專利名稱：處理方法、處理設(shè)備以及根據(jù)該方法制造的微結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過向樹脂制成的薄膜加熱加壓以高精度形成廉價微結(jié)構(gòu)的處理方法和處理設(shè)備。此外，本發(fā)明涉及一種根據(jù)本方法制造的具有高性能的微結(jié)構(gòu)，例如用于噴墨打印機的噴嘴、醫(yī)療噴霧嘴、超顯微填料用的精密過濾器、高密度印刷電路板和微透鏡。
背景技術(shù)：
為了制造具有高性能的如噴墨打印機的噴嘴和醫(yī)療噴霧嘴的微觀部件，需要以高精度在樹脂制成的薄膜中形成通孔。作為形成微觀通孔的方法，有一種激光處理方法。根據(jù)該方法，在板上形成通孔的點處形成光致抗蝕劑，并在板上未形成光致抗蝕劑的區(qū)域中形成掩模。掩模能夠阻擋諸如激光的高能量束，因此光致抗蝕劑被除去，并通過掩模照射諸如激光的高能量束，從而在板中形成通孔(日本特開公報No.6(1994)-122203(參見專利文獻1))。不過，根據(jù)激光處理方法，必須要照射高亮度激光，而且必須要以高精度調(diào)節(jié)將被照射的點，因此，處理設(shè)備變得非常昂貴，此外，根據(jù)這種處理方法通孔是使用激光形成的，因此，產(chǎn)量小。
作為形成具有微觀通孔的樹脂制成的薄膜的方法，有一種注射成型方法。根據(jù)該方法，使彈性構(gòu)件，如硅樹脂制作的突抵塊(striking block)與所用模具的形成通孔的部分接觸，并在沖擊塊保持接觸的狀態(tài)下進行注射成型。使用具有如此高流動性的樹脂可以形成微觀通孔該樹脂能夠流入模具中的幾個μm的間隙中。此外，即使在使用直徑不大于50μm且容易破裂的薄突抵模具的情況下，突抵塊仍由彈性構(gòu)件制造，因此，在注射成型的時候不會破裂且易于從模制樹脂脫離(日本特開公報No.2000-71459(參見專利文獻2))。不過，根據(jù)該方法，可用的樹脂類型受到很大限制，此外，當通孔開口直徑變小且間距變小時，由于突抵塊與模具接觸，流動路徑中的阻力變大，因此，難于進行均勻的樹脂注射。
作為在樹脂制成的薄膜中形成微觀通孔的方法，有一種沖孔工藝方法。根據(jù)該方法，在陶瓷纖維制作的沖孔機的表面上形成金屬膜，在沖孔機端部和模具材料表面之間制造放電。放電的結(jié)果是，沖孔機未與模具材料接觸就形成了微觀通孔，沖孔機可以通過該通孔穿到模具材料中。在形成模具孔之后，模具和沖孔機之間的位置關(guān)系不變，因此能夠無故障地將沖孔機插入模具孔中，能夠容易地在短時間內(nèi)在薄板中形成直徑與沖孔機厚度對應(yīng)的通孔(日本特開公報No.2004-114228(參見專利文獻3))。然而，根據(jù)該方法，能夠形成的通孔的開口直徑是由陶瓷纖維的直徑?jīng)Q定的，因此，對通孔微小化存在限制。此外，一個通孔是使用一個直徑與該通孔對應(yīng)的沖孔機形成的，因此，當將各沖孔機組裝于夾具中時難以保持間距的精度，使得制造效率不好。此外，維護和沖孔機損壞時的恢復(fù)困難，使得生產(chǎn)率不佳。
專利文獻1日本特開公報No.6(1994)-122203專利文獻2日本特開公報No.2000-71459專利文獻3日本特開公報No.2004-114228發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的目的是提供一種處理方法，根據(jù)該方法能夠容易地以低制造成本形成高度精密的微結(jié)構(gòu)。另一個目的是提供一種微結(jié)構(gòu)，當將壓模壓下預(yù)定量的時候能夠以高精度控制微結(jié)構(gòu)的形態(tài)，而不會因為樹脂材料制成的薄膜厚度的不一致影響到微結(jié)構(gòu)。
解決問題的手段根據(jù)本發(fā)明的處理方法是一種用于樹脂制成的薄膜的處理方法，根據(jù)該方法，在樹脂制成的薄膜中形成微觀通孔，其特征在于包括以下步驟將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間；將壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加熱至不低于樹脂開始液化的溫度的溫度；以及向溫度不低于樹脂開始液化的溫度的樹脂制成的薄膜加壓，從而形成通孔。
壓模優(yōu)選由金屬或陶瓷制作，面對的基底優(yōu)選由金屬、陶瓷或硅樹脂制作。壓模優(yōu)選具有不低于400的維氏硬度。這樣的壓?？梢砸勒瞻ㄈ缦虏襟E的方法制造通過光刻形成樹脂模，通過電鑄在導(dǎo)電襯底上的樹脂模上形成金屬材料制成的層，以及除去樹脂模。此外，可以依照劃線(dicing)處理或切割處理制造壓模。
面對的基底優(yōu)選由選自氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅和碳化鎢的材料制作，在加熱處理時楊氏模量優(yōu)選不小于0.1Gpa且不大于300Gpa。此外，維氏硬度優(yōu)選不小于壓模的維氏硬度的0.5倍且不大于其3.0倍。
在適當?shù)膶嵤┓绞街?，將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間的步驟包括將樹脂制成的薄膜固定在面對的基底上的步驟以及將壓模放置在固定的樹脂制成的薄膜上的步驟。同時，在期望的實施方式中，形成通孔的步驟具有在形成通孔之后用新的面對的基底更換用過的面對的基底的步驟。此外，優(yōu)選從卷軸供應(yīng)樹脂制成的薄膜和/或面對的基底且它們纏繞在卷軸上。此外，在期望的實施方式中，始于放置樹脂制成的薄膜的步驟、到加熱的步驟、直到形成通孔的步驟的一系列步驟，是在真空中執(zhí)行的。
