專利名稱:反應(yīng)爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
^^fflifM^^ — ft^ffl HDDR(Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination氫化分解、脫氫再復(fù)合)方法制造磁性材料用粉末時(shí)所使用的反應(yīng)爐。
背景技術(shù):
在氫吸儲(chǔ)用粉體、氮化粉體等處理中使用真空加熱爐。例如,在專利文獻(xiàn)1中公開了一種真空爐,它包括用來將旋轉(zhuǎn)軸為水平方向的被處理物投入該真空容器中的旋轉(zhuǎn)容器;使旋轉(zhuǎn)容器繞軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部件;置換真空容器內(nèi)的空氣和使被處理物反應(yīng)的反應(yīng)氣體的置換部件,旋轉(zhuǎn)容器采用不用軸部固定在真空容器中的構(gòu)造被設(shè)置在真空容器中,并且將向旋轉(zhuǎn)容器的圓筒形狀曲面部傳送旋轉(zhuǎn)力的驅(qū)動(dòng)部僅設(shè)置在旋轉(zhuǎn)容器的旋轉(zhuǎn)軸的更下方部。專利文獻(xiàn)1日本特開2001-255070號公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型所要解決的技術(shù)課題磁性材料用粉末的制造方法有HDDR法(氫化分解、脫氫再復(fù)合法)。HDDR 法是指通過在氫中加熱原料(原始合金),將原料氫化、分解(HD Hydrogenation Decomposition),然后使其脫氫、再復(fù)合(DR Resorption Recombination),從而使結(jié)晶微細(xì)化的工藝過程。HDDR反應(yīng)要求一邊將氫密封在反應(yīng)爐內(nèi)一邊保持高溫。HDDR反應(yīng)在氫化、分解中原料吸儲(chǔ)氫,另外在脫氫、再復(fù)合中,從原料中釋放氫,但是,HDDR反應(yīng)中的氫的吸儲(chǔ)、脫離速度快,而且量也很大。在HDDR反應(yīng)中,熱量的吸入排出也大,在制造大量的磁性材料用粉末的情況下,難以控制溫度。專利文獻(xiàn)1中所公開的真空加熱爐,在真空容器中配置的旋轉(zhuǎn)容器被密閉。因此, 如HDDR法那樣,如果用在密閉爐內(nèi)的氣體濃度、溫度、壓力突然變化的反應(yīng)中,那么,旋轉(zhuǎn)容器就有可能因膨脹或者收縮而發(fā)生變形。專利文獻(xiàn)1中所公開的真空加熱爐沒有真空容器的冷卻機(jī)構(gòu),因此,由于高溫,氫也有可能向爐外泄漏,這樣就難以一邊將氫密封在爐內(nèi)
一邊保持高溫。對于專利文獻(xiàn)1中的圖2(b)和圖3所公開的真空加熱爐,氫很可能從以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承真空旋轉(zhuǎn)容器的軸承泄漏,難以一邊將氫密封在爐內(nèi)一邊保持高溫。因此,專利文獻(xiàn)1中所公開的真空爐難以應(yīng)用在通過HDDR法制造磁性材料用粉末的工藝中。本實(shí)用新型就是鑒于上述情況而產(chǎn)生的,其目的在于,提供一種適合通過HDDR法制造磁性材料用粉末的反應(yīng)爐。解決課題的技術(shù)手段為了解決上述課題,第1技術(shù)手段是一種反應(yīng)爐,其特征在于,它包括外容器; 冷卻該外容器的外容器冷卻機(jī)構(gòu);內(nèi)容器,其是設(shè)在所述外容器內(nèi)部的用來保持原料的筒狀容器,按照能夠以與該容器的兩個(gè)端面交叉的軸為中心旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的方式被支承在所述外容器的內(nèi)部,并且在所述兩個(gè)端面分別具有開口 ;使該內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu);在所述內(nèi)容器的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)所配置的加熱器;向所述外容器的內(nèi)部導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口,以及將所述外容器內(nèi)部的氣體向所述外容器外部排出的氣體排出口 ;和將從所述氣體導(dǎo)入口供給的氣體導(dǎo)向所述內(nèi)容器的內(nèi)部的氣流控制機(jī)構(gòu)。由于該反應(yīng)爐在保持原料的內(nèi)容器的兩個(gè)端面設(shè)置開口,因此,在HDDR反應(yīng)中, 在原料突然吸入大量的氫,或者從原料突然排出大量的氫的情況下,氫也從所述開口進(jìn)入和排出。這樣就能避免內(nèi)容器發(fā)生變形。