
的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備中，直立室包括室體，其中物質(zhì)可垂直移動，該室的一側(cè)是敞開的，室門與室體敞開的一側(cè)結(jié)合，及至少一個電極置于與物質(zhì)移動方向平行的位置。
在本發(fā)明的另一個具體實施方式
的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備中，直立室是結(jié)合的直立室，其中在其中心形成分割板以使室分成兩個直立區(qū)域。
本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備，可包括至少一個臥式室其中物質(zhì)水平地移動，及一個直立室其中物質(zhì)垂直地移動，這樣多個室可以各種形式連接。
優(yōu)選，本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備，對于連續(xù)表面處理而言，包括具有展開輥的展開室用于展開以卷形物狀態(tài)卷饒的物質(zhì)，及卷輥用于卷繞表面被處理的物質(zhì)。
參考附圖從以下本發(fā)明的詳細描述中，本發(fā)明上述和其他的目的、特征、涉及方面和優(yōu)點更加顯而易見。
附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體聚合設(shè)備的示意圖；圖2A是本發(fā)明一個具體實施方式
的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備的剖面圖；圖2B是本發(fā)明一個具體實施方式
圖2A直立室放大的剖面圖；圖2C是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的另一個直立室實例的示意圖；圖2D是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的又一個直立室實例的示意圖；圖3A是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的將氣體提供到直立室的一個實施例的示意圖；圖3B是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的將氣體提供到直立室的另一個實施例的示意圖；圖4是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備的臥式室的剖面圖；圖5A是本發(fā)明一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域的直立室的剖面圖。
圖5B是本發(fā)明另一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域的直立室的剖面圖。
圖6是本發(fā)明又一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域的直立室的剖面圖。
優(yōu)選實施方式的詳細描述詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中描述了其實施例。
圖2是本發(fā)明一個具體實施方式
的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備的剖面圖。
如圖2示意，本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備大體包括第一直立室20a，第二直立室20b，置于兩直立室20a和20b之間的臥式室21，展開輥25用于展開其上卷繞的物質(zhì)以將其輸送到室內(nèi)，及卷輥26用于卷繞在其上片形式的表面處理的物質(zhì)。
不管表面處理與否，臥式室可以是水平管簡單地用作物質(zhì)的輸送路徑。
展開輥和卷輥可以安裝在獨立的室內(nèi)(即展開室和卷繞室)，與圖2A中示意的不一樣。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，只存在兩個直立室，但根據(jù)聚合系統(tǒng)可以進一步包括第三和第四直立室。或通過建造具有四個以上直立室或具有多個臥式室的聚合系統(tǒng)可以進行各種改造。
