一種voc尾氣處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及燒結(jié)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于燒結(jié)設(shè)備的VOC尾氣處理
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]VOC是在室溫下能產(chǎn)生較高蒸汽的揮發(fā)性有機化合物，包括人造化合物和天然化合物。VOC溶劑因其性能優(yōu)良而廣泛應(yīng)用于電子制造業(yè)，但在電子制造過程中會產(chǎn)生大量的V0C，經(jīng)網(wǎng)帶干燥爐干燥后排放到空氣中，污染空氣、造成霧霾。目前，現(xiàn)有的電子制造用窯爐設(shè)備中尚未有專門的VOC尾氣處理裝置。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種VOC尾氣處理裝置，該裝置能夠?qū)﹄娮又圃爝^程中含有VOC的尾氣進行處理，減少廢氣排放和環(huán)境污染，具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低等特點。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了以下技術(shù)方案:
[0005]一種VOC尾氣處理裝置，包括依次相連的直排管道和排氣箱體。
[0006]所述的排氣箱體內(nèi)設(shè)有若干對成對設(shè)置的絕緣承載盤，每對絕緣承載盤之間設(shè)有發(fā)熱絲。優(yōu)選的，若干對絕緣承載盤在排氣箱體內(nèi)均勻分布，有利于提高VOC尾氣燃燒效率。
[0007]所述的絕緣承載盤上開設(shè)有若干個排氣孔。
[0008]進一步的，所述的每對絕緣承載盤包括上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤，上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上分別設(shè)有若干個排氣孔，且上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上的排氣孔交錯分布。
[0009]更進一步的，所述的排氣箱體上設(shè)有控溫?zé)犭娕肌？販責(zé)犭娕脊潭ㄔO(shè)置在排氣箱體中間位置的外壁上。
[0010]由以上技術(shù)方案可知，首先，本實用新型通過發(fā)熱絲加熱與絕緣承載盤上的排氣孔的配合使用，使VOC尾氣能充分與發(fā)熱絲接觸并燃燒，避免不合格的尾氣進入大氣、污染環(huán)境。其次，本實用新型通過控溫?zé)犭娕紝ε艢庀潴w內(nèi)的溫度進行調(diào)整，使排氣箱體內(nèi)的溫度保持在能使VOC尾氣充分燃燒的溫度，從而可連續(xù)穩(wěn)定的對VOC尾氣進行環(huán)保達標處理。本實用新型使電子行業(yè)熱處理設(shè)備中排出的廢氣通過均勻多層設(shè)置的發(fā)熱絲，并充分與發(fā)熱絲接觸，使VOC尾氣中的有害物質(zhì)充分燃燒，達到可排放標準，這不僅解決了電子行業(yè)尾氣中VOC處理的難題，提高了電子制造設(shè)備的環(huán)保標準，還減少了對環(huán)境的污染。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中:
[0013]1、排氣箱體，2、發(fā)熱絲，3、控溫?zé)犭娕迹?、絕緣承載盤，5、排氣孔，6、直排管道。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步說明:
[0015]如圖1所示的一種VOC尾氣處理裝置，包括依次相連的直排管道6和排氣箱體I。直排管道6和排氣箱體I是相通的。所述的排氣箱體I內(nèi)設(shè)有若干對成對設(shè)置的絕緣承載盤4，每對絕緣承載盤4之間設(shè)有發(fā)熱絲2。所述的絕緣承載盤4上開設(shè)有若干個排氣孔5。
[0016]具體地說，直排管道6與電子制造過程中使用的燒結(jié)設(shè)備出氣口相連通。首先，通過直排管道6，將電子制造過程中產(chǎn)生的廢氣引流至排氣箱體內(nèi)。其次，在發(fā)熱絲2的加熱作用下，VOC尾氣與發(fā)熱絲充分接觸并燃燒。
[0017]進一步的，所述的每對絕緣承載盤4包括上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤，上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上分別設(shè)有若干個排氣孔，且上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上的排氣孔交錯分布。此外，在布置發(fā)熱絲2時，首先，要使發(fā)熱絲2與上層絕緣承載盤、下層絕緣承載盤之間分別留有一定距離的間隙，使氣體能夠充分流動、排氣燃燒效果更好；其次，發(fā)熱絲2是根據(jù)上下層絕緣承載盤上的排氣孔位置繞制而成的，具有一定的繞制空隙，位于上下層絕緣承載盤之間的發(fā)熱絲，不僅要使發(fā)熱絲與排氣孔不重疊、保證氣流從排氣孔中通過時的通暢性，還要使繞制空隙與排氣孔交錯分布、以延長氣體的流動路徑、使VOC尾氣燃燒更加充分。
