詳細(xì)地闡述。實施例只對本實用新型具有示例性的作用，而不具有任何限制性的作用，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型的基礎(chǔ)上作出的任何非實質(zhì)性的修改，都應(yīng)屬于本實用新型的保護范圍。
[0060]如圖1和2所示，一種點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，包括支架1、固化液池2，還包括點陣反應(yīng)裝置3。
[0061]更進一步地，所述點陣反應(yīng)裝置包括點陣板6，所述點陣板上設(shè)置點陣反應(yīng)引發(fā)點I。
[0062]更進一步地，通過電子控制裝置引發(fā)所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。
[0063]更進一步地，所述電子控制裝置控制所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7處的反應(yīng)條件引發(fā)固化反應(yīng)。
[0064]更進一步地，控制反應(yīng)條件的方式包括電流、加熱或降溫。
[0065]更進一步地，每個所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7由單獨的所述電子控制裝置控制。
[0066]更進一步地，所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7具有形狀。
[0067]更進一步地，所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7的形狀包括規(guī)則形狀和不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括實點，空點，圓形，三角形，方形、線、長方形、環(huán)形中的一種或幾種。
[0068]更進一步地，所述電子控制裝置由計算機軟件控制。
[0069]更進一步地，通過所述計算機軟件控制所述點陣板6上的至少一個所述點陣反應(yīng)引發(fā)點7處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。
[0070]更進一步地，形成每層圖案的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點位置相同或不同。
[0071]更進一步地，所述點陣板上的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點的密度為納米級、微米級、毫米級、厘米級或米級;和/或所述點陣板上的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點的尺寸為納米級、微米級、毫米級、厘米級或米級。
[0072]更進一步地，所述支架I設(shè)置在所述固化液池2的上方并伸入所述固化液池2內(nèi)，所述支架I的底部設(shè)置打印平臺，所述點陣反應(yīng)裝置3設(shè)置在所述固化液池2的底部。
[0073]更進一步地，在所述點陣反應(yīng)裝置3上方設(shè)有多孔膜。
[0074]更進一步地，所述多孔膜為氧氣可透過膜。
[0075]氧氣可抑制一定厚度固化液的固化，防止在底部發(fā)生固化，因為不是光聚合，多孔膜對透明度沒有要求，因而擴大選擇度。
[0076]更進一步地，所述多孔膜為透氣或半透氣膜。
[0077]更進一步地，所述多孔膜為透氣含氟聚合物膜、透氣性有機聚合物膜或無機多孔膜。
[0078]更進一步地，所述透氣性有機聚合物膜包括聚二甲基硅氧烷膜。
[0079]更進一步地，所述無機多孔膜包括多孔玻璃。
[0080]更進一步地，所述多孔膜厚度為10微米?100毫米。
[0081]更進一步地，所述多孔膜的上方為抑制層5。
[0082]更進一步地，所述抑制層5的上方為生成層4。
[0083]更進一步地，所述抑制層5的厚度為0.01微米?I毫米。
[0084]更進一步地，所述生成層4的厚度為0.01微米?I毫米。
[0085]更進一步地，所述支架I與上升驅(qū)動機構(gòu)連接，所述打印平臺在所述上升驅(qū)動機構(gòu)的作用下上升，所述上升驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動器以及控制所述驅(qū)動器的控制器。
[0086]支架I在生成層4的上層，開始固化后，隨著支架I向上移動，所述打印平臺向上移動，所述三維物體隨支架I上升而上升。
[0087]更進一步地，所述打印平臺的上升速度為0.01-1000微米/秒。
[0088]更進一步地，所述打印平臺的上升時速度，相當(dāng)于通過所述生成層4時間至少為
0.1秒。
[0089]更進一步地，所述固化液池2與固化液注入通道連通，固化液由固化液源通過所述固化液注入通道進入生成層4。
[0090]更進一步地，所述固化液池2與抑制劑注入通道連通，抑制劑由抑制劑源通過所述抑制劑注入通道進入抑制層5。
[0091]更進一步地，所述抑制劑可以在固化液池的底部引進，也可以在側(cè)壁或頂部引進。如氣體可在頂部引入。
[0092]更進一步地，所述設(shè)備還包括與所述固化液源和/或抑制劑源相關(guān)聯(lián)的壓力源。
[0093]更進一步地，所述點陣板為導(dǎo)熱或?qū)щ姴馁|(zhì)。
[0094]更進一步地，所述點陣板材質(zhì)為金屬材質(zhì)、導(dǎo)熱或?qū)щ姺墙饘俨馁|(zhì)。
[0095]本設(shè)備的所述固化液池2內(nèi)注滿所述固化液，所述點陣反應(yīng)裝置3設(shè)置在所述固化液池2的底部;在所述點陣反應(yīng)裝置3的所述點陣板上設(shè)置所述多孔膜;所述多孔膜為氧氣可透，在所述多孔膜上層形成抑制層5，可抑制點陣反應(yīng)裝置3上層固化液被固化;也可將抑制劑注入所述抑制層5，來抑制點陣反應(yīng)裝置3上層固化液被固化;所述打印平臺在打印初始時處于生成層4內(nèi)，隨著打印開始，由計算機軟件控制的所述電子控制裝置進而控制所述點陣反應(yīng)引發(fā)點處的反應(yīng)條件，因此生成層4該處的固化液發(fā)生聚合固化反應(yīng)，在打印平臺產(chǎn)生2D圖案;然后，所述支架I的上升，所述電子控制裝置繼續(xù)控制所述點陣反應(yīng)引發(fā)點處的反應(yīng)條件在打印平臺已圖案的界面處繼續(xù)打印下一層2D圖案，隨著所述支架I的逐漸上升，3D物體逐漸打印出來。
【主權(quán)項】
