面曝光3d打印約束基板防粘附增透功能膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，包括刻蝕在石英基板表面的納米結(jié)構(gòu)層，及沉積在納米結(jié)構(gòu)層表面的低表面能修飾層。本發(fā)明還公開了其制備方法：通過浸漬提拉法在石英基板表面單層密排二氧化硅小球；以單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；在對其進行低表面能處理得到。本發(fā)明防粘附增透功能膜，通過表面刻蝕納米結(jié)構(gòu)層，并在納米結(jié)構(gòu)層表面沉積低表面能修飾層，使其表面具有疏水/疏油特性，樹脂不能填充納米結(jié)構(gòu)間隙，因而固化樹脂與槽底表面只有部分接觸，由于固化層與基底表面的接觸面積顯著減小，因而固化層與基底間的粘附力顯著減小。
【專利說明】
面曝光3D打印約束基板防粘附増透功能膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于3D打印技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，本發(fā)明還涉及該防粘附增透功能膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]面曝光3D打印一次曝光完成實體零件一個層面的固化，可以顯著提高成型效率。面曝光成型分為自由面曝光和約束面曝光兩種方式。與自由面曝光方式相比，約束面曝光具有以下優(yōu)點:節(jié)約材料;固化層與空氣不接觸，避免了氧氣擬制固化的問題，精度高;不需要樹脂重新涂鋪及刮平動作，效率高;避免了刮平對精細結(jié)構(gòu)可能的破壞。約束面曝光工藝存在的主要問題是，固化樹脂層從槽底剝離時需要克服的界面粘附力較大，樹脂反復(fù)在成型室槽底表面形成固化層并剝離過程中會發(fā)生剝離失效。為了保證零件的可靠打印，需要減小固化層剝離過程中的粘附力。
[0003]針對上述問題，目前解決的方法可以歸納為以下三種:
[0004]1.樹脂過固化，使固化層具有足夠的強度，并與上一層之間具有足夠的結(jié)合力，保證零件隨Z向工作臺上升過程中，固化層從約束槽底剝離。然而，過固化使得曝光時間延長，影響了打印效率，而且會使表面質(zhì)量及尺寸精度降低。
[0005]2.在約束成型室槽底表面鍍覆低表面能的彈性中間層比如硅酮、PDMS、特氟龍，減小固化樹脂從槽底剝離所需要的力，這種方法存在的問題一是耐用性差，因為中間膜層在UV光反復(fù)照射下老化失效，而且膜層容易從基底脫落;二是中間膜層影響降低了光透過性。
[0006]3.槽底采用透氧氣的材料，利用透過的氧氣對樹脂的阻聚作用，在固化層和槽底之間形成不固化的“死區(qū)”，由于打印過程中固化層與槽底之間的樹脂始終為液態(tài)，從而顯著減小了固化層分離所需要的拉力。該工藝存在的問題是打印完一層提升時由于樹脂涂鋪填充過程中液態(tài)樹脂拖曳力的影響，對于截面面積大的零件，仍然不能可靠打??；另外，需要控制“死區(qū)”厚度，連續(xù)打印過程中，如果“死區(qū)”厚度不滿足最小厚度要求，會導(dǎo)致打印失敗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在功能膜耐用性差、影響透光性以及利用阻聚效應(yīng)減小粘附作用時“死區(qū)”厚度控制困難的問題。
[0008]本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述防粘附增透功能膜的制備方法。
[0009]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是，面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，包括刻蝕在石英基板表面的納米結(jié)構(gòu)層，及沉積在納米結(jié)構(gòu)層表面的低表面能修飾層。
[0010]本發(fā)明的特點還在于，
[0011]納米結(jié)構(gòu)層間存在氣膜。
[0012]低表面能修飾層為C4F8疏水層或氟硅烷低濕潤表面層。
[0013]本發(fā)明所采用的另一個技術(shù)方案是，面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，具體按照以下步驟實施:
[0014]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精超聲清洗石英基板后用去離子水沖洗干凈，然后用Piranha溶液浸泡后用去離子水沖洗干凈待用；
[0015]步驟2，通過浸漬提拉法將納米二氧化硅小球懸濁液浸漬到石英基板表面，得到單層密排二氧化硅小球；
[0016]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0017]步驟4，將步驟3處理后的石英基板經(jīng)過低表面能處理，得到防粘附增透功能膜。
[0018]本發(fā)明的特點還在于，
[0019]步驟2中納米二氧化硅小球懸濁液制備方法為:將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化娃粒子體積份數(shù)為3 %?15 %。
[0020]步驟2中浸漬提拉的具體方法為:用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以2?ΙΟμπι/s的速度上升，同時以0.5?2ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液。
[0021]步驟3中干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率40W?80W、ICP功率400W?800W，02流量5?25sccm，C4F8 流量 30 ?55sccm，刻蝕時間0.5 ?8min。
[0022]步驟4中低表面能處理:采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8，沉積時間5?30 s，得到C4F8疏水層。
[0023]步驟4中低表面能處理:將氟硅烷F-1061溶于氟硅烷F-8632溶劑中得到氟硅烷溶液，其中氟硅烷F-1061的質(zhì)量濃度為0.1-2%,將表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板浸于氟硅烷溶液24h，氟硅烷以分子自組裝的方式沉積于二氧化硅納米結(jié)構(gòu)表面，經(jīng)170°C烘烤lh，SP得到氟硅烷低濕潤表面層。
[0024]本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，通過表面刻蝕納米結(jié)構(gòu)層，并在納米結(jié)構(gòu)層表面沉積低表面能修飾層，使其表面具有疏水/疏油特性，樹脂不能填充納米結(jié)構(gòu)間隙，因而固化樹脂與槽底表面只有部分接觸，由于固化層與基底表面的接觸面積顯著減小，因而固化層與基底間的粘附力顯著減小；由于納米結(jié)構(gòu)層間存在氣膜，液態(tài)樹脂與槽底界面部分區(qū)域由固液接觸變成氣液接觸，從而減小了涂鋪填充過程中樹脂的流動阻力，從而減小了固化層提升過程中的拖曳力。