此外,在HDDR反應(yīng)結(jié)束后對原料進(jìn)行冷卻的情況下,使冷卻用的惰性氣體從一個(gè)開口流向另一個(gè)開口,這樣就能有效地冷卻原料。HDDR反應(yīng)伴隨釋放熱量和吸熱,但是,為了使整個(gè)原料均勻地反應(yīng),必須避免因釋放熱量和吸熱,原料塊的內(nèi)部溫度和原料塊體的外側(cè)溫度產(chǎn)生溫差。因此,必須在HDDR反應(yīng)中的釋放熱量時(shí)和吸熱時(shí),均勻地控制整個(gè)原料的溫度。整個(gè)原料的溫度不均勻這種情況在利用大量的原料制造磁性材料用粉末時(shí)尤為顯著。本實(shí)用新型的反應(yīng)爐通過在HDDR 反應(yīng)中使內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)來攪拌原料,這樣就能使整個(gè)原料的溫度分布變得均勻,并且能夠均勻地吸儲(chǔ)或排出氫。這樣,就能使整個(gè)原料均勻地反應(yīng),提高所制造的磁性材料用粉末的質(zhì)量。于是,本實(shí)用新型的反應(yīng)爐在利用大量的原料制造磁性材料用粉末的情況下, 通過攪拌原料,也能比較容易地將整個(gè)原料控制在均勻的溫度。這樣,如果使用本實(shí)用新型的反應(yīng)爐,那么就能穩(wěn)定地制造大量的高質(zhì)量的磁性材料用粉末。在使粉末原料進(jìn)行HDDR反應(yīng)的情況下,有時(shí)僅原料塊體的表面進(jìn)行反應(yīng),塊體的內(nèi)部并不進(jìn)行反應(yīng)。這種情況在利用大量的原料制造磁性材料用粉末時(shí)尤為顯著。本實(shí)用新型的反應(yīng)爐通過內(nèi)容器的旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)來攪拌原料,這樣就能使整個(gè)原料均勻地進(jìn)行反應(yīng),避免僅原料塊體的表面進(jìn)行反應(yīng)。通過冷卻外容器,這樣就能降低氫從金屬外容器泄漏,因此,能夠一邊將氫封閉在反應(yīng)爐內(nèi),一邊將反應(yīng)爐內(nèi)保持在高溫而進(jìn)行HDDR反應(yīng)。于是,本實(shí)用新型的反應(yīng)爐適用使用HDDR法制造磁性材料用粉末,以及穩(wěn)定地制造大量的高質(zhì)量的磁性材料用粉末。第2技術(shù)手段在于,在所述第1技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,最好在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置溫度傳感器。原料被保持在內(nèi)容器的內(nèi)部,將溫度傳感器配置在內(nèi)容器的內(nèi)部,這樣就能在原料的附近配置溫度傳感器。這樣就能更加準(zhǔn)確地測量反應(yīng)氛圍氣溫度,因此,利用該溫度傳感器測量的溫度,能夠高精確地控制HDDR反應(yīng)。第3技術(shù)手段在于,在所述第1技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,最好在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置攪拌所述內(nèi)容器內(nèi)的所述原料的攪拌機(jī)構(gòu)。通過使內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),原料也被攪拌,但是,通過在內(nèi)容器的內(nèi)部配置攪拌機(jī)構(gòu),原料被進(jìn)一步攪拌。這樣就能使整個(gè)原料更加均勻地反應(yīng)。第4技術(shù)手段在于,在所述第3技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,所述攪拌機(jī)構(gòu)最好是從所述內(nèi)容器的內(nèi)壁突出的部件。這樣,通過使部件從內(nèi)容器的內(nèi)壁突出,并且使內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),根據(jù)這兩個(gè)雙重效果,能夠獲得高的攪拌效果。此外,通過使部件從內(nèi)容器的內(nèi)部突出,這樣也能增加原料和內(nèi)容器的傳熱面積。第5技術(shù)手段在于,在所述第1技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,它最好具有至少從一個(gè)所述開口插入所述內(nèi)容器內(nèi)部的部件。將在這種部件中具有各種功能的儀器和裝置從開口插入內(nèi)容器的內(nèi)部,這樣就能在HDDR反應(yīng)中進(jìn)行更高的控制。[0018]第6技術(shù)手段在于,在所述第5技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,所述部件最好在所述內(nèi)容器的內(nèi)部支承溫度傳感器。