微波氣體裂解裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種微波氣體裂解裝置，用于醫(yī)療垃圾處理，其包括一穩(wěn)定電源、磁控管、激勵(lì)腔、電磁鐵、高穩(wěn)信號(hào)源、四端環(huán)形器、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器、等離子體發(fā)生器、氣體流量調(diào)節(jié)器及吸收負(fù)載，穩(wěn)定電源、磁控管、電磁鐵及激勵(lì)腔構(gòu)成一微波能發(fā)生器，提供等離子產(chǎn)生所需的微波功率；高穩(wěn)信號(hào)源用于提供穩(wěn)定的2450MHz微波信號(hào)并通過四端環(huán)形器注入磁控管，磁控管的振蕩頻率被所注入信號(hào)頻率控制，并輸出微波能至所述等離子體發(fā)生器；波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器設(shè)置在所述四端環(huán)形器的第三端口與等離子體發(fā)生器之間，用于微波能輸出功率的轉(zhuǎn)換，氣體流量調(diào)節(jié)器與所述等離子體發(fā)生器連接，用于調(diào)節(jié)進(jìn)入等離子體發(fā)生器的氣體流量；磁控管為一低外觀品質(zhì)因數(shù)的磁控管。
【專利說明】微波氣體裂解裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及微波設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種醫(yī)療垃圾微波處理設(shè)備的微波氣體裂解裝置，用于垃圾燃燒廢氣凈化處理。

【背景技術(shù)】
[0002]目前國(guó)內(nèi)外的研宄發(fā)現(xiàn)，在治理環(huán)境污染問題方面，微波技術(shù)具有能耗低、反應(yīng)時(shí)間短、操作簡(jiǎn)單、反應(yīng)物產(chǎn)率增加、變廢為寶等優(yōu)點(diǎn)，引起各國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的研宄熱情。
[0003]微波等離子體炬是一種很重要的等離子體發(fā)生形式，用微波電磁能量產(chǎn)生等離子體，相比電極放電，不存在電極的蒸發(fā)污染問題，等離子體的生成空間不受電極間隙的限制，而且產(chǎn)生的等離子體和能量源分離，可以實(shí)現(xiàn)大氣壓開放式等離子體。這些優(yōu)勢(shì)使得微波等離子體在工業(yè)應(yīng)用中越來越廣泛。
[0004]等離子體火炬系統(tǒng)處理垃圾燃燒后的尾氣，可對(duì)尾氣中的二噁英等有害氣體有效電離，消除減少廢氣中的有害氣體成分，降低醫(yī)療廢棄物焚燒對(duì)大氣造成的二次污染。然而，微波等離子體技術(shù)和推廣和應(yīng)用，受到微波能發(fā)生器對(duì)微波等離子穩(wěn)定工作的影響，效率和可靠性方面存在一定的問題。例如，等離子體火炬系統(tǒng)微波能不穩(wěn)定，多數(shù)都需要借助三螺釘調(diào)配器調(diào)節(jié)等離子體發(fā)生器阻抗相位匹配，微波效率低；功率密度不集中，裂解氣體相對(duì)單一，無法根據(jù)氣體和氣體量變化自主功率調(diào)節(jié)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型目的在于提供一種新型的微波氣體裂解裝置，解決垃圾焚燒產(chǎn)生的有害氣體凈化問題，采用注入鎖頻技術(shù)解決微波等離子體系統(tǒng)效率低、等離子火炬不穩(wěn)定問題。
[0006]本實(shí)用新型的上述目的通過獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)特征實(shí)現(xiàn)，從屬權(quán)利要求以另選或有利的方式發(fā)展獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)特征。
[0007]為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型所采用的的技術(shù)方案如下:
[0008]一種微波氣體裂解裝置，包括一穩(wěn)定電源、磁控管、激勵(lì)腔、電磁鐵、高穩(wěn)信號(hào)源、四端環(huán)形器、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器、等離子體發(fā)生器、氣體流量調(diào)節(jié)器以及吸收負(fù)載，其中:
[0009]所述穩(wěn)定電源作為一微波電源，與所述磁控管連接，所述磁控管以及電磁鐵固定在所述激勵(lì)腔上，所述穩(wěn)定電源、磁控管、電磁鐵及激勵(lì)腔構(gòu)成一微波能發(fā)生器，提供等離子產(chǎn)生所需要的微波功率；
