專利名稱：半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體處理所用腐蝕液的溫度控制用恒溫裝置的冷卻加熱部分中適用的冷卻加熱裝置。
在具有熱交換基板的傳統(tǒng)半導(dǎo)體處理液用的冷卻處理裝置中，其中該熱交換基板用于冷卻、加熱腐蝕性半導(dǎo)體處理液并將其保持在預(yù)定溫度，該熱交換基板一般多通過在不銹鋼板或石墨基板的與處理液接觸的側(cè)面上，通過環(huán)氧樹脂或其它粘接劑構(gòu)成的粘接層粘接經(jīng)等離子體或鈉腐蝕處理過的氟樹脂(商品名Teflon德弗隆)片而構(gòu)成?？墒?，在這些傳統(tǒng)的熱交換基板上，在浸透性高的溶液冷卻或加熱時，即使有一點點浸透氟樹脂片，也有可能從上述不銹鋼板或石墨基板和片之間的粘接層溶出粘接劑，尤其在使用不銹鋼板的情況下，伴隨粘接劑的溶出不銹鋼被溶液腐蝕，有時金屬離子作為雜質(zhì)進入該溶液內(nèi)。這說明問題在于在任何一種情況下，可以使用的溶液等受粘接劑的耐熱溫度所制約。
本發(fā)明的目的在于提供半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，該裝置具有對腐蝕性溶液耐蝕性強、不擔心重金屬離子等的有害雜質(zhì)溶出的熱交換基板。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第1種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
此外，本發(fā)明的第2種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置特征在于通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置無定形碳，并在該無定形碳層上熱粘接氟樹脂片形成熱交換基板。
本發(fā)明的第3種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置特征在于通過在玻璃狀碳素基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
本發(fā)明的第4種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置特征在于通過在碳化硅基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
本發(fā)明的第5種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置特征在于通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置碳化硅層，并在該碳化硅層上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
因具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，是通過在對溶液抗蝕性優(yōu)良的石墨基板、玻璃狀碳素基板或碳化硅基板的與處理液接觸的側(cè)面上直接熱粘接氟樹脂片，或者通過在石墨基板或碳化硅層與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置無定形碳層，并在該無定形碳層上直接熱粘接氟樹脂片構(gòu)成熱交換基板，所以不擔心因溶液引起粘接層腐蝕而溶出有害雜質(zhì)，而且能夠防止因基體本身的腐蝕造成的重金屬離子等有害雜質(zhì)的溶出。


圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置的局部剖視圖。
圖2是表示熱交換基板的放大剖面圖。
圖3是表示熱交換基板其它結(jié)構(gòu)的放大剖面圖。
圖4是表示熱交換基板其它結(jié)構(gòu)的放大剖面圖。
圖5是表示熱交換基板其它結(jié)構(gòu)的放大剖面圖。
圖6是表示熱交換基板其它結(jié)構(gòu)的放大剖面圖。
圖1示出本發(fā)明的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置的第1實施例。該冷卻加熱裝置1用于半導(dǎo)體處理液之類的腐蝕性溶液的溫度控制，如圖1所示，從溶液容器(未圖示)內(nèi)導(dǎo)出的半導(dǎo)體處理液，經(jīng)過由抗蝕性優(yōu)良的氟樹脂形成的導(dǎo)管5A導(dǎo)入與熱交換基板3對置的冷卻加熱室2內(nèi)，由此對上述半導(dǎo)體處理液進行溫度控制。
如圖1所示，上述冷卻加熱室2是這樣構(gòu)成的即由石墨基板3A在其與處理液接觸側(cè)熱粘接氟樹脂片3B而形成熱交換基板3(參照圖2)，由氟樹脂形成對置的側(cè)壁4，并在其兩側(cè)開口端分別連接用氟樹脂形成的半導(dǎo)體處理液導(dǎo)入側(cè)和導(dǎo)出側(cè)導(dǎo)管5A,5B。
