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一種真空成型裝置及方法與流程

文檔序號(hào):40560787發(fā)布日期:2025-01-03 11:20閱讀:7來(lái)源:國(guó)知局
一種真空成型裝置及方法與流程

本公開(kāi)涉及真空成型,特別涉及一種真空成型裝置及方法。


背景技術(shù):

1、真空輔助灌注成型工藝是一種先進(jìn)的制造技術(shù),它憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在多個(gè)高端制造領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。這種工藝一般采用真空袋成型技術(shù),將樹(shù)脂基復(fù)合材料浸漬模具之中且與預(yù)成型件充分浸潤(rùn),固化后得到樹(shù)脂基復(fù)合材料產(chǎn)品,其通過(guò)利用真空環(huán)境來(lái)優(yōu)化樹(shù)脂的流動(dòng)和充填過(guò)程,從而實(shí)現(xiàn)了高精度、高質(zhì)量的產(chǎn)品制造。

2、但是在灌注過(guò)程中,由于連接樹(shù)脂和預(yù)成型件的管道內(nèi)存在空氣,真空袋內(nèi)總會(huì)不可避免的出現(xiàn)或多或少的氣泡,導(dǎo)致復(fù)合材料內(nèi)部孔隙率高,力學(xué)性能差。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決相關(guān)技術(shù)中存在的問(wèn)題,本公開(kāi)提供了一種真空成型裝置及方法。

2、根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的第一方面,提供一種真空成型裝置,包括:

3、成型腔體,所述成型腔體中放置預(yù)成型件;

4、樹(shù)脂儲(chǔ)存部,用于盛放樹(shù)脂;

5、第一流路,所述樹(shù)脂儲(chǔ)存部通過(guò)所述第一流路與所述成型腔體的第一端連通,所述第一流路包括第一支路和第二支路,所述第一支路和所述第二支路之間設(shè)置有第一控制閥,所述樹(shù)脂儲(chǔ)存部通過(guò)所述第一支路與所述第一控制閥連通;

6、抽真空部;

7、第二流路,所述抽真空部通過(guò)所述第二流路與所述成型腔體的第二端連通,所述第二流路上設(shè)置有第二控制閥;

8、加熱腔,所述成型腔體置于所述加熱腔中;

9、控制部,與所述抽真空部、所述第一控制閥、所述第二控制閥電連接,所述控制部用于控制所述第一控制閥、所述第二控制閥和所述抽真空部,以使得所述第一支路內(nèi)充滿樹(shù)脂后,關(guān)閉所述第一控制閥并控制所述抽真空部對(duì)所述第二支路、所述成型腔體和所述第二流路進(jìn)行抽真空,并在完成抽真空后開(kāi)啟所述第一控制閥,以對(duì)所述成型腔體進(jìn)行樹(shù)脂的灌注。

10、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述第一控制閥的開(kāi)度可調(diào);和/或,所述第二控制閥的開(kāi)度可調(diào)。

11、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述第一控制閥包括二插球閥;和/或,

12、所述第二控制閥包括二插球閥。

13、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述樹(shù)脂儲(chǔ)存部置于所述加熱腔內(nèi)。

14、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述抽真空部位于所述加熱腔之外。

15、根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的第二方面,提供一種真空成型方法,采用如上述的真空成型裝置,所述真空成型方法包括:

16、開(kāi)啟第一控制閥、第二控制閥和抽真空部,以使得樹(shù)脂儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的樹(shù)脂流向第一支管;

17、當(dāng)所述樹(shù)脂充滿所述第一支管后,關(guān)閉所述第一控制閥;

18、當(dāng)所述抽真空部的壓力達(dá)到預(yù)設(shè)值后,將所述第一控制閥打開(kāi),以通過(guò)所述第一支管和所述第二支管向成型腔體進(jìn)行所述樹(shù)脂的灌注;

19、對(duì)所述成型腔體完成所述樹(shù)脂的灌注之后,關(guān)閉所述第二控制閥、所述第一控制閥和所述抽真空部。

20、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述開(kāi)啟第一控制閥,包括:將所述第一控制閥打開(kāi)至預(yù)設(shè)開(kāi)度,所述預(yù)設(shè)開(kāi)度小于所述第一控制閥的全開(kāi)開(kāi)度。

21、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)開(kāi)度為所述第一控制閥的全開(kāi)開(kāi)度的1/5-1/2。

