專利名稱：反應(yīng)爐清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對用西門子法制造多晶硅時(shí)所使用的多晶硅反應(yīng) 爐的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗的反應(yīng)爐清洗裝置。
本申請對2008年1月25日申請的日本專利申請第2008-014967號(hào) 主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援引于此。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體材料的高純度多晶硅的制造方法，公知有西門子法。 該西門子法是這樣的制造方法由氯硅烷和氫的混合氣體構(gòu)成的原料 氣體接觸加熱了的硅芯棒，在其表面上進(jìn)行熱分解和氫還原反應(yīng)，由 此析出多晶硅。作為實(shí)施該制造方法的裝置，使用在反應(yīng)爐中立設(shè)有 多個(gè)硅芯棒的多晶硅反應(yīng)爐。
在該多晶硅反應(yīng)爐中制造多晶硅時(shí)，熱分解和氫還原反應(yīng)時(shí)作為 副產(chǎn)品生成的氯硅烷聚合物凝結(jié)并附著于冷卻了的反應(yīng)爐的內(nèi)壁面。 若要取出析出的多晶硅，必須將反應(yīng)爐向大氣開放。此時(shí)，氯硅烷聚 合物與大氣中的水分發(fā)生水解反應(yīng)，生成氯化氫。該氯化氫腐蝕反應(yīng) 爐的內(nèi)壁面，使作業(yè)區(qū)域惡化，對多晶硅產(chǎn)品而言是污染源。而且， 在氯硅烷聚合物附著于反應(yīng)爐壁的狀態(tài)下，反應(yīng)爐內(nèi)壁面的反射率降 低，不反射來自加熱后的硅棒的輻射熱，電力使用效率降低。因此， 為了高效率地制造高純度的多晶硅，需要在一次反應(yīng)結(jié)束時(shí)且轉(zhuǎn)移到 下一反應(yīng)之前，除去附著于反應(yīng)爐內(nèi)壁面的氯硅烷聚合物。因此，例 如日本特開昭56-114815號(hào)公報(bào)中提出了如下方法向多晶硅反應(yīng)爐壁 內(nèi)供給蒸汽來加熱反應(yīng)爐的內(nèi)壁面，將加濕了的惰性氣體或空氣導(dǎo)入 爐內(nèi)來將附著于反應(yīng)爐內(nèi)壁面的氯硅烷聚合物水解，接著將噴嘴安裝 于爐內(nèi)而向內(nèi)壁面噴射惰性氣體的高速噴射流來除去反應(yīng)爐內(nèi)壁面的 附著物。
日本特許第3167191號(hào)公報(bào)中記載了使二氧化碳顆粒(pellet)撞 擊反應(yīng)爐內(nèi)表面來除去硅附著物的方法。
但是，在上述的清洗方法中，向具有凹凸的反應(yīng)爐內(nèi)壁面整個(gè)區(qū)域無遺漏地噴射高速噴射流是較為困難的，有時(shí)無法完全除去附著物。
在如日本特許笫3167191號(hào)公報(bào)記載的技術(shù)那樣使用二氧化碳顆粒的 方法中，不進(jìn)行附著物的水解，存在打開反應(yīng)爐時(shí)產(chǎn)生鹽酸氣體的可 能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而做成的，其目的在于提供一種可容易且 可靠地除去多晶硅反應(yīng)爐內(nèi)壁面的附著物的反應(yīng)爐清洗裝置。 為了解決上述課題，本發(fā)明提出以下方案。
即，本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗裝置，對生成多晶硅的反應(yīng)爐的爐壁做 成雙層構(gòu)造的爐壁的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗，其特征在于，在以水平狀態(tài)設(shè) 置的大致圓盤形狀的承接盤上形成排液口 ，并在上述承接盤的外周部 形成凸緣部，所述凸緣部設(shè)置上述反應(yīng)爐的爐壁的下端開口緣部，在
軸，在上述軸的上』部設(shè)置向三維方向高壓噴e射清洗水的噴嘴i置， 并在上述軸的基端部設(shè)置使該軸旋轉(zhuǎn)并使該軸沿鉛直方向移動(dòng)的驅(qū)動(dòng) 機(jī)構(gòu)，設(shè)有能向上述反應(yīng)爐的爐壁的外壁與內(nèi)壁之間供給蒸汽的蒸汽 配管。
