專利名稱：一種新型高溫隔熱屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是涉及定向凝固技術(shù)，具體地說是一種用于定向凝固設(shè)備的新型高溫隔熱屏。
背景技術(shù)：
定向凝固技術(shù)不僅是生產(chǎn)縱向性能較優(yōu)材料的基本手段，也是研究凝固理論和研制新材料的重要方法。因此，定向凝固技術(shù)在材料科學(xué)與工程領(lǐng)域受到密切關(guān)注，并且得到廣泛的應(yīng)用。各國都非常重視定向凝固技術(shù)的應(yīng)用與研究，因而對定向凝固設(shè)備就提出了更高的要求。
定向凝固方法及裝置主要有功率降低法(PD法)、高速凝固法(HRS法)和液態(tài)金屬冷卻法(LMC法)。其中HRS法工藝相對簡單，易于控制，是目前工業(yè)上單晶及定向凝固鑄件生產(chǎn)的主要方法。HRS法的主要設(shè)備是定向凝固爐或者稱為單晶爐，其中的一個關(guān)鍵指標(biāo)是溫度梯度。溫度梯度高，生產(chǎn)效率就高，樣品或鑄件的性能就提高?，F(xiàn)在的定向凝固爐普遍采用雙區(qū)加熱，即上下兩段加熱器。為了提高溫度梯度而需要提高下區(qū)溫度，導(dǎo)致上區(qū)溫度隨之提高，容易造成元素?zé)龘p、合金與型殼起反應(yīng)，其結(jié)果使鑄件性能降低。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種提高下區(qū)溫度不會造成上區(qū)溫度升高，并有效提高溫度梯度的新型高溫隔熱屏。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是在上下加熱區(qū)之間安放一隔熱用金屬片(采用鉬片或者鉭片)，用陶瓷環(huán)固定。
本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型由于在上下區(qū)之間安放金屬隔熱屏，高溫下金屬表面光亮如鏡面，較好地反射光線，而真空環(huán)境下主要以熱輻射形式傳熱，因此，金屬片起到很好的隔熱效果。由于采用金屬隔熱屏，上區(qū)可以控制在相對較低的加熱溫度，提高下區(qū)溫度不會造成上區(qū)溫度升高，可以有效提高溫度梯度。避免了現(xiàn)有技術(shù)中提高溫度梯度同時導(dǎo)致上區(qū)溫度隨之提高，造成元素?zé)龘p、合金與型殼起反應(yīng)，使鑄件性能降低的不良影響。


圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型一個實(shí)施例對溫度梯度的提高的結(jié)果圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)例詳述本實(shí)用新型。
如圖1所示，金屬片1通過陶瓷環(huán)2和3，固定在上下區(qū)加熱器4和5之間。
本實(shí)用新型的工作原理是將本實(shí)用新型應(yīng)用于大型真空感應(yīng)定向凝固爐中，金屬片起隔熱作用，陶瓷環(huán)起絕緣和定位作用。在高溫下金屬表面光亮如鏡面，較好地反射光線，而真空環(huán)境下主要以熱輻射形式傳熱，因此，金屬片起到很好的隔熱效果。由于采用金屬隔熱屏，上區(qū)可以控制在相對較低的加熱溫度，提高下區(qū)溫度不會造成上區(qū)溫度升高，可以有效提高溫度梯度。
本實(shí)施例將高溫隔熱屏安裝在國產(chǎn)大型ZGD-2單晶爐中的兩個加熱器的加熱區(qū)之間，上區(qū)溫度1450℃，下區(qū)溫度1600℃時，進(jìn)行數(shù)據(jù)的自動采集和分析結(jié)果如圖2所示，溫度梯度有很大提高，達(dá)20％以上。
權(quán)利要求1.一種新型高溫隔熱屏，其特征在于在上下加熱區(qū)(4、5)之間安放一金屬片(1)，通過陶瓷環(huán)(2)和(3)固定。
2.按權(quán)利要求1所述新型高溫隔熱屏，其特征在于金屬片(1)采用鉬片或者鉭材料。
專利摘要本實(shí)用新型是涉及定向凝固技術(shù)，具體地說是一種用于定向凝固設(shè)備的新型高溫隔熱屏。在上下加熱區(qū)之間安放一金屬片，通過陶瓷環(huán)固定；金屬片采用鉬片或者鉭材料。本實(shí)用新型由于在上下區(qū)之間安放金屬隔熱屏，高溫下金屬表面光亮如鏡面，較好地反射光線，而真空環(huán)境下主要以熱輻射形式傳熱，因此，金屬片起到很好的隔熱效果。由于采用金屬隔熱屏，上區(qū)可以控制在相對較低的加熱溫度，提高下區(qū)溫度不會造成上區(qū)溫度升高，可以有效提高溫度梯度。避免了現(xiàn)有技術(shù)中提高溫度梯度同時導(dǎo)致上區(qū)溫度隨之提高，造成元素?zé)龘p、合金與型殼起反應(yīng)，使鑄件性能降低的不良影響。
文檔編號F27D99/00GK2636181SQ0321391
公開日2004年8月25日 申請日期2003年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月4日
發(fā)明者趙乃仁, 王志輝, 李金國, 金濤, 侯桂臣, 孫曉峰, 管恒榮, 胡壯麒 申請人:中國科學(xué)院金屬研究所