在優(yōu)選實施方式中，在形成微結(jié)構(gòu)期間通過測量樹脂制成的薄膜的電容和/或電阻，從而探測導(dǎo)電壓模和面對的基底之間的距離。此外，在該實施方式中，優(yōu)選使用具有面對的基底和樹脂制成的薄膜之間的電路襯底的導(dǎo)電的面對的基底。
根據(jù)本發(fā)明的處理設(shè)備是一種用于在樹脂制成的薄膜中形成微觀通孔的處理設(shè)備，其特征在于包括用于將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間的裝置；用于將壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加熱到不低于樹脂開始液化的溫度的溫度的裝置；以及用于通過向壓模和面對的基底之間的溫度不低于樹脂開始液化的溫度的樹脂制成的薄膜加壓而形成通孔的裝置。
在優(yōu)選實施方式中，在施加壓力的時候在形成通孔的裝置的表面內(nèi)的最大壓力差不大于+/-10％，且在形成通孔之后優(yōu)選冷卻樹脂制成的薄膜、壓模和面對的基底至少之一。此外，優(yōu)選將用于放置樹脂制成的薄膜的裝置、加熱樹脂制成的薄膜的裝置和在樹脂制成的薄膜中形成通孔的裝置放置在處理設(shè)備中的真空室中。此外，在優(yōu)選實施方式中，處理設(shè)備還包括用于通過測量樹脂制成的薄膜的電容和/或電阻來探測導(dǎo)電壓模和面對的基底之間的距離的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)是依照這樣的處理方法制造的，且可以用作例如醫(yī)療噴霧嘴、噴墨打印機噴嘴、高密度印刷電路板上的微觀電路、俘獲細胞的過濾器和用于超微觀填料的過濾器。
本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠以低制造成本在樹脂制成的薄膜中容易地形成高度精密的超微觀通孔。


圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的處理方法步驟的視圖；圖2為示出了在根據(jù)本發(fā)明的處理方法中使用的壓模所用的制造方法步驟的視圖；圖3為示出了在根據(jù)本發(fā)明的處理方法中使用的壓模所用的制造方法步驟的視圖；圖4為示出了在根據(jù)本發(fā)明的處理方法中使用的壓模所用的制造方法步驟的視圖；圖5為示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選處理方法中的步驟的視圖；圖6為示出了根據(jù)本發(fā)明的電容和電阻變化的曲線圖；以及圖7為示出了如下情況下的根據(jù)本發(fā)明的處理方法的視圖提供了面對的基底，且面對的基底和樹脂制成的薄膜之間為電路基板。
附圖標記說明1、71樹脂制成的薄膜；2、72壓模；3、73面對的基底；21、31b導(dǎo)電基板；22、32抗蝕劑；23、33掩模；25、35金屬材料層；74電路基板具體實施方式
(處理方法)圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的處理方法。該處理方法的特征在于具有以下步驟首先如圖1(a)所示，在壓模2和面對的基底3之間放置樹脂制成的薄膜1；將壓模2和面對的基底3之間的樹脂制成的薄膜1加熱到不低于樹脂開始液化的溫度的溫度；以及，如圖1(c)所示，向壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加壓，該薄膜的溫度不低于樹脂開始液化的溫度，且由此如圖1(d)所示，形成通孔。
例如，用于在將樹脂制成的薄膜1放置在壓模2和面對的基底3之間之后加熱的系統(tǒng)中(圖1(b))，用于在預(yù)先不接觸的狀態(tài)下僅加熱樹脂制成的薄膜的系統(tǒng)中，或者在薄膜接觸面對的基底之后加熱樹脂制成的薄膜的系統(tǒng)中，在壓模和面對的基底之間加熱樹脂制成的薄膜。例如，可以使用直接安裝于面對的基底3下方的加熱器(未示出)加熱樹脂制成的薄膜。此外，如果面對的基底3內(nèi)部具有加熱功能，能夠加熱該膜。此外，可以在提供樹脂制成的薄膜的過程中使用非接觸加熱器等預(yù)先加熱該樹脂制成的薄膜。
通過在將膜加熱至不低于樹脂開始液化的溫度的溫度之后加壓來施加樹脂制成的薄膜，因此，由于樹脂液化現(xiàn)象的結(jié)果，能夠容易地在樹脂制成的薄膜中形成高度精確的超微觀通孔，且制造成本低廉。根據(jù)本發(fā)明的處理方法，根據(jù)所用壓模的精度，盡管尺寸可能有所變化，但是能夠形成直徑不小于0.1μm的通孔。此外，還能夠穿透線，其是一種橫向通孔且具有不小于0.1μm的線寬。因此，能夠以低成本提供高性能的微觀結(jié)構(gòu)，例如噴墨打印機的噴嘴、醫(yī)療噴霧嘴、用于俘獲細胞的過濾器、用于超微觀填料的過濾器、微透鏡或用于高密度印刷電路板的微觀電路。
此外，根據(jù)本發(fā)明的處理方法能夠用于納米印(nano imprinting)。納米印是這樣一種方法，根據(jù)該方法，將表面上具有納米水平微觀不平坦度的壓模放在樹脂制成的薄膜上，將樹脂制成的薄膜加熱到不低于玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度，之后將壓模壓在樹脂制成的薄膜上并保持該狀態(tài)一定時間，將樹脂制成的薄膜冷卻到不高于玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度，然后從樹脂制成的薄膜釋放壓模。納米印允許將壓模表面上的不平坦轉(zhuǎn)錄到樹脂制成的薄膜上，是一種與本發(fā)明基于同一原理的處理技術(shù)，能夠有效地利用根據(jù)本發(fā)明的處理方法，且允許以高精度控制壓模的插入深度和總厚度。此外，納米印允許以簡單工藝容易地形成亞微米尺度上的三維微觀形態(tài)，能夠降低制造成本，且使得批量生產(chǎn)容易。
