專利名稱：大氣式等離子體清潔設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于一種大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備，尤指一種于常壓(1atm)的工作條件下，即可產(chǎn)生具低溫清潔作用(使待清潔物經(jīng)過等離子體清潔后，其表面溫度約為50～80度)的大氣式等離子體清潔設(shè)備。
背景技術(shù)：
氣體分子因光、放射線、電子等具有能量的粒子沖撞而激發(fā)、離子化(電子沖撞所致氣體激發(fā)及離子化的現(xiàn)象稱為放電)，因放電而激發(fā)(excitation)及離子化的氣體(ionized gas)中，有電子(electron)、離子(ion)、原子團(tuán)(radical)、分子(molecule)等，此為等離子體狀態(tài)。像這樣氣體被離子化后所產(chǎn)生的物質(zhì)狀態(tài)與傳統(tǒng)的物質(zhì)三態(tài)(即固、液、氣態(tài))明顯不同，被科學(xué)家稱為物質(zhì)的第四態(tài)，科學(xué)家估計(jì)宇宙中百分之九十九的物質(zhì)是以等離子體狀態(tài)存在。
再者，一般等離子體的產(chǎn)生方式，通過外加的電場能量來促使氣體內(nèi)的電子獲得能量并加速撞擊不帶電中性粒子，由于不帶電中性粒子受加速電子的撞擊后會(huì)產(chǎn)生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋出的電子，在經(jīng)由電場加速與其它中性粒子碰撞。如此反復(fù)不斷，進(jìn)而使氣體產(chǎn)生崩潰效應(yīng)(gasbreakdown)，形成等離子體狀態(tài)。
在應(yīng)用方面，如光電產(chǎn)業(yè)的精密光學(xué)涂布前基材清潔、液晶面板鍍膜前玻璃基板清潔、偏光板制程清潔、IC產(chǎn)業(yè)的殘余光阻去除、濕蝕刻前清潔提高基板潤濕性、IC封裝及打線(wire bond)前清潔、印刷電路板(PCB)鈧膜前清潔、以及通訊產(chǎn)業(yè)，如手機(jī)面板印刷膜前清潔等，皆為等離子體清潔的應(yīng)用范圍。以集成電路組件封裝制程為例，因制程條件和環(huán)境影響，硅芯片及其構(gòu)裝用基板上常會(huì)附著污染物，而此污染物會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的封裝過程中，金線或環(huán)氧樹脂附著不良，嚴(yán)重降低良率，故必須將此硅芯片或基板上的污染物清除。
但是，目前市面上所使用的等離子體清潔設(shè)備必須在低壓環(huán)境下才能進(jìn)行等離子體清潔，因此公知所揭示的等離子體清潔設(shè)備無法達(dá)到在線(in-line)生產(chǎn)的要求。再者，公知待清潔物經(jīng)過等離子體清潔后，其表面溫度約為200度，因此常造成待清潔物表面的損傷，更不用說像一般布類、聚亞胺(polymide)、甚至是紙類等物品的清潔，當(dāng)然不適用于公知的等離子體清潔設(shè)備。
由上可知，目前公知的等離子體清潔設(shè)備在實(shí)際使用上，顯然具有不便與缺陷存在，而可待加以改善。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備，其于常壓(1atm)的工作條件下，即可產(chǎn)生具低溫清潔作用的等離子體，因此符合在線(in-line)生產(chǎn)的要求。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備，其包括一等離子體產(chǎn)生模塊、一氣體供應(yīng)模塊、一輸送模塊、一控制模塊、及一電源供應(yīng)模塊。其中，該等離子體產(chǎn)生模塊可于預(yù)定的參數(shù)設(shè)定下產(chǎn)生等離子體區(qū)域，其中該參數(shù)包括環(huán)境壓力為常壓；該氣體供應(yīng)模塊連通于該等離子體產(chǎn)生模塊，以提供氣體給該等離子體產(chǎn)生模塊使用；該輸送模塊設(shè)置于該等離子體產(chǎn)生模塊下方，用以承載至少一待清潔物至該等離子體產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的等離子體區(qū)域，以進(jìn)行該待清潔物的清潔，其中當(dāng)該待清潔物經(jīng)過該等離子體區(qū)域時(shí)，該待清潔物的表面溫度約為50～80度；該控制模塊至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該氣體供應(yīng)模塊及該輸送模塊；以及，該電源供應(yīng)模塊至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該輸送模塊及該控制模塊，以提供電力來源。
根據(jù)上述構(gòu)思，該等離子體產(chǎn)生模塊為多組等離子體頭(plasma head)。
根據(jù)上述構(gòu)思，每一組等離子體頭包括一正電極板(positive electrodeboard)及一負(fù)電極板(negative electrode board)，該正電極板與該負(fù)電極板分別電性連接于該電源供應(yīng)模塊的正極及負(fù)極。
根據(jù)上述構(gòu)思，該常壓為1大氣壓(1atm)。
根據(jù)上述構(gòu)思，該參數(shù)設(shè)定進(jìn)一步包括微放電時(shí)間為10納秒(nanosecond)及等離子體頻率為15～20KHz。
根據(jù)上述構(gòu)思，該氣體供應(yīng)模塊所提供的氣體為氮?dú)?N2)與氧氣(O2)的混合。
