本發(fā)明涉及原盤的制造方法、轉(zhuǎn)印物以及復(fù)制原盤。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，作為微細(xì)加工技術(shù)之一，正在進(jìn)行納米壓印技術(shù)的開(kāi)發(fā)，所述納米壓印技術(shù)為，通過(guò)將在表面形成有微細(xì)圖案的平板狀或圓柱形的原盤向樹(shù)脂片等按壓，從而將原盤上的微細(xì)圖案轉(zhuǎn)印至樹(shù)脂片等上的技術(shù)。例如，下述專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了如下技術(shù)：通過(guò)利用激光進(jìn)行的光刻，在圓柱形原盤的外周面形成凹凸結(jié)構(gòu)(所謂的蛾眼結(jié)構(gòu))，所述凹凸結(jié)構(gòu)具有屬于可見(jiàn)光波段的波長(zhǎng)以下的凹凸周期。另外，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了使用納米壓印技術(shù)將形成于圓柱形原盤的外周面的蛾眼結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至樹(shù)脂片上的技術(shù)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009‐258751號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，在上述專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的技術(shù)中，存在無(wú)法任意地控制對(duì)原盤照射的激光的照射定時(shí)這樣的問(wèn)題。因此，對(duì)于專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的原盤的制造方法，僅能夠在原盤上形成具有周期性的單純圖案的凹凸結(jié)構(gòu)，而無(wú)法在原盤上形成任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)。對(duì)此，本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠在原盤上形成任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的、新穎且經(jīng)改良的原盤的制造方法、通過(guò)該制造方法制造的原盤的轉(zhuǎn)印物、將該轉(zhuǎn)印物進(jìn)一步轉(zhuǎn)印而得到的復(fù)制原盤以及該復(fù)制原盤的轉(zhuǎn)印物。用于解決問(wèn)題的手段為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供如下一種原盤的制造方法，其包括以下步驟：在圓筒或圓柱形的基材的外周面形成薄膜層的步驟；基于描畫有對(duì)象物的輸入圖像，生成與所述對(duì)象物對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)的步驟；基于所述控制信號(hào)對(duì)所述薄膜層照射激光，在所述薄膜層形成與所述對(duì)象物對(duì)應(yīng)的薄膜圖案的步驟；以及將形成有所述薄膜圖案的所述薄膜層用于掩模，在所述基材的所述外周面形成與所述對(duì)象物對(duì)應(yīng)的圖案的步驟。優(yōu)選將所述輸入圖像分割成多個(gè)小區(qū)域，根據(jù)所述小區(qū)域各自是否含有所述對(duì)象物來(lái)決定是否對(duì)所述小區(qū)域照射所述激光，基于該決定結(jié)果生成所述控制信號(hào)。優(yōu)選所述小區(qū)域的尺寸小于所述激光的光斑的尺寸。優(yōu)選在所述薄膜層形成所述薄膜圖案的步驟中，以所述基材的中心軸作為旋轉(zhuǎn)軸使所述基材旋轉(zhuǎn)，同時(shí)對(duì)所述基材照射所述激光。優(yōu)選生成所述控制信號(hào)以使其與控制所述基材旋轉(zhuǎn)的信號(hào)同步。優(yōu)選所述激光的光源為半導(dǎo)體激光器，并且通過(guò)熱光刻在所述薄膜層形成所述薄膜圖案。優(yōu)選所述薄膜層包含形成于所述外周面的中間層和形成于所述中間層上的抗蝕劑層，在所述薄膜層形成所述薄膜圖案的步驟包括：通過(guò)對(duì)所述抗蝕劑層進(jìn)行顯影而在所述抗蝕劑層形成所述薄膜圖案的步驟，以及將所述抗蝕劑層作為掩模而對(duì)所述中間層進(jìn)行蝕刻的步驟。優(yōu)選所述中間層的蝕刻速率比所述抗蝕劑層的蝕刻速率快，所述中間層的蝕刻速率比所述基材的蝕刻速率慢。優(yōu)選所述中間層的導(dǎo)熱率為200W/(m·K)以下。優(yōu)選所述激光對(duì)直接形成在所述基材上的所述抗蝕劑層的反射率、與所述激光對(duì)隔著所述中間層而形成在所述基材上的所述抗蝕劑層的反射率之差是5％以下。優(yōu)選所述抗蝕劑層包含金屬氧化物。優(yōu)選所述中間層包含類金剛石(diamond‐likecarbon)。另外，為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，提供一種轉(zhuǎn)印有通過(guò)上述制造方法制造的原盤的圖案的轉(zhuǎn)印物。另外，為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的又一觀點(diǎn)，提供一種轉(zhuǎn)印有上述轉(zhuǎn)印物的圖案的復(fù)制原盤。另外，為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的又一觀點(diǎn)，提供一種轉(zhuǎn)印有上述復(fù)制原盤的圖案的轉(zhuǎn)印物。根據(jù)本發(fā)明，能夠任意地控制為了形成圖案而對(duì)原盤照射的激光的照射定時(shí)。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于能夠任意地控制激光的照射，因而能夠在原盤上形成任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)。附圖說(shuō)明圖1是示意性地表示通過(guò)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤的立體圖。圖2是對(duì)用于利用通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤來(lái)制造轉(zhuǎn)印物的轉(zhuǎn)印裝置進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。圖3A是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法的各工序的截面圖。圖3B是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法的各工序的截面圖。圖3C是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法的各工序的截面圖。圖3D是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法的各工序的截面圖。圖4是說(shuō)明在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的概要的說(shuō)明圖。圖5是表示格式化器的功能構(gòu)成的框圖。圖6是說(shuō)明對(duì)描畫有對(duì)象物的輸入圖像進(jìn)行小區(qū)域分割的說(shuō)明圖。圖7是說(shuō)明將描繪數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成控制信號(hào)的方法的說(shuō)明圖。圖8A是表示在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的構(gòu)成例的說(shuō)明圖。圖8B是表示在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的另一構(gòu)成例的說(shuō)明圖。圖9A是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。圖9B是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。圖9C是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。圖9D是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。圖9E是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。圖10是試驗(yàn)例1、3以及參考例所涉及的試驗(yàn)片的反射率的計(jì)算結(jié)果。圖11的(A)和(B)是實(shí)施例1所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物的SEM觀察結(jié)果。圖12的(A)和(B)是實(shí)施例2所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物的SEM觀察結(jié)果。