在本反應(yīng)爐清洗裝置中清洗反應(yīng)爐的內(nèi)壁面時(shí)，反應(yīng)爐下側(cè)的開 口緣部從上方抵接于呈圓盤形狀的承接盤的外周部的凸緣部，從而反 應(yīng)爐設(shè)置于承接盤上。在承接盤的中央部，沿鉛直方向設(shè)有上端具有 噴嘴裝置的軸，借助設(shè)于軸的基端部的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而使該軸旋轉(zhuǎn)并且沿 鉛直方向移動(dòng)。如此，設(shè)于軸的上端的噴嘴裝置隨著軸的上下移動(dòng)而 向三維方向高壓噴射清洗液。由此，能夠從反應(yīng)爐的內(nèi)壁面的上部到 下部三維地向各方向高壓噴射清洗水，所以可無遺漏地將清洗水直接 噴到反應(yīng)爐內(nèi)壁面的整個(gè)區(qū)域。
通過使用清洗水，能夠促進(jìn)附著物的水解而生成在化學(xué)上穩(wěn)定的 硅來進(jìn)行除去。
在清洗中會(huì)產(chǎn)生鹽酸氣體等腐蝕性氣體，但反應(yīng)爐的內(nèi)部空間除 了排液口之外基本上是密閉狀態(tài)，該腐蝕性氣體被清洗水吸收而從該 排液口排出到系統(tǒng)外。因此，不會(huì)有鹽酸氣體腐蝕外部氣氛的問題， 能夠維持可制造高品質(zhì)多晶硅的作業(yè)環(huán)境。通過對反應(yīng)爐爐壁的雙層構(gòu)造的內(nèi)部供給蒸汽，能夠可靠且高效 率地將噴射后殘留于反應(yīng)爐內(nèi)部的水分蒸發(fā)除去，能使反應(yīng)爐內(nèi)保持 可制造高品質(zhì)多晶硅的清潔度。
在本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗裝置中，其特征在于，在上述軸的外周部 形成有進(jìn)給螺紋，在上述承接盤上設(shè)有固定螺母，所述固定螺母與上 述進(jìn)給螺紋螺紋接合，且隨著上述軸的旋轉(zhuǎn)而向上方或下方引導(dǎo)該軸，
在上述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上設(shè)有借助驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)力源而旋轉(zhuǎn)的帶輪，上 述軸插入該帶輪的中央部，在上述帶輪的內(nèi)周面與軸的外周面之間設(shè) 有使上述帶輪和軸以能沿長度方向滑動(dòng)的方式嵌合的花鍵槽和花鍵 條。
由于該軸的花鍵條與帶輪的花鍵條嵌合，因此由動(dòng)力源傳遞到帶 輪時(shí)，與帶輪嵌合的軸也旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，軸相對于帶輪可沿該軸的長度 方向滑動(dòng)地嵌合，因此，即使軸的進(jìn)給螺紋被固定螺母引導(dǎo)而使該軸 上下移動(dòng)，也不會(huì)妨礙從帶輪向軸傳遞動(dòng)力，軸可靠地旋轉(zhuǎn)。因此， 軸可上下移動(dòng)，所以設(shè)于該軸的上端的噴嘴裝置可在反應(yīng)爐的內(nèi)壁面 的上下范圍內(nèi)有效地噴射清洗液。
在本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗裝置中，其特征在于，上述承接盤的上表 面以朝向上述排液口具有向下斜坡的方式傾斜。由此，向反應(yīng)爐內(nèi)壁 面噴射后而收容于承接盤的清洗廢液容易被引導(dǎo)到排液口，因此能夠 容易地對清洗后的清洗廢液進(jìn)行處理。
本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗方法，對生成多晶硅的反應(yīng)爐的做成雙層構(gòu) 造的爐壁的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗，其特征在于，將上述反應(yīng)爐的爐壁的下 端開口緣部設(shè)置于大致圓盤形狀的承接盤上， 一邊使配置于該承接盤 的中央部的軸沿鉛直方向移動(dòng)， 一邊從該軸的上端部的噴嘴向三維方 向高壓噴射清洗水來對上述反應(yīng)爐的爐壁的內(nèi)周面進(jìn)行清洗，從承接 盤的排液口排出了清洗廢液后，向上述反應(yīng)爐的爐壁的外壁與內(nèi)壁之 間供給蒸汽，對爐壁的內(nèi)周面進(jìn)行干燥。