[0010]所述四端環(huán)形器具有四個(gè)端口，第一端口與所述高穩(wěn)信號(hào)源連接，第二端口與所述激勵(lì)腔連接，第三端口經(jīng)由所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器與所述等離子體發(fā)生器連接，第四端口與所述吸收負(fù)載連接；
[0011]所述吸收負(fù)載用于吸收反射功率；
[0012]所述高穩(wěn)信號(hào)源用于提供穩(wěn)定的2450MHz微波信號(hào)并通過所述四端環(huán)形器將2450MHz微波信號(hào)注入所述磁控管，該磁控管的振蕩頻率被所注入信號(hào)頻率控制，并輸出微波能至所述等離子體發(fā)生器；
[0013]所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器設(shè)置在所述四端環(huán)形器的第三端口與所述等離子體發(fā)生器之間，用于微波能輸出功率的轉(zhuǎn)換，即將磁控管輸出的功率從TElO模式轉(zhuǎn)換至等離子體發(fā)生器的工作模式TEll ；
[0014]所述氣體流量調(diào)節(jié)器與所述等離子體發(fā)生器連接，用于調(diào)節(jié)進(jìn)入等離子體發(fā)生器的氣體流量；
[0015]所述磁控管為一低外觀品質(zhì)因數(shù)的磁控管，其外觀品質(zhì)因數(shù)取值在100?120，且頻率在2450MHz±2.5MHz，連續(xù)波輸出功率彡15kW。
[0016]進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述四端環(huán)形器的第三端與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器之間還設(shè)置有一定向耦合器，該定向耦合器還連接有一功率檢測(cè)器，用于監(jiān)測(cè)微波能發(fā)生器的輸入功率和反射功率。
[0017]進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述高穩(wěn)信號(hào)源為一個(gè)固態(tài)注入源，其注入功率多200W，頻率為2450MHz且功率穩(wěn)定度為土 1W。
[0018]進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述穩(wěn)定電源的紋波系數(shù)< 1%。
[0019]進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述激勵(lì)腔為標(biāo)準(zhǔn)BJ-22型激勵(lì)腔。
[0020]由以上本實(shí)用新型的技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型提出的微波氣體裂解裝置，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著效果在于:
[0021]1、本實(shí)用新型的氣體裂解裝置采用注入鎖頻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)微波能發(fā)生器穩(wěn)定功率輸出；
[0022]2、采用四端環(huán)形器設(shè)計(jì)，有效減弱反饋功率對(duì)微波能發(fā)生器產(chǎn)生影響，保障微波能發(fā)生器的穩(wěn)定工作；
[0023]3、采用注入鎖頻技術(shù)和四端環(huán)形器作為微波等離子體火炬的功率源和輸能系統(tǒng)，微波能利用效率高，等離子體火炬穩(wěn)定，便于工業(yè)推廣應(yīng)用；
[0024]4、氣體流量調(diào)節(jié)器可根據(jù)進(jìn)氣量自主調(diào)節(jié)微波功率，一方面提高微波能利用效率，另一方面利于等離子體火炬的穩(wěn)定工作；
[0025]5、采用微波能進(jìn)行氣體裂解，可提高氣體凈化程度，有效控制垃圾焚燒造成的二次污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施方式微波氣體裂解裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施方式的微波氣體裂解裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為前述圖1、圖2實(shí)施例中激勵(lì)腔、磁控管及電磁鐵的安裝示意圖。