22、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述關(guān)閉所述第二控制閥、所述第一控制閥和所述抽真空部,包括:

23、按照順序依次關(guān)閉所述第二控制閥、所述第一控制閥、所述抽真空部。

24、本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,對(duì)所述成型腔體完成所述樹(shù)脂的灌注之后,將所述第二控制閥、所述第一控制閥和所述抽真空部繼續(xù)開(kāi)啟預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)之后再進(jìn)行關(guān)閉。

25、本公開(kāi)的有益效果包括但不限于:本公開(kāi)所提供的真空成型裝置中,控制部能夠控制第一控制閥、第二控制閥和抽真空部的開(kāi)閉,實(shí)現(xiàn)將第一支路內(nèi)充滿樹(shù)脂后,停止樹(shù)脂的抽取。然后繼續(xù)抽真空,以排出第二支路、成型腔體和第二流路中的空氣,再對(duì)成型腔體進(jìn)行樹(shù)脂的抽取灌注,從而保證一開(kāi)始進(jìn)入成型腔體中的樹(shù)脂不存在氣泡,降低成型腔體中固化后所得成型件(樹(shù)脂基復(fù)合材料)的內(nèi)部孔隙率,從而提高其力學(xué)性能。此外,該真空成型裝置中,成型腔體設(shè)置于加熱腔中,這樣可以在樹(shù)脂灌注完成后,直接通過(guò)加熱腔對(duì)成型腔體進(jìn)行加熱實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂的固化,避免了樹(shù)脂灌注完成后再將成型腔體搬運(yùn)至加熱腔中產(chǎn)生的樹(shù)脂因晃動(dòng)而分布不均以及易產(chǎn)生氣泡的問(wèn)題。

26、應(yīng)當(dāng)理解的是,以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本公開(kāi)。



技術(shù)特征:

1.一種真空成型裝置,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空成型裝置,其特征在于,所述第一控制閥的開(kāi)度可調(diào);和/或,所述第二控制閥的開(kāi)度可調(diào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空成型裝置,其特征在于,所述第一控制閥包括二插球閥;和/或,

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的真空成型裝置,其特征在于,所述樹(shù)脂儲(chǔ)存部置于所述加熱腔內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的真空成型裝置,其特征在于,所述抽真空部位于所述加熱腔之外。

6.一種真空成型方法,其特征在于,采用如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的真空成型裝置,所述真空成型方法包括:

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空成型方法,其特征在于,所述開(kāi)啟第一控制閥,包括:將所述第一控制閥打開(kāi)至預(yù)設(shè)開(kāi)度,所述預(yù)設(shè)開(kāi)度小于所述第一控制閥的全開(kāi)開(kāi)度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空成型方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)開(kāi)度為所述第一控制閥的全開(kāi)開(kāi)度的1/5-1/2。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空成型方法,其特征在于,所述關(guān)閉所述第二控制閥、所述第一控制閥和所述抽真空部,包括:

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空成型方法,其特征在于,對(duì)所述成型腔體完成所述樹(shù)脂的灌注之后,將所述第二控制閥、所述第一控制閥和所述抽真空部繼續(xù)開(kāi)啟預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)之后再進(jìn)行關(guān)閉。


技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種真空成型裝置及方法。真空成型裝置包括:成型腔體;樹(shù)脂儲(chǔ)存部;第一流路,第一流路包括第一支路和第二支路,第一支路和第二支路之間設(shè)置有第一控制閥;抽真空部;第二流路,第二流路上設(shè)置有第二控制閥;加熱腔,成型腔體置于加熱腔中;控制部,與抽真空部、第一控制閥、第二控制閥電連接。該真空成型裝置中,控制部能夠控制第一控制閥、第二控制閥和抽真空部的開(kāi)閉,將第一支路內(nèi)充滿樹(shù)脂后停止樹(shù)脂的抽取。然后繼續(xù)抽真空,排出第二支路、成型腔體和第二流路中的空氣,降低成型腔體中固化后所得成型件的內(nèi)部孔隙率。此外,成型腔體設(shè)置于加熱腔中,可以在樹(shù)脂灌注完成后,直接通過(guò)加熱腔對(duì)成型腔體進(jìn)行加熱實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂的固化。

技術(shù)研發(fā)人員:趙樂(lè),徐銘濤,徐福興
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中復(fù)神鷹(上海)科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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