半導(dǎo)體封裝模具、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)，具體地，涉及半導(dǎo)體封裝模具、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體封裝技術(shù)具有為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱等功能，可以實(shí)現(xiàn)多腳化，具有縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝大都需要將芯片鍵合或粘接到基板上，然后用模具進(jìn)行封裝。
[0003]圖la-圖lc是在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)中使用的封裝模具的示意圖(其中忽略了注塑孔和定位孔)。如圖la-圖lc所示，傳統(tǒng)的封裝模具包括上模具101和下模具102，該上模具101的下表面101a和該下模具102的上表面102a均形成為平面形狀。在封裝的時(shí)候，先在基板上布置好芯片，并將芯片與基板電連接。之后，再將基板貼合在所述下模具102的上表面102a上，并將上模具101倒扣在下模具102上，與該下模具102接合。最后在上模具101與下模具102之間注塑封裝層，以對(duì)該芯片進(jìn)行封裝。
[0004]由于封裝層材料(例如，環(huán)氧樹脂模塑料(EMC))與基板材料(例如，F(xiàn)R4或BT)在熱膨脹系數(shù)(CTE)上存在差別(例如，某種EMC的熱膨脹系數(shù)為45ppm，而用于基板的FR4的熱膨脹系數(shù)為18ppm)，導(dǎo)致在升降溫時(shí)封裝層與基板膨脹或收縮的體積不相等，這就容易造成翹曲。翹曲的產(chǎn)生，可造成芯片的斷裂，也會(huì)在后續(xù)的組裝過(guò)程(例如SMT)中造成開路(OPEN)或枕頭效應(yīng)(HiP)等失效。這種現(xiàn)象非常普遍，并且使得生產(chǎn)成本增加，封裝結(jié)構(gòu)的可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供能夠有效地減小翹曲的半導(dǎo)體封裝模具、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝模具，該封裝模具包括下模具和倒扣在該下模具上的上模具，所述上模具的下表面和所述下模具的上表面形成為凹凸匹配的曲面。
[0007]優(yōu)選地，在所述下模具的上表面上貼合有帶有芯片的基板，以及在該上表面與所述上模具的下表面之間容納有用于對(duì)該芯片進(jìn)行封裝的封裝層；以及在所述基板的熱膨脹系數(shù)小于所述封裝層的熱膨脹系數(shù)的情況下，所述下表面形成為向上凹進(jìn)的曲面，以及所述上表面形成為向上凸起的曲面；在所述基板的熱膨脹系數(shù)大于所述封裝層的熱膨脹系數(shù)的情況下，所述下表面形成為向下凸起的曲面，以及所述上表面形成為向下凹進(jìn)的曲面。
[0008]優(yōu)選地，所述基板與所述封裝層的熱膨脹系數(shù)的差異越大，所述下表面形成的曲面和所述上表面形成的曲面的曲率越大；以及所述基板與所述封裝層的熱膨脹系數(shù)的差異越小，所述下表面形成的曲面和所述上表面形成的曲面的曲率越小。
[0009]優(yōu)選地，所述下表面與所述上表面之間的間距相等。
[0010]優(yōu)選地，所述下表面和所述上表面分別沿所述封裝模具的長(zhǎng)度方向和寬度方向?qū)ΨQ。
[0011]優(yōu)選地，所述上模具包括第一組塊和第一框架，所述第一框架上形成有第一凹槽，所述第一組塊被可拆卸地嵌入在該第一凹槽中，所述第一組塊被暴露的表面形成為所述上模具的所述下表面。
[0012]優(yōu)選地，所述下模具包括第二組塊和第二框架，所述第二框架上形成有第二凹槽，所述第二組塊被可拆卸地嵌入在該第二凹槽中，所述第二組塊被暴露的表面形成為所述下模具的所述上表面。
[0013]本發(fā)明還提供一種利用根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝模具進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括:在基板上布置至少一個(gè)芯片，并將所述至少一個(gè)芯片與所述基板電連接；將所述基板貼合在所述封裝模具的下模具的上表面上；將所述封裝模具的上模具倒扣在所述下模具之上；以及在所述上模具的下表面與所述下模具的上表面之間注塑封裝層，以對(duì)所述至少一個(gè)芯片進(jìn)行封裝。
[0014]優(yōu)選地，該方法還包括:在將所述基板貼合在所述封裝模具的下模具的上表面上之前，根據(jù)所述基板與所述封裝層的熱膨脹系數(shù)的差異，選擇合適的封裝模具。