[0029]圖4為圖1或2實(shí)施例中磁控管的一個(gè)示例性結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5為圖4實(shí)施例中腔體組合的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖6為圖4實(shí)施例中腔體組合另一方向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖7為圖4實(shí)施例中輸出窗組合的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖8為圖4實(shí)施例中引線組合的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]為了更了解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實(shí)施例并配合所附圖式說明如下。
[0035]圖1所示為本實(shí)用新型一實(shí)施方式微波氣體裂解裝置的結(jié)構(gòu)示意，其中，一種微波氣體裂解裝置，包括一穩(wěn)定電源101、磁控管102、激勵(lì)腔103、電磁鐵104、高穩(wěn)信號(hào)源105、四端環(huán)形器106、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器107、等離子體發(fā)生器108、氣體流量調(diào)節(jié)器109以及吸收負(fù)載110。
[0036]本實(shí)施例中，前述穩(wěn)定電源101作為一微波電源，與磁控管102連接，如圖3所示，磁控管102以及電磁鐵104固定在激勵(lì)腔103上，穩(wěn)定電源101、磁控管102、電磁鐵103及激勵(lì)腔104構(gòu)成一微波能發(fā)生器，提供等離子產(chǎn)生所需要的微波功率。
[0037]激勵(lì)腔103為標(biāo)準(zhǔn)BJ-22型激勵(lì)腔。
[0038]本實(shí)施例中，所述穩(wěn)定電源101為磁控管102的微波電源，其優(yōu)選的紋波系數(shù)(即穩(wěn)定度)(1%。
[0039]前述四端環(huán)形器106具有四個(gè)端口，如圖1所示，第一端與高穩(wěn)信號(hào)源105連接，第二端與激勵(lì)腔103連接，第三端經(jīng)由波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器107與等離子體發(fā)生器108連接，第四端與吸收負(fù)載110連接。本實(shí)施例中，前述吸收負(fù)載用110于吸收反射功率。
[0040]高穩(wěn)信號(hào)源105用于提供穩(wěn)定的2450MHz微波信號(hào)并通過四端環(huán)形器106將2450MHz微波信號(hào)注入磁控管102，該磁控管102的振蕩頻率被所注入信號(hào)頻率控制，并輸出微波能至等離子體發(fā)生器108，以激發(fā)等離子體。
[0041]本實(shí)施例中，前述高穩(wěn)信號(hào)源105所提供的穩(wěn)定的2450MHz微波信號(hào)為一連續(xù)波，作為優(yōu)選的實(shí)施方式，高穩(wěn)信號(hào)源105為一個(gè)固態(tài)注入源，其注入功率多200W，頻率為2450MHz且功率穩(wěn)定度為土 1W。
[0042]如圖1所示，前述微波能發(fā)生器(穩(wěn)定電源101、磁控管102、激勵(lì)腔103、電磁鐵104)與高穩(wěn)定信號(hào)源105、四端環(huán)形器106、吸收負(fù)載110構(gòu)成一注入鎖頻磁控管。
[0043]波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器107設(shè)置在四端環(huán)形器106的第三端與等離子體發(fā)生器108之間，用于微波能輸出功率的轉(zhuǎn)換，即將磁控管102輸出的功率從TElO模式轉(zhuǎn)換至等離子體發(fā)生器108的工作模式TElI。
[0044]本實(shí)施例中，前述氣體流量調(diào)節(jié)器109與等離子體發(fā)生器108連接，用于調(diào)節(jié)進(jìn)入等離子體發(fā)生器的氣體流量。
[0045]本實(shí)施例的磁控管102為一低外觀品質(zhì)因數(shù)的磁控管，其外觀品質(zhì)因數(shù)取值在100?120，且頻率在2450MHz±2.5MHz，連續(xù)波輸出功率彡15kW。如圖4所示為低外觀品質(zhì)因數(shù)磁控管的一個(gè)示例，將在下面做具體說明。當(dāng)然，本實(shí)施例所列出的該結(jié)構(gòu)不致對(duì)本實(shí)用新型構(gòu)成限制，本實(shí)用新型也可以采用現(xiàn)有市場(chǎng)上其他結(jié)構(gòu)的磁控管，只要其外觀品質(zhì)因數(shù)、頻段和輸出功率滿足前述條件即可。