而且在上述冷卻加熱室1的各自的熱交換基板3、3的外側(cè)壁上，通過這些熱交換基板3分別粘接固定用于冷卻加熱半導(dǎo)體處理液的熱組件6，在冷卻半導(dǎo)體處理液時在該熱組件6上分別粘接固定散熱板，通過經(jīng)冷卻導(dǎo)管導(dǎo)入的冷卻水促進該熱組件6的散熱。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置1中，半導(dǎo)體處理液經(jīng)導(dǎo)管5導(dǎo)入冷卻加熱室2內(nèi)，在該冷卻加熱室2內(nèi)冷卻或加熱到一定溫度。由于這時上述熱交換基板3通過在抗蝕性優(yōu)良的石墨基板3A上熱粘接氟樹脂片3B形成，所以在氟樹脂片3B上即使浸透腐蝕性的半導(dǎo)體處理液也不擔心有害雜質(zhì)的溶出，而且因為在這些石墨基板3A和氟樹脂片3B的粘接面上未使用粘接劑，所以其耐熱溫度與粘接劑的耐熱溫度無關(guān)，所以可以上升到與半導(dǎo)體處理液接觸的氟樹脂片3B的耐熱溫度。
在該冷卻加熱室2內(nèi)控制在一定溫度的半導(dǎo)體處理液經(jīng)導(dǎo)管5B被輸出。
如上所述，如果采用上述半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置1，則因為熱交換基板3僅由抗蝕性優(yōu)良的石墨以及氟樹脂構(gòu)成，所以不擔心由半導(dǎo)體處理液之類的腐蝕性溶液對粘接層腐蝕產(chǎn)生的有害雜質(zhì)的溶出，而且能夠防止因基板3自身的腐蝕產(chǎn)生的有害雜質(zhì)的溶出。
作為構(gòu)成上述冷卻加熱裝置1的冷卻加熱室的熱交換基板3，可采用如圖3到圖6所示構(gòu)造。
首先，圖3所示的熱交換基板13通過在石墨基板13A與處理液接觸的側(cè)面進行熱處理形成無定形碳層13C，并在該無定形碳層13C上熱粘接氟樹脂片13B而形成。
圖4所示的熱交換基板23是通過在玻璃狀碳素基板23A與處理液接觸的側(cè)面上直接熱粘接氟樹脂片23B而形成。
圖5所示的熱交換基板33是通過在碳化硅基板33A與處理液接觸的側(cè)面上直接熱粘接氟樹脂片33B形成的。
圖6所示的熱交換基板43是通過在石墨基板43A與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置碳化硅層43D，并在該碳化硅層43D上直接熱粘接氟樹脂43B形成的。
在這里，上述圖2-圖6所示的熱交換基板的其它結(jié)構(gòu)的形式及其作用與圖1及圖2說明的冷卻加熱裝置1的冷卻室2的熱交換基板3在本質(zhì)上相同，所以省略其說明。
如上詳述，如果采用本發(fā)明的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，則因為在對溶液極強腐蝕的石墨基板、玻璃狀碳基板或碳化硅基板與處理液接觸的側(cè)面上直接熱粘接氟樹脂片而形成熱交換基板，所以不擔心因基體本身的腐蝕引起的有害雜質(zhì)的溶出。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，其特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
2．一種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，其特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置無定形碳層，并在該無定形碳層上熱粘接氟樹脂片形成上述熱交換基板。
3．一種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，其特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在玻璃狀碳素基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片而形成上述熱交換基板。
4．一種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，其特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在碳化硅基板與處理液接觸的側(cè)面上熱粘接氟樹脂片而形成上述熱交換基板。
5．一種半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置，其特征在于在半導(dǎo)體處理液與熱交換基板接觸以進行冷卻或加熱的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置中，通過在石墨基板與處理液接觸的側(cè)面上設(shè)置碳化硅層，并在碳化硅層上熱粘接氟樹脂片而形成上述熱交換基板。
全文摘要
提供對腐蝕性溶液抗蝕性高、不擔心有害雜質(zhì)溶出的半導(dǎo)體處理液用的冷卻加熱裝置。通過對熱交換基板3在石墨基板3A與處理液接觸的側(cè)面直接熱粘接氟樹脂片3B形成。
文檔編號F28F21/06GK1236889SQ9910703
公開日1999年12月1日 申請日期1999年5月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年5月27日
發(fā)明者三木弘之 申請人:速睦喜股份有限公司