從展開輥輸送的物質(zhì)通過直通孔22b，進入第一直立室并垂直移動，這樣物質(zhì)經(jīng)表面處理。
接下來，物質(zhì)從第一直立室通過直通孔22a通過臥式室21，其被輸送到第二直立室，其中物質(zhì)經(jīng)表面處理，最后卷繞在卷輥上。
張緊輥23a和23b置于每一個室之間及展開輥與卷輥之間物質(zhì)的輸送路徑上，以給物質(zhì)施加張力，因此防止物質(zhì)的下垂及改變物質(zhì)的移動方向。因此，即使物質(zhì)沿連續(xù)的長路徑移動時，也可保持恒定不變的移動速度。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，優(yōu)選至少一個直立室安裝在聚合處理系統(tǒng)中，根據(jù)表面處理的目的可以將多個直立室和臥式室布置在一起。
特別是，在安裝了幾個臥式室和直立室的情況下，要適當控制在每一個室內(nèi)的(保護)氣體、壓力及施加的電壓，這樣可通過所述的室通過不同的過程進行表面處理。同時，氣體類型、氣體供給比、給電極施加電壓的范圍及室內(nèi)的壓力，這些聚合條件的至少一種要在多于兩個相鄰室中相同，以作為聚合室。
另外，在每一個室中的表面處理可以分為預(yù)處理、第一聚合處理、第二聚合處理和后處理，這樣當物質(zhì)經(jīng)過幾個室時，可對該物質(zhì)進行各種表面處理。
特別的是，在預(yù)處理室中，優(yōu)選進行清洗以去除附著在物質(zhì)表面的各種污染物，之后通過等離子體放電形成聚合膜。
因此，預(yù)處理室被置于物質(zhì)移動路徑的前面。非聚合氣體例如氧、氮或氬被注射到預(yù)處理室內(nèi)，這樣通過等離子體放電使物質(zhì)表面清潔。
聚合過程可以在直立室中或臥式室中進行，在聚合過程中聚合氣體被注射到室內(nèi)，將DC或高頻電壓施加到其上以使等離子體放電。在該方面，為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，優(yōu)選至少一個直立室作為聚合室。
在聚合室中物質(zhì)的表面被處理后，優(yōu)選在將空氣注射到室內(nèi)后通過等離子體放電在不同的室內(nèi)連續(xù)進行表面處理。在空氣氣氛下這樣的后處理有助于防止其上形成聚合膜的物質(zhì)表面特征的逐漸減少。
如上所述，包括直立室的具有多個室的等離子體聚合處理設(shè)備通過多步處理可實現(xiàn)物質(zhì)的各種表面處理效果，一旦物質(zhì)從展開輥移動到卷輥，物質(zhì)每一種所需要的表面處理可一次進行。
在本發(fā)明優(yōu)選實施方式的直立室中，由于物質(zhì)可以垂直移動，即向上或向下，優(yōu)選電極也被垂直安裝在室內(nèi)。
圖2B是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的圖2A的直立室放大的剖面圖。
形成的直立室為長方形平行六面體，寬高比大于1，室底平面占據(jù)的面積與臥式室相比非常小，這樣聚合處理系統(tǒng)的整個空間被大幅減少。
電極27安裝在室內(nèi)，所述的室垂直布置與物質(zhì)24移動方向平行。
盡管在附圖中顯示一個電極安裝在兩個室內(nèi)，但幾個電極也可垂直地一排布置。示意的物質(zhì)通孔22a和22b安裝在室的上側(cè)面和下側(cè)面。
圖2C是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的直立室的另一個實施例的剖面圖。
如圖2C所示意，直立室20包括其中含有電極27的室體29a，連接到室一側(cè)的室門29b用于打開和關(guān)閉室。另外的電極28被連接到室門內(nèi)側(cè)面。
由于電極連接到室門上，電極僅有一面(相對物質(zhì)的面)參與等離子體放電，防止了由于聚合材料而在其它面上產(chǎn)生碳化物。
另外，由于電極被簡單地連接到室門上，因此電極的安裝很容易。
同樣，在本發(fā)明該具體實施方式
中，如上所述，電極可以置于與物質(zhì)移動方向平行的位置。
同時，與圖2B的情況不同，注意到物質(zhì)通孔22a在室的頂部和底部形成。