1.一種點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，包括支架、固化液池，其特征在于:還包括點陣反應(yīng)裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣反應(yīng)裝置包括點陣板，所述點陣板上設(shè)置點陣反應(yīng)引發(fā)點。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:通過電子控制裝置引發(fā)所述點陣反應(yīng)引發(fā)點處的固化液發(fā)生固化反應(yīng)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述電子控制裝置控制所述點陣反應(yīng)引發(fā)點處的反應(yīng)條件引發(fā)固化反應(yīng)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:控制反應(yīng)條件的方式包括電流、加熱或降溫。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:每個所述點陣反應(yīng)引發(fā)點由單獨的所述電子控制裝置控制。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣反應(yīng)引發(fā)點具有形狀。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣反應(yīng)引發(fā)點的形狀包括規(guī)則形狀和不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括實點、空點、圓形、三角形、方形、線、長方形、環(huán)形中的一種或幾種。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:形成每層圖案的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點位置相同或不同。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣板上的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點的密度為納米級、微米級、毫米級、厘米級或米級;和/或所述點陣板上的所述點陣反應(yīng)引發(fā)點的尺寸為納米級、微米級、毫米級、厘米級或米級。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述支架設(shè)置在所述固化液池的上方并伸入所述固化液池內(nèi)，所述支架的底部設(shè)置打印平臺，所述點陣反應(yīng)裝置設(shè)置在所述固化液池的底部。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:在所述點陣反應(yīng)裝置上方設(shè)有多孔膜。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述多孔膜為氧氣可透過膜。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述多孔膜為透氣或半透氣膜。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述多孔膜為透氣含氟聚合物膜、透氣性有機聚合物膜或無機多孔膜。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述透氣性有機聚合物膜包括聚二甲基硅氧烷膜。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述無機多孔膜包括多孔玻璃。18.根據(jù)權(quán)利要求12至17中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述多孔膜厚度為10微米?100毫米。19.根據(jù)權(quán)利要求12至17中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述多孔膜的上方為抑制層。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述抑制層的上方為生成層。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述抑制層的厚度為0.01微米?I毫米。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述生成層的厚度為0.01微米?I毫米。23.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項、7至17中任一項或20至22中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述支架與上升驅(qū)動機構(gòu)連接，所述打印平臺在所述上升驅(qū)動機構(gòu)的作用下上升，所述上升驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動器以及控制所述驅(qū)動器的控制器。24.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項、7至17中任一項或20至22中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述打印平臺的上升速度為0.01-1000微米/秒。25.根據(jù)權(quán)利要求20至22中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述打印平臺的上升時速度，相當(dāng)于通過所述生成層時間至少為0.1秒。26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述固化液池與固化液注入通道連通，固化液由固化液源通過所述固化液注入通道進入生成層。27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述固化液池與抑制劑注入通道連通，抑制劑由抑制劑源通過所述抑制劑注入通道進入抑制層。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述抑制劑在所述固化液池的底部、側(cè)壁或頂部引進。29.根據(jù)權(quán)利要求26至28中任一項所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)備還包括與所述固化液源和/或抑制劑源相關(guān)聯(lián)的壓力源。30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣板為導(dǎo)熱或?qū)щ姴馁|(zhì)。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，其特征在于:所述點陣板材質(zhì)為金屬材質(zhì)、導(dǎo)熱或?qū)щ姺墙饘俨馁|(zhì)。
【專利摘要】本實用新型涉及一種點陣技術(shù)3D打印設(shè)備，包括支架、固化液池，還包括點陣反應(yīng)裝置，所述點陣反應(yīng)裝置包括點陣板，所述點陣板上設(shè)置點陣反應(yīng)引發(fā)點。本實用新型可以克服使用紫外光引發(fā)反應(yīng)的局限性，以點陣引發(fā)的形式取代了紫外光引發(fā)反應(yīng)，可使連續(xù)液體液面合成法能夠選擇的材料更多，能夠打印的物件更多。
【IPC分類】B29C67/00, B33Y30/00
【公開號】CN205364541
【申請?zhí)枴緾N201520856377
【發(fā)明人】李清梅, 籍海峰
【申請人】上海北印多維智能打印技術(shù)有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2015年10月30日