一種用于輻射處理基底的設(shè)備的制造方法
【專利說明】一種用于輻射處理基底的設(shè)備
[0001]本發(fā)明涉及一種用于電磁輻射輻照基底的設(shè)備，例如紅外輻射(IR輻射)用于干燥基底和/或紫外輻射(UV輻射)用于交聯(lián)UV硬化漆。
[0002]這種設(shè)備例如用作為涂漆設(shè)備的組成部分。這種涂漆設(shè)備通常在第一步驟中清潔基底表面。這例如可以借助空氣壓力和/或借助表面離子處理設(shè)備來完成，或者借助液體介質(zhì)如水或水溶液或酒精溶液或溶劑溶液來噴射表面，或借助固體如噴射物或C02，或借助于把基底沉入水溶液、酒精溶液或溶劑溶液，必要時(shí)借助波動(dòng)作用，如超聲波或微波。
[0003]在借助液體介質(zhì)清潔時(shí)，隨后的干燥可采用IR熱輻射來進(jìn)行。
[0004]然后，在第二步驟中施加真正的漆層，例如借助噴涂分散的漆。在此期間，在隨后步驟中烘干已經(jīng)涂漆的基底。這可以借助在循環(huán)空氣中加熱和/或借助施加紅外線輻射(IR)在例如50-80°C的情況下完成。在此，通常存在于油漆中的溶劑大體上被蒸發(fā)。在當(dāng)今應(yīng)用極為廣泛的UV硬化漆(即借助UV光線來交聯(lián)的漆)的情況下，硬化是在溶劑蒸發(fā)之后的步驟完成的。根據(jù)應(yīng)用而定，在處理步驟中采用IR和/或UV照燈。在本說明書中，借助IR輻射的干燥工藝和/或借助UV輻射的交聯(lián)工藝被統(tǒng)一稱之為輻射處理。
[0005]為了避免溶劑自由逃逸至環(huán)境或工作環(huán)境，該工藝根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在處理腔室內(nèi)執(zhí)行。此時(shí)應(yīng)當(dāng)保證存在持續(xù)氣體交換，以便例如在基底周圍將溶劑濃度維持得較低，進(jìn)而也加速干燥和/或交聯(lián)處理。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，如圖1示意所示，在封閉的腔室I內(nèi)執(zhí)行輻射處理。在此，在腔室I的靠上部分中設(shè)置輻射源9、9’、9”，而在靠下部分中布置有待裝載基底的基底托架11，11’。在圖1中，兩根軸作為基底托架，這兩根軸可以裝載有待輻射處理的部件。輻射源9，9’，9”也可以布置在基底托架11，11’之下，但是通常加以避免，以免輻射源9，9’，9”被從基底滴落的殘余油漆污染。
[0006]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在腔室蓋上設(shè)置入流區(qū)域7，從入口 3供入的氣體如空氣穿過該入流區(qū)域流向腔室。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，該氣體流過輻射源9，9’，9”，隨后在基底11，11’流過，進(jìn)入腔室的靠下區(qū)域，在這里氣體通過出口 5從腔室I被吸走?；诂F(xiàn)有技術(shù)的這種結(jié)構(gòu)，流動(dòng)與重力共同作用，從而污物如灰塵以及溶劑可被有效吸走。在圖1中，氣流及其方向是示意性用箭頭來表示的。
[0007]然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的這種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于，流過基底的氣流首先必須經(jīng)過輻射源。輻射源在工作中通常很燙，這會(huì)導(dǎo)致氣流的不受控升溫。這意味著基底托架11，11’所遭受的氣流沒有確定的溫度并且其中沿基底托架寬度甚至?xí)霈F(xiàn)溫度梯度。然而，干燥和/或交聯(lián)很大程度上受到當(dāng)前溫度的影響。因此，未定義的溫度條件很快就會(huì)導(dǎo)致不受控的工藝。尤其是，當(dāng)存在溫度梯度時(shí)，會(huì)出現(xiàn)非均勻性。而且，因?yàn)檩椛湓幢旧硗ǔ囟炔环€(wěn)定而使得問題更為尖銳。在初始階段，輻射源是較冷的，而當(dāng)其長(zhǎng)時(shí)間工作后將會(huì)明顯加熱。這種問題雖然可以通過輻射源上的明顯冷卻措施而得以減輕。但是，這種措施需要復(fù)雜的技術(shù)，因而很昂貴。
[0008]如上所述，期待提供一種用于輻射處理的設(shè)備，借此可減輕或優(yōu)選完全避免現(xiàn)有技術(shù)的上述問題。
