專利名稱：爐灶的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種包括烘烤馬弗罩的廚灶。
背景技術：
在現(xiàn)有技術的廚灶中加工食物是眾所周知的。通常包括烘烤、蒸煮、烤制和燒烤。對伸入到烘烤隔熱層上部和下部中的管式加熱器系統(tǒng)進行加熱從而使烘烤馬弗罩達到一定的溫度。為獲得更加均勻的溫度分布，還可采用風扇。但是在很多情況中，不需要使用烘烤馬弗罩的全部容積來加工某種食物。但是在這種情況下，由于只能整個地加熱烘烤馬弗罩，因此不能減小能量的消耗。
根據(jù)DE 100 59 656 A1，已知一種包括烘烤馬弗罩的廚灶，在該烘烤馬弗罩中容納一個高度可調(diào)的可加熱盤。
但是，這種已知的設計較復雜而且成本較高。
在需要獲得特定烤制狀態(tài)的情況中，燒烤可打開容納在廚灶頂壁下面的燒烤加熱器。在需要在兩側(cè)烤制食物的情況中，一段時間后必須翻轉(zhuǎn)食物。這同樣造成能量的損失，因為必須打開廚灶的門。
從DE 41 16 425 A1可獲知一種廚灶，它包括用于接收多種可加熱烹調(diào)器皿的引導裝置。每個單獨的烹調(diào)器皿都可包括一個電輻射加熱器，該電輻射加熱器能夠獨立于烘烤馬弗罩的加熱器而單獨控制。盡管通過這種方式在加工少量食物時基本上可更有效地利用能量，但是，通過輻射加熱器加熱烹調(diào)器皿或?qū)⑴胝{(diào)器皿放置在加熱底部而進行加熱并不節(jié)能。
從DE 36 39 872 A1中可獲知一種利用蒸汽或循環(huán)熱空氣烹飪食物的裝置，它包括一個熱空氣發(fā)生器和一個蒸汽發(fā)生器，其中烹飪室的下部由一個烹飪?nèi)萜餍纬?，該容器形成為鍋的形狀，頂部敞開，并能通過放置在分離的加熱底盤上而單獨加熱。
同樣，這種裝置也不是節(jié)能的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種在加工食物時具有很高的靈活性的改進的爐灶。而且這種爐灶是節(jié)能的。
該目的的實現(xiàn)是通過一種包括烘烤馬弗罩的爐灶實現(xiàn)的，其中在該烘烤馬弗罩中設置有一個引導裝置，用于容納至少一個可加熱的烹調(diào)器皿，該烹調(diào)器皿包括一個基底，該基底在其外側(cè)承載一個可直接加熱的加熱層，該加熱層上覆蓋一個絕緣層。
這樣，本發(fā)明的目的可完全實現(xiàn)。
該可直接加熱的烹調(diào)器皿可優(yōu)選設置在位于烘烤馬弗罩側(cè)壁的導軌上。
因此，通過在需要的高度插入一個烹調(diào)器皿，可將烘烤馬弗罩調(diào)節(jié)到需要的尺寸。通過這種方法，就能在烘烤馬弗罩內(nèi)以非常節(jié)能的方式加工食物。通過直接加熱烹調(diào)器皿，可將能量直接傳遞到食物，從而減小能量損失。特別是在流通的熱氣、位于頂部區(qū)域或可能位于壁區(qū)域的管式加熱器以及燒烤加熱器的幫助下，可將待處理的相應食物分別調(diào)節(jié)到蒸煮、烘烤或烤制過程。這能夠以非常節(jié)能的方式加工食物，同時獲得例如烘焦、烤制或焙烤等特定狀態(tài)的預定特征。
位于烹調(diào)器皿外側(cè)的絕緣層用于避免熱輻射的損失。同時，通過這種方式可有效地確保充分電絕緣。
根據(jù)本發(fā)明的進一步發(fā)展，該烹調(diào)器皿包括用于電力接觸加熱層的接觸裝置，該接觸裝置與設置在烘烤馬弗罩中的接觸裝置配合。
為此，可在烹調(diào)器皿下側(cè)設置接觸點，該接觸點與設置在烘烤馬弗罩中的導軌上的指定接觸點配合。