根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗裝置，能夠在從反應(yīng)爐的內(nèi)壁面的上部 到下部的范圍內(nèi)三維地向各方向高壓噴射清洗水，可無遺漏地將清洗 水直接噴到反應(yīng)爐內(nèi)壁面的整個(gè)區(qū)域。還將清洗中產(chǎn)生的鹽酸氣體等 從排液口排出到系統(tǒng)外，并且利用清洗水將附著物水解而生成硅，因 此，對清洗后的反應(yīng)爐的處理也是安全的。而且，由于能夠向反應(yīng)爐的外壁與內(nèi)壁之間供給蒸汽，因此可高效率且可靠地除去殘留清洗液。


圖1是本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2是本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置的承接盤的俯視圖。 圖3是圖1的A-A剖視圖。 圖4是圖1的B-B剖視圖。
圖5是本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置的噴嘴裝置的放大圖。 圖6是表示帶輪和軸的花鍵嵌合部分的變形例的與圖3同樣的剖 視圖。
附圖標(biāo)記說明
1反應(yīng)爐清洗裝置
10承接盤
IOA上表面
11貫通孔
12清洗液排出孔
13凸緣部
20軸
21清洗液供給通路
25進(jìn)給螺紋
30驅(qū)動(dòng)才凡構(gòu)
31動(dòng)力源
32帶輪
33傳動(dòng)帶
40固定螺母
50噴嘴裝置
62蒸汽配管
70反應(yīng)爐
70A外壁
70B內(nèi)壁
71橡膠密封墊
80軸81花鍵槽 82帶輪 84花鍵條
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置。圖1 是本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置的概略構(gòu)成圖，圖2是本實(shí)施方式的 反應(yīng)爐清洗裝置的承接盤的俯視圖，圖3是圖1的A-A剖視圖，圖4 是圖1的B-B剖視圖，圖5是本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置的噴嘴裝 置的放大圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置1大致由承 接盤IO、軸20、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)30、固定螺母40和噴嘴裝置50構(gòu)成。
承接盤10為大致圓盤形狀，借助適當(dāng)立設(shè)于底板部60上的支柱 61來支承該承接盤10的外周部下表面。如圖2所示，在俯視時(shí)處于該 承接盤10中央的部分，沿鉛直方向貫通地設(shè)有貫通孔ll，并在承接盤 10的半徑方向中途位置設(shè)有排液口 12。承接盤10的上表面10A以成 為朝向該清洗液排出孔12的向下斜坡的方式傾斜形成。
在承接盤IO的外周部(凸緣部13)配置有橡膠密封墊71，所述橡 膠密封墊71與作為清洗對象的反應(yīng)爐70的呈吊鐘狀的爐壁70的下側(cè) 開口緣部抵接，由在該凸緣部13隔開間隔地設(shè)置多處(本實(shí)施方式中 為12處)的止動(dòng)部13A實(shí)施例如螺栓止動(dòng)等，從而將反應(yīng)爐的爐壁70 牢固地固定于承接盤IO上。
另外，如圖1所示，將呈吊鐘狀的反應(yīng)爐的爐壁70做成具有外壁 70A和內(nèi)壁70B的雙層構(gòu)造，其內(nèi)部是中空狀態(tài)，從以圓環(huán)狀設(shè)于支 柱61周圍的蒸汽配管62經(jīng)蒸汽供給通路63將蒸汽供給到反應(yīng)爐70 的爐壁的雙層構(gòu)造內(nèi)部。
軸20被設(shè)置成從底板部60的下方向上方貫通該底板部60，進(jìn) 而貫通上述承接盤10的貫通孔11而沿鉛直軸線O延伸，且可繞鉛直 軸線O旋轉(zhuǎn)。該軸20的內(nèi)部沿鉛直軸線O穿設(shè)有清洗水供給通路21, 經(jīng)設(shè)于軸20最下部的旋轉(zhuǎn)接頭22，從與未圖示的清洗水供給源連接的 清洗水供給管23將用于清洗反應(yīng)爐爐壁70的內(nèi)壁面72的清洗水供給 到該清洗液供給通路21。作為該清洗水，使用純水或超純水。