這樣就能很容易地在內(nèi)容器的內(nèi)部配置溫度傳感器。此外, 通過使被部件所支承的溫度傳感器接觸內(nèi)容器內(nèi)的原料,這樣就能更加準(zhǔn)確地測量原料的溫度。第7技術(shù)手段在于,在所述第5技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,所述部件最好是攪拌所述內(nèi)容器內(nèi)的所述原料的攪拌機(jī)構(gòu)。這樣,由于從開口插入部件然后攪拌原料,因此,也能移動(dòng)部件。這樣就能在內(nèi)容器內(nèi)的任意位置攪拌原料,因此,能夠?qū)⒉考苿?dòng)至攪拌不充分的部分,然后均勻地?cái)嚢枵麄€(gè)原料。第8技術(shù)手段在于,在所述第5技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,部件最好具有通過移動(dòng)來接觸所述原料的可動(dòng)部。例如,在使用部件作為攪拌機(jī)構(gòu)的情況下,在部件不接觸原料的狀態(tài)下,從開口插入內(nèi)容器的內(nèi)部,然后,移動(dòng)部件的可動(dòng)部,使其接觸原料然后攪拌原料。 使可動(dòng)部處于不接觸原料的狀態(tài),這樣也能適用于不需要部件攪拌的情況。此外,在部件上安裝溫度傳感器,使溫度傳感器接觸原料,這樣就能更加準(zhǔn)確地測量原料的溫度。第9技術(shù)手段在于,在所述第1技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,最好在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置向所述原料供給添加物的添加物供給機(jī)構(gòu)。于是,通過配備添加物供給機(jī)構(gòu),這樣, 在HDDR反應(yīng)中也不中斷反應(yīng),能夠向原料供給添加物,因此,操作效率提高。第10技術(shù)手段在于,在所述第1至第9個(gè)技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,所述內(nèi)容器最好在所述開口部之間具有兩端開口的筒狀的軸部件,且該軸部件在側(cè)面具有孔。利用該軸部件就能抑制原料的飛散(特別是冷卻原料時(shí))。第11技術(shù)手段在于,在所述第1至第10技術(shù)手段涉及的反應(yīng)爐中,所述內(nèi)容器的旋轉(zhuǎn)軸最好貫通至少一個(gè)所述開口。這樣,從內(nèi)容器的旋轉(zhuǎn)軸所貫通的開口插入溫度傳感器和攪拌機(jī)構(gòu)等,這樣就能避免內(nèi)容器和溫度傳感器和攪拌機(jī)構(gòu)等相互干擾。于是,本實(shí)用新型的反應(yīng)爐適合使用HDDR法制造磁性材料用粉末,以及穩(wěn)定地制造大量的高質(zhì)量的磁性材料用粉末。實(shí)用新型效果本實(shí)用新型能夠提供一種適合利用HDDR法制造磁性材料用粉末的反應(yīng)爐。
圖1是表示本實(shí)施方式的反應(yīng)爐的構(gòu)造的說明圖。 圖2是圖1的A-A的向視圖。 圖3是表示內(nèi)容器的軸部件的立體圖。 圖4是表示內(nèi)容器的其它例子的立體圖。 圖5-1是表示導(dǎo)風(fēng)體的變形例的示意圖。 圖5-2是表示導(dǎo)風(fēng)體的變形例的示意圖。 圖6是表示配備攪拌機(jī)構(gòu)內(nèi)容器的一例的圖。 圖7-1是表示配備攪拌機(jī)構(gòu)的內(nèi)容器一例的圖。 圖7-2是表示配備攪拌機(jī)構(gòu)的內(nèi)容器一例的圖。 圖8是表示攪拌機(jī)構(gòu)的其它例子的示意圖。 圖9是表示攪拌棒的變形例的說明圖。[0038]圖10是表示在關(guān)閉反應(yīng)爐的蓋子的狀態(tài)下,向內(nèi)容器的內(nèi)部供給添加物的供給機(jī)構(gòu)的構(gòu)造的說明圖。圖11是表示內(nèi)容器的軸部件的其它構(gòu)造例子的圖。圖12是表示內(nèi)容器的軸部件的其它構(gòu)造例子的立體圖。圖13是圖12所示的軸部件的支承構(gòu)造的示意圖。圖14是表示在內(nèi)容器的內(nèi)側(cè)配置加熱器的例子的說明圖。圖15是表示本實(shí)施方式的磁性材料用粉末的制造方法的流程圖。