圖13A是說(shuō)明在比較例1所涉及的原盤上形成的圖案的說(shuō)明圖。圖13B為示意性地表示將在比較例1所涉及的原盤上形成的圖案沿著基材厚度方向切割時(shí)的截面的截面圖。圖14是表示單晶金剛石工具的加工距離與距目標(biāo)深度的變化量的關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書和附圖中，對(duì)于本質(zhì)上具有相同的功能構(gòu)成的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，從而省略重復(fù)說(shuō)明。＜1.關(guān)于原盤以及利用原盤得到的轉(zhuǎn)印物＞首先，參照?qǐng)D1和圖2，對(duì)于通過(guò)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤、以及利用該原盤得到的轉(zhuǎn)印物進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示意性地表示通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤的立體圖。如圖1所示，通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤1包括在外周面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)13的基材11?；?1為例如圓筒形的構(gòu)件。然而，基材11的形狀可以是如圖1所示那樣的在內(nèi)部具有空洞的中空的圓筒形狀，也可以是在內(nèi)部不具有空洞的實(shí)心的圓柱形狀。此外，基材11的材料沒(méi)有特別限定，可以使用熔融石英玻璃或者合成石英玻璃等石英玻璃(SiO2)，或者不銹鋼等金屬?；?1的尺寸沒(méi)有特別限制，例如，軸向的長(zhǎng)度可以是100mm以上，外徑可以是50mm以上且300mm以下，厚度可以是2mm以上且50mm以下。凹凸結(jié)構(gòu)13以任意形狀形成于基材11的外周面。例如，凹凸結(jié)構(gòu)13的形狀可以是圓或橢圓等包含曲線的圖形、三角形或四角形等多邊形、直線或曲線、或者文字等。在此，凹凸結(jié)構(gòu)13的形狀是指，將凹凸結(jié)構(gòu)13投影至與基材11的中心軸平行的平面時(shí)，因該凹凸結(jié)構(gòu)13而在投影面上描繪出的圖形的形狀的意思。即，凹凸結(jié)構(gòu)13的形狀是指凹凸結(jié)構(gòu)13的俯視形狀的意思。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的原盤1的制造方法，能夠?qū)⒒?1的外周面的凹凸結(jié)構(gòu)13以任意形狀形成。對(duì)于這樣的本實(shí)施方式所涉及的原盤1的制造方法的詳細(xì)內(nèi)容，在以下＜2.本實(shí)施方式所涉及的原盤的制造方法＞中說(shuō)明。在此，原盤1在卷對(duì)卷(roll‐to‐roll)方式的納米壓印轉(zhuǎn)印裝置中使用，是用于制造轉(zhuǎn)印有凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物的原盤。例如，原盤1可以通過(guò)圖2所示的轉(zhuǎn)印裝置6而制造轉(zhuǎn)印有形成于外周面的凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物。以下，參照?qǐng)D2說(shuō)明使用原盤1的轉(zhuǎn)印物的制造方法。圖2是說(shuō)明使用通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤來(lái)制造轉(zhuǎn)印物的轉(zhuǎn)印裝置的說(shuō)明圖。如圖2所示，轉(zhuǎn)印裝置6具備：原盤1、基材供給輥51、卷取輥52、導(dǎo)輥53、54、壓輥55、剝離輥56、涂布裝置57以及光源58?；墓┙o輥51是將片形態(tài)的被轉(zhuǎn)印物61卷繞為卷狀的輥，卷取輥52是卷取層疊有轉(zhuǎn)印了凹凸結(jié)構(gòu)13的樹(shù)脂層62的被轉(zhuǎn)印物61的輥。另外，導(dǎo)輥53、54是運(yùn)輸被轉(zhuǎn)印物61的輥。壓輥55是使層疊有樹(shù)脂層62的被轉(zhuǎn)印物61與圓筒形的原盤1密合的輥，剝離輥56是在凹凸結(jié)構(gòu)13被轉(zhuǎn)印至樹(shù)脂層62后，將層疊有樹(shù)脂層62的被轉(zhuǎn)印物61從原盤1剝離的輥。涂布裝置57具備涂布機(jī)等涂布單元，將光固化樹(shù)脂組合物涂布于被轉(zhuǎn)印物61上，形成樹(shù)脂層62。涂布裝置57可以是例如凹版涂布機(jī)、線棒涂布機(jī)或模具涂布機(jī)等。另外，光源58是發(fā)射能夠使光固化樹(shù)脂組合物固化的波長(zhǎng)的光的光源，例如可以是紫外線燈等。需要說(shuō)明的是，光固化性樹(shù)脂組合物是通過(guò)被照射規(guī)定波長(zhǎng)的光而流動(dòng)性降低，進(jìn)行固化的樹(shù)脂。具體而言，光固化性樹(shù)脂組合物可以是丙烯酸樹(shù)脂丙烯酸酯等紫外線固化樹(shù)脂。另外，光固化性樹(shù)脂組合物可以根據(jù)需要含有引發(fā)劑、填料、功能性添加劑、溶劑、無(wú)機(jī)材料、顏料、抗靜電劑或者敏化色素等。轉(zhuǎn)印裝置6中，首先，從基材供給輥51通過(guò)導(dǎo)輥53連續(xù)送出被轉(zhuǎn)印物61。通過(guò)涂布裝置57對(duì)所送出的被轉(zhuǎn)印物61涂布光固化樹(shù)脂組合物，在被轉(zhuǎn)印物61上層疊樹(shù)脂層62。此外，層疊有樹(shù)脂層62的被轉(zhuǎn)印物61通過(guò)壓輥55與原盤1密合。由此，形成于原盤1的外周面的凹凸結(jié)構(gòu)13被轉(zhuǎn)印至樹(shù)脂層62。凹凸結(jié)構(gòu)13被轉(zhuǎn)印后，樹(shù)脂層62通過(guò)來(lái)自光源58的光照射而進(jìn)行固化。接著，層疊有固化了的樹(shù)脂層62的被轉(zhuǎn)印物61通過(guò)剝離輥56從原盤1上剝離，通過(guò)導(dǎo)輥54，由卷取輥52卷取。這樣的轉(zhuǎn)印裝置6能夠連續(xù)制造轉(zhuǎn)印有形成于原盤1的凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物。另外，還可以將轉(zhuǎn)印有形成于原盤1的凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物進(jìn)一步轉(zhuǎn)印，制造復(fù)制原盤。復(fù)制原盤相對(duì)于原盤1，其凹凸結(jié)構(gòu)13的凹部與凸部的位置(所謂的、圖案的調(diào)性)一致，能夠作為原盤1的復(fù)造原盤使用。此外，還可以將復(fù)制原盤進(jìn)一步轉(zhuǎn)印，制造在表面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物(即，從原盤1將凹凸結(jié)構(gòu)13轉(zhuǎn)印3次而得到的轉(zhuǎn)印物)。如上所述，通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤1具有形成有凹凸結(jié)構(gòu)13的外周面，所述凹凸結(jié)構(gòu)13具有任意形狀，能夠連續(xù)制造轉(zhuǎn)印有凹凸結(jié)構(gòu)13的轉(zhuǎn)印物。＜2.關(guān)于原盤的制造方法＞接著，針對(duì)上述說(shuō)明的本實(shí)施方式所涉及的原盤1的制造方法，分為第一制造方法和第二制造方法來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。[2.1.第一制造方法]首先，參照?qǐng)D3A～圖8B說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法。具體而言，第一制造方法是，在基材11的外周面上形成抗蝕劑層15(薄膜層)。接著，基于描畫有對(duì)象物的輸入圖像，生成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)。接著，激光基于該控制信號(hào)而照射至抗蝕劑層15，從而在抗蝕劑層15上形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案。接著，通過(guò)使用該抗蝕劑層15作為掩模，從而在基材11上形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)13。在此，“對(duì)象物”表示輸入圖像中所描畫的任意圖形等。對(duì)象物可以是例如圓或橢圓等包含曲線的圖形、三角形或四邊形等多邊形、直線或曲線、或者文字等。(第一制造方法的概要)以下，參照?qǐng)D3A～圖3D，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法進(jìn)行具體說(shuō)明。圖3A～圖3D是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法的各工序的截面圖。需要說(shuō)明的是，圖3A～圖3D示意性地表示將基材11沿著厚度方向切割時(shí)的截面形狀。首先，如圖3A所示，例如，在石英玻璃等基材11上成膜抗蝕劑層15。