從高產(chǎn)量的角度來看，樹脂制成的薄膜的材料優(yōu)選是電絕緣的樹脂，且在較窄溫度范圍內(nèi)熔化且在冷卻時迅速硬化，如塑料或抗蝕劑。因此，例如聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醚砜、聚砜、聚醚酰亞胺等是適合的。盡管不特別限制樹脂制成的薄膜的厚度，厚度優(yōu)選為1μm到10mm，更優(yōu)選厚度為10μm到200μm。舉例來說，厚度為幾個mm的樹脂制成的板或者厚度為幾十微米的塑料膜可以用作該材料。
在將剛度高的材料用于壓模，且將剛度低于壓模的材料(例如當被壓模施壓時塑性形變的金屬或塑料)用于以面對壓模的方式使用的面對的基底的情況下，可以防止壓模在施壓時變形，且能夠容易地在樹脂制成的薄膜中形成通孔，這是優(yōu)選的。因此，壓模優(yōu)選具有不低于400的維氏硬度，更優(yōu)選具有不低于600的維氏硬度。
將陶瓷或硅樹脂用于面對的基底，對著面對的基底壓該壓模至極限，以擠出樹脂，由此能夠形成通孔。在這種情況下，不必頻繁更換面對的基底，這是有利的。面對的基底的維氏硬度優(yōu)選不低于壓模維氏硬度的0.5倍，更優(yōu)選不低于壓模的0.75倍。在硬度低于壓模硬度的0.5倍的情況下，難以使用面對的基底若干次。此外，面對的基底的維氏硬度優(yōu)選不大于壓模的維氏硬度的3.0倍，更優(yōu)選不大于壓模硬度的2.0倍。在面對的基底的維氏硬度超過壓模硬度的3.0倍的情況下，壓模容易破裂且壽命不長。
例如，將金屬或陶瓷用于壓模，可以將金屬、陶瓷、塑料或硅樹脂制成的材料用于面對的基底。此外，在將如氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅或碳化鎢的材料用于面對的基底的情況下，提高了熱導(dǎo)率，使得在加熱或冷卻時熱傳導(dǎo)變得順暢，由此能夠提高處理的產(chǎn)量。
當將金屬或塑料用于面對的基底時，在加熱處理時的楊氏模量優(yōu)選不小于0.1Gpa，且更優(yōu)選不小于1Gpa。在楊氏模量小于0.1Gpa的情況下，在加壓時面對的基底與樹脂制成的薄膜一起變形，于是，變得難以形成通孔。此外，在加熱處理時的楊氏模量優(yōu)選不大于300Gpa，且更優(yōu)選不大于250Gpa。在楊氏模量超過300Gpa的情況下，具有成列的微觀柱的結(jié)構(gòu)的壓模容易破碎且壽命短。
當將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間時，優(yōu)選首先將樹脂制成的薄膜固定在面對的基底上，然后將壓模放置在樹脂制成的薄膜上。在該實施方式中，能夠防止這樣的問題，如樹脂制成的薄膜從面對的基底上剝離、在壓模和面對的基底之間放置樹脂制成的薄膜時在樹脂制成的薄膜和面對的基底之間混有氣泡，這使得在該工藝中能夠生產(chǎn)清潔的孔。
在真空中執(zhí)行一系列步驟，從放置樹脂制成的薄膜的步驟開始，到加熱的步驟，再到形成通孔的步驟，因此能夠防止樹脂制成的薄膜從面對的基底剝離以及樹脂制成的薄膜和面對的基底之間混有氣泡，使得在該工藝中能夠生成清潔的孔。
此外，通過使用從卷軸供應(yīng)樹脂制成的薄膜和面對的基底的系統(tǒng)并在卷軸上纏繞它們，也可以防止樹脂制成的薄膜從面對的基底剝離以及樹脂制成的薄膜和面對的基底之間混有氣泡。盡管從卷軸僅供應(yīng)樹脂制成的薄膜獲得了一定效果，但是從卷軸供應(yīng)樹脂制成的薄膜和面對的基底二者更有效，于是，使得在該工藝中容易生成清潔的孔。該卷軸對卷軸(reel-to-reel)系統(tǒng)是優(yōu)選的，因為一旦設(shè)定之后樹脂制成的薄膜和面對的基底之間的位置關(guān)系就不變?？梢酝ㄟ^例如根據(jù)批處理系統(tǒng)給送厚板來供應(yīng)樹脂制成的薄膜。
在形成通孔的步驟中，在形成通孔之后優(yōu)選用新的面對的基底更換用過的面對的基底。在將金屬或塑料用于面對的基底且向壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加壓的情況下，形成了通孔，同時，由于來自壓模的壓力，面對的基底的表面發(fā)生塑性變形。因此，用具有平坦表面的新的面對的基底更換面對的基底，因此，能夠形成高度精密的通孔。面對的基底可以具有底層和該底層上的薄面對底層的兩層結(jié)構(gòu)，可以在加壓形成通孔之后僅僅更換發(fā)生塑性形變的薄面對底層，這與上述方式具有相同的效果。此外，從抑制產(chǎn)生不完全通孔的角度考慮，用于在壓模和面對的基底之間加壓的條件優(yōu)選不低于1Mpa，用于在壓模和面對的基底之間加壓的條件更優(yōu)選為不低于3Mpa。同時，從防止壓模和面對的基底破碎或變形的角度考慮，用于在壓模和面對的基底之間加壓的條件優(yōu)選不大于60Mpa，用于在壓模和面對的基底之間加壓的條件更優(yōu)選不大于40Mpa。
可以根據(jù)如下方法制造壓模，該方法包括通過光刻形成樹脂模的步驟；通過電鑄在導(dǎo)電襯底上的樹脂模上形成金屬材料制成的層；以及除去樹脂模的步驟。制成的壓模是一個精密的金屬微結(jié)構(gòu)，因此，能夠在樹脂制成的薄膜中形成具有超微觀直徑的通孔，且能夠使通孔的間距充分小。此外，能夠以高重復(fù)生產(chǎn)性制造壓模，且一件成型是可能的。
圖2和3示出了壓模的制造方法。根據(jù)圖2所示的制造壓模的方法，首先，在導(dǎo)電襯底21上形成抗蝕劑22，如圖2(a)所示。作為導(dǎo)電襯底，使用例如由銅、鎳或不銹鋼的金屬制成的襯底?；蛘?，可以使用其上濺鍍有如鈦或鉻的金屬材料的硅樹脂襯底。作為抗蝕劑，使用主要成分為聚甲基丙烯酸酯的樹脂材料，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或?qū)射線敏感或紫外線(UV)敏感的化學放大型樹脂材料?？刮g劑的厚度可以根據(jù)用于將要形成的壓模的柱形體的高度任意設(shè)定，可以是幾百微米。