另外，在軸20的外周部形成有進(jìn)給螺紋25,為了使形成有該進(jìn)給螺紋25的外周側(cè)面四方形成花鍵條，而沿鉛直軸線O以L字狀切口， 如圖3所示那樣其水平截面形成為十字狀。因此，軸20僅在其水平截 面的十字的端部設(shè)置進(jìn)給螺紋25。
驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)30由動(dòng)力源31、圓盤形狀的帶輪32、將動(dòng)力源31的旋 轉(zhuǎn)傳遞到帶輪32的傳動(dòng)帶33構(gòu)成，所述動(dòng)力源31由馬達(dá)、減速器等 構(gòu)成。如圖3所示，在帶輪32的中央開設(shè)有俯視為十字狀的十字孔32A， 來作為花鍵槽，上述軸20的外周側(cè)面嵌合于該十字孔32A，將帶輪32 的旋轉(zhuǎn)傳遞到軸20。
帶輪32的十字孔32A和軸20可沿鉛直方向滑動(dòng)地相嵌合。因此， 將帶輪32的旋轉(zhuǎn)傳遞到軸20，同時(shí)，又能使軸20相對于帶輪32沿鉛 直方向移動(dòng)。
固定螺母40是以貫通承接盤10的貫通孔11的方式固定在設(shè)于承 接盤10下部的固定臺(tái)41上的圓筒形狀的構(gòu)件，其內(nèi)部形成有沿鉛直 軸線0延伸的內(nèi)螺紋42。如圖4所示，軸20的進(jìn)給螺紋25與該固定 螺母40的內(nèi)螺紋42螺紋接合，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)30的作用下沿T方向旋轉(zhuǎn)
移動(dòng)。另一方面，軸20朝向與T方向相反一側(cè)旋轉(zhuǎn)時(shí)，向下方移動(dòng)。 在固定螺母40的外周設(shè)有縐紋管64，所述縐紋管64包圍該固定螺母 40和軸20，將貫通孔ll密封而沿鉛直方向延伸，隨著軸20的上下移 動(dòng)，該縐紋管64也進(jìn)行伸縮以始終包圍軸20。
噴嘴裝置50設(shè)于軸20的上端，從軸20的清洗水供給通路21接受 清洗水的供給， 一邊向三維方向旋轉(zhuǎn)一邊以高壓噴射清洗水。具體而 言，如圖5所示，使從噴嘴裝置主體51向水平方向突出地設(shè)置的旋轉(zhuǎn) 殼體52繞水平軸線P向U方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)該噴嘴裝置主體51繞鉛直 軸線O旋轉(zhuǎn)。由此，能夠從噴射口 53三維地向各方向噴射清洗水，所 述噴射口 53自旋轉(zhuǎn)殼體52朝向與水平軸線P垂直的方向且以180°間 隔配設(shè)有2個(gè)。
對噴嘴裝置主體51的驅(qū)動(dòng)可以考慮各種方法。從清洗液供給通路 21供給的清洗液使例如設(shè)于噴嘴裝置主體51內(nèi)的未圖示的葉輪旋轉(zhuǎn)， 借助其旋轉(zhuǎn)力，使旋轉(zhuǎn)殼體52繞水平軸線P向U方向旋轉(zhuǎn)。也可以經(jīng) 由未圖示的齒輪使噴嘴裝置主體51繞垂直軸線O向T方向旋轉(zhuǎn)。
利用以上這樣構(gòu)成的反應(yīng)爐清洗裝置1來清洗反應(yīng)爐70的內(nèi)壁面72時(shí)，設(shè)于呈吊鐘狀的反應(yīng)爐70下側(cè)的開口緣部的橡膠密封墊71從 上方與設(shè)于承接盤IO外周部的凸緣部13抵接，從而將反應(yīng)爐70設(shè)置 于承接盤10上。排液管65與排液口 12連接。借助驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)30而繞鉛 直軸線O向T方向旋轉(zhuǎn)的軸20被固定螺母40引導(dǎo)而向上方移動(dòng)。由 此，安裝于軸20上的噴嘴裝置50，也以面對設(shè)于承接盤IO上方的反 應(yīng)爐70的內(nèi)壁面72的狀態(tài)，繞鉛直軸線O向T方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)向上 方移動(dòng)。