【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明防粘附增透功能膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖中，1.石英基板，2.納米結(jié)構(gòu)層，3.低表面能修飾層。
[0027]圖2是石英基板未經(jīng)過Piranha溶液親水處理單層密排二氧化硅小球的排布結(jié)果；
[0028]圖3是石英基板經(jīng)過Piranha溶液親水處理單層密排二氧化硅小球的排布結(jié)果；
[0029]圖4是固化樹脂在具有本發(fā)明功能膜的基底表面接觸情況觀測圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細說明。
[0031]本發(fā)明面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，如圖1所示，包括刻蝕在石英基板表面的納米結(jié)構(gòu)層，及沉積在納米結(jié)構(gòu)層表面的低表面能修飾層。
[0032]納米結(jié)構(gòu)層間存在氣膜。
[0033]低表面能修飾層為C4F8疏水層或氟硅烷低濕潤表面層。
[0034]上述面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，具體按照以下步驟實施:
[0035]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0036]步驟2，通過浸漬提拉法將納米二氧化硅小球懸濁液浸漬到石英基板表面，得到單層密排二氧化硅小球；
[0037]具體方法為:將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為3 %?15% ;用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以2?ΙΟμπι/s的速度上升，同時以0.5?2ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化娃小球懸池液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0038]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0039]干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率40W?80W、ICP功率400W?800W，02流量5?25sccm，C4F8流量30?55sccm，刻蝕時間0.5?8min ； (C4F8為刻蝕氣體，O2為刻蝕輔助氣體，用于改善刻蝕的效果)
[0040]步驟4，將步驟3處理后的石英基板經(jīng)過低表面能處理，得到防粘附增透功能膜。[0041 ] 步驟4中采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8,沉積時間5?30s，得到C4F8疏水層；
[0042]或者將氟硅烷F-1061溶于氟硅烷F-8632溶劑中得到氟硅烷溶液，其中氟硅烷F-1061的質(zhì)量濃度為0.1-2%，將表面制備了二氧化硅納米結(jié)構(gòu)的石英基板浸于氟硅烷溶液24h，氟硅烷以分子自組裝的方式沉積于納米結(jié)構(gòu)表面，經(jīng)170°C烘烤Ih，即得到氟硅烷低濕潤表面層。
[0043]本發(fā)明在石英基板預(yù)處理時采用Piranha溶液處理，由于納米二氧化娃納米排布工藝中，固液氣三相接觸線處的毛細力是晶體生長的驅(qū)動力，晶體的生長需要滿足納米粒子運動的力學(xué)平衡條件，從圖2可以看出，未經(jīng)過處理的表面由于表面上的不同區(qū)域存在表面能的差異，破壞了局部晶體生長所需要的力學(xué)平衡條件，因而出現(xiàn)“空隙”缺陷。適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚?，將平衡整個基底表面的表面能，有利于均勻納米小球陣列的形成，如圖3所示。
[0044]在具有本發(fā)明功能膜的基底表面固化樹脂，如圖4所示，樹脂未填充納米結(jié)構(gòu)間隙，基底表面納米結(jié)構(gòu)可以減小固化樹脂與基底的接觸面積。
[0045]實施例1
[0046]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0047]步驟2，將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為3 % ；用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以4ym/s的速度上升，同時以0.8ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0048]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0049]干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率50W、ICP功率400W，02流量5sccm，C4F8流量30sccm，刻蝕時間Imin;
[0050]步驟4，采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8,沉積時間20s，得到C4F8疏水層;
[0051 ] 實施例2
[0052]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0053]步驟2，將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為6 % ;用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以2ym/s的速度上升，同時以0.5ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0054]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0055]干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率60W、ICP功率500W，02流量15sccm，C4F8流量35sccm，刻蝕時間0.5min;
[0056]步驟4，采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8,沉積時間30s，得到C4F8疏水層。
[0057]實施例3
[0058]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0059]步驟2，將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為9 % ;用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以6ym/s的速度上升，同時以lml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0060]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0061 ] 干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率70W、ICP功率600W，02流量25sccm，C4F8流量50sccm，刻蝕時間3min;