在此，抗蝕劑層15可以使用有機(jī)系抗蝕劑或者無(wú)機(jī)系抗蝕劑的任一種。作為有機(jī)系抗蝕劑，例如，可以使用酚醛清漆系抗蝕劑或者化學(xué)放大型抗蝕劑等。另外，作為無(wú)機(jī)系抗蝕劑，可以使用例如包括鎢或鉬等一種或兩種以上過(guò)渡金屬的金屬氧化物。需要說(shuō)明的是，為了對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行熱光刻，優(yōu)選使用包含金屬氧化物的熱反應(yīng)型抗蝕劑。在抗蝕劑層15使用有機(jī)系抗蝕劑的情況下，抗蝕劑層15可以使用旋涂、狹縫涂布、浸漬涂布、噴涂或者絲網(wǎng)印刷等來(lái)進(jìn)行成膜。另外，在抗蝕劑層15使用無(wú)機(jī)系抗蝕劑的情況下，抗蝕劑層15可以通過(guò)采用濺射法來(lái)進(jìn)行成膜。接著，如圖3B所示，利用曝光裝置對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行曝光，在抗蝕劑層15形成潛影15A。具體而言，對(duì)抗蝕劑層15照射激光20，通過(guò)使照射了激光20的抗蝕劑層15的部位改性，從而在抗蝕劑層15形成潛影15A。在此，曝光裝置基于描畫有對(duì)象物的輸入圖像，生成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，通過(guò)該控制信號(hào)來(lái)控制激光20照射基材11。由此，曝光裝置向抗蝕劑層15上的與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的位置照射激光20，能夠使與該對(duì)象物對(duì)應(yīng)的位置的抗蝕劑層15改性。需要說(shuō)明的是，關(guān)于曝光裝置基于輸入圖像而生成控制信號(hào)時(shí)的具體處理，將在后闡述。接著，如圖3C所示，在形成有潛影15A的抗蝕劑層15上滴加顯影液，將抗蝕劑層15顯影。由此，在抗蝕劑層15形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案。需要說(shuō)明的是，在抗蝕劑層15為正型抗蝕劑的情況下，用激光20進(jìn)行曝光的曝光部與非曝光部相比，由于在顯影液中的溶解速度增加，因此通過(guò)顯影處理而被除去。由此，在抗蝕劑層15形成除去了潛影15A的抗蝕劑圖案。另一方面，在抗蝕劑層15為負(fù)型抗蝕劑的情況下，用激光20進(jìn)行曝光的曝光部與非曝光部相比，由于在顯影液中的溶解速度降低，因此非曝光部通過(guò)顯影處理而被除去。由此，在抗蝕劑層15形成殘留有潛影15A的抗蝕劑圖案。接著，如圖3D所示，將在前一工序中，形成了與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案的抗蝕劑層15用作為掩模，對(duì)基材11進(jìn)行蝕刻。由此，在基材11上形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)13。即，凹凸結(jié)構(gòu)13的俯視形狀與對(duì)象物的形狀一致。需要說(shuō)明的是，對(duì)基材11進(jìn)行的蝕刻，可以使用干式蝕刻或濕式蝕刻的任一種。例如，在基材11的材質(zhì)為石英玻璃(SiO2)的情況下，通過(guò)利用采用氟化碳系氣體的干式蝕刻或采用氫氟酸等的濕式蝕刻，能夠?qū)?1進(jìn)行蝕刻。(曝光裝置的構(gòu)成)接著，參照?qǐng)D4～圖8B，對(duì)于在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。圖4是說(shuō)明在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的概要的說(shuō)明圖。如圖4所示，在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置2具備激光光源21和格式化器40。激光光源21為發(fā)射激光20的光源，例如，是固體激光器或者半導(dǎo)體激光器等。激光光源21所發(fā)射的激光20的波長(zhǎng)沒(méi)有特別限定，例如可以是400nm～500nm的藍(lán)色光波段的波長(zhǎng)。格式化器40基于描畫有對(duì)象物的輸入圖像來(lái)生成用于對(duì)基材11照射激光20的控制信號(hào)。例如，格式化器40可以通過(guò)生成用于僅對(duì)抗蝕劑層15上與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的位置照射激光20的控制信號(hào)，從而在基材11上的抗蝕劑層15形成與任意的對(duì)象物對(duì)應(yīng)的潛影15A。需要說(shuō)明的是，格式化器40可以通過(guò)控制激光20的發(fā)光來(lái)控制激光20照射基材11，也可以通過(guò)控制照射位置以避免激光20照射基材11，從而控制激光20照射基材11。曝光裝置2對(duì)基材11的抗蝕劑層15照射激光20，使抗蝕劑層15改性而形成潛影15A。具體而言，曝光裝置2將激光20沿著一個(gè)方向(R方向)對(duì)以中心軸為旋轉(zhuǎn)軸并以恒定速度旋轉(zhuǎn)的圓筒形基材11以恒定速度掃描的同時(shí)進(jìn)行照射，在抗蝕劑層15整體形成潛影15A。即，曝光裝置2以螺旋狀對(duì)基材11的抗蝕劑層15進(jìn)行曝光。這樣的曝光裝置2通過(guò)基于格式化器40所生成的控制信號(hào)來(lái)控制激光20照射基材11，從而能夠在抗蝕劑層15形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的潛影15A。(格式化器的構(gòu)成)接著，參照?qǐng)D5對(duì)于生成激光20照射的控制信號(hào)的格式化器40的功能構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示格式化器40的功能構(gòu)成的框圖。如圖5所示，格式化器40具備：輸入圖像獲取部401、小區(qū)域分割部403、信號(hào)生成部405以及時(shí)鐘信號(hào)生成部407。輸入圖像獲取部401獲取描畫有對(duì)象物的輸入圖像。例如，描畫有對(duì)象物的輸入圖像是相當(dāng)于沿著基材11的軸向切開(kāi)基材11的外周面并將其展開(kāi)成一個(gè)平面而得到的展開(kāi)圖的圖像。另外，在輸入圖像中描畫的對(duì)象物的形狀可以是例如圓或者橢圓等包含曲線的圖形、三角形或者四角形等多邊形、直線或者曲線、或者文字等任意形狀。小區(qū)域分割部403將通過(guò)輸入圖像獲取部401獲取的輸入圖像分割成規(guī)定尺寸的小區(qū)域，判斷各小區(qū)域是否包含對(duì)象物。具體而言，小區(qū)域分割部403通過(guò)分別沿著與基材11的軸向?qū)?yīng)的方向、以及與基材11的周向?qū)?yīng)的方向以規(guī)定的間隔分割輸入圖像，從而將輸入圖像分割成格子狀的小區(qū)域。需要說(shuō)明的是，沿著與基材11的軸向?qū)?yīng)的方向分割的間隔和沿著與基材11的周向?qū)?yīng)的方向分割的間隔既可以相同也可以不同。進(jìn)而，小區(qū)域分割部403判斷分割得到的各小區(qū)域是否包含所輸入的對(duì)象物。在此，分割得到的小區(qū)域的尺寸優(yōu)選小于激光20的光斑的尺寸。根據(jù)該構(gòu)成，能夠?qū)⑼ㄟ^(guò)所照射的激光20而形成的潛影15A以相鄰的小區(qū)域彼此無(wú)間隙的方式重疊。即，曝光裝置2通過(guò)將激光20的光斑重疊，從而能夠以涂抹與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的位置的方式進(jìn)行曝光。例如，在激光20的光斑直徑為約200nm的情況下，通過(guò)小區(qū)域分割部403進(jìn)行分割的間隔可以是100nm，分割得到的小區(qū)域可以是100nm×100nm的正方形。另外，小區(qū)域的形狀不限于格子形狀，可以是任意的形狀。接著，參照?qǐng)D6，對(duì)于小區(qū)域分割部403的功能進(jìn)行更具體的說(shuō)明。圖6是說(shuō)明利用小區(qū)域分割部403進(jìn)行的輸入圖像的分割的說(shuō)明圖。需要說(shuō)明的是，圖6中，x方向?qū)?yīng)于基材11的外周面的周向，y方向?qū)?yīng)于基材11的軸向。如圖6所示，小區(qū)域分割部403將包含對(duì)象物130A、130B、130C、130D的輸入圖像110沿著x方向以間隔Pc進(jìn)行分割，沿著y方向以間隔Pr進(jìn)行分割。由此，輸入圖像110被分割成格子狀的小區(qū)域。另外，小區(qū)域分割部403判斷各小區(qū)域中是否包含對(duì)象物130A、130B、130C、130D。例如，小區(qū)域分割部403可以將小區(qū)域115A判斷為不含對(duì)象物的小區(qū)域，將小區(qū)域115B和115C判斷為包含對(duì)象物的小區(qū)域。需要說(shuō)明的是，小區(qū)域分割部403可以在格子中稍微包含對(duì)象物時(shí)就判斷為該格子中包含對(duì)象物，也可以在格子內(nèi)的規(guī)定面積以上的區(qū)域中描畫有對(duì)象物時(shí)，判斷為該格子中包含對(duì)象物。