根據(jù)上述構(gòu)思，該氮?dú)?N2)流入該等離子體產(chǎn)生模塊的流速為120～160升/分(L/min)，該氧氣(O2)流入該等離子體產(chǎn)生模塊的流速為0～20升/分(L/min)。
根據(jù)上述構(gòu)思，該氮?dú)?N2)的濃度大于99.9％，該氧氣(O2)的濃度大于99.5％。
根據(jù)上述構(gòu)思，該控制模塊用于調(diào)整該預(yù)設(shè)的參數(shù)設(shè)定、控制該氣體供應(yīng)模塊所供應(yīng)的氣體的混合比及流量、以及控制該輸送模塊輸送該待清潔物的速度。
根據(jù)上述構(gòu)思，該參數(shù)設(shè)定進(jìn)一步包括將一般交流電源的正弦波形轉(zhuǎn)換為產(chǎn)生等離子體所需的波形，進(jìn)而將該氣體供應(yīng)模塊所供應(yīng)的氣體提升至等離子體狀態(tài)。
本實(shí)用新型提供一種大氣式等離子體清潔設(shè)備，其于常壓的工作條件下，即可產(chǎn)生具低溫清潔作用的等離子體，因此符合在線生產(chǎn)的要求。特別是當(dāng)待清潔物經(jīng)過等離子體清潔后，其表面溫度約為70度(或50～80度)，因此本實(shí)用新型在等離子體清潔的過程中不會(huì)造成待清潔物表面的損傷，所以像一般布類、聚亞胺、甚至是紙類等物品的清潔，皆可使用本實(shí)用新型的大氣式等離子體清潔設(shè)備。
為了更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，相信本實(shí)用新型的目的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得以深入且具體的了解，然而所附附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本實(shí)用新型加以限制。


圖1是本實(shí)用新型大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備的功能方框圖；以及圖2是本實(shí)用新型大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備的使用示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
1-等離子體產(chǎn)生模塊；10-等離子體區(qū)域；11-等離子體頭；12-正電極板；13-負(fù)電極板；2-氣體供應(yīng)模塊；3-輸送模塊；4-控制模塊；5-電源供應(yīng)模塊；6-待清潔物。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，其分別為本實(shí)用新型大氣式等離子體(APplasma)清潔設(shè)備的功能方框圖、及本實(shí)用新型大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備的使用示意圖。由圖中可知，本實(shí)用新型提供一種大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備，其包括一等離子體產(chǎn)生模塊1、一氣體供應(yīng)模塊2、一輸送模塊3、一控制模塊4、及一電源供應(yīng)模塊5。
其中，該等離子體產(chǎn)生模塊1可于預(yù)定的參數(shù)設(shè)定下產(chǎn)生等離子體區(qū)域10，并且該等離子體產(chǎn)生模塊1可為多組等離子體頭11(plasma head)，而每一組等離子體頭11至少包括一正電極板(positive electrode board)12及一負(fù)電極板(negative electrode board)13，該正電極板11與該負(fù)電極板12分別電性連接于該電源供應(yīng)模塊5的正極及負(fù)極。
另外，該參數(shù)設(shè)定至少包括環(huán)境壓力為常壓(約1大氣壓)、微放電時(shí)間為10納秒(nanosecond)、及等離子體頻率為15～20KHz。其中在常壓(1atm)的工作條件下，即可產(chǎn)生具低溫清潔作用的等離子體，因此符合在線(in-line)生產(chǎn)的要求，亦即本實(shí)用新型不須額在高壓或低壓環(huán)境下使用，而可于常壓環(huán)境(1大氣壓力)下利用等離子體進(jìn)行待清潔物6的清潔。此外，本實(shí)用新型的參數(shù)設(shè)定還進(jìn)一步包括將一般交流電源的正弦波形轉(zhuǎn)換為產(chǎn)生等離子體所需的波形，進(jìn)而可將該氣體供應(yīng)模塊2所供應(yīng)的氣體提升至等離子體狀態(tài)。
再者，該氣體供應(yīng)模塊2連通于該等離子體產(chǎn)生模塊1，以提供氣體給該等離子體產(chǎn)生模塊1使用，其中該氣體供應(yīng)模塊2所提供的氣體可為氮?dú)?N2)與氧氣(O2)的混合，并且可設(shè)定該氮?dú)?N2)流入該等離子體產(chǎn)生模塊1的流速為120～160升/分(L/min)，該氧氣(O2)流入該等離子體產(chǎn)生模塊1的流速為0～20升/分(L/min)，并且該氮?dú)?N2)的濃度大于99.9％，該氧氣(O2)的濃度大于99.5％。然而，上述的氮?dú)?N2)與氧氣(O2)的流量比及濃度百分比非用來限定本實(shí)用新型，因此本實(shí)用新型的氮?dú)?N2)與氧氣(O2)的流量比及濃度百分可隨使用所需而任意進(jìn)行調(diào)整。