根據(jù)另一種設計，烹調(diào)器皿包括接觸插頭或插座，該插頭或插座與設置在烘烤馬弗罩后壁上的接觸插座或插頭相配合。
在這兩種情況中，烹調(diào)器皿的電連接可通過將烹調(diào)器皿插入到導軌中而容易地實現(xiàn)。為此，烹調(diào)器皿優(yōu)選由絕緣材料制成，例如玻璃，特別是硼硅酸玻璃或玻璃陶瓷。
這樣，可利用現(xiàn)有技術中用硼硅酸玻璃制成的烘烤器。只不過必須以適當?shù)姆绞绞┘右粋€加熱層和一個絕緣層。
優(yōu)選的，加熱層包括特別是通過濺射法、CVD法或PVD法獲得的氣相沉積層。同樣，加熱層也可是通過噴涂熱解法獲得的沉淀層，或根據(jù)特別優(yōu)選的實施例，加熱層可以是熱噴涂層。
當采用這些工藝時，各層可沉積為需要的厚度。濺射法、CVD法、PVD法或噴涂熱解法通常形成薄膜加熱所必須的數(shù)量級為約0.5到5μm的薄層，而熱噴涂能夠低成本地施加數(shù)量級為5到100μm的厚層。具體的，大氣或真空等離子噴涂、冷氣噴涂、火焰噴涂或光弧噴涂可用作熱噴涂工藝。
加熱層的材料可為適用于該目的的任何材料。包括例如NiCr基合金或FeCr基合金等的金屬層。同樣例如Invar或Kovar等具有較低熱膨脹性能的合金也是合適的。在采用噴涂熱解工藝時，優(yōu)選采用金屬氧化物，例如摻有Ce、La、Sb或Zn的氧化錫(SnO2)。以上提到的所有層都可通過熱噴涂低成本地施加。
在基底層與加熱層之間優(yōu)選設置一個接合層，該層可為氧化鋁層、多鋁紅柱石或堇青石。
這樣，可以一種較好的方式包容存在于基本為金屬的加熱層與優(yōu)選包括玻璃或玻璃陶瓷的基底層之間的熱膨脹系數(shù)之間的差異。
另外，通過混合玻璃微粒等具有較低熱膨脹系數(shù)的填充材料，能夠降低加熱層的熱膨脹系數(shù)。這樣，可與熱膨脹系數(shù)較低的基底層很好地匹配。
同樣，可采用金屬含量較高的導電膠用于沉積加熱層。具體的，該膠可包括銀，并可通過例如絲網(wǎng)印刷術等適當?shù)墓に囀┘印８鶕?jù)采用的是厚膜加熱器或薄膜加熱器，加熱層的厚度優(yōu)選在約5到100μm之間，優(yōu)選在約10到60μm之間(厚膜加熱器)，或?qū)雍裨诩s0.5到20μm之間，優(yōu)選在約0.5到5μm之間(薄膜加熱器)。
該絕緣層優(yōu)選包括陶瓷。為此，特別的，ZrO2由于其熱絕緣特性而適用。同樣，也可采用Al2O3。
另外，根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選發(fā)展，絕緣層上覆蓋一個頂層。
此處，頂層優(yōu)選為防止擴散層，它可包括基于有機硅的漆或包括散布有金屬氧化物微粒的無機漆。該層用于防止化學侵蝕或潮濕(氧化)。該層可通過例如噴涂或浸漬等適當?shù)氖┘庸に囀┘?。該層的厚度?yōu)選在10到50μm之間。
因此，包括一個加熱層、一個絕緣層和一個頂層的一個完整的烹調(diào)器皿系統(tǒng)非常緊湊并能放置在洗碗機中清洗。
在以適當方式限制最大加熱能量的情況下，可限制烹調(diào)器皿內(nèi)壁的最高溫度，內(nèi)壁可被一層例如PTFE的防粘材料保護。
優(yōu)選的，烹調(diào)器皿設計為尺寸和形狀與烘烤馬弗罩的橫截面相配合碗形。另外，可在烹調(diào)器皿上放置適當?shù)捻敳炕蛏w。同樣，該頂部可以同樣的方式包括一個直接加熱器。
這使得可在烘烤隔熱層中同時使用不同的烹調(diào)碗和頂部的組合。