需要說(shuō)明的是，在輸入圖像110中，當(dāng)設(shè)定有指示僅對(duì)輸入圖像110的一部分區(qū)域進(jìn)行曝光的曝光區(qū)域111時(shí)，小區(qū)域分割部403可以僅針對(duì)曝光區(qū)域111內(nèi)的小區(qū)域來(lái)判斷是否包含對(duì)象物130A、130B、130C、130D。信號(hào)生成部405生成控制激光20的照射的控制信號(hào)。具體而言，信號(hào)生成部405基于小區(qū)域分割部403的判斷來(lái)決定是否對(duì)各格子照射激光20，基于該決定結(jié)果來(lái)生成控制激光20的照射的描繪數(shù)據(jù)。另外，信號(hào)生成部405使用時(shí)鐘信號(hào)生成部407所生成的時(shí)鐘信號(hào)，將描繪數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成控制信號(hào)。信號(hào)生成部405所生成的控制信號(hào)通過(guò)被傳送至控制激光20的驅(qū)動(dòng)器30，從而可以控制激光20的照射。在此，參照?qǐng)D6和圖7，對(duì)于利用信號(hào)生成部405的控制信號(hào)生成進(jìn)行更具體的說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，圖7是說(shuō)明將描繪數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成控制信號(hào)的方法的說(shuō)明圖。如圖6所示，信號(hào)生成部405針對(duì)x方向的每一行生成控制激光20的照射的描繪數(shù)據(jù)。例如，信號(hào)生成部405選擇輸入圖像110(或者曝光區(qū)域111)的最上一行，并從該行左端的格子向著右端的格子(向著x軸上的正方向)依次參照由小區(qū)域分割部403給出的各格子的判斷結(jié)果。并且，對(duì)于被小區(qū)域分割部403判斷為不含對(duì)象物的格子分配“0”，對(duì)于被判斷為包含對(duì)象物的格子分配“1”，從而生成描繪數(shù)據(jù)。由此，信號(hào)生成部405從行內(nèi)左端的格子向著右端的格子生成描繪數(shù)據(jù)。另外，信號(hào)生成部405在將描繪數(shù)據(jù)生成到一行右端的格子時(shí)，移動(dòng)至下一行。然后，信號(hào)生成部405通過(guò)在該行內(nèi)進(jìn)行同樣的處理，從而生成與該行對(duì)應(yīng)的描繪數(shù)據(jù)。信號(hào)生成部405通過(guò)從上行向下行(向著y方向的負(fù)方向)反復(fù)進(jìn)行描繪數(shù)據(jù)的生成，從而生成曝光區(qū)域111整個(gè)區(qū)域的描繪數(shù)據(jù)(例如，圖7所示的描繪數(shù)據(jù)403A)。需要說(shuō)明的是，基于基材11的旋轉(zhuǎn)方向來(lái)設(shè)定信號(hào)生成部405在x方向的各行上生成描繪數(shù)據(jù)的方向。因此，信號(hào)生成部405根據(jù)基材11的旋轉(zhuǎn)方向的不同，可以針對(duì)在x方向上的每一行從右端的格子向著左端的格子(向著x軸上的負(fù)方向)生成描繪數(shù)據(jù)。另外，基于激光20對(duì)基材11的掃描方向來(lái)設(shè)定信號(hào)生成部405在y方向上生成描繪數(shù)據(jù)的方向。因此，信號(hào)生成部405根據(jù)激光20對(duì)基材11的掃描方向的不同，可以從下行向著上行(向著y方向的正方向)生成描繪數(shù)據(jù)。進(jìn)而，信號(hào)生成部405可以與上述例示相反地，對(duì)于被小區(qū)域分割部403判斷為不含對(duì)象物的格子分配“1”，而對(duì)于被判斷為包含對(duì)象物的格子分配“0”，從而生成描繪數(shù)據(jù)。此外，如圖7所示，信號(hào)生成部405使用從時(shí)鐘信號(hào)生成部407獲取的時(shí)鐘信號(hào)407A，將如上生成的描繪數(shù)據(jù)403A轉(zhuǎn)換成控制信號(hào)405A。例如，描繪數(shù)據(jù)403A為對(duì)于照射激光20的格子分配“1”，對(duì)于未照射激光20的格子分配“0”而得到的描繪數(shù)據(jù)，時(shí)鐘信號(hào)407A為從時(shí)鐘信號(hào)生成部407獲取的具有規(guī)定頻率的矩形波的信號(hào)。在此，如圖7所示，例如信號(hào)生成部405生成控制信號(hào)405A，以使得對(duì)于在描繪數(shù)據(jù)403A中被分配了“1”的格子分配“High(高)”信號(hào)，并對(duì)于被分配了“0”的格子分配“Low(低)”信號(hào)。另外，信號(hào)生成部405生成控制信號(hào)405A，以使得控制信號(hào)405A的信號(hào)的上升和下降的時(shí)刻與時(shí)鐘信號(hào)407A的信號(hào)的上升或下降的任一時(shí)刻一致。圖7中，例如，生成控制信號(hào)405A，以使控制信號(hào)405A的信號(hào)的上升和下降與時(shí)鐘信號(hào)407A的信號(hào)的上升一致。時(shí)鐘信號(hào)生成部407生成作為控制激光20的照射的控制信號(hào)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)。具體而言，時(shí)鐘信號(hào)生成部407從使基材11旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)35獲取控制旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)，并基于旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)生成作為控制信號(hào)的基準(zhǔn)的具有規(guī)定頻率的時(shí)鐘信號(hào)。在此，使基材11旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)35的轉(zhuǎn)數(shù)即使在設(shè)定了恒定轉(zhuǎn)速的情況下也并不始終恒定，而是會(huì)有波動(dòng)。因此，當(dāng)控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)與控制激光20照射的控制信號(hào)沒(méi)有同步時(shí)，主軸電機(jī)35的1次旋轉(zhuǎn)與控制信號(hào)的1周有可能不一致。在該情況下，由于被激光20照射的位置在每1周會(huì)發(fā)生偏移，因而有可能無(wú)法正確地形成與對(duì)象物對(duì)應(yīng)的圖案。因此，如上所述，曝光裝置2通過(guò)由控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)生成時(shí)鐘信號(hào)，并基于該時(shí)鐘信號(hào)而生成控制激光20照射的控制信號(hào)，從而使兩個(gè)控制信號(hào)同步。需要說(shuō)明的是，使控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)與控制激光20照射的控制信號(hào)同步的方法不限于上述例示。例如，時(shí)鐘信號(hào)生成部407也可以將作為基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)分別發(fā)送至主軸電機(jī)35和信號(hào)生成部405。在該情況下，主軸電機(jī)35基于該時(shí)鐘信號(hào)來(lái)生成控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)，信號(hào)生成部405基于該時(shí)鐘信號(hào)來(lái)生成控制激光20照射的控制信號(hào)。通過(guò)該方法也能夠使控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)與控制激光20照射的控制信號(hào)同步。以上，對(duì)生成控制激光20照射的控制信號(hào)的格式化器40的功能構(gòu)成進(jìn)行了說(shuō)明。根據(jù)這樣的格式化器40，能夠生成與任意的對(duì)象物對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)。需要說(shuō)明的是，這樣的格式化器40的功能可以通過(guò)軟件和硬件的協(xié)作來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，格式化器40可以具備以橋接方式相互連接的CPU(中央處理器，CentralProcessingUnit)、ROM(只讀存儲(chǔ)器，ReadOnlyMemory)、RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，RandomAccessMemory)等，并通過(guò)這些硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)上述功能。例如，CPU作為演算處理裝置和控制裝置而發(fā)揮作用，按照各種程序控制格式化器40內(nèi)的整體運(yùn)作。ROM存儲(chǔ)CPU所使用的程序、運(yùn)算參數(shù)，RAM臨時(shí)存儲(chǔ)在CPU的執(zhí)行中使用的程序、在該執(zhí)行中適當(dāng)變化的參數(shù)等。