對于直立室，根據(jù)物質(zhì)的輸送路徑和室之間的連接結(jié)構(gòu)，直通孔可以在頂部和底部或上側(cè)面和下側(cè)面上選擇形成。
因此，即使多個直立室和臥式室可被連接成各種形式，但物質(zhì)的移動方向可從垂直方向到水平方向，及從水平方向到垂直方向自由改變。
圖2D是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的直立室的另一個實施例的剖面圖。
如圖2D示意，直立室有點兒不同與圖2C中的直立室。即安裝在室門29c的電極28與門面分離。在這樣結(jié)構(gòu)中，通過控制電極與物質(zhì)之間的距離，很容易使電極的位置靠近物質(zhì)的表面。
參考圖2B～2D，朝向物質(zhì)兩個面的兩個電極被安裝在室內(nèi)。給電極施加DC或AC電壓，電力也可施加到表面被處理的物質(zhì)，這樣物質(zhì)可被作為電極。
為給物質(zhì)施加電力，可將電力施加到與物質(zhì)接觸的部分，這樣電力可被間接施加到物質(zhì)上。
例如，輥被安裝在多個室中，例如具有展開輥的展開室，具有卷繞輥的卷繞室和聚合室，優(yōu)選電力施加到與移動物質(zhì)接觸的其中之一的輥上，這樣將電力施加到物質(zhì)上。在這樣的情況下，電源裝置另外被包括在室的內(nèi)部或外部以給輥施加電力。
由于將電力施加到物質(zhì)，因此物質(zhì)可以是陽極或陰極。在這方面，考慮表面處理效果，更優(yōu)選物質(zhì)成為陽極，面對的電極成為朝向物質(zhì)兩面的相反的電極。
在通過等離子體放電進行表面處理中，引入室內(nèi)的氣體流動是嚴格的。如果氣體不能均勻地流入室內(nèi)，物質(zhì)表面處理的均一性將變差。
特別是，在連續(xù)表面處理中，對于被輸送的物質(zhì)很難保持氣體均勻流動。因此在本發(fā)明優(yōu)選實施方式的直立室的情況下，由于物質(zhì)的移動方向相對于臥式室是垂直的，因此提供進入室內(nèi)的氣體相對于物質(zhì)流動地非常均勻。
圖3A是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的提供氣體進入直立室的一個實施例的剖面圖。
在直立室20的底部形成氣體入口31a，在其頂部形成氣體出口31b。
在這樣的情況下，氣體流動與物質(zhì)的移動方向平行，這樣氣體可被均勻地提供到物質(zhì)表面的每一位置。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，氣體流動方向可與物質(zhì)的移動方向相同或相反的方向。在物質(zhì)被向上移動的情況下，氣體入口被置于室的上部，氣體出口被置于其下部，這樣物質(zhì)的移動方向與氣體的流動方向相反。
圖3B是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的提供氣體進入直立室的另一個實施例的剖面圖。
如圖3B示意，與圖3實施方式不同，注意到在水平方向?qū)怏w提供到室內(nèi)。氣體提供到氣體入口32a，與物質(zhì)移動方向垂直的方向流動，然后通過氣體出口32b排出。盡管在附圖中各自僅示意了兩個氣體入口和出口，但可以在室的右側(cè)和左側(cè)形成多個氣體入口和氣體出口，以使氣體流動平穩(wěn)均勻。
在直立室中不管氣體的流動方向，即與物質(zhì)移動方向是平行還是垂直，在本發(fā)明優(yōu)選實施方式的直立室中，可大幅減少由于在聚合過程中產(chǎn)生的碳化物附著在表面上的污染物。理由是相對于物質(zhì)被水平移動的情況，由于物質(zhì)垂直移動，碳化物附著在物質(zhì)表面上的可能性非常小。
因此，不需要除灰裝置以去除附著在物質(zhì)表面上的碳化物或各種灰塵，簡化了設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
如圖2A示意的等離子體聚合設(shè)備包括臥式室和直立室。如直立室一樣，臥式室也可是聚合室。在臥式室中，預(yù)處理可以在聚合過程之前進行，或在聚合過程后進行后處理。
圖4是本發(fā)明優(yōu)選實施方式的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備的臥式室的剖面圖。
物質(zhì)通孔45a和45b在室的右端和左端形成，上部門42a和下部門42b安裝在室的上部和下部。電極43a和43b分別連接在上部門和下部門上。