可以理解的是，本發(fā)明上述和下述的特征不限于給定的組合，而可應用于其它組合中或一起使用，而不脫離本發(fā)明的范圍。


通過以下結(jié)合附圖對優(yōu)選實施例進行描述，就會明白本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點。
圖1以示意圖的方式示出根據(jù)本發(fā)明的門敞開的廚灶。
圖2以放大視圖的方式示出根據(jù)圖1形成為碗形的烹調(diào)器皿的橫截面視圖。
圖3以放大視圖的方式示出穿過根據(jù)圖2的烹調(diào)器皿底部的部分橫截面視圖。
圖4示出了根據(jù)圖3的底部的修改，其中在絕緣層上施加了一個附加的頂層。
圖5示出根據(jù)圖2的烹調(diào)碗，在該烹調(diào)碗上放置一個同樣可直接加熱的蓋或頂部。
具體實施例方式
在圖1中，示意地示出用標號10指出并且門敞開的爐灶總體。爐灶10包括烘烤馬弗罩12，其帶有位于其底部和頂部的管式加熱器27、29。
爐灶10基本上可以現(xiàn)有技術中已知的任何廚灶相同的已知方法操作。因此，它可選擇性地采用頂部加熱器和/或壁加熱器和/或底面加熱器和/或燒烤加熱器進行操作。而且可采用優(yōu)選位于后壁(未示出)的鼓風機。
但是除此之外，本發(fā)明的爐灶還包括以大致均勻的間隔分別定位于烘烤馬弗罩側(cè)壁上的導軌14、15和16、17以及18、19。在這些導軌14、15、16、17、18、19上，可將形成為烹調(diào)碗形式的烹調(diào)器皿容納在不同高度。根據(jù)圖1示出的實施例，可容納于三個不同的高度。
烹調(diào)器皿22包括具有應用到烹調(diào)器皿22底面上的絕緣加熱層的直接式加熱器(參照圖2到4)。為提供電源，烹調(diào)器皿22在其下側(cè)包括接觸件42、43，其可構(gòu)造成例如由銅等導電性較好的材料制成的接觸軌的形式。這些接觸點42、43與位于導軌14、15、16、17、18、19上側(cè)的適當接觸式嵌件20、21配合。
或者，也可通過位于后壁的適當接觸插頭和插座與蒸煮容器22后側(cè)適當?shù)牟遄虿孱^(未示出)配合而提供電源。
當操作帶有一個或多個烹調(diào)器皿22的爐灶10時，優(yōu)選關閉下側(cè)的加熱器29，因此烹調(diào)器皿22僅被與其一體的直接加熱器和位于爐灶上側(cè)的加熱器27加熱。同樣，也可打開位于烘烤馬弗罩12內(nèi)側(cè)的燒烤加熱器(未示出)。
如從圖2中可看到的，烹調(diào)器皿22可設計為平底碗，其側(cè)邊伸出到外面，并且側(cè)邊被設計為放置在烘烤馬弗罩12的側(cè)壁上同時保持一定松動間隙的引導件。烹調(diào)器皿22包括由絕緣材料制成的基底，其中絕緣材料例如玻璃，特別是硼硅酸玻璃或玻璃陶瓷。例如，它可以是采用已知設計由硼硅酸玻璃或玻璃陶瓷制成的烹調(diào)碗，另外，在底面24上涂有加熱層28和絕緣層30。如可從圖3的放大視圖中看到的，在包括硼硅酸玻璃的基底層32與加熱層28之間設置有一個接合層34，該接合層34可包括氧化鋁、多鋁紅柱石或堇青石。接合層34下側(cè)設置有一個加熱層28，該加熱層包括以適當?shù)姆绞皆O置的加熱層路徑36。
接合層34和加熱路徑36優(yōu)選通過熱噴涂施加。然后在加熱層28的下側(cè)施加一個絕熱并絕緣的絕緣層30，該層也優(yōu)選通過熱噴涂形成。加熱層優(yōu)選包括鎳鉻基合金或鐵鉻基合金。絕緣層30優(yōu)選包括氧化鋯，但也可包括氧化鋁或其它絕緣材料。優(yōu)選的，接合層34為一個層厚為約0.5到10μm的薄的熱噴涂層。加熱層的厚度在約10到60μm之間(厚膜加熱層)或在約0.5到5μm之間(薄膜加熱層)?？赏ㄟ^如下方式選擇設計烹調(diào)器皿內(nèi)側(cè)可達到約為350℃的最高溫度。