由此，CPU能夠執(zhí)行例如輸入圖像獲取部401、小區(qū)域分割部403、信號(hào)生成部405、時(shí)鐘信號(hào)生成部407的功能。(曝光裝置的構(gòu)成例)進(jìn)一步，參照?qǐng)D8A和圖8B，對(duì)在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置2的構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明。圖8A是表示在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的構(gòu)成例的說(shuō)明圖。圖8B是表示在本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法中使用的曝光裝置的另一構(gòu)成例的說(shuō)明圖。首先，參照?qǐng)D8A，說(shuō)明曝光裝置2A。曝光裝置2A是使用固體激光器作為激光光源21A的曝光裝置。如圖8A所示，曝光裝置2A具備：激光光源21A、電光學(xué)元件(ElectroOpticalModulator:EOM)22、第一反射鏡23、光電二極管(Photodiode：PD)24、調(diào)制光學(xué)體系25、控制機(jī)構(gòu)37、第二反射鏡31、移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32、主軸電機(jī)35和轉(zhuǎn)臺(tái)36。另外，基材11載置于轉(zhuǎn)臺(tái)36上并且能夠旋轉(zhuǎn)。具體而言，激光光源21A為固體激光器。例如，作為激光光源21A，可以使用具有266nm波長(zhǎng)的固體激光器等。由激光光源21A發(fā)射的激光20以平行光束的狀態(tài)直行，入射至電光學(xué)元件22。透過(guò)電光學(xué)元件22的激光20被第一反射鏡23反射，并被引導(dǎo)至調(diào)制光學(xué)體系25。第一反射鏡23由偏振分光器構(gòu)成，具有使偏振光成分的一方反射并使偏振光成分的另一方透過(guò)的功能。透過(guò)了第一反射鏡23的偏振光成分由光電二極管24接受，進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。另外，通過(guò)光電二極管24進(jìn)行了光電轉(zhuǎn)換的受光信號(hào)被輸入至電光學(xué)元件22，電光學(xué)元件22基于輸入的受光信號(hào)來(lái)進(jìn)行激光20的相位調(diào)制。另外，調(diào)制光學(xué)體系25具備：集光鏡26、聲光調(diào)制器(Acoust‐OpticModulator：AOM)27以及準(zhǔn)直鏡28。在調(diào)制光學(xué)體系25中，激光20通過(guò)集光鏡26被聚集至由玻璃(SiO2)等構(gòu)成的聲光調(diào)制器27。通過(guò)聲光調(diào)制器27對(duì)激光20進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散后，通過(guò)準(zhǔn)直鏡28再次進(jìn)行平行光束化。由調(diào)制光學(xué)體系25發(fā)射的激光20被第二反射鏡31反射，并被水平且平行地引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上。另外，控制機(jī)構(gòu)37具備格式化器40和驅(qū)動(dòng)器30，控制激光20的照射。如上所述，格式化器40生成控制激光20照射的控制信號(hào)，驅(qū)動(dòng)器30基于格式化器40所生成的控制信號(hào)來(lái)控制聲光調(diào)制器27。由此，控制激光20對(duì)抗蝕劑層15的照射。移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32具備擴(kuò)束器(Beamexpader：BEX)33和物鏡34。被引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光20通過(guò)擴(kuò)束器33被整形成所需的光束形狀，然后經(jīng)由物鏡34，照射至基材11的外周面的抗蝕劑層15。需要說(shuō)明的是，雖未圖示，但曝光裝置2A優(yōu)選為了使激光20始終在基材11上的抗蝕劑層15聚焦而動(dòng)態(tài)地進(jìn)行聚焦控制。具體而言，基材11在旋轉(zhuǎn)時(shí)，因旋轉(zhuǎn)軸的軸偏移以及基材11的表面加工精度等而導(dǎo)致從物鏡34到基材11的距離發(fā)生變動(dòng)。因此，為了使激光20始終在基材11的抗蝕劑層15上聚焦，優(yōu)選曝光裝置2A檢測(cè)出激光20的焦點(diǎn)錯(cuò)位，動(dòng)態(tài)地控制激光20的聚焦。需要說(shuō)明的是，檢測(cè)激光20相對(duì)于基材11上的抗蝕劑層15的焦點(diǎn)錯(cuò)位的方法，例如，可以使用對(duì)抗蝕劑層15照射的激光20的反射光的像散進(jìn)行檢測(cè)的方法等。通過(guò)這些構(gòu)成，利用轉(zhuǎn)臺(tái)36使基材11以恒定速度旋轉(zhuǎn)，將激光20沿著基材11的軸向以恒定速度一邊掃描一邊照射，從而對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行曝光。需要說(shuō)明的是，激光20的掃描通過(guò)利用移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32使激光20沿著箭頭R方向以恒定速度移動(dòng)來(lái)進(jìn)行。需要說(shuō)明的是，如上所述，曝光裝置2A為了使激光20的實(shí)際照射位置與控制信號(hào)所示的照射位置一致(同步)，而使控制主軸電機(jī)35旋轉(zhuǎn)的信號(hào)與控制激光20照射的控制信號(hào)同步。由此，曝光裝置2A能夠使每一周的激光20的照射位置不偏移而對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行曝光。另外，曝光裝置2A的轉(zhuǎn)臺(tái)36的轉(zhuǎn)速、格式化器40所生成的控制信號(hào)的頻率，取決于基材11的圓筒形狀的外周長(zhǎng)度以及輸入圖像110的周向的分割間隔Pc。進(jìn)一步，曝光裝置2A的移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的輸送間隔取決于輸入圖像110的軸向的分割間隔Pr。即，以使激光20的照射位置與輸入圖像110的被分割而成的小區(qū)域一致的方式?jīng)Q定這些曝光參數(shù)。接著，參照?qǐng)D8B，對(duì)曝光裝置2B進(jìn)行說(shuō)明。曝光裝置2B是使用半導(dǎo)體激光器作為激光光源21B的曝光裝置。如圖8B所示，曝光裝置2B具備：激光光源21B、第一反射鏡23、光電二極管(PD)24、集光鏡26、電光偏轉(zhuǎn)元件(ElectroOpticDeflector：EOD)29、準(zhǔn)直鏡28、控制機(jī)構(gòu)37、第二反射鏡31、移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32、主軸電機(jī)35以及轉(zhuǎn)臺(tái)36。另外，基材11載置于轉(zhuǎn)臺(tái)36上并且能夠旋轉(zhuǎn)。在此，對(duì)于移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32、主軸電機(jī)35以及轉(zhuǎn)臺(tái)36，由于與參照?qǐng)D8A進(jìn)行了說(shuō)明的曝光裝置2A是同樣的，因此省略在此處的說(shuō)明。具體而言，激光光源21B是半導(dǎo)體激光器。例如，作為激光光源21B，可使用藍(lán)色半導(dǎo)體激光器，其發(fā)射400nm～500nm藍(lán)色光波段的波長(zhǎng)的激光。在本實(shí)施方式所涉及的制造方法中使用的曝光裝置中，優(yōu)選使用半導(dǎo)體激光器作為激光光源21B。由激光光源21B發(fā)射的激光20以平行光束的狀態(tài)直行，被第一反射鏡23反射。另外，由第一反射鏡23反射出的激光20通過(guò)集光鏡26被聚集至電光偏轉(zhuǎn)元件29后，通過(guò)準(zhǔn)直鏡28再次進(jìn)行平行光束化。經(jīng)平行光束化的激光20被第二反射鏡31反射，并被水平且平行地引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上。第一反射鏡23由偏振分光器構(gòu)成，具有使偏振光成分的一方反射，并使偏振光成分的另一方透過(guò)的功能。透過(guò)第一反射鏡23的偏振光成分由光電二極管24接受，并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。另外，通過(guò)光電二極管24進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的受光信號(hào)被輸入至激光光源21B，激光光源21B基于輸入的受光信號(hào)進(jìn)行激光20的調(diào)制。電光偏轉(zhuǎn)元件29是能夠控制激光20的照射位置的元件。