盡管未示意，可以在室內(nèi)形成氣體入口和氣體出口。
電極可以連接在上部門和下部門的門面上，或與門面間隔連接。上部門向上打開，而下部門向下打開。
當電極連接到臥式室上時，臥式室可以作為聚合室、預(yù)處理室或后處理室?；驔]有電極，臥式室簡單地用作物質(zhì)的移動路徑。
圖5A是本發(fā)明一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域直立室的剖面圖。
如圖5A示意，直立室50a包括在一個室內(nèi)的中心處垂直方向形成的分割板52。分割板52將室分為兩個直立區(qū)域51a和51b。至少一個電極置于每一個直立區(qū)域。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，形成的兩個電極(53a和53b、54a和54b)在每一個直立區(qū)域中相互面對。
在直立室的下部，形成可供連接的水平路徑(或臥式室)58a和58b。
在物質(zhì)55通過左側(cè)的水平路徑58a后，被引入到一個水平區(qū)域51a，其使物質(zhì)通過在分割板上部形成的直通孔57a，被移動到另外的垂直區(qū)域51b，然后通過另外的水平路徑58b，這樣被移出。
物質(zhì)的移動可以相反的方向進行。
由于通過分割板將直立室的每一個直立區(qū)域分開，每一個直立區(qū)域可以作為獨立的室分別進行具有不同過程的表面處理。
例如在一個直立區(qū)域進行預(yù)處理，在另一個直立區(qū)域進行聚合過程。或之后，在一個直立區(qū)域進行聚合過程，而在另一個直立區(qū)域進行后處理。
當然，聚合過程也可在兩個直立區(qū)域中進行。
對于具有兩個直立區(qū)域的結(jié)合的直立室，盡管物質(zhì)表面處理的路徑長，但實質(zhì)上被聚合室占據(jù)的區(qū)域相對小，因此其空間利用非常有效。另外，可以在單一的室內(nèi)對于被輸送的物質(zhì)進行兩種不同的表面處理。
參考號57b表示在直立室與水平路徑之間的物質(zhì)通孔，57c表示在水平路徑的端部形成的物質(zhì)通孔，及56表示張緊輥。
圖5B是本發(fā)明另一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域的直立室的剖面圖。
如圖5B示意，直立室與圖5A一樣，直立室50b由室內(nèi)中心處形成的分割板52分為兩個直立區(qū)域，不同之處在于物質(zhì)55通過一個直立區(qū)域51a，通過另外的水平區(qū)域58，之后進入另外的直立區(qū)域51b。
水平區(qū)域與直立室形成為一體，物質(zhì)在直立區(qū)域與水平路徑之間通過在直立區(qū)域和水平區(qū)域之間形成的通孔57d移動。
具有一體化形成的水平區(qū)域和兩個直立區(qū)域的直立室的優(yōu)點是，由于在每一個區(qū)域可獨立地進行表面處理，可使空間利用達到最大，在單一的室內(nèi)可順序進行三種表面處理過程。
圖6是本發(fā)明另一個實施方式的具有兩個直立區(qū)域的直立室的剖面圖。
如圖6示意，直立室60包括室體61，其包括由室內(nèi)中心處形成的分割板65分割的兩個直立區(qū)域，安裝在室體兩端的室門62a和62b用于打開和關(guān)閉室。
物質(zhì)66通過直通孔68在直立室的每一個直立區(qū)域移動。每一個張緊輥67改變物質(zhì)的移動方向，使物質(zhì)從外部移動到直立區(qū)域或從一個直立區(qū)域移動到另一個直立區(qū)域。
直立室包括電極64a和64b，其置于室體中心隔板65兩側(cè)與物質(zhì)移動方向平行的位置，電極63a和63b置于室門的門面上與物質(zhì)移動方向平行的位置。
安裝在室門上的電極可連接到門面上或與門面間隔，這樣其與物質(zhì)的間隔可以調(diào)整。
盡管示意的從一個直立區(qū)域到另一個直立區(qū)域的物質(zhì)移動處于暴露的外部空間，優(yōu)選將另外的水平路徑(或臥式室)與直立室連接，類似上述的實施方式。
如上述的描述，本發(fā)明的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備具有許多優(yōu)點。