接著，在抗蝕劑22上放置掩模23，然后通過掩模23用X射線24或紫外線輻照抗蝕劑。在優(yōu)選實施方式中，使用波長比紫外線(波長365nm左右)短的X射線(波長0.4nm)以便獲得具有高高寬比的壓模。此外，LIGA(Lithographie Galvanoformung Abformung)方法是有利的，該方法使用的是從同步加速器(下文稱為“SR”)發(fā)射的X射線，這種X射線具有比其他X射線更高的方向性，使得深度光刻成為可能，而且允許在亞微米尺度上以高精度制造大量的具有幾百μm高度的微結(jié)構(gòu)，由此其優(yōu)勢在于能夠提供用于厚的樹脂制成的薄膜的壓模。輻照X射線的實施方式被示為本實施方式。
掩模23由X射線吸收層23a制成，該吸收層23a是根據(jù)壓模和半透明基底23b的圖案形成的。將SiN、SiC、金剛石、鈦等用于半透明基底23b。此外，將諸如金、鎢或鉭、或其化合物的重金屬用于X射線吸收層23a。在導(dǎo)電襯底21上的抗蝕劑22例如是正性抗蝕劑的情況下，抗蝕劑22中的抗蝕劑22a被曝光并通過輻照X射線24而變性(分子鏈被切斷)，而抗蝕劑22b由于X射線吸收層23a而不被曝光。結(jié)果，顯影的結(jié)果是僅因為X射線24而變性的部分被除去，獲得了如圖2(b)所示的由抗蝕劑22b制成的樹脂模。
接著，執(zhí)行電鑄，從而在樹脂模上淀積金屬材料層，如圖2(c)所示。電鑄意味著利用金屬離子溶液在導(dǎo)電襯底上形成由金屬材料制成的層。使用導(dǎo)電襯底21作為供電部分執(zhí)行電鑄，因此能夠在樹脂模上淀積金屬材料層25。將鎳、銅、鐵、銠或其合金用作金屬材料，且優(yōu)選鎳或諸如鎳錳的鎳合金，因為這提高了壓模的抗腐蝕性。
電鑄之后，如圖2(d)所示，使用酸或堿執(zhí)行濕法蝕刻，或執(zhí)行機械加工，由此除去導(dǎo)電襯底21。接下來，在通過濕法蝕刻或等離子體灰化除去抗蝕劑22b后，就獲得了可用于根據(jù)本發(fā)明的方法的壓模，如圖2(e)所示。
盡管根據(jù)如圖2所示的制造方法，除去了導(dǎo)電襯底21(圖2(d))并制造了壓模，也可以不用除去導(dǎo)電襯底而制造壓模，如圖3所示。首先，如圖3(a)所示，在襯底31a上形成正性抗蝕劑32。接著，將掩模33放在抗蝕劑32上并以與上述相同的方式執(zhí)行光刻?？刮g劑32中的抗蝕劑32a被曝光并變性，而抗蝕劑32b未被曝光。結(jié)果，通過顯影獲得了如圖3(b)所示的樹脂32b做的樹脂模。
接著，如圖3(c)所示，在抗蝕劑32b的頂部上形成導(dǎo)電襯底31b，除去襯底31a(圖3(d))，執(zhí)行電鑄，且如圖3(e)所示，使用導(dǎo)電襯底31b作為鍍敷電極在樹脂模上淀積金屬材料層35。電鑄之后，如果需要，將該層拋光或刮削至預(yù)定厚度，然后，通過濕法蝕刻或等離子體灰化除去樹脂模，于是，獲得了如圖3(f)所示的壓模。在該壓模中，導(dǎo)電襯底被用作模具的支撐，因此，能夠節(jié)省形成支撐所需的電鑄時間。此外，該支撐是通過電鑄形成的，因此，內(nèi)部應(yīng)力在模具內(nèi)僅造成了微量的翹曲。
圖4示出了無需除去導(dǎo)電襯底而制造壓模的另一種方法。這種方法可以用于導(dǎo)電襯底的材料和電鑄形成的金屬材料層的材料品質(zhì)相近且導(dǎo)電襯底和金屬材料層之間的粘附力大的情況。首先，以和圖2所示的方法相同的方式執(zhí)行光刻(圖4(a))，使得樹脂42b做的樹脂模形成于導(dǎo)電襯底41上(圖4(b))。接著，執(zhí)行電鑄，從而在樹脂模上形成金屬材料層45a(圖4(c))，并將該層拋光或刮削以使其平坦(圖4(d))。最后，通過濕法蝕刻或等離子體灰化除去抗蝕劑42b，從而獲得具有導(dǎo)電襯底41的壓模，如圖4(e)所示。
可以根據(jù)如下方法形成壓模，該方法包括通過硅蝕刻或立體光刻(stereo lithography)形成非導(dǎo)電母板(master)的步驟；將非導(dǎo)電母板轉(zhuǎn)換成導(dǎo)電母板的步驟；通過電鑄在導(dǎo)電母板上形成金屬材料層的步驟；以及除去導(dǎo)電母板的步驟。
根據(jù)通過硅蝕刻形成非導(dǎo)電母板的方法，首先，通過等離子體CVD在硅襯底的表面上形成SiN膜。接著，在SiN膜上形成正性抗蝕劑。接下來，在抗蝕劑上放置掩模，并執(zhí)行光刻。通過曝光和顯影從抗蝕劑除去暴露的部分。接著，使用SF6氣體執(zhí)行干法蝕刻，從而構(gòu)圖SiN膜，然后，除去抗蝕劑，并使用KOH溶液執(zhí)行硅蝕刻，從而獲得非導(dǎo)電母板。之后，濺射諸如Pd的金屬材料以將非導(dǎo)電母板轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電母板，并在電鑄之后通過濕法蝕刻除去導(dǎo)電母板，于是，獲得了導(dǎo)電壓模。
根據(jù)通過立體光刻形成非導(dǎo)電母板的方法，首先，在微立體光刻設(shè)備中利用光束一層一層地固化液體形式的UV可固化樹脂(SCR701，由D-MEC公司等生產(chǎn))以便形成多層，于是，形成了非導(dǎo)電母板。接著，在非導(dǎo)電母板上濺鍍Pd等，于是將其轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電母板，在導(dǎo)電母板上執(zhí)行電鑄，通過濕法蝕刻或等離子體灰化除去導(dǎo)電母板，從而獲得導(dǎo)電壓模。
該壓?？梢酝ㄟ^劃線處理或切割處理制造。與使用光刻的方法不同，該方法不使用掩模，因此，能夠在短工藝中制造壓模。