另外，該輸送模塊3設(shè)置于該等離子體產(chǎn)生模塊1下方，用以承載至少該待清潔物6至該等離子體產(chǎn)生模塊1所產(chǎn)生的等離子體區(qū)域10，以進(jìn)行該待清潔物6的清潔，其中當(dāng)該待清潔物6經(jīng)過該等離子體區(qū)域10時(shí)，因該輸送模塊3速度的影響，該待清潔物6的表面溫度不會(huì)超過70度，或可依據(jù)待該清潔物6的材料特性及電路的布局(layout)，該待清潔物6的表面溫度范圍約為50～80度，因此本實(shí)用新型在等離子體清潔的過程中不會(huì)造成待清潔物6表面的損傷，所以像一般布類、聚亞胺(polymide)、甚至是紙類等物品的清潔，皆可使用于本實(shí)用新型。
此外，該控制模塊4至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊1、該氣體供應(yīng)模塊2及該輸送模塊3。其中該控制模塊4可用于調(diào)整該預(yù)設(shè)的參數(shù)設(shè)定、控制該氣體供應(yīng)模塊2所供應(yīng)的氣體的混合比及流量、以及控制該輸送模塊3輸送該待清潔物的速度等。再者，該電源供應(yīng)模塊5至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊1、該輸送模塊3及該控制模塊4，以提供所需的電力來源。
綜上所述，本實(shí)用新型可于常壓(1atm)的工作條件下，即可產(chǎn)生具低溫清潔作用的等離子體，因此符合在線(in-line)生產(chǎn)的要求。特別是當(dāng)待清潔物經(jīng)過等離子體清潔后，其表面溫度不會(huì)超過70度，或依據(jù)待該清潔物6的材料特性及電路的布局(layout)，其表面溫度范圍約為50～80度，因此本實(shí)用新型在等離子體清潔的過程中不會(huì)造成待清潔物表面的損傷，所以像一般布類、聚亞胺(polymide)、甚至是紙類等物品的清潔，皆可使用本實(shí)用新型的大氣式等離子體(AP plasma)清潔設(shè)備。
以上所述，僅為本實(shí)用新型最佳的一的具體實(shí)施例的詳細(xì)說明與附圖，本實(shí)用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本實(shí)用新型，本實(shí)用新型的所有范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求書范圍為準(zhǔn)，凡合于本實(shí)用新型的精神與其類似變化的實(shí)施例，皆應(yīng)包含于本實(shí)用新型的保護(hù)范疇中，任何熟悉該項(xiàng)技術(shù)者在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在本專利的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種大氣式等離子體清潔設(shè)備，其特征是包括一等離子體產(chǎn)生模塊，其于預(yù)定的參數(shù)設(shè)定下產(chǎn)生等離子體區(qū)域，其中該參數(shù)包括環(huán)境壓力為常壓；一氣體供應(yīng)模塊，其連通于該等離子體產(chǎn)生模塊，提供給該等離子體產(chǎn)生模塊使用的氣體；一輸送模塊，其設(shè)置于該等離子體產(chǎn)生模塊下方，其承載至少一待清潔物至該等離子體產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的等離子體區(qū)域，其中該待清潔物在經(jīng)過該等離子體區(qū)域時(shí)的表面溫度為50～80度；一控制模塊，其至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該氣體供應(yīng)模塊及該輸送模塊；以及一電源供應(yīng)模塊，其至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該輸送模塊及該控制模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的大氣式等離子體清潔設(shè)備，其特征是該等離子體產(chǎn)生模塊為多組等離子體頭。
3.如權(quán)利要求2所述的大氣式等離子體清潔設(shè)備，其特征是每一組等離子體頭包括一正電極板及一負(fù)電極板，該正電極板與該負(fù)電極板分別電性連接于該電源供應(yīng)模塊的正極及負(fù)極。
4.如權(quán)利要求1所述的大氣式等離子體清潔設(shè)備，其特征是該氣體供應(yīng)模塊所提供的氣體為氮?dú)馀c氧氣的混合。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大氣式等離子體清潔設(shè)備，其中包括一等離子體產(chǎn)生模塊，其于預(yù)定的參數(shù)設(shè)定下產(chǎn)生等離子體區(qū)域，其中該參數(shù)包括環(huán)境壓力為常壓；一氣體供應(yīng)模塊，其連通于該等離子體產(chǎn)生模塊，以提供氣體給該等離子體產(chǎn)生模塊使用；一輸送模塊，其設(shè)置于該等離子體產(chǎn)生模塊下方，用以承載至少一待清潔物至該等離子體產(chǎn)生模塊所產(chǎn)生的等離子體區(qū)域，以進(jìn)行該待清潔物的清潔，其中該待清潔物在經(jīng)過該等離子體區(qū)域時(shí)的表面溫度為50～80度；一控制模塊，其至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該氣體供應(yīng)模塊及該輸送模塊；以及一電源供應(yīng)模塊，其至少電性連接于該等離子體產(chǎn)生模塊、該輸送模塊及該控制模塊，以提供電力來源。
文檔編號(hào)F24F3/16GK2881414SQ20052010919
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
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