例如，第一，由于直立室可以單獨或由多個室形成，或可以與臥式室一起形成，因此可以建造各種類型的等離子體聚合處理系統(tǒng)。
第二，根據(jù)表面處理的目的，多個室可用于各種功能和應(yīng)用中，例如聚合室、后處理室及預(yù)處理室。
第三，由于電極被碳化產(chǎn)生的碳化物落到物質(zhì)表面的可能性大幅減少，在臥式室中，用于去除落在物質(zhì)表面的碳化物或各種灰的除灰裝置就沒有必要。
第四，由于注射到室中的氣體在其中可向上或向下流動，氣體相對于物質(zhì)兩面可以平穩(wěn)均勻地流動。因此，在物質(zhì)的兩面都可以得到均勻的表面處理效果，及由此增加了表面處理的可靠性。
第五，在一些或所有的聚合處理系統(tǒng)被建造為直立室的情況下，由于在工廠中系統(tǒng)空間可被大幅減少，所以甚至在空間利用上是有利的。
第六，在要進行表面處理的物質(zhì)通過室被輸送的過程中，當物質(zhì)通過直立室時，由于通常施加張力，可防止物質(zhì)由于重力而下垂。
包括直立室的等離子體聚合處理設(shè)備對于連續(xù)處理設(shè)備而言是必要的組件，由此物質(zhì)可被迅速大量的進行表面處理。
在沒有背離本發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)特征之下，采用幾種形成對本發(fā)明進行了具體描述，但也應(yīng)理解上述的具體實施方式
并不由以上描述的細節(jié)所限制，除非另有說明，而應(yīng)由其所附的權(quán)利要求限定的精神和范圍來進行廣義的解釋，因此所有的變化和改變都在本權(quán)利要求限定的范圍之內(nèi)，或因此其范圍內(nèi)的等同物也意欲包括在所附的權(quán)利要求之中。
權(quán)利要求
1.等離子體聚合的連續(xù)處理設(shè)備，其具有多個室以利用等離子體聚合對移動進入室的物質(zhì)表面進行表面處理，包括至少一個直立室，其中物質(zhì)垂直移動，及至少一個電極包括在其中。
2.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中電極置于與室內(nèi)物質(zhì)移動方向平行的方向。
3.如權(quán)利要求2的設(shè)備，其中室包括多個電極，每一個電極排成一排置于與室內(nèi)物質(zhì)移動方向平行的方向。
4.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中直立室是聚合室，其中通過等離子體聚合處理物質(zhì)的表面。
5.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中直立室包括在上部和下部形成的物質(zhì)通孔。
6.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中直立室包括在其頂部和底部的物質(zhì)通孔。
7.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中當給物質(zhì)施加電力時，物質(zhì)本身被作為電極。
8.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中直立室包括室體，其中物質(zhì)垂直移動，室的一側(cè)敞開；室門，其與室體敞開的一側(cè)相連接；及至少一個電極，其置于與物質(zhì)移動方向平行的方向。
9.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中電極置于室體內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中電極置于室門上。
11.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中直立室包括在其中心處的分割板，這樣直立室由隔板分為兩個直立區(qū)域。
12.如權(quán)利要求11的設(shè)備，其中物質(zhì)的移動方向在兩個直立區(qū)域相反。
13.如權(quán)利要求11的設(shè)備，其中兩個直立區(qū)域分別包括至少一個置于與物質(zhì)移動方向平行方向的電極。