符號說明1 反應(yīng)爐2加熱器3溫度傳感器支承體4冷卻介質(zhì)冷卻器5 冷卻泵6氣體供給泵7排氣泵8溫度傳感器9壓力傳感器10外容器IOB外容器主體IOBc 主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOC 蓋子IOCc蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道101 內(nèi)部空間IOi 內(nèi)殼IOo 夕卜殼121 氣體導(dǎo)入口12E 氣體排出口13IB主體一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口13IC蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口13EB 主體一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口13EC蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口15、15a、15b 導(dǎo)風(fēng)體16 內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)17 支承輥18內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)裝置20、20a、20b、20c、20d、20e 內(nèi)容器22T、22Ta、22Te 內(nèi)容器蓋部件22B、22Ba、22Be 內(nèi)容器底部件23T、23Te 第 1 開口[0076]23B、23Be 第 2 開口24,24a,24b 軸部件25 孔26內(nèi)容器突起部40、40a 攪拌棒47攪拌用具50控制裝置60添加物供給機(jī)構(gòu)
具體實(shí)施方式
下面,參照附圖,對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。本實(shí)用新型并非局限于下述用來實(shí)施實(shí)用新型的方式(以下稱作實(shí)施方式)。此外,在下述實(shí)施方式中公開的構(gòu)成要素中,包括本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到的部件、實(shí)際上相同的部件、所謂均等范圍的部件。本實(shí)用新型的反應(yīng)爐在通過HDDR反應(yīng)制造磁性材料用粉末(特別是磁鐵用合金粉末)時(shí)使用,它具有加熱所要制造的磁性材料用粉末的功能、向爐內(nèi)供給氣體的功能、以及對爐內(nèi)進(jìn)行抽真空的功能。本實(shí)用新型的磁性材料用粉末的制造方法適合根據(jù)使用本實(shí)用新型的反應(yīng)爐的HDDR反應(yīng)來制造磁性材料用粉末的工藝。此外,對于本實(shí)用新型的反應(yīng)爐以外的反應(yīng)爐,并不排除應(yīng)用本實(shí)用新型的磁性材料用粉末的制造方法。圖1是表示本實(shí)施方式中的反應(yīng)爐的構(gòu)造的說明圖。圖2是圖1的A-A向視圖。 反應(yīng)爐1通過HDDR反應(yīng)制造磁性材料用粉末,并且能夠?qū)t內(nèi)抽真空及加熱。反應(yīng)爐1包括外容器10 ;作為外容器冷卻機(jī)構(gòu)的主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc以及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc ;內(nèi)容器20 ;作為內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)裝置18 ;加熱器2 ;氣體導(dǎo)入口 121及氣體排出口 12E ;以及作為氣流控制機(jī)構(gòu)的導(dǎo)風(fēng)體15。外容器10由外殼10ο、在外殼IOo的內(nèi)部配置的與外殼IOo形狀相同且比外殼IOo 小的內(nèi)殼IOi構(gòu)成的雙重構(gòu)造的外容器主體IOB ;以及蓋子IOC構(gòu)成。在外容器主體IOB上安裝多個(gè)支腳19,反應(yīng)爐1被這些支腳19支承。構(gòu)成外容器主體IOB的外殼IOo是有底的容器,它由筒狀(在本實(shí)施方式中是圓筒形狀)的外殼側(cè)部IOos和在其一端設(shè)置的外殼底部IOob構(gòu)成。此外,內(nèi)殼IOi是有底的容器,它由筒狀(在本實(shí)施方式中是圓筒形狀)的內(nèi)殼側(cè)部IOis和在其一端設(shè)置的內(nèi)殼底部IOib構(gòu)成。在本實(shí)施方式中,外殼底部IOob 及內(nèi)殼底部IOib的外殼側(cè)部IOos和內(nèi)殼側(cè)部IOis是圓筒形狀,因此,它們均是平視呈圓形的板材,根據(jù)外殼側(cè)部IOos及內(nèi)殼側(cè)部IOis的形狀,形成不同的形狀。外容器主體IOB在外殼IOo的內(nèi)側(cè)配置內(nèi)殼10i,并且用環(huán)狀且板狀的端部密封部件IOt連結(jié)外殼IOo的另一個(gè)端部(開口部一側(cè))和內(nèi)殼IOi的另一個(gè)端部(開口部一側(cè))。