進(jìn)而，噴出清洗水時(shí)，除了旋轉(zhuǎn)殼體52繞水平軸線P向U方向旋 轉(zhuǎn)外，噴嘴裝置50還繞鉛直軸線O向T方向旋轉(zhuǎn)。從設(shè)于該旋轉(zhuǎn)殼體 52上的噴射口 53向與水平軸線P垂直的方向高壓噴射清洗水。另一方 面，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)30使軸20繞鉛直軸線O向與T方向相反一側(cè)旋轉(zhuǎn)時(shí)， 隨著軸20向下方移動(dòng)，噴嘴裝置50 —邊如上述那樣噴射清洗水，一 邊向下方移動(dòng)。由此，能夠從反應(yīng)爐的爐壁70的內(nèi)壁面72的上部到 下部三維地向各方向高壓噴射清洗液，因此，可無遺漏地將清洗液直 接噴到反應(yīng)爐的爐壁70的內(nèi)壁面72的整個(gè)區(qū)域。此時(shí)的清洗水噴射 壓力為10MPa以上25MPa以下，利用該范圍的噴射壓力，能夠高效 率且可靠地除去附著于爐壁70內(nèi)壁面的附著物。
此時(shí)，通過向反應(yīng)爐的爐壁70的爐壁雙層構(gòu)造內(nèi)供給蒸汽，能夠 可靠且高效率地蒸發(fā)除去噴射后殘留于反應(yīng)爐的爐壁70內(nèi)部的清洗液 成分，能夠使反應(yīng)爐的爐壁70內(nèi)部保持可制造高品質(zhì)多晶硅的清潔度。
軸20的外周部以局部留有進(jìn)給螺紋25的方式沿其鉛直軸線O切 口而形成截面十字狀，該軸20與帶輪32的十字孔32A嵌合，因此如 果動(dòng)力源31的旋轉(zhuǎn)通過傳動(dòng)帶33傳遞到帶輪32，則與帶輪32嵌合的 軸20也旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，軸20相對于帶輪32可沿上下方向滑動(dòng)地嵌合， 因此即使軸20的進(jìn)給螺紋25被固定螺母40引導(dǎo)而使該軸20上下移 動(dòng)，也不會(huì)妨礙從帶輪32向軸20傳遞動(dòng)力，軸20能可靠地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。 因此，可以一邊可靠地對軸20傳遞旋轉(zhuǎn)力， 一邊進(jìn)行上下移動(dòng)，從而 設(shè)于該軸20上端的噴嘴裝置50可在反應(yīng)爐的爐壁70的內(nèi)壁面72的上 下范圍內(nèi)有效地噴射清洗水。
承接盤10的上表面10A以朝向排液口 12具有向下斜坡的方式傾 斜，因此，向反應(yīng)爐的爐壁70的內(nèi)壁面72噴射而收容于承接盤10的 清洗液容易引導(dǎo)到排液口 12，從而可容易地處理清洗后的清洗液。通過使用清洗水，可促進(jìn)附著物的水解形成在化學(xué)上穩(wěn)定的硅來
進(jìn)行除去。即使清洗后在爐壁70內(nèi)表面等處殘留一些殘留物，由于是無害的硅，因此也是安全的。
另外，在清洗中會(huì)產(chǎn)生鹽酸氣體等腐蝕性氣體，但反應(yīng)爐的爐壁70的內(nèi)部空間除了排液口 12之外基本上是密閉狀態(tài)，該腐蝕性氣體全部從該排液口 12經(jīng)排液管65排出到系統(tǒng)外。因此，不會(huì)有鹽酸氣體腐蝕外部氣氛的問題，能夠維持可制造高品質(zhì)多晶硅的作業(yè)環(huán)境。
以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式的反應(yīng)爐清洗裝置1，但本發(fā)明不限于此，在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行適當(dāng)變更。
例如，在本實(shí)施方式中，作為軸20的外周部的花鍵條，是沿鉛直軸線O將外周側(cè)面四方切成L字狀而形成水平截面為十字狀，但只要是沿軸20的長度方向形成的花鍵條即可，不限于十字狀。
例如也可以做成圖6所示的構(gòu)造，在該圖6中，將軸80形成為圓柱狀，在其外周面的一部分沿軸80的長度方向形成1條花鍵槽81，在帶輪82的、插入整個(gè)軸80的圓形孔83的內(nèi)周部上，形成有與花鍵槽81嵌合的花鍵條84。這些花鍵條和花鍵槽只要設(shè)置成在軸與帶輪之間為嵌合狀態(tài)即可。