[0015]本發(fā)明還提供一種由使用根據(jù)本發(fā)明提供的方法制成的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
[0016]上述技術(shù)方案中，將封裝模具的上模具的下表面和下模具的上表面配置為凹凸配合的曲面，使得當(dāng)上、下模具接合時(shí)，中間部分可以形成為彎曲的空腔。封裝模具的這種結(jié)構(gòu)使得封裝在其中的封裝結(jié)構(gòu)能夠產(chǎn)生向上或向下彎曲的預(yù)形變。在降溫過(guò)程中，由于基板和封裝層的熱膨脹系數(shù)不同而使得封裝結(jié)構(gòu)的預(yù)形變逐漸減小，最終趨于平整。這樣，可以在目前還沒(méi)有研究出熱膨脹系數(shù)基本匹配的封裝層與基板的情況下，有效減小由于熱膨脹系數(shù)上的差異引起的翹曲，從而防止芯片斷裂，提高封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。
[0017]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的【具體實(shí)施方式】部分予以詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0018]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0019]圖la-圖lc是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)中使用的封裝模具的示意圖；
[0020]圖2a_圖2c是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的封裝模具的示意圖；
[0021]圖3a_圖3c是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的封裝模具的示意圖；
[0022]圖4a和圖4b是根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的封裝模具的示意圖；以及
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝方法的流程圖。
[0024]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0025]101上模具101a上模具的下表面
[0026]102下模具102a下模具的上表面
[0027]1011第一組塊1012第一框架 1012a第一凹槽
[0028]1021第二組塊1022第二框架 1022a第二凹槽
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0030]在本發(fā)明中，在未作相反說(shuō)明的情況下，使用的方位詞如“上、下”通常是在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝模具正常使用的情況下定義的，具體地可參考圖lc、圖2c以及圖3c所示的圖面方向。需要說(shuō)明的是，這些方位詞只用于說(shuō)明本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0031]圖2a_圖2c是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的封裝模具的示意圖。該封裝模具可以包括上模具101 (如圖2a所示)和下模具102 (如圖2b所示)。與圖la和圖lb中的傳統(tǒng)的封裝模具不同的是，在該實(shí)施方式中，上模具101的下表面101a和下模具102的上表面102a是具有一定曲率的曲面。
[0032]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的時(shí)候，需將上模具101倒扣在下模具102上，以與該下模具102接合。圖2c中的封裝模具就是在進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的時(shí)候，將上模具101倒扣在下模具102上形成的。如圖2c所示，該上模具101的下表面101a和該下模具102的上表面102a可以形成為凹凸配合的曲面。例如，在圖2c所示的實(shí)施方式中，下模具102的上表面102a可以形成為向上凸起的曲面，而上模具101的下表面101a可以形成為向上凹進(jìn)的曲面。這樣，當(dāng)所述上模具101與所述下模具102接合以后，該上模具101的下表面101a和該下模具102的上表面102a之間可以形成一彎曲(具體為向上彎曲)的空腔。
[0033]在所述下模具102的上表面102a上可以貼合有帶有芯片的基板，以及在該上表面102a與所述上模具101的下表面101a之間容納有用于對(duì)該芯片進(jìn)行封裝的封裝層。由于下模具102的上表面102a形成為一曲面