[0018]更進一步的，所述的排氣箱體I上設(shè)有控溫?zé)犭娕?。根據(jù)電子制造過程中排放尾氣成分的不同，可以通過控溫?zé)犭娕急ＷC排氣箱體內(nèi)的溫度在適宜溫度范圍內(nèi)，以使不同種類的VOC尾氣在適宜的溫度下充分燃燒。
[0019]如圖1所示，本實用新型的具體使用過程為:
[0020]首先，燒結(jié)設(shè)備產(chǎn)生的尾氣通過直排管道6引流至排氣箱體I內(nèi)。
[0021]其次，根據(jù)電子制造種類，確定排氣箱體I內(nèi)所需的溫度范圍，通過控溫?zé)犭娕?使排氣箱體I內(nèi)的溫度穩(wěn)定在所需的溫度范圍內(nèi)。
[0022]最后，VOC尾氣依次通過若干對成對設(shè)置的絕緣承載盤4。在實際生產(chǎn)過程中，可根據(jù)需要設(shè)置絕緣承載盤的對數(shù)，以達到排放氣體VOC零排放。在VOC尾氣通過每對絕緣承載盤時，VOC尾氣先從下層絕緣承載盤上的排氣孔中通過，然后經(jīng)過發(fā)熱絲，再從上層絕緣承載盤上的排氣孔中排出。在這個過程中，因為上層絕緣承載盤上的排氣孔、發(fā)熱絲繞制空隙、下層絕緣承載盤上的排氣孔均為交錯分布的，所以VOC尾氣的路徑并不是一條直線，這樣能夠使VOC尾氣與發(fā)熱絲充分接觸并燃燒，使VOC燃燒干凈。
[0023]以上所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述，并非對本實用新型的范圍進行限定，在不脫離本實用新型設(shè)計精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本實用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進，均應(yīng)落入本實用新型權(quán)利要求書確定的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種VOC尾氣處理裝置，其特征在于:包括依次相連的直排管道(6)和排氣箱體(I); 所述的排氣箱體(I)內(nèi)設(shè)有若干對成對設(shè)置的絕緣承載盤(4 )，每對絕緣承載盤(4 )之間設(shè)有發(fā)熱絲(2)； 所述的絕緣承載盤(4)上開設(shè)有若干個排氣孔(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種VOC尾氣處理裝置，其特征在于:所述的每對絕緣承載盤(4)包括上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤，上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上分別設(shè)有若干個排氣孔，且上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上的排氣孔交錯分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種VOC尾氣處理裝置，其特征在于:所述的排氣箱體(I)上設(shè)有控溫?zé)犭娕?3)。
【專利摘要】本實用新型涉及一種VOC尾氣處理裝置，包括依次相連的直排管道和排氣箱體。排氣箱體內(nèi)設(shè)有若干對成對設(shè)置的絕緣承載盤，每對絕緣承載盤之間設(shè)有發(fā)熱絲。絕緣承載盤上開設(shè)有若干個排氣孔。每對絕緣承載盤包括上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤，上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上分別設(shè)有若干個排氣孔，且上層絕緣承載盤和下層絕緣承載盤上的排氣孔交錯分布。排氣箱體上設(shè)有控溫?zé)犭娕肌Ｓ梢陨霞夹g(shù)方案可知，本實用新型能夠?qū)﹄娮又圃爝^程中含有VOC的尾氣進行處理，減少廢氣排放和環(huán)境污染，具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低等特點。
【IPC分類】F23G7-06
【公開號】CN204358741
【申請?zhí)枴緾N201420798881
【發(fā)明人】徐金龍, 凌修偉, 孫康, 程超
【申請人】合肥恒力電子裝備公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2014年12月17日