根據(jù)這種構(gòu)造,外容器主體IOB是具有被外殼側(cè)部10os、外殼底部10ob、內(nèi)殼側(cè)部 IOis和內(nèi)殼底部IOib以及端部密封部件IOt圍成的空間的雙重構(gòu)造的容器。外容器主體 10B具有的所述空間是主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Bc。此外,外容器主體10B是其一個(gè)端部被底部10 封閉,另一個(gè)端部形成開口的杯形容器。蓋子10C由筒狀(在本實(shí)施方式中是圓筒形狀)的蓋子側(cè)部IOCs和分別在蓋子側(cè)部IOCs的兩個(gè)端部安裝的端板IOCt構(gòu)成。這樣,蓋子10C是具有被蓋子側(cè)部IOCs和各個(gè)端板IOCt圍成的空間的中空構(gòu)造的構(gòu)件。所述空間是蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc。蓋子 IOC例如使用合葉以自由開關(guān)的方式被安裝在外容器主體IOB的開口部上。在蓋子IOC和外容器主體IOB的端部密封部件IOt之間,例如配置耐熱性的密封部件,如果蓋上蓋子10C, 那么,外容器主體IOB和蓋子IOC圍成的空間就被密封。在構(gòu)成外容器主體IOB的外殼IOo上,設(shè)置連通外殼IOo的外側(cè)和主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc的主體一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口 13IB ;以及連通主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc和外殼IOo的外側(cè)的主體一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EB。主體一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口 13IB與作為冷卻介質(zhì)供給機(jī)構(gòu)的冷卻用泵5的排出口連接,用來供給從冷卻用泵5排出的冷卻介質(zhì)(在本實(shí)施方式中是水)W。被供給主體一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口 13IB的冷卻介質(zhì)W在流經(jīng)整個(gè)主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc的過程中,冷卻外容器主體10B,然后從主體一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EB排出。在蓋子IOC上設(shè)置連通蓋子IOC的外側(cè)和蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc的蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口 13IC ;以及連通蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc和蓋子IOC的外側(cè)的蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EC。蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)供給口 13IC與冷卻用泵5的排出口連接, 供給從冷卻用泵5排出的冷卻介質(zhì)W。該冷卻介質(zhì)W在流經(jīng)整個(gè)蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道 IOCc的過程中冷卻蓋子10C,然后從蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EC排出。從主體一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EB以及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)排出口 13EC排出的冷卻介質(zhì)W被冷卻介質(zhì)冷卻器4冷卻后,從冷卻用泵5的吸入口被吸入。接著,通過冷卻用泵5 再次被供給主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc。于是,在本實(shí)施方式中,冷卻介質(zhì)W通過冷卻用泵5,在主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc以及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc和冷卻介質(zhì)冷卻器4之間循環(huán)。在本實(shí)施方式中,外容器主體IOB及蓋子IOC采用金屬,例如不銹鋼構(gòu)成。