[0062]步驟4，采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8,沉積時間5s，得到C4F8疏水層。
[0063]實施例4
[0064]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0065]步驟2，將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為12 % ;用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以ΙΟμπι/s的速度上升，同時以1.5ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0066]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0067]干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率80W、ICP功率700W，02流量10sccm，C4F8流量45sccm，刻蝕時間8min;
[0068]步驟4，將氟硅烷F-1061溶于氟硅烷F-8632溶劑中得到氟硅烷溶液，其中氟硅烷F-1061的質(zhì)量濃度為0.1%,將表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板浸于氟硅烷溶液24h，氟硅烷以分子自組裝的方式沉積于納米結(jié)構(gòu)表面，經(jīng)170°C烘烤lh，即得到氟硅烷低濕潤表面層。
[0069]實施例5
[0070]步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精將石英基板超聲清洗1min后用去離子水沖洗干凈，然后將石英玻璃基片置于Piranha溶液(H2OAH2SO4體積比1:4組成的混合物)浸泡25min，通過表面的羥基化以增強其表面潤濕性；用去離子水超聲清洗lOmin，并用去離子水沖洗干凈;用氮氣吹去基片表面水滴待用；
[0071]步驟2，將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化硅粒子體積份數(shù)為15 % ;用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以8ym/s的速度上升，同時以2ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液，保證燒杯內(nèi)納米二氧化硅小球懸濁液時刻填滿整個液面；
[0072]步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層；
[0073]干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率40W、ICP功率800W，02流量20sccm，C4F8流量55sccm，刻蝕時間5min;
[0074]步驟4，將氟硅烷F-1061溶于氟硅烷F-8632溶劑中得到氟硅烷溶液，其中氟硅烷F-1061的質(zhì)量濃度為2%，將表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板浸于氟硅烷溶液24h，氟硅烷以分子自組裝的方式沉積于納米結(jié)構(gòu)表面，經(jīng)170°C烘烤lh，即得到氟硅烷低濕潤表面層。
【主權(quán)項】
1.面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，其特征在于，包括刻蝕在石英基板表面的納米結(jié)構(gòu)層，及沉積在納米結(jié)構(gòu)層表面的低表面能修飾層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，其特征在于，納米結(jié)構(gòu)層間存在氣膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜，其特征在于，低表面能修飾層為C4Fs疏水層或氟娃燒低濕潤表面層。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施: 步驟I，石英基板表面處理:依次用硅酮和酒精超聲清洗石英基板后用去離子水沖洗干凈，然后用Piranha溶液浸泡后用去離子水沖洗干凈待用； 步驟2，通過浸漬提拉法將納米二氧化硅小球懸濁液浸漬到石英基板表面，得到單層密排二氧化硅小球； 步驟3，以步驟2得到的單層密排二氧化硅小球為掩蔽膜，通過干法刻蝕制備到石英基板表面，得到納米結(jié)構(gòu)層； 步驟4，將步驟3處理后的石英基板經(jīng)過低表面能處理，得到防粘附增透功能膜。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，步驟2中納米二氧化硅小球懸濁液制備方法為:將納米二氧化硅粒子乙醇溶液離心，然后倒掉無水乙醇溶液，得到納米二氧化硅粒子;然后將納米二氧化硅粒子均勻分散在乙烯丙烯酸或乙二醇中，得到納米二氧化硅小球懸濁液，其中納米二氧化硅小球懸濁液中納米二氧化娃粒子體積份數(shù)為3 %?15 %。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，步驟2中浸漬提拉的具體方法為:用微量注射器吸取納米二氧化硅小球懸濁液，緩慢滴在裝有去離子水的燒杯內(nèi)，使納米二氧化硅小球懸濁液自由擴散直至填滿燒杯整個液面;將石英基板浸入液面后，基板以2?ΙΟμπι/s的速度上升，同時以0.5?2ml/s的速率向燒杯中補充納米二氧化硅小球懸濁液。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，步驟3中干法刻蝕的工藝參數(shù):RF功率40W?80W、ICP功率400W?800W，02流量5?25sccm，C4F8 流量 30 ?55sccm，刻蝕時間0.5 ?8min。8.根據(jù)權(quán)利要求4?7任一所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，步驟4中低表面能處理:采用ICP工藝在表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板表面沉積C4F8，沉積時間5?30s，得到C4F8疏水層。9.根據(jù)權(quán)利要求4?7任一所述的面曝光3D打印約束基板防粘附增透功能膜的制備方法，其特征在于，步驟4中低表面能處理:將氟硅烷F-1061溶于氟硅烷F-8632溶劑中得到氟硅烷溶液，其中氟硅烷F-1061的質(zhì)量濃度為0.1-2%,將表面制備了納米結(jié)構(gòu)的石英基板浸于氟硅烷溶液24h，氟硅烷以分子自組裝的方式沉積于納米結(jié)構(gòu)表面，經(jīng)170°C烘烤lh，即得到氟硅烷低濕潤表面層。
【文檔編號】B82Y40/00GK106079495SQ201610459297
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】王權(quán)岱, 李志龍, 李鵬陽, 肖繼明, 鄭建明, 李言
【申請人】西安理工大學(xué)