[0046]前述磁控管102采用2450MHz的磁控管，例如:5KW/2450MHz注入鎖頻磁控管，15KW/2450MHZ注入鎖頻磁控管，20KW/2450MHz注入鎖頻磁控管，30KW/2450MHz注入鎖頻磁控管。這些所選用的磁控管的功率不同，其對(duì)等離子體發(fā)生器所產(chǎn)生的等離子體的密度產(chǎn)生影響。
[0047]下述圖4實(shí)施例中所示出的磁控管為15KW/2450MHZ的磁控管。
[0048]如圖2所示為本實(shí)用新型另一實(shí)施方式的微波氣體裂解裝置的結(jié)構(gòu)示意，其中，微波氣體裂解裝置，包括一穩(wěn)定電源201、磁控管202、激勵(lì)腔203、電磁鐵204、高穩(wěn)信號(hào)源205、四端環(huán)形器206、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器207、等離子體發(fā)生器208、氣體流量調(diào)節(jié)器209以及吸收負(fù)載210。
[0049]參考圖1所示的實(shí)施例及上述對(duì)各部件的說明，本實(shí)施例中的穩(wěn)定電源201、磁控管202、激勵(lì)腔203、電磁鐵204、高穩(wěn)信號(hào)源205、四端環(huán)形器206、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器207、等離子體發(fā)生器208、氣體流量調(diào)節(jié)器209以及吸收負(fù)載210，其作用、功能和連接方式與圖1實(shí)施例相同。
[0050]較上述圖1實(shí)施方式，本實(shí)施例中，所述四端環(huán)形器206的第三端與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器207之間還設(shè)置有一定向耦合器211，該定向耦合器211還連接有一功率檢測(cè)器212 (市購)，用于監(jiān)測(cè)前述微波能發(fā)生器的輸入功率和反射功率。
[0051]如圖4所示，磁控管(102、103)包括腔體組合1、輸出窗組合2、引線組合3和散熱器4。
[0052]如圖5，結(jié)合圖6所示，腔體組合I由以下部分組成:圓柱形腔體Ia ;位于圓柱形腔體內(nèi)的并呈瓣?duì)罘植嫉亩鄠€(gè)腔體翼片Ib (如圖5、6)，腔體翼片的水路結(jié)構(gòu)構(gòu)成V型水路冷卻結(jié)構(gòu)；設(shè)置在圓柱形腔體外周的水冷套lc，水冷套內(nèi)圍繞所述圓柱形腔體設(shè)有帶孔的隔水環(huán)Id ;設(shè)置在圓柱形腔體內(nèi)部?jī)啥恕⒂糜谠黾幽Ｊ椒指疃鹊拇?、小隔型?大隔型帶le、小隔型帶If)，大隔型帶Ie位于小隔型帶If的外周并具有一間隙(如圖6);插入所述水冷套內(nèi)并用于冷卻水注入和排出的水管Ig ;以及連接在腔體翼片上的輸出天線lh。
[0053]所述輸出窗組合2與腔體組合I的一端連接并形成密封結(jié)構(gòu)，所述輸出天線Ih的另一端位于所述輸出窗組合2的內(nèi)部并且不接觸輸出窗組合2的內(nèi)壁.
[0054]腔體組合I的另外一端與所述引線組合3焊接，所述引線組合3上遠(yuǎn)離腔體組合I的位置焊接有散熱器4。
[0055]作為可選的實(shí)施方式，引線組合3與輸出窗組合2分別用大電流釬焊焊接在腔體組合I的兩端，經(jīng)過排氣后將排氣管封離，并用高溫錫焊將散熱器4焊接在引線組合上。
[0056]如圖5和圖6所示，大、小隔型帶表面鍍銀后與腔體2a焊接。輸出天線2h通過銀銅焊料與腔體Ia焊接。隔水環(huán)Id焊接在腔體Ia與水冷套Ic之間，水冷套Ic焊接在腔體Ia外面，水管Ig焊接在隔水環(huán)Id的孔內(nèi)。
[0057]如圖5和圖6所示，作為可選的實(shí)施方式，所述腔體翼片Ib在沿所述瓣?duì)罘植挤较虻膬?nèi)部形成有狹孔，所述腔體翼片之間的狹孔與所述水冷套構(gòu)成水冷卻通道用于對(duì)磁控管進(jìn)行散熱，且相鄰腔體翼片Ib之間的狹孔構(gòu)成所述V型水路冷卻結(jié)構(gòu)。
[0058]如圖6所示，結(jié)合圖4和圖5，所述水管Ig包括進(jìn)水管Ig-1和出水管lg_2，進(jìn)水管Ig-1插入所述水冷套Ic內(nèi)并延伸穿過所述隔水環(huán)ld，所述出水管lg-2插入所述水冷套Ic并向內(nèi)延伸至不超過所述隔水環(huán)的位置。如此設(shè)計(jì)，可保證充分的冷卻水循環(huán)，增強(qiáng)水冷的效果。
[0059]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，參考圖5和圖6所示，對(duì)于輸出天線Ih與大隔型帶的間距l(xiāng)e，輸出天線Ih與大隔型帶Ie的間隙，該距離控制在Omm?0.4_時(shí)，對(duì)外觀品質(zhì)因數(shù)(即Qe值)的影響較小，而且跳模的可能性比較小。