該壓模可以根據(jù)如下方法形成，該方法包括通過劃線處理或切割處理形成導(dǎo)電母板的步驟；通過電鑄在導(dǎo)電母板上形成金屬材料層的步驟；以及除去導(dǎo)電母板的步驟。這樣的優(yōu)點在于與通過劃線處理或切割處理直接制造壓模的方法相比，從劃線處理或切割處理過的昂貴產(chǎn)品能夠獲得許多壓模。導(dǎo)電母板可以由例如銅或黃銅制作。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選處理方法，其中探測了壓模和面對的基底之間的距離。根據(jù)該處理方法，首先，如圖5(a)所示，將測量電容和電阻的設(shè)備，如LCR儀連接到導(dǎo)電壓模52和面對的基底53，并在導(dǎo)電壓模52和面對的基底53之間放置樹脂制成的薄膜51。接下來，如圖5(b)所示，在導(dǎo)電壓模52和面對的基底53之間加熱樹脂制成的薄膜51。之后，如圖5(c)所示，沿著箭頭方向向著壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加壓，因此形成了微結(jié)構(gòu)，如圖5(d)所示。根據(jù)本發(fā)明，在該處理方法中通過測量樹脂制成的薄膜的電容，探測壓模52和面對的基底53之間的距離?；蛘撸ㄟ^測量樹脂制成的薄膜的電阻，探測壓模52和面對的基底53之間的距離。
可以使用LCR儀(電抗電容電阻儀)測量電容和電阻。使用LCR儀測量放置樣品的冷凝器(condenser)的電容和電阻，可以在該頻率處估算復(fù)數(shù)介電常數(shù)。作為LCR儀，可以提到的是由Agilent Technologies公司制造的HP4284A，HP4284A能夠在20Hz到1MHz的范圍內(nèi)測量。
電容是存儲電能的能力，是用于表征在一定電勢差V下能夠存儲多少電荷Q的值。當在兩個導(dǎo)體之間插入絕緣體時，絕緣體吸收電能從而改變分子取向，因此，需要更多的電能來維持恒定的電勢差，于是，兩個導(dǎo)體之間的電容增大。當在兩個導(dǎo)體之間放置樹脂制成的薄膜(其是一絕緣體)并通過施壓將整體模制時，兩導(dǎo)體之間的距離逐漸變小，且兩導(dǎo)體之間的樹脂制成的薄膜的形態(tài)發(fā)生變化，因此，電容增大，如圖6中的曲線C所示。當導(dǎo)體之間的距離變得更小且在樹脂制成的薄膜中形成通孔時，兩個導(dǎo)體彼此接觸并導(dǎo)通，因此，電容降低。因此，即使在樹脂制成的薄膜厚度不一致的情況下，也能夠通過監(jiān)測兩個導(dǎo)體之間的電容來在線(in line)探測且控制兩個導(dǎo)體之間的距離以及以高精度形成通孔。因此，能夠以高再現(xiàn)性以制造總厚度以高精度被控制的微結(jié)構(gòu)。
此外，當通過加壓形成通孔后，樹脂制成的薄膜的電阻變?yōu)?，如圖6的曲線R所示，且兩個導(dǎo)體之間的距離變?yōu)?且兩者導(dǎo)通。因此，能夠通過監(jiān)測電阻找到兩個導(dǎo)體之間的距離變?yōu)?且形成通孔的時刻。此外，這可以與探測電容的系統(tǒng)一起使用，由此，能夠進一步提高探測精度。此外，這種探測設(shè)備非常廉價。
如圖5(a)所示，例如將導(dǎo)電壓模52和導(dǎo)電面對的基底53用作兩個導(dǎo)體，二者通過LCR儀連接，并測量樹脂制成的薄膜51(其為塑料薄膜)的電容和電阻，由此能夠探測導(dǎo)電壓模52和導(dǎo)電面對的基底53之間的距離以及樹脂制成的薄膜51的處理狀態(tài)。
此外，如圖7所示，在一實施方式中可能對樹脂制成的薄膜71，例如抗蝕劑進行微觀處理，在該實施方式中，將電路襯底74安裝在面對的基底73的頂部，將樹脂制成的薄膜71施加到電路襯底74，也就是說，在該實施方式中，提供面對的基底73，且電路襯底74在面對的基底73和樹脂制成的薄膜7 1之間。在該實施方式中，將電路襯底74的電路電極(未示出)和導(dǎo)電壓模72用作導(dǎo)體，二者通過LCR儀連接，并探測樹脂制成的薄膜71的電容和電阻，由此能夠發(fā)現(xiàn)導(dǎo)體之間的距離、壓模和面對的基底之間的距離以及處理狀態(tài)。此外，使用導(dǎo)電的面對的基底，使得導(dǎo)電壓模和導(dǎo)電的面對的基底通過LCR儀連接，由此能夠發(fā)現(xiàn)電路襯底上樹脂制成的薄膜的處理狀態(tài)。因此，面對的基底可以由金屬制作?；蛘撸梢詫⑻沾?、塑料或硅樹脂制作的面對的基底與電路襯底的電路電極一起使用。
(處理設(shè)備)本發(fā)明的處理設(shè)備的特征在于提供用于將樹脂制成的薄膜放置于壓模和面對的基底之間的裝置、用于將壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜加熱至不低于樹脂開始液化的溫度的溫度的裝置、以及用于通過向壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜施壓而形成通孔的裝置，該樹脂制成的薄膜的溫度不低于樹脂開始液化的溫度。在處理之前將樹脂制成的薄膜加熱至不低于樹脂開始液化的溫度的溫度，因此，能夠容易地在樹脂制成的薄膜中形成高度精確的超微觀通孔，且制造成本低。
在用于形成通孔的裝置中，在施壓時表面之內(nèi)的最大壓力差優(yōu)選不大于+/-10％，因為即使在表面內(nèi)集體加工大量微觀孔時，也難于產(chǎn)生非穿透孔，表面內(nèi)的最大壓力差更優(yōu)選被調(diào)節(jié)到不大于+/-5％。
用于形成通孔的裝置優(yōu)選為這樣的裝置其在形成通孔之后冷卻樹脂制成的薄膜以及壓模和面對的基底至少之一。在形成通孔之后，溫度不低于樹脂開始液化的溫度的部件得到冷卻，使得樹脂的固化加速，由此能夠提高處理吞吐量，且能夠?qū)崿F(xiàn)批量生產(chǎn)和成本降低。對于冷卻而言，可以使用使冷卻水通過面對的基底循環(huán)的裝置?；蛘?，可以用冷卻臺代替面對的基底下方的加熱臺，可以使用使冷卻臺與面對的基底接觸的裝置進行冷卻。