曝光裝置2B通過(guò)電光偏轉(zhuǎn)元件29，還能夠改變被引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上的激光20的照射位置。另外，控制機(jī)構(gòu)37具備格式化器40和驅(qū)動(dòng)器30，控制激光20的照射。驅(qū)動(dòng)器30基于格式化器40所生成的控制信號(hào)來(lái)控制激光光源21B的輸出。由此，控制激光20對(duì)抗蝕劑層15的照射。需要說(shuō)明的是，不言而喻，圖8B所示的曝光裝置2B與圖8A所示的曝光裝置2A同樣地，動(dòng)態(tài)地控制激光20的聚焦，使得主軸電機(jī)35的旋轉(zhuǎn)控制信號(hào)與激光20的照射控制信號(hào)同步。以上，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的第一制造方法，能夠制造在基材11的外周面形成有任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)13的原盤1。[2.2.第二制造方法]接著，參照?qǐng)D9A～圖10，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法進(jìn)行說(shuō)明。具體而言，第二制造方法與第一制造方法相比，不同點(diǎn)在于在基材11的外周面隔著中間層17形成有抗蝕劑層15。即，第二制造方法中，通過(guò)抗蝕劑層15和中間層17而形成薄膜層。由此，第二制造方法中，通過(guò)將形成有抗蝕劑圖案的抗蝕劑層15用作掩模來(lái)對(duì)中間層17進(jìn)行蝕刻，從而在抗蝕劑層15和中間層17形成薄膜圖案。進(jìn)一步，可以將形成有薄膜圖案的抗蝕劑層15和中間層17用作掩模，對(duì)基材11進(jìn)行蝕刻。據(jù)此，第二制造方法與第一制造方法相比，由于能夠作為掩模使用的膜厚得以增加，因此能夠增加凹凸結(jié)構(gòu)13在基材11的厚度方向上的加工深度。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的第二制造方法，能夠制造具有加工深度更深的凹凸結(jié)構(gòu)13(例如1μm～10μm程度)的原盤1。(第二制造方法的概要)以下，參照?qǐng)D9A～圖9E，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法進(jìn)行更具體的說(shuō)明。圖9A～圖9E是說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法的各工序的截面圖。需要說(shuō)明的是，圖9A～圖9E示意性地表示將基材11沿著厚度方向切割時(shí)的截面形狀。首先，如圖9A所示，例如，在石英玻璃等的基材11上形成中間層17，在中間層17上成膜抗蝕劑層15。中間層17由硅、類金剛石(diamond‐likecarbon：DLC)或有機(jī)抗蝕劑等形成。在中間層17為硅或DLC的情況下，中間層17可以通過(guò)利用例如蒸鍍法、濺射法或化學(xué)氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition：CVD)等來(lái)形成。另外，在中間層17為有機(jī)抗蝕劑的情況下，中間層17可以通過(guò)利用例如旋涂、狹縫涂布、浸漬涂布、噴涂或絲網(wǎng)印刷等來(lái)形成。另外，對(duì)于中間層17所具有的優(yōu)選的特性，將在后面闡述。另外，為了進(jìn)行熱光刻，抗蝕劑層15由包含金屬氧化物的熱反應(yīng)型抗蝕劑形成。抗蝕劑層15也可以通過(guò)利用例如濺射法來(lái)成膜。接著，如圖9B所示，通過(guò)曝光裝置對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行曝光，在抗蝕劑層15形成潛影15A。具體而言，對(duì)抗蝕劑層15照射激光20，使照射了激光20的抗蝕劑層15的部位改性，從而形成潛影15A。需要說(shuō)明的是，由于在該工序中所使用的曝光裝置與在第一制造方法中說(shuō)明的曝光裝置2是同樣的，因此省略在此處的說(shuō)明。通過(guò)使用在第一制造方法中說(shuō)明的曝光裝置，能夠?qū)εc輸入的任意對(duì)象物對(duì)應(yīng)的位置的抗蝕劑層15照射激光20。接著，如圖9C所示，向形成有潛影15A的抗蝕劑層15上滴加顯影液，對(duì)抗蝕劑層15進(jìn)行顯影。顯影液可以使用例如氫氧化四甲銨(TMAH)等有機(jī)堿系的顯影液。由此，在抗蝕劑層15形成與任意的對(duì)象物對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案。接著，如圖9D所示，將形成有抗蝕劑圖案的抗蝕劑層15用作掩模，進(jìn)行對(duì)中間層17進(jìn)行蝕刻的第一蝕刻工序。由此，在中間層17也形成薄膜圖案。針對(duì)中間層17的第一蝕刻，可以使用干式蝕刻。例如，在中間層17的材質(zhì)為DLC的情況下，通過(guò)采用利用氧氣的反應(yīng)性離子蝕刻(ReactiveIonEtching：RIE)，能夠進(jìn)行垂直各向異性高的蝕刻。接著，如圖9E所示，將形成有薄膜圖案的抗蝕劑層15和中間層17用作掩模，進(jìn)行對(duì)基材11進(jìn)行蝕刻的第二蝕刻工序。由此，在基材11形成任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)13。需要說(shuō)明的是，對(duì)基材11進(jìn)行的蝕刻可以使用干式蝕刻。例如，在基材11的材質(zhì)為石英玻璃(SiO2)的情況下，通過(guò)采用利用氟化碳系氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，能夠進(jìn)行垂直各向異性高的蝕刻。根據(jù)以上的工序，能夠在基材11形成如下凹凸結(jié)構(gòu)13，其具有與輸入的任意對(duì)象物對(duì)應(yīng)的形狀且加工深度深(例如1μm～10μm程度)。(中間層的特性)在此，中間層17優(yōu)選由如下材質(zhì)形成，即，在第一蝕刻工序中具有比抗蝕劑層15的蝕刻速率快的蝕刻速率，并在第二蝕刻工序中具有比基材11的蝕刻速率慢的蝕刻速率的材質(zhì)。具體而言，中間層17優(yōu)選為由DLC或者有機(jī)抗蝕劑等形成的有機(jī)層。例如，抗蝕劑層15為包含金屬氧化物的熱反應(yīng)型抗蝕劑的情況下，由DLC或者有機(jī)抗蝕劑等形成的有機(jī)層在利用氧氣進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻時(shí)，其蝕刻速率比抗蝕劑層15快。另外，基材11的材質(zhì)為石英玻璃(SiO2)的情況下，由DLC或有機(jī)抗蝕劑等形成的有機(jī)層在利用氟化碳系氣體進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻時(shí)，其蝕刻速率比基材11慢。因此，中間層17為由DLC或有機(jī)抗蝕劑等形成的有機(jī)層的情況下，在本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法中能夠合適地對(duì)基材11進(jìn)行蝕刻，制造具有加工深度深的凹凸結(jié)構(gòu)13的原盤1。另外，中間層17優(yōu)選由導(dǎo)熱率為200W/(m·K)以下的材質(zhì)形成。在本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法中，通過(guò)熱光刻對(duì)抗蝕劑層15形成潛影15A。因此，在中間層17的導(dǎo)熱率高的情況下，通過(guò)激光20的照射給予抗蝕劑層15的熱則介由中間層17會(huì)擴(kuò)散，而有可能無(wú)法形成潛影15A。因此，中間層17的導(dǎo)熱率優(yōu)選更低，具體而言，優(yōu)選為200W/(m·K)以下。需要說(shuō)明的是，中間層17的材質(zhì)的導(dǎo)熱率的下限值沒(méi)有特別規(guī)定，優(yōu)選大于0。進(jìn)一步，中間層17優(yōu)選由如下材質(zhì)形成，即，激光20對(duì)直接形成在基材11上的抗蝕劑層15的反射率與激光20對(duì)隔著中間層17而形成在基材11上的抗蝕劑層15的反射率之差為5％以下的材質(zhì)。具體而言，對(duì)抗蝕劑層15照射的激光20的反射率增加時(shí)，對(duì)熱光刻的曝光做出貢獻(xiàn)的激光20的比例減少。因此，中間層17優(yōu)選不會(huì)因?yàn)樾纬闪酥虚g層17而使激光20對(duì)于抗蝕劑層15的行為大幅變動(dòng)，優(yōu)選為激光對(duì)抗蝕劑層15的反射率的變化小的材質(zhì)。另外，曝光裝置通過(guò)檢測(cè)激光20的反射光的像散來(lái)控制激光20的聚焦時(shí)，為了曝光裝置能夠檢測(cè)出激光20的反射光，中間層17優(yōu)選不使反射光的光量減少。具體而言，中間層17優(yōu)選由如下材質(zhì)形成，即，來(lái)自抗蝕劑層15的反射光不會(huì)根據(jù)中間層17的有無(wú)而大幅變化的材質(zhì)。在此，不形成中間層17而在基材11上僅成膜抗蝕劑層15的情況下，難以將加工深度深的凹凸結(jié)構(gòu)13(例如1μm～10μm程度)形成于基材11上。