[0060]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，如圖5所示，大隔型帶Ie與小隔型帶If之間的距離值控制在一定的范圍內(nèi)，對(duì)磁控管的性能有較大的影響，尤其是中心頻率和易打火情況。經(jīng)過大量的試驗(yàn)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，大隔型帶Ie與小隔型帶If之間的間隙距離控制在0.7mm?0.8mm之間時(shí)，滿足對(duì)磁控管的性能要求及外觀品質(zhì)因數(shù)的要求。
[0061]為增強(qiáng)微波能的輸出效率，本實(shí)施例中采用軸向天線輸出結(jié)構(gòu)，作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述輸出天線的直徑值在4.5mm?5.5mm，所述輸出天線在伸出所述腔體的高度值在39mm?41mm。試驗(yàn)表明，利用該直徑范圍和高度范圍的輸出天線，可保證微波能的輸出效率，并且對(duì)外觀品質(zhì)因數(shù)的影響較小。
[0062]如圖7所示，本實(shí)施例中，所述輸出窗組合2包括蓋2a和輸出窗2b，輸出窗2b為陶瓷材料制作成一 U形狀結(jié)構(gòu)，該U形結(jié)構(gòu)的開口與蓋2a連接，所述蓋2a與一下級(jí)靴5連接形成密封結(jié)構(gòu)，結(jié)合圖1所述，所述輸出天線Ih的一端與腔體翼片Ib連接，其另一端伸入該U形結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)部。
[0063]如圖8所示，本實(shí)施例中，所述引線組合3包括引線桿3a、屏蔽帽3b、燈絲3c、上級(jí)靴3d、扼流筒3e、支持筒3f、定位瓷3g、瓷筒3h、上蓋3i以及排氣管3j，其中:所述屏蔽帽3b、燈絲3c、上級(jí)靴3d、扼流筒3e、支持筒3f、定位瓷3g、瓷筒3h、上蓋3i圍繞所述引線桿3a設(shè)置并以該引線桿3a為中心線，所述燈絲3c位于兩個(gè)屏蔽帽3b之間，所述一個(gè)屏蔽帽3b卡在所述上級(jí)靴3d上，上級(jí)靴3d的另一側(cè)依次固定安裝扼流筒3e、支持筒3f以及位于其內(nèi)部的定位瓷3g，所述瓷筒3h與支持筒3f連接，所述上蓋3i位于瓷筒3h的另一端，所述排氣管3j伸出所述上蓋3i。
[0064]作為可選的實(shí)施方式，上蓋3i用銀銅焊料焊接在瓷筒3h上端；排氣管3 j用銀銅焊料焊在上蓋3i的孔內(nèi)；支持筒3f用銀銅焊料焊在瓷筒3h的下端，其另一端用銀銅焊料與上極靴3d焊接在一起；位于支持筒3f內(nèi)部，燈絲3c用氬弧焊焊接在屏蔽帽3b內(nèi)部，位于上極靴3d的下端。
[0065]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種微波氣體裂解裝置，其特征在于，包括一穩(wěn)定電源、磁控管、激勵(lì)腔、電磁鐵、高穩(wěn)信號(hào)源、四端環(huán)形器、波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器、等離子體發(fā)生器、氣體流量調(diào)節(jié)器以及吸收負(fù)載，其中: 所述穩(wěn)定電源作為一微波電源，與所述磁控管連接，所述磁控管以及電磁鐵固定在所述激勵(lì)腔上，所述穩(wěn)定電源、磁控管、電磁鐵及激勵(lì)腔構(gòu)成一微波能發(fā)生器，提供等離子產(chǎn)生所需要的微波功率； 所述四端環(huán)形器具有四個(gè)端口，第一端口與所述高穩(wěn)信號(hào)源連接，第二端口與所述激勵(lì)腔連接，第三端口經(jīng)由所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器與所述等離子體發(fā)生器連接，第四端口與所述吸收負(fù)載連接； 所述吸收負(fù)載用于吸收反射功率； 所述高穩(wěn)信號(hào)源用于提供穩(wěn)定的2450MHZ微波信號(hào)并通過所述四端環(huán)形器將2450MHz微波信號(hào)注入所述磁控管，該磁控管的振蕩頻率被所注入信號(hào)頻率控制，并輸出微波能至所述等離子體發(fā)生器； 所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器設(shè)置在所述四端環(huán)形器的第三端口與所述等離子體發(fā)生器之間，用于微波能輸出功率的轉(zhuǎn)換，即將磁控管輸出的功率從TElO模式轉(zhuǎn)換至等離子體發(fā)生器的工作模式TEll ； 所述氣體流量調(diào)節(jié)器與所述等離子體發(fā)生器連接，用于調(diào)節(jié)進(jìn)入等離子體發(fā)生器的氣體流量； 所述磁控管為一低外觀品質(zhì)因數(shù)的磁控管，其外觀品質(zhì)因數(shù)取值在100?120，且頻率在2450MHz±2.5MHz，連續(xù)波輸出功率彡15kW。