在適當限制最大加熱功率的情況下，可使烹調(diào)器皿內(nèi)側(cè)達到一個較低的最高溫度，因此該內(nèi)側(cè)可另外涂覆一層例如PTFE的防粘層。
絕緣層30用于隔絕傳遞到外下側(cè)的熱量，并用于電絕緣以及加熱層的機械保護。該層的厚度約為10到100μm。
如從圖4中可看到的，，在絕緣層30的外側(cè)上可另外施加頂層38，用作防止擴散層。頂層38用于防止化學侵蝕和濕氣(氧化)侵蝕。為此，以適當方式涂覆有機漆或包括彌散金屬氧化物顆粒的無機漆，例如噴涂或浸漬。層厚約為10到50um。
如從圖4中可看到的，包括玻璃基底層32、接合層34、加熱層28、絕緣層30和頂層38的底面24’的總厚度非常小(應理解，圖中接合層34、加熱層28、絕緣層36和頂層39的層厚與基底層32相比被很大程度地放大了)。
該烹調(diào)器皿可容易地放在洗碗機中清洗。
應理解，在通過熱噴涂(例如，通過大氣或真空等離子噴涂、火焰噴涂或光弧噴涂)施加每個層時，開始時應以適當?shù)姆绞綄Ρ砻鎸舆M行清潔并噴砂。由于熱噴涂在本領域內(nèi)是已知的，所以在此不討論層施加過程中的參數(shù)。
另外，在圖5中示出設計為碗形的烹調(diào)器皿22可與一個形成為頂部或蓋的烹調(diào)器皿40配合，這樣一起形成一個對外界封閉的完整的單元。而且，頂部或蓋40同樣包括一個加熱層、一個絕緣層和一個頂層。
通過這種方式，由于可在每個單獨的組件中獲得適于每種食物的不同溫度，因此幾種不同的食物可在烘烤馬弗罩中相互獨立地進行加工。
權利要求
1.一種包括烘烤馬弗罩(12)的爐灶，爐灶中設置有引導裝置(14、15、16、17、18、19)，用于容納至少一個可加熱烹調(diào)器皿(22、40)，該烹調(diào)器皿(22、40)包括基底層(32)，所述基底層(32)在其外側(cè)承載可直接加熱的加熱層(28)，該加熱層(28)由絕緣層(30)覆蓋。
2.如權利要求1所述的爐灶，包括用于在不同的高度接收烹調(diào)器皿(22、40)的多個引導件(14、15、16、17、18、19)。
3.如權利要求1或2所述的爐灶，其中該烹調(diào)器皿(22、40)進一步包括用于與加熱層(28)電接觸的接觸裝置(42、43)，該接觸裝置與設置在烘烤馬弗罩(12)中的接觸裝置(20、21)配合。
4.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中烹調(diào)器皿(24、40)由玻璃制成，特別是由硼硅酸玻璃或玻璃陶瓷制成。
5.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中加熱層(28)構(gòu)造為從氣相沉積的層，特別是通過濺射法、CVD法，或PVD法沉積的層，或構(gòu)造為通過噴涂熱解法沉積的層，或構(gòu)造為熱噴涂層。
6.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中加熱層(28)包括鎳鉻基合金、鐵鉻基合金或金屬氧化物，例如摻有鈰、鑭、銻或鋅的氧化錫。
7.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中在基底層(32)與加熱層(28)之間設置接合層(34)，該接合層優(yōu)選構(gòu)造為氧化鋁層、多鋁紅柱石層或堇青石層。