用于將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間的裝置、用于加熱樹脂制成的薄膜的裝置、以及用于在樹脂制成的薄膜中形成通孔的裝置優(yōu)選具有獨立的驅(qū)動系統(tǒng)。各裝置的驅(qū)動系統(tǒng)彼此分開，因此，能夠?qū)⒐に嚻陂g因重復(fù)操作而導(dǎo)致的各裝置間的位置偏移保持在最小值，且容易一直將表面內(nèi)的最大差控制在不大于+/-10％。如此放置處理設(shè)備中的X軸臺、Y軸臺和Z軸臺使其彼此不交疊，且能夠通過將這些臺彼此分開提高精度。
用于將樹脂制成的薄膜放置在壓模和面對的基底之間的裝置、用于加熱樹脂制成的薄膜的裝置、以及用于在樹脂制成的薄膜中形成通孔的裝置優(yōu)選被放置于真空室中。在真空中執(zhí)行處理，因此能夠防止樹脂制成的薄膜從面對的基底剝離，從而防止在樹脂制成的薄膜和面對的基底之間混有氣泡，使得在工藝中產(chǎn)生清潔的通孔成為可能。
優(yōu)選為本發(fā)明的處理設(shè)備提供用于通過測量樹脂制成的薄膜的電容而探測導(dǎo)電壓模和面對的基底之間的距離的裝置。此外，優(yōu)選為本發(fā)明的處理設(shè)備提供通過樹脂制成的薄膜的電阻而探測導(dǎo)電壓模和面對的基底之間的距離的裝置。在這種處理設(shè)備中，能夠在線以高精度探測導(dǎo)電壓模和面對的基底之間的距離以及處理狀態(tài)，因此，能夠容易地制造其厚度以高精度調(diào)節(jié)的微結(jié)構(gòu)以及其中形成有通孔的微結(jié)構(gòu)，且制造成本低廉。
(實例1)本實例中所用的壓模是根據(jù)圖4所示的方法制造的。首先，在厚度為5mm、直徑為3英寸的鎳襯底上用丙烯酸樹脂形成厚度為60μm的抗蝕劑42，該鎳襯底為導(dǎo)電襯底41，并在抗蝕劑42上放置掩模43，從而通過掩模43輻照X射線44(Fig.4(a))。在掩模43中，以縱橫50μm的間距生成25μm×25μm的半透明區(qū)域，半透明基底43b由厚度為2μm的氮化硅制成，且X射線吸收層43b由厚度為3μm的氮化鎢制作，將這樣的掩模用作掩模43。此外，將SR用作X射線44，在50mm×50mm的區(qū)域中執(zhí)行光刻。
接著，使用甲基異丙酮顯影襯底，隨后是使用異丙醇的沖洗處理，之后，用純水清洗，然后從抗蝕劑42僅除去暴露的抗蝕劑42a，獲得如圖4(b)所示的由抗蝕劑42b制成的樹脂模。接著，執(zhí)行電鑄，在樹脂模上淀積金屬材料層45a，如圖4(c)所示。通過將樹脂模浸入鎳氨基磺酸鹽電鍍浴中執(zhí)行電鑄，從而以凸起于樹脂模頂部上方的方式淀積金屬材料層45a。
如圖4(d)所示，在電鑄之后，通過拋光至50μm的厚度將金屬材料層平坦化，隨后，使用氧等離子體執(zhí)行灰化，以便除去抗蝕劑42b，于是獲得了如圖4(e)所示的壓模。在該壓模中，寬度25μm×長度25μm ×高度50μm的棱柱45b以50μm間距密集佇立在50mm×50mm的區(qū)域中，每個棱柱具有向外的傾角0.1°。
接著，如圖5(a)所示，向Cu襯底(其為面對的基底53)涂布熱塑性聚酰亞胺(由Mitsui Chemicals公司制造的Aurum)并干燥，以形成厚度為30μm的樹脂薄膜51。隨后，將LCR儀連接到根據(jù)LIGA方法由Ni制造的上述壓模52以及面對的基底53，之后，將壓模52放置在樹脂制成的薄膜51上，并將樹脂制成的薄膜51加熱到260℃，該溫度不低于熱塑性聚酰亞胺開始液化的溫度(大約245℃)(圖5(b))。使用直接安裝于面對的基底53下方的加熱器(未示出)加熱樹脂制成的薄膜51。之后，向壓模52和面對的基底53之間的樹脂制成的薄膜51施加10Mpa的壓力，同時監(jiān)測樹脂制成的薄膜51的電容和電阻，從而形成通孔(圖5(c))，冷卻之后，除去壓模52和面對的基底53，于是獲得了具有通孔的微結(jié)構(gòu)(圖5(d))。
將Agilent Technology制造的4284A用作LCR儀(在后面的實例中也是同樣的設(shè)備)，在1V電壓和1kHz頻率下測量并監(jiān)測電容和電阻。結(jié)果表現(xiàn)出如圖6所示的趨勢，其中在施壓之前電容C為1.5μF(導(dǎo)體之間的距離30μm)，在兩個導(dǎo)體、壓模和面對的基底被放置在樹脂制成的薄膜上并隨著所加的壓力而逐漸增大，當導(dǎo)體間的距離為1μn時達到最大值20μF，之后，在形成通孔時(導(dǎo)體間距離0μm)突然降至0μF。因此發(fā)現(xiàn)能夠探測導(dǎo)體之間的距離，且能夠通過測量電容來調(diào)整樹脂制成的薄膜的總厚度。
同時，在加壓之前樹脂制成的薄膜的電阻為∞Ω，之后在形成通孔的時候(導(dǎo)體間距離0μm)突然降低到0Ω。因此，發(fā)現(xiàn)通過測量電阻能夠預(yù)測導(dǎo)體間距離變?yōu)?且形成通孔的時刻。通孔具有寬度25μm×長度25μm×深度50μm，間距為50μm。此外，處理中的精度為+/-1μm，發(fā)現(xiàn)能夠以非常高的精度執(zhí)行該處理。
(實例2)如圖5(a)所示，在作為面對的基底53的銅制襯底上放置厚度為30μm的聚碳酸酯膜(FS-1650，Sumitomo Bakelite Co.，Ltd.制造)作為樹脂制成的薄膜51。接著，通過劃線制作硬金屬制成的壓模，其中密集佇立著寬度50μm×長度50μm×高度100μm的棱柱，并將LCR儀連接到所制成的壓模52和面對的基底53，之后，將壓模52放置在樹脂制成的薄膜51上。隨后，將樹脂制成的薄膜51加熱至160℃，該溫度不低于聚碳酸酯樹脂制成的薄膜51開始液化的溫度(大約145℃)(圖5(b))。使用直接安裝在面對的基底53下方的加熱器加熱樹脂制成的薄膜51。之后，向壓模52和面對的基底53之間的樹脂制成的薄膜51施加10Mpa的壓力，同時監(jiān)測樹脂制成的薄膜的電容和電阻，從而形成通孔(圖5(c))，冷卻之后，除去壓模52和面對的基底53，于是獲得了具有通孔的微結(jié)構(gòu)(圖5(d))。