[0009]本發(fā)明的任務(wù)因而在于提供這樣一種設(shè)備。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，上述問題通過如權(quán)利要求1所述的設(shè)備得以解決。從屬權(quán)利要求提供了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。原則上，根據(jù)本發(fā)明如此解決這些問題，即在腔室內(nèi)形成氣流，其在進(jìn)入腔室之后立即流經(jīng)基底。由于氣流此前沒有流經(jīng)可能向外輻射熱量的輻射源，因此氣流溫度是明確規(guī)定的，或也可按簡(jiǎn)單方式設(shè)定為所需的穩(wěn)定值。
[0011]下面結(jié)合附圖舉例詳細(xì)說明本發(fā)明及其有利實(shí)施方式。
[0012]圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于輻射處理基底的設(shè)備，
[0013]圖2示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的用于輻射處理基底的設(shè)備，
[0014]圖3示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的用于輻射處理基底的設(shè)備。
[0015]圖2示出根據(jù)第一實(shí)施方式的本發(fā)明設(shè)備。示出腔室201，其中設(shè)置有輻射源9、9’、9”和待輻照的基底11、11’。在該腔室內(nèi)，在下方在基底11、11’附近設(shè)置氣體入口203。根據(jù)該實(shí)施方式，在腔室蓋區(qū)域設(shè)置氣體出口 205，在該氣體出口上游可以設(shè)置蓋腔室207。現(xiàn)在，在設(shè)備運(yùn)行時(shí)，氣體在進(jìn)入腔室之后首先從基底11、11’旁邊流過，之后氣體環(huán)繞流過輻射源9、9’、9”，并經(jīng)過可選的蓋腔室207經(jīng)由氣體出口 205流出。以這種方式明確規(guī)定在基底11、11’旁邊流過的氣體的溫度，該過程可以在準(zhǔn)確預(yù)定的且穩(wěn)定的溫度情況下進(jìn)行。有利的是，在腔室的邊緣區(qū)域設(shè)置成形件209，其可以充當(dāng)集塵器。
[0016]圖3示出本發(fā)明第二有利實(shí)施方式。在此，腔室301具有輻射源9、9’、9”，其設(shè)置在基底11、11’上方，并且不僅通過腔室下方區(qū)域內(nèi)的第一入口 303 (基底11、11’下方)而且也通過腔室上方區(qū)域的第二入口 305(輻射源9、9’、9”上方)施加氣流。優(yōu)選在腔室高度的一半處設(shè)置出口 311、311’，它們優(yōu)選對(duì)稱設(shè)置。在該實(shí)施方式中，兩股氣流如圖利用箭頭所示在約一半高度處，即在輻射源9、9’、9”和基底11、11’之間彼此相遇，并且通過側(cè)向設(shè)置的出口 311、311’從腔室內(nèi)部流出。本發(fā)明這個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)尤其是，氣流中攜帶的灰塵顆粒趨于被送往腔室邊緣。如果在那里還設(shè)置可以充當(dāng)集塵器的成形件309，則腔室內(nèi)也許存在的灰塵主要集聚在集塵器內(nèi)，該灰塵主要朝向出口 311、311’輸送，但在路上從氣流分離出來。根據(jù)一個(gè)特別有利的實(shí)施方式，在成形件309內(nèi)分別設(shè)有一個(gè)可取下的容器313，從而在該容器內(nèi)可以積聚灰塵，并且可以通過取下并清空容器來簡(jiǎn)單地清理灰塵。當(dāng)然，這種容器也可以有利地應(yīng)用在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中。
[0017]此處公開了一種用于輻射處理基底的設(shè)備，其在腔室內(nèi)在用于裝載待處理基底的基底托架上方具有至少一個(gè)輻射源，并且所述腔室包括用于維持該腔室內(nèi)的氣流的機(jī)構(gòu)，具有至少一個(gè)氣體入口和至少一個(gè)氣體出口，其特征在于，所述至少一個(gè)氣體入口如此設(shè)置在所述基底托架的區(qū)域內(nèi)，即經(jīng)由所述至少一個(gè)氣體入口流入的氣體首先環(huán)繞流過所述基底托架，隨后它直接地和/或在環(huán)繞流過至少一個(gè)輻射源之后經(jīng)由所述氣體出口又離開所述腔室。