該軸20的進(jìn)給螺紋25和花鍵條可以相互獨(dú)立地形成。即，在本實(shí)施方式中，作為花鍵條，軸20形成為截面十字狀，在其十字的端部形成有進(jìn)給螺紋25，但也可以在軸20上將形成花鍵條的部位、和形成進(jìn)給螺紋25的部位分開。
權(quán)利要求
1. 一種反應(yīng)爐清洗裝置，對生成多晶硅的反應(yīng)爐的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗，其特征在于，上述反應(yīng)爐的爐壁為雙層構(gòu)造，該反應(yīng)爐清洗裝置包括大致圓盤形狀的承接盤，以水平狀態(tài)設(shè)置于上述反應(yīng)爐內(nèi)；貫通孔，沿鉛直方向形成于上述承接盤的中央部；排液口，形成于承接盤；凸緣部，形成在上述承接盤的外周部，在該凸緣部上設(shè)置生成多晶硅的反應(yīng)爐的開口緣部；軸，穿過上述承接盤的貫通孔，并以繞軸心旋轉(zhuǎn)自如且沿鉛直方向移動(dòng)自如的方式設(shè)置；噴嘴裝置，設(shè)于上述軸的上端部，且向三維方向高壓噴射清洗液；驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，設(shè)于上述軸的基端部，使該軸旋轉(zhuǎn)并使該軸沿鉛直方向移動(dòng)；蒸汽配管，設(shè)于上述爐壁的內(nèi)壁和外壁之間，能夠供給蒸汽。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在于，在上述 軸的外周部形成有進(jìn)給螺紋，在上述承接盤上設(shè)有固定螺母，所述固定螺母與上述進(jìn)給螺紋螺 紋接合，且隨著上述軸的旋轉(zhuǎn)而向上方或下方引導(dǎo)該軸，上述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)有借助驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)力源而旋轉(zhuǎn)的帶輪，上述軸 插入到該帶輪的中央部，在上述帶輪的內(nèi)周面與軸的外周面之間設(shè)置 有使上述帶輪和軸以能沿長度方向滑動(dòng)的方式嵌合的花鍵槽和花鍵 條。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在于，上 述承接盤的上表面以朝向上述排液口具有向下斜坡的方式傾斜。
4. 一種反應(yīng)爐清洗方法，對生成多晶硅的反應(yīng)爐的做成雙層構(gòu)造 的爐壁的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗，其特征在于，將上述反應(yīng)爐的爐壁的下端開口緣部設(shè)置于大致圓盤形狀的承接 盤上，一邊使配置于該承接盤的中央部的軸旋轉(zhuǎn)并沿鉛直方向移動(dòng)，一 邊從該軸的上端部的噴嘴向三維方向高壓噴射清洗水來對上述反應(yīng)爐的爐壁的內(nèi)周面進(jìn)行清洗，從承接盤的排液口排出了清洗廢液后，向上述反應(yīng)爐的爐壁的外 壁與內(nèi)壁之間供給蒸汽，對爐壁的內(nèi)周面進(jìn)行干燥。
全文摘要
本發(fā)明提供一種反應(yīng)爐清洗裝置，對生成多晶硅的反應(yīng)爐的內(nèi)壁面進(jìn)行清洗，其中，將反應(yīng)爐爐壁做成雙層構(gòu)造，在以水平狀態(tài)設(shè)置的大致圓盤形狀的承接盤的中央部沿鉛直方向形成貫通孔，并在承接盤的外周部形成設(shè)置反應(yīng)爐的開口緣部的凸緣部，在承接盤的貫通孔中以旋轉(zhuǎn)自如且沿鉛直方向移動(dòng)自如的方式設(shè)置軸，在軸的上端部設(shè)置向三維方向高壓噴射清洗液的噴嘴裝置，在軸的基端部設(shè)置使該軸旋轉(zhuǎn)并使該軸沿鉛直方向移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，并設(shè)置能向反應(yīng)爐的爐壁內(nèi)供給蒸汽的蒸汽配管。
文檔編號(hào)F27D25/00GK101497443SQ20091000279
公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者坂口昌晃, 手計(jì)昌之, 石井敏由記, 遠(yuǎn)藤俊秀 申請人:三菱麻鐵里亞爾株式會(huì)社