具體而言，抗蝕劑層15通過(guò)熱光刻而形成潛影15A，因此需要使因激光20產(chǎn)生的熱沿著抗蝕劑層15的厚度方向傳導(dǎo)至基材11側(cè)。因此，在抗蝕劑層15為100nm以上的膜厚時(shí)，所照射的激光20的熱不會(huì)傳導(dǎo)至基材11側(cè)，無(wú)法形成適當(dāng)?shù)臐撚?5A。因此，當(dāng)抗蝕劑層15為100nm以上的膜厚時(shí)，無(wú)法形成適當(dāng)?shù)臐撚?5A，而使基材11的蝕刻變得困難，因此難以將加工深度深的凹凸結(jié)構(gòu)13(例如1μm～10μm程度)形成于基材11。另一方面，在中間層17上沒(méi)有如上述抗蝕劑層15那樣的膜厚的限制，因此可以根據(jù)在基材11上形成的凹凸結(jié)構(gòu)13的加工深度而設(shè)定適當(dāng)?shù)哪ず?，將加工深度深的凹凸結(jié)構(gòu)13形成于基材11。以上，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的第二制造方法，能夠制造出在基材11的厚度方向上加工深度深且形成有任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)13的原盤1。實(shí)施例＜3.實(shí)施例＞以下，參照實(shí)施例和比較例對(duì)上述實(shí)施方式所涉及的原盤的制造方法進(jìn)行具體說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，以下所示的實(shí)施例為用于顯示上述實(shí)施方式所涉及的原盤的制造方法的實(shí)施可能性及效果的一個(gè)條件例，本發(fā)明所涉及的原盤的制造方法不限于以下實(shí)施例。[3.1.中間層的特性評(píng)價(jià)]通過(guò)以下工序，在基材上層疊中間層和抗蝕劑層來(lái)制造試驗(yàn)片，對(duì)中間層的優(yōu)選特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。(試驗(yàn)例1)在由石英玻璃構(gòu)成的基材上，通過(guò)使用烴系氣體的化學(xué)氣相沉積(CVD)，以膜厚500nm成膜DLC來(lái)作為中間層。接著，在中間層上通過(guò)濺射法以膜厚55nm成膜鎢氧化物來(lái)作為抗蝕劑層，制造了試驗(yàn)片。(試驗(yàn)例2)試驗(yàn)例1中，除了通過(guò)濺射法以膜厚500nm成膜硅(Si)來(lái)代替DLC，形成了中間層以外，利用與試驗(yàn)例1同樣的方法制造了試驗(yàn)片。(試驗(yàn)例3)試驗(yàn)例1中，除了通過(guò)濺射法以膜厚500nm成膜鋁(Al)來(lái)代替DLC，形成了中間層以外，利用與試驗(yàn)例1同樣的方法制造了試驗(yàn)片。(參考例)試驗(yàn)例1中，除了不形成中間層，而在基板上直接形成了抗蝕劑層以外，利用與試驗(yàn)例1同樣的方法制造了試驗(yàn)片。對(duì)于試驗(yàn)例1～3所涉及的試驗(yàn)片，通過(guò)曝光裝置照射激光，評(píng)價(jià)了是否能夠形成潛影。曝光的激光光源使用了發(fā)射波長(zhǎng)405nm的激光的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器。另外，曝光后的顯影使用TMAH(氫氧化四甲銨)的2.38質(zhì)量％水溶液，在27℃顯影900秒。將評(píng)價(jià)結(jié)果與中間層的材質(zhì)的導(dǎo)熱率(文獻(xiàn)值)一并示于以下表1。需要說(shuō)明的是，表1中，“○”表示顯影后形成有圖案，通過(guò)激光的照射能夠形成潛影。另外，“×”表示顯影后沒(méi)有形成圖案，通過(guò)激光的照射無(wú)法形成潛影。[表1]參照表1可知，試驗(yàn)例1和2的試驗(yàn)片由于中間層的導(dǎo)熱率為200W/(m·K)以下，因而激光的熱沒(méi)有從抗蝕劑層擴(kuò)散至中間層，能夠在抗蝕劑層形成潛影。另一方面，可知試驗(yàn)例3的試驗(yàn)片由于中間層的導(dǎo)熱率超過(guò)200W/(m·K)，因而激光的熱從抗蝕劑層擴(kuò)散至中間層，無(wú)法在抗蝕劑層形成潛影。另外，利用光學(xué)薄膜涂層特性計(jì)算軟件進(jìn)行計(jì)算，從而分別算出試驗(yàn)例1和3、參考例的試驗(yàn)片的與波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的反射率。光學(xué)薄膜涂層特性計(jì)算軟件使用了TFcalc(SoftwareSpectra公司)。將算出的反射率的結(jié)果示于圖10。圖10是試驗(yàn)例1和3、參考例的試驗(yàn)片的反射率的計(jì)算結(jié)果。需要說(shuō)明的是，圖10所示的反射率為光從試驗(yàn)片表面的法線方向入射時(shí)的反射率。如圖10所示，成膜DLC作為中間層的試驗(yàn)例1的反射率與在基材上僅成膜抗蝕劑層的參考例的反射率之差，在各波長(zhǎng)下為5％以下。由此可知，在使用DLC作為中間層時(shí)，中間層的有無(wú)對(duì)激光造成的影響小。另一方面，成膜Al作為中間層的試驗(yàn)例3的反射率與在基材上僅成膜抗蝕劑層的參考例的反射率之差，在各波長(zhǎng)下超過(guò)了5％。由此可知，在使用DLC作為中間層時(shí)，中間層的有無(wú)對(duì)激光造成的影響大，從而使曝光變得困難。進(jìn)一步，分別對(duì)在試驗(yàn)例1中成膜的中間層(DLC)、抗蝕劑層(鎢氧化物)以及基材(石英玻璃)，確認(rèn)了蝕刻氣體使用了氧氣或氟化碳系氣體(CF4/CHF3氣體)時(shí)的蝕刻速率。對(duì)各層的蝕刻速率的確認(rèn)結(jié)果示于以下表2。需要說(shuō)明的是，蝕刻裝置使用了反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)裝置。在蝕刻氣體使用O2氣體(流量30sccm)時(shí)，氣體壓力設(shè)為0.5Pa，投入電力設(shè)為150W。另外，在蝕刻氣體使用CF4/CHF3氣體(流量5sccm/25sccm)時(shí)，氣體壓力設(shè)為0.5Pa，投入電力設(shè)為200W。[表2]若參照表2，則在將抗蝕劑層作為掩模而對(duì)中間層進(jìn)行蝕刻的工序中，通過(guò)將O2氣體用作蝕刻氣體，能夠使中間層的蝕刻速率比抗蝕劑層的蝕刻速率快。另外，在將抗蝕劑層和中間層作為掩模而對(duì)基材進(jìn)行蝕刻的工序中，通過(guò)將CF4/CHF3氣體用作蝕刻氣體，能夠使抗蝕劑層和中間層的蝕刻速率比基材的蝕刻速率慢。根據(jù)以上中間層的特性評(píng)價(jià)，可知試驗(yàn)例1的抗蝕劑層和中間層適合用于上述說(shuō)明的本實(shí)施方式的第二制造方法。[3.2.原盤的制造]接著，通過(guò)以下工序制造原盤。(實(shí)施例1)首先，在由4.5mm厚的圓筒形的石英玻璃構(gòu)成的基材的外周面，采用烴系氣體的CVD，由此以膜厚800nm成膜DLC作為中間層。接著，通過(guò)濺射法以膜厚55nm在中間層上成膜鎢氧化物。接著，通過(guò)曝光裝置，利用激光進(jìn)行熱光刻，在抗蝕劑層形成潛影。需要說(shuō)明的是，曝光裝置的激光光源使用了發(fā)射波長(zhǎng)405nm的激光的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器。使基材以900rpm旋轉(zhuǎn)，將激光沿著基材的軸向以1.5μm/秒掃描，同時(shí)進(jìn)行曝光。輸入圖像(曝光圖案)使用將直徑4μm的圓按照5μm的間距以交錯(cuò)方式排列的六方格子排列的圖像，設(shè)定輸入圖像的分割間隔在基材的周向和軸向上均設(shè)為100nm的間隔。另外，利用曝光裝置對(duì)直徑4μm的圓以外的部分進(jìn)行曝光，以使得直徑4μm的圓與凸部對(duì)應(yīng)。需要說(shuō)明的是，曝光時(shí)間為45小時(shí)。接著，使用TMAH的2.38質(zhì)量％水溶液，對(duì)經(jīng)過(guò)曝光的基材在27℃進(jìn)行900秒的顯影，使曝光部分的抗蝕劑溶解。進(jìn)一步，將顯影后的抗蝕劑層用作掩模，進(jìn)行了對(duì)中間層進(jìn)行蝕刻的第一蝕刻工序。在第一蝕刻工序中，蝕刻氣體使用了O2氣體(流量30sccm)，在氣體壓力0.5Pa、投入電壓150W下，進(jìn)行了80分鐘的反應(yīng)性離子蝕刻。接著，將抗蝕劑層和中間層用作掩模，進(jìn)行了對(duì)基材進(jìn)行蝕刻的第二蝕刻工序。在第二蝕刻工序中，蝕刻氣體使用了CF4氣體(流量5sccm)和CHF3氣體(流量25sccm)，在氣體壓力0.5Pa、投入電壓200W下，進(jìn)行了500分鐘的反應(yīng)性離子蝕刻。通過(guò)以上工序，制造了實(shí)施例1的原盤。(實(shí)施例2)除了實(shí)施例1的輸入圖像(曝光圖案)使用了3.5μm見(jiàn)方的正方形按照4.5μm的間距排列的四方格子排列的圖像以外，利用與實(shí)施例1同樣的方法制造了原盤。需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例1同樣地，利用曝光裝置對(duì)3.5μm見(jiàn)方的正方形以外的部分進(jìn)行曝光，以使3.5μm見(jiàn)方的正方形與凸部對(duì)應(yīng)。(比較例1)不使用熱光刻，通過(guò)作為機(jī)械加工的超精密切割而制造了比較例1的原盤。