8.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中加熱層(28)的厚度在約5到100微米之間，優(yōu)選在約10到60微米之間。
9.根據(jù)權利要求1到7中任一項所述的爐灶，其中加熱層(28)的厚度在約0.5到20微米之間，優(yōu)選在約0.5到5微米之間。
10.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中絕緣層(30)包括氧化鋯或氧化鋁。
11.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中在絕緣層(30)的頂部設置有頂層(38)。
12.根據(jù)權利要求11所述的爐灶，其中頂層(38)構(gòu)造為防止擴散層，該層優(yōu)選由有機硅基漆或包括彌散金屬氧化微粒的無機漆制成。
13.根據(jù)權利要求12所述的爐灶，其中頂層的厚度在約5到100微米之間，優(yōu)選在約5到50微米之間。
14.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中烹調(diào)器皿(22、40)包括防粘層，該層優(yōu)選用PTFE制成。
15.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中烹調(diào)器皿(22、40)下側(cè)上設置有接觸件(42、43)，該接觸件與設置在烘烤馬弗罩(12)中的導軌(14、15、16、17、18、19)上的指定接觸件(20、21)接觸。
16.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中烹調(diào)器皿(22、40)包括與設置在烘烤馬弗罩后壁上的接觸插頭配合的接觸插頭。
17.根據(jù)權利要求1到4或10到16中任一項所述的爐灶，其中加熱層(28)由具有高金屬含量的導電膠制成，該金屬特別是銀，優(yōu)選通過絲網(wǎng)印刷術施加該膠。
18.根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶，其中烹調(diào)器皿(22、40)構(gòu)造為碗(22)或用于蓋住碗(22)的頂部(40)。
19.一種用于容納食物的烹調(diào)器皿，特別是用于插入到根據(jù)前述任一項權利要求所述的爐灶中的烹調(diào)器皿，該烹調(diào)器皿包括基底層，特別地，在基底層外側(cè)的底面設置有加熱層(28)，該加熱層被絕緣層(30)覆蓋，其中加熱層(28)與電接觸裝置(42、43)相連接，用于從外部與加熱層(28)電接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開一種包括烘烤馬弗罩(12)的爐灶(10)。在該烘烤馬弗罩(12)中，設置有用于容納至少一個可加熱烹調(diào)碗(22)的引導裝置(14、15、16、17、18、19)，其中該烹調(diào)碗(22)包括一個基底層，特別是，基底層外側(cè)的底面設置有一個可直接加熱的加熱層，該加熱層被一個絕緣層覆蓋。
文檔編號F24C15/16GK1504691SQ200310119799
公開日2004年6月16日 申請日期2003年12月5日 優(yōu)先權日2002年12月5日
發(fā)明者卡斯滕·韋姆特, 帕特里克·斯科貝爾, 克 斯科貝爾, 卡斯滕 韋姆特 申請人:肖特玻璃公司