[0018]在該設(shè)備中，氣體出口可以如此設(shè)置在至少一個(gè)輻射源的區(qū)域內(nèi)，即氣體在環(huán)繞流過基底托架之后，環(huán)繞流過至少一個(gè)輻射源，隨后它經(jīng)由氣體出口離開腔室。
[0019]氣體出口可以設(shè)置在基底托架和至少一個(gè)輻射源之間的高度上。
[0020]在至少一個(gè)輻射源的區(qū)域內(nèi)可以如此設(shè)置第二氣體入口，即通過第二氣體入口流入的氣體首先環(huán)繞流過至少一個(gè)輻射源，隨后它與從基底托架流過來的氣體相遇，并與其一起經(jīng)由氣體出口從腔室流出。
[0021]在下方的腔室邊緣上可以如此設(shè)置成形件，即在成形件區(qū)域內(nèi)氣流被減緩，該成形件相應(yīng)地發(fā)揮集塵器的作用。
[0022]可以在成形件內(nèi)設(shè)置可取下的容器。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于輻射處理基底的設(shè)備，其在腔室內(nèi)在用于裝載待處理基底的基底托架上方具有至少一個(gè)輻射源，并且所述腔室包括用于維持該腔室內(nèi)的氣流的機(jī)構(gòu)，其具有至少一個(gè)氣體入口和至少一個(gè)氣體出口，其特征在于，所述至少一個(gè)氣體入口如此設(shè)置在所述基底托架的區(qū)域內(nèi)，即經(jīng)由所述至少一個(gè)氣體入口流入的氣體首先環(huán)繞流過所述基底托架，隨后它直接地和/或在環(huán)繞流過至少一個(gè)輻射源之后經(jīng)由所述氣體出口又離開所述腔室。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述氣體出口如此設(shè)置在所述至少一個(gè)輻射源的區(qū)域內(nèi)，即氣體在環(huán)繞流過所述基底托架之后，環(huán)繞流過所述至少一個(gè)輻射源，隨后它經(jīng)由所述氣體出口離開所述腔室。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述至少一個(gè)氣體出口設(shè)置在基底托架與至少一個(gè)輻射源之間的高度上。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，在所述至少一個(gè)輻射源的區(qū)域內(nèi)如此設(shè)有第二氣體入口，即通過所述第二氣體入口流入的氣體首先環(huán)繞流過所述至少一個(gè)輻射源，隨后它與從所述基底托架流過來的氣體相遇，并隨其經(jīng)由所述氣體出口流出所述腔室。
5.如前述權(quán)利要求之一所述的設(shè)備，其特征在于，在靠下的腔室邊緣上如此設(shè)置成形件，即在所述成形件區(qū)域內(nèi)減緩流動(dòng)并且所述成形件相應(yīng)地發(fā)揮集塵器的作用。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，至少在局部在所述成形件內(nèi)設(shè)置可取下的容器。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于輻射處理基底的設(shè)備，其在腔室內(nèi)在用于裝載待處理基底的基底托架上方具有至少一個(gè)輻射源，并且所述腔室包括用于維持該腔室內(nèi)的氣流的機(jī)構(gòu)，該腔室具有至少一個(gè)氣體入口和至少一個(gè)氣體出口，其特征在于，所述至少一個(gè)氣體入口如此設(shè)置在所述基底托架的區(qū)域內(nèi)，即經(jīng)由所述至少一個(gè)氣體入口流入的氣體首先環(huán)繞流過所述基底托架，隨后它直接地和/或在環(huán)繞流過至少一個(gè)輻射源之后經(jīng)由所述氣體出口又離開所述腔室。
【IPC分類】B29C37-00, B29C35-08, B29C71-04
【公開號(hào)】CN104582923
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380044753
【發(fā)明人】卡洛斯·里貝羅
【申請(qǐng)人】歐瑞康表面處理解決方案股份公司特魯巴赫
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年7月26日
【公告號(hào)】DE102012017230A1, EP2890542A1, US20150202587, WO2014032754A1