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述四端環(huán)形器的第三端與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器之間還設(shè)置有一定向耦合器，該定向耦合器還連接有一功率檢測(cè)器，用于監(jiān)測(cè)微波能發(fā)生器的輸入功率和反射功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述高穩(wěn)信號(hào)源為一個(gè)固態(tài)注入源，其注入功率多200W，頻率為2450MHz且功率穩(wěn)定度為±1W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述穩(wěn)定電源的紋波系數(shù)
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述激勵(lì)腔為標(biāo)準(zhǔn)BJ-22型激勵(lì)腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述磁控管包括腔體組合、輸出窗組合、引線組合和散熱器，其中: 所述腔體組合由以下部分組成:圓柱形腔體；位于圓柱形腔體內(nèi)的并呈瓣?duì)罘植嫉亩鄠€(gè)腔體翼片，腔體翼片的水路結(jié)構(gòu)構(gòu)成V型水路冷卻結(jié)構(gòu)；設(shè)置在圓柱形腔體外周的水冷套，水冷套內(nèi)圍繞所述圓柱形腔體設(shè)有帶孔的隔水環(huán)；設(shè)置在圓柱形腔體內(nèi)部?jī)啥?、用于增加模式分割度的大、小隔型帶，大隔型帶位于小隔型帶的外周并具有一間隙；插入所述水冷套內(nèi)并用于冷卻水注入和排出的水管；以及連接在腔體翼片上的輸出天線； 所述輸出窗組合與腔體組合的一端連接并形成密封結(jié)構(gòu)，所述輸出天線的另一端位于所述輸出窗組合的內(nèi)部并且不接觸輸出窗組合的內(nèi)壁； 腔體組合的另外一端與所述引線組合焊接，所述引線組合上遠(yuǎn)離腔體組合的位置焊接有散熱器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述腔體翼片在沿所述瓣?duì)罘植挤较虻膬?nèi)部形成有狹孔，所述腔體翼片之間的狹孔與所述水冷套構(gòu)成水冷卻通道，且相鄰腔體翼片之間的狹孔構(gòu)成所述V型水路冷卻結(jié)構(gòu)； 所述水管包括進(jìn)水管和出水管，進(jìn)水管插入所述水冷套內(nèi)并延伸穿過所述隔水環(huán)，所述出水管插入所述水冷套并向內(nèi)延伸至不超過所述隔水環(huán)的位置； 所述輸出窗組合包括蓋和輸出窗，輸出窗為陶瓷材料制作成一 U形狀結(jié)構(gòu)，該U形結(jié)構(gòu)的開口與蓋連接，所述蓋與一下級(jí)靴連接形成密封結(jié)構(gòu)，所述輸出天線的一端與腔體翼片連接，其另一端伸入該U形結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)部； 所述引線組合包括引線桿、屏蔽帽、燈絲、上級(jí)靴、扼流筒、支持筒、定位瓷、瓷筒、上蓋以及排氣管，其中:所述屏蔽帽、燈絲、上級(jí)靴、扼流筒、支持筒、定位瓷、瓷筒、上蓋圍繞所述引線桿設(shè)置并以該引線桿為中心線，所述燈絲位于兩個(gè)屏蔽帽之間，所述一個(gè)屏蔽帽卡在所述上級(jí)靴上，上級(jí)靴的另一側(cè)依次固定安裝扼流筒、支持筒以及位于其內(nèi)部的定位瓷，所述瓷筒與支持筒連接，所述上蓋位于瓷筒的另一端，所述排氣管用銀銅焊料焊在上蓋的孔內(nèi)并伸出所述上蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述大隔型帶與小隔型帶之間的距離值在0.7mm?0.8mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微波氣體裂解裝置，其特征在于，所述輸出天線的直徑值在4.5mm?5.5mm，所述輸出天線在伸出所述腔體的高度值在39mm?41mm，所述輸出天線與大隔型帶的間距值為Omm?0.4mm。
【文檔編號(hào)】F23G7/06GK204201908SQ201420498022
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月29日
【發(fā)明者】康新蕾, 張偉燕, 劉友春, 李斌, 王法禮, 金超 申請(qǐng)人:南京三樂微波技術(shù)發(fā)展有限公司