使用LCR儀在1V電壓和1kHz頻率下測量和監(jiān)測電容和電阻。結(jié)果表現(xiàn)出如圖6所示的趨勢，其中在加壓之前(導(dǎo)體之間的距離30μm)電容C為1.3μF，在兩個導(dǎo)體、壓模和面對的基底被放置在樹脂制成的薄膜上之后并隨所施加的壓力而逐漸增大，電容C達到最大值17μF，此時導(dǎo)體間的距離為1μm，之后，當形成通孔的時候(導(dǎo)體間的距離0μm)突然減小至0μF。因此，發(fā)現(xiàn)能夠知道導(dǎo)體之間的距離，且能夠通過探測電容來調(diào)節(jié)樹脂制成的薄膜的總厚度。
同時，在施加壓力之前樹脂制成的薄膜的電阻R為∞Ω，之后，在形成通孔的時候(導(dǎo)體間的距離0μm)突然降至0Ω。因此，發(fā)現(xiàn)能夠通過測量電阻預(yù)測導(dǎo)體間的距離變?yōu)?且形成通孔的時刻。通孔具有寬度50μm×長度50μm×深度60μm。此外，處理中的精度為+/-2μm。
(實例3)將厚度為30μm的聚碳酸酯膜(FS-1650，由Sumitomo Bakelite Co.，Ltd.制造)作為樹脂制成的薄膜放置在作為面對的基底的維氏硬度為1800的氮化鋁襯底上。接著，通過劃線由氧化鋯制造的壓模，其中密集佇立著寬度50μm×長度50μm×高度100μm的棱柱，并將所制造的壓模放置在樹脂制成的薄膜上。
該壓模的維氏硬度為1200。隨后，將樹脂制成的薄膜加熱至160℃，該溫度不低于聚碳酸酯樹脂薄膜開始液化的溫度(大約145℃)。使用直接安裝在面對的基底下方的加熱器加熱樹脂制成的薄膜。之后，向壓模和面對的基底之間的樹脂制成的薄膜施加10Mpa的壓力，從而形成通孔。所形成的通孔具有寬度50μm×長度50μm×深度60μm，而且在處理的時候在壓模和面對的基底上的損傷或變形都沒有出現(xiàn)。
(實例4)以和實例3中相同的方式來加工薄膜，除了使用由維氏硬度為600的硬金屬制造的壓模代替由維氏硬度為1200的氧化鋯制造的壓模。結(jié)果，形成了寬度50μm×長度50μm×深度60μm的通孔，而且在處理期間在壓模和面對的基底上損傷和變形都沒有出現(xiàn)。
這里披露的實例在所有方面都是示意性的，不應(yīng)被看成限制性的。本發(fā)明的范圍不由上述描述界定，而是由權(quán)利要求界定，而且意在包括與權(quán)利要求等同的含義和范圍內(nèi)所有的修改。
工業(yè)實用性能夠以低成本提供具有高性能的微結(jié)構(gòu)，例如噴墨打印機的噴嘴、醫(yī)療噴霧嘴、超微觀過濾器的精密過濾器、微透鏡或高密度印刷電路板。
權(quán)利要求
1.一種用于樹脂制成的薄膜的處理方法，根據(jù)該方法，在樹脂制成的薄膜(1)中形成微觀通孔，其特征在于包括如下步驟將樹脂制成的薄膜(1)放置于壓模(2)和面對的基底(3)之間；將壓模(2)和面對的基底(3)之間的所述樹脂制成的薄膜(1)加熱至不低于所述樹脂開始液化的溫度的溫度；以及在不低于所述樹脂開始液化的溫度的溫度下向所述樹脂制成的薄膜(1)加壓，從而形成通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述壓模(2)由金屬或陶瓷制成，且所述面對的基底(3)由金屬、陶瓷、塑料或硅樹脂制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述壓模(2)具有不低于400的維氏硬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述壓模(2)是根據(jù)包括如下步驟的方法制造的通過光刻形成樹脂模；通過電鑄在導(dǎo)電襯底上的所述樹脂模上形成由金屬材料制成的層；以及除去所述樹脂模。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述壓模(2)是根據(jù)劃線處理制造的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述壓模(2)是根據(jù)切割處理制造的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述面對的基底(3)由選自氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅和碳化鎢的材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述面對的基底(3)的楊氏模量在所述加熱處理的時候不小于0.1Gpa且不大于300Gpa。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述面對的基底(3)的維氏硬度不小于所述壓模(2)的維氏硬度的0.5倍且不大于所述壓模(2)的維氏硬度的3.0倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中將樹脂制成的薄膜(1)放置在壓模(2)和面對的基底(3)之間的所述步驟包括如下步驟將所述樹脂制成的薄膜(1)固定在所述面對的基底(3)上；以及將所述壓模(2)放置在所述固定的樹脂制成的薄膜(1)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述形成通孔的步驟包括在形成通孔后用新基底更換用過的所述面對的基底(3)的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述樹脂制成的薄膜(1)和/或所述面對的基底(3)是從卷軸供應(yīng)的且繞卷軸纏繞。