圖13A是說(shuō)明在比較例1所涉及的原盤上形成的圖案的說(shuō)明圖，圖13B是示意性地表示將在比較例1所涉及的原盤上形成的圖案沿著基材的厚度方向切割時(shí)的截面的截面圖。如圖13A所示，比較例1所涉及的原盤包括圓筒形的基材11A，基材11A的外周面形成有凹凸結(jié)構(gòu)13A。凹凸結(jié)構(gòu)13A例如包含：沿著基材11A的軸向以規(guī)定間隔形成的縱槽131A、和與縱槽131A正交且以規(guī)定間隔形成的橫槽133A。另外，如圖13B所示，比較例1所涉及的原盤的縱槽131A和橫槽133A的槽寬度按照2μm形成，槽間距按照7μm形成，槽深度按照4μm形成。具體而言，首先，在由不銹鋼構(gòu)成的基材的外周面上通過(guò)鍍覆法以膜厚200μm形成了鎳磷層。接著，通過(guò)超精密旋盤，使用單晶金剛石工具使基材旋轉(zhuǎn)，同時(shí)在鎳磷層上沿著軸向按照220mm的寬度形成了如上所述的槽寬度2μm、槽間距7μm、槽深度4μm的槽。需要說(shuō)明的是，基材11A的加工分為縱槽131A的加工和橫槽133A的加工的兩次來(lái)進(jìn)行。需要說(shuō)明的是，為了形成所有的槽，用了47天。另外，對(duì)于單晶金剛石工具，隨著其摩損，在加工中更換了4～5次。[3.3.原盤的評(píng)價(jià)]對(duì)于通過(guò)上述工序制造的實(shí)施例1和2、比較例1所涉及的原盤，通過(guò)將所形成的凹凸結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至UV(紫外線)轉(zhuǎn)印膜來(lái)進(jìn)行評(píng)價(jià)。需要說(shuō)明的是，以下說(shuō)明的SEM圖像是對(duì)原盤的轉(zhuǎn)印物進(jìn)行的觀察。因此，以下所示的轉(zhuǎn)印物的圖案的凹凸結(jié)構(gòu)中，凹部與凸部的位置與原盤的凹凸結(jié)構(gòu)相反。首先，參照?qǐng)D11和12，說(shuō)明針對(duì)實(shí)施例1和2所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物進(jìn)行的掃描型電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope：SEM)的觀察結(jié)果。圖11是對(duì)實(shí)施例1所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物進(jìn)行觀察所得到的SEM圖像，圖12是對(duì)實(shí)施例2所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物進(jìn)行觀察所得到的SEM圖像。另外，圖11A和圖12A是對(duì)轉(zhuǎn)印物的上表面進(jìn)行觀察所得到的SEM圖像，圖11B和圖12B是對(duì)以X‐XX線切割圖11A和圖12A所示的轉(zhuǎn)印物時(shí)的截面進(jìn)行觀察所得到的SEM圖像。參照?qǐng)D11A和圖12A可知，在實(shí)施例1和2所涉及的原盤分別形成有具有輸入至曝光裝置的任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，在圖11A和圖12A中，SEM圖像的上下方向相當(dāng)于基材的周向，左右方向相當(dāng)于基材的軸向。另外，若參照?qǐng)D11B和圖12B，則可知實(shí)施例1和2所涉及的原盤的凹凸結(jié)構(gòu)高度為3.4μm～3.5μm，能夠形成具有微米級(jí)大的加工深度的凹凸結(jié)構(gòu)。接著，對(duì)實(shí)施例1、2以及比較例1所涉及的原盤的加工深度的偏差進(jìn)行了評(píng)價(jià)。具體而言，將實(shí)施例1、2和比較例1所涉及的原盤轉(zhuǎn)印至UV轉(zhuǎn)印膜而制造了轉(zhuǎn)印物。另外，通過(guò)激光顯微鏡對(duì)所制造的轉(zhuǎn)印物分別在周向4處、軸向4處測(cè)定其深度，算出最大深度偏差。需要說(shuō)明的是，激光顯微鏡使用了基恩士公司制的VK8700。需要說(shuō)明的是，對(duì)于比較例1，由于深度偏差大，因而在相同條件下將原盤制造2次，評(píng)價(jià)了各自的深度偏差。深度偏差測(cè)定的結(jié)果示于以下表3。[表3]最大深度偏差[μm]最大高低差量[μm]實(shí)施例10.5無(wú)比較例1(第一次)1.21.6比較例1(第二次)1.41.4參照表3可知，使用熱光刻而形成了凹凸結(jié)構(gòu)的實(shí)施例1所涉及的原盤，與使用機(jī)械加工而形成了凹凸結(jié)構(gòu)的比較例1所涉及的原盤相比，深度偏差小。另外，可知比較例1所涉及的原盤由于分開(kāi)進(jìn)行了縱槽的加工和橫槽的加工，而使在縱槽與橫槽之間的加工深度不同，產(chǎn)生了高低差。具體而言，比較例1所涉及的原盤中產(chǎn)生的高低差最大為1.4μm～1.6μm。另一方面，對(duì)于實(shí)施例1所涉及的原盤，在凹凸結(jié)構(gòu)中沒(méi)有觀察到高低差?？烧J(rèn)為其原因是：對(duì)于比較例1所涉及的原盤，用于加工的單晶金剛石工具隨著加工的進(jìn)行而產(chǎn)生摩損，加工深度變得比目標(biāo)值淺。對(duì)此，對(duì)于比較例1所涉及的原盤，評(píng)價(jià)了單晶金剛石工具的加工距離與距目標(biāo)深度的變化量的關(guān)系。評(píng)價(jià)結(jié)果示于圖14。圖14是表示單晶金剛石工具的加工距離與距目標(biāo)深度的變化量的關(guān)系的圖表。需要說(shuō)明的是，圖14中所示的□點(diǎn)、Δ點(diǎn)、×點(diǎn)分別與不同的單晶金剛石工具相對(duì)應(yīng)。另外，單晶金剛石工具的加工距離與距目標(biāo)深度的變化量的關(guān)系，與深度偏差同樣地，通過(guò)利用激光顯微鏡測(cè)定比較例1所涉及的原盤的轉(zhuǎn)印物的深度來(lái)評(píng)價(jià)。具體而言，通過(guò)觀察原盤的轉(zhuǎn)印物來(lái)測(cè)定：3個(gè)單晶金剛石工具分別所形成的槽的深度根據(jù)加工距離而如何變化。如圖14所示，可知任一單晶金剛石工具，都會(huì)隨著加工距離變長(zhǎng)而產(chǎn)生摩損，槽的加工深度變得比目標(biāo)值淺。另外，得知在各單晶金剛石工具之間，摩損相對(duì)于加工距離的進(jìn)行程度存在偏差?？烧J(rèn)為這樣的各單晶金剛石工具之間的偏差也成為比較例1所涉及的原盤的加工深度的偏差的原因。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的原盤的制造方法，能夠在短期內(nèi)制造出形成有具有任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的原盤。另外，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的原盤的制造方法，能夠制造出形成有具有微米級(jí)的加工深度的凹凸結(jié)構(gòu)的原盤。進(jìn)一步可知，與超精密切割即能夠形成具有微米級(jí)的加工深度的凹凸結(jié)構(gòu)的其他方法相比，通過(guò)本實(shí)施方式所涉及的制造方法制造的原盤能夠使凹凸結(jié)構(gòu)的加工深度偏差小。以上，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于這樣的例子。顯然，只要是具有本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中的普通知識(shí)的人員，就能夠在權(quán)利要求中記載的技術(shù)構(gòu)思的范疇內(nèi)想到各種變更例或修正例，對(duì)于這些內(nèi)容也當(dāng)然理解為屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。產(chǎn)業(yè)上的可利用性需要說(shuō)明的是，通過(guò)本發(fā)明所涉及的制造方法制造的原盤的轉(zhuǎn)印物由于具有任意形狀的凹凸結(jié)構(gòu)，因而可適用于各種用途。例如，通過(guò)在經(jīng)轉(zhuǎn)印的凹凸結(jié)構(gòu)形成回路，從而能夠使轉(zhuǎn)印物適用于印刷型電子產(chǎn)品。作為其他例子，通過(guò)在經(jīng)轉(zhuǎn)印的凹凸結(jié)構(gòu)形成血液等生物樣品的流路，從而能夠使轉(zhuǎn)印物用作生物傳感器或診斷器件。另外，通過(guò)用經(jīng)轉(zhuǎn)印的凹凸結(jié)構(gòu)來(lái)控制光學(xué)特性，從而能夠使轉(zhuǎn)印物用作光學(xué)元件。進(jìn)一步，通過(guò)使用經(jīng)轉(zhuǎn)印的凹凸結(jié)構(gòu)，從而能夠使轉(zhuǎn)印物用作粒子排列片。附圖標(biāo)記說(shuō)明1：原盤2：曝光裝置11：基材13：凹凸結(jié)構(gòu)15：抗蝕劑層15A：潛影17：中間層20：激光21：激光光源40：格式化器401：輸入圖像獲取部403：小區(qū)域分割部405：信號(hào)生成部407：時(shí)鐘信號(hào)生成部當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3