14.具有直立室的等離子體聚合的連續(xù)處理設(shè)備，其中提供多個室以利用等離子體聚合對移動進入室的物質(zhì)表面進行表面處理，包括第一直立室，其中物質(zhì)垂直移動，具有至少一個電極；及第二直立室，其中物質(zhì)垂直移動，具有至少一個電極并與第一直立室保持一定間隔。
15.如權(quán)利要求14的設(shè)備，其中至少第一和第二直立室之一為聚合室，其中通過等離子體聚合對物質(zhì)進行表面處理。
16.如權(quán)利要求15的設(shè)備，其中包括至少一個臥式室，其中物質(zhì)水平移動。
17.如權(quán)利要求16的設(shè)備，其中如果第二直立室是聚合室，其余室之一為預(yù)處理室，其中物質(zhì)表面被清潔，之后進行聚合。
18.如權(quán)利要求16的設(shè)備，其中如果第一直立室是聚合室，其余室之一為后處理室，其中向其中注入空氣，通過等離子體放電進行后處理。
19.如權(quán)利要求16的設(shè)備，其中臥式室包括室體，其具有在其左側(cè)和右側(cè)形成的通孔，這樣物質(zhì)可從其中通過；上部門，在其內(nèi)部有電極，所述的門向上打開和關(guān)閉；及下部門，在其內(nèi)部有電極，所述的門向下打開和關(guān)閉。
20.如權(quán)利要求15的設(shè)備，其中第一和第二直立室為聚合室，具有至少是如下一種相同的條件氣體提供于室、氣體的提供速率、給電極施加電壓的范圍及室內(nèi)的壓力。
21.具有直立室的等離子體聚合的連續(xù)處理設(shè)備，包括具有展開輥的展開室用于展開在其上卷繞的物質(zhì)，具有卷輥的卷繞室用于卷繞表面被處理的物質(zhì)，及聚合室，其中通過等離子體放電對來自展開室被輸送的物質(zhì)進行表面處理，其中在聚合室中物質(zhì)垂直移動，及在聚合室中包括至少一個電極。
22.如權(quán)利要求21的設(shè)備，其中聚合室包括在其內(nèi)部具有形成電極的室體，在其內(nèi)部具有形成電極的門，打開和關(guān)閉室體。
23.如權(quán)利要求21的設(shè)備，其中，其中之一的室包括至少一個卷輥，被移動的物質(zhì)與其接觸；及電源裝置用于當電力提供給卷輥時，通過使物質(zhì)接觸卷輥而使物質(zhì)本身成為電極。
24.具有直立室的等離子體連續(xù)處理設(shè)備，包括展開室，具有展開輥用于展開卷繞的物質(zhì)；卷繞室，具有卷輥用于卷繞表面被處理的物質(zhì)；第一聚合室，通過等離子體放電對從展開室輸送來的物質(zhì)進行表面處理，及具有在其中至少一個電極的上部和下部形成的物質(zhì)通孔；第二聚合室，通過等離子體放電對從展開室輸送來的物質(zhì)進行表面處理，及具有在其中至少一個電極的上部和下部形成的物質(zhì)通孔；其中在第一和第二聚合室中物質(zhì)的移動方向相反。
25.如權(quán)利要求24的設(shè)備，其中第一和第二聚合室分別是結(jié)合室，其中，在其中心形成有分割板將每一個室分為兩個區(qū)域。
26.如權(quán)利要求24的設(shè)備，其中的結(jié)合室包括室體，在其中心有隔板，在隔板的兩側(cè)布置有電極，室可以在左側(cè)和右側(cè)敞開；及第一和第二門，在其內(nèi)部具有電極，所述的門在室體的左側(cè)和右側(cè)打開和關(guān)閉。
27.如權(quán)利要求26的設(shè)備，其中第一和第二門包括與物質(zhì)移動方向平行方向布置的電極。
全文摘要
具有多個室的等離子體聚合連續(xù)處理設(shè)備，對移動進入室的物質(zhì)表面通過等離子體聚合進行表面處理，包括至少一個直立室，其中物質(zhì)垂直移動，及其中包括至少一個電極。由于直立室可由單獨或多個室形成，或可與臥式室一起形成，因此可以建造各種類型的等離子體聚合處理系統(tǒng)。另外，根據(jù)表面處理的目的，多個室可用于各種功能和應(yīng)用例如聚合室、后處理室及預(yù)處理室。
文檔編號B29C59/14GK1444605SQ01813566
公開日2003年9月24日 申請日期2001年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月30日
發(fā)明者河三喆, 鄭永萬, 趙石濟, 尹東植 申請人:Lg電子株式會社