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中始于放置樹脂制成的薄膜(1)的步驟，到加熱步驟，直到形成通孔的一系列步驟是在真空中執(zhí)行的。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于通過測量所述樹脂制成的薄膜(1)的電容來探測所述導(dǎo)電壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理方法，其中所述面對的基底(3)是導(dǎo)電的。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理方法，其中所述面對的基底(73)包括所述面對的基底(73)和所述樹脂制成的薄膜(71)之間的電路襯底(74)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于通過測量所述樹脂制成的薄膜(1)的電阻來探測所述導(dǎo)電壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的處理方法，其中所述面對的基底(3)是導(dǎo)電的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的處理方法，其中所述面對的基底(73)包括所述面對的基底(73)和所述樹脂制成的薄膜(71)之間的電路襯底(74)。
20.一種用于在樹脂制成的薄膜(1)中形成微觀通孔的處理設(shè)備，其特征在于包括用于將樹脂制成的薄膜(1)放置在壓模(2)和面對的基底(3)之間的裝置；用于將所述壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的所述樹脂制成的薄膜(1)加熱至不低于所述樹脂開始液化的溫度的溫度的裝置；以及用于通過向所述壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的樹脂制成的薄膜(1)施壓而形成通孔的裝置，所述樹脂制成的薄膜(1)處于不低于所述樹脂開始液化的溫度的溫度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理設(shè)備，其中在所述形成通孔的裝置中，在所述施壓的時候在所述表面內(nèi)最大壓力差不大于+/-10％。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理設(shè)備，其中所述用于形成通孔的裝置具有用于在形成通孔之后冷卻所述樹脂制成的薄膜(1)、所述壓模(2)和所述面對的基底(3)至少之一的裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理設(shè)備，其中將所述用于放置所述樹脂制成的薄膜(1)的裝置、所述用于加熱所述樹脂制成的薄膜(1)的裝置以及所述用于在所述樹脂制成的薄膜(1)中形成通孔的裝置放置在真空室中。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理設(shè)備，其特征在于還包括用于通過測量所述樹脂制成的薄膜(1)的電容來探測所述導(dǎo)電壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的距離的裝置。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理設(shè)備，其特征在于還包括用于通過測量所述樹脂制成的薄膜(1)的電阻來探測所述導(dǎo)電壓模(2)和所述面對的基底(3)之間的距離的裝置。
26.一種依照根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的微結(jié)構(gòu)，其特征在于該微結(jié)構(gòu)為醫(yī)療噴霧嘴。
27.一種依照根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的微結(jié)構(gòu)，其特征在于該微結(jié)構(gòu)為噴墨打印機的噴嘴。
28.一種依照根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的微結(jié)構(gòu)，其特征在于該微結(jié)構(gòu)為高密度印刷電路板上的微觀電路。
29.一種依照根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的微結(jié)構(gòu)，其特征在于該微結(jié)構(gòu)為俘獲細胞的過濾器。
30.一種依照根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的微結(jié)構(gòu)，其特征在于該微結(jié)構(gòu)為超微觀填料的過濾器。
全文摘要
一種處理方法，通過該方法能夠容易地形成高精度精細結(jié)構(gòu)，且該方法能夠獲致低生產(chǎn)成本。該方法的特征在于包括將樹脂制成的薄膜(1)設(shè)置于模具(2)和面對的基底(3)之間的步驟；將模具(2)和面對的基底(3)之間的樹脂薄膜(1)加熱至不低于液化初始溫度的溫度的步驟；以及在模具(2)和面對的基底(3)之間加壓具有不低于液化初始溫度的溫度的樹脂薄膜(1)以在其中形成通孔的步驟。
文檔編號B29C33/38GK1988998SQ20058002502
公開日2007年6月27日 申請日期2005年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月22日
發(fā)明者依田潤, 平田嘉裕 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社