在HDDR 反應(yīng)中,向反應(yīng)爐1的外容器10的內(nèi)部空間101,即外容器主體IOB和蓋子IOC圍成的空間供給氫,并且,利用在外容器主體IOB的內(nèi)部配置的加熱器2,內(nèi)部空間101的氣體溫度上升至600°C 1000°C左右。因此,在HDDR反應(yīng)中,外容器10變成高溫。如上所述,外容器10 采用不銹鋼等金屬構(gòu)成,因此,如果外容器10升溫,那么,內(nèi)部空間101的氫就會(huì)透過外容器10向外部泄漏。因此,在本實(shí)施方式中,在外容器10的外容器主體IOB及蓋子IOC上分別設(shè)置主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc和蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc,在HDDR反應(yīng)中,使冷卻介質(zhì)W 流經(jīng)主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc和蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc,從而冷卻外容器主體IOB 和蓋子10C。這樣,抑制HDDR反應(yīng)中外容器10的升溫,減少從內(nèi)部空間101透過外容器10 然后向外部泄漏的氫量。通過設(shè)置主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc和蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道 10Cc,這樣,與直接向外容器主體IOB等噴射冷卻介質(zhì)W的方式相比,能夠減少不用于冷卻的冷卻介質(zhì)W的量,因此,能夠有效地利用冷卻介質(zhì)W。此外,也可以采用氫透過率低的材料(例如玻璃)覆蓋主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道 IOBc及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc—側(cè)的外容器主體10B和蓋子10C的表面。這樣,氫透過率低的材料抑制氫的透過,因此,能夠進(jìn)一步減少從內(nèi)部空間101透過外容器10然后向外部泄漏的氫量。在氫透過率低的材料和不銹鋼中線膨脹系數(shù)各異的情況下,如果在HDDR 反應(yīng)中外容器10升溫,那么,因線膨脹系數(shù)的不同,導(dǎo)致氫透過率低的材料有可能破裂,或者從外容器10上剝離。但是,在本實(shí)施方式中,由于通過冷卻介質(zhì)W冷卻外容器10,因此, 能夠抑制由不銹鋼構(gòu)成的外容器10的升溫。結(jié)果,在氫透過率低的材料和不銹鋼中線膨脹系數(shù)各異的情況下,也能抑制外容器10的膨脹,因此,能夠抑制氫透過率低的材料的破裂和剝離。在主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc —側(cè)的外容器主體 IOB和蓋子IOC的表面設(shè)置用來提高傳熱性能的部件,例如翅片。這樣就能增加主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOCc內(nèi)的傳熱面積,因此,能夠更加有效地冷卻外容器主體IOB和蓋子10C。此外,外容器冷卻機(jī)構(gòu)并非局限于主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道 IOBc和蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc。例如,也可以不設(shè)置主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道IOBc主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道10Cc,直接向外容器噴射冷卻介質(zhì)。這樣就能簡化外容器的構(gòu)造。此外,冷卻介質(zhì)W也可以是水以外的物質(zhì)。內(nèi)容器20被配置在外容器10的內(nèi)部,即內(nèi)部空間101中。內(nèi)容器20由筒狀(在本實(shí)施方式中是圓筒形狀)的內(nèi)容器側(cè)部21 ;在其一個(gè)端部設(shè)置的內(nèi)容器蓋部件22T;以及在另一個(gè)端部設(shè)置的內(nèi)容器底部件22B構(gòu)成,在HDDR反應(yīng)中,它是在內(nèi)部保持磁性材料粉末的原料(磁粉原料)S的筒狀容器。內(nèi)容器側(cè)部21、內(nèi)容器底部件22B以及內(nèi)容器蓋部件22T由金屬材料(在本實(shí)施方式中是不銹鋼)構(gòu)成。內(nèi)容器蓋部件22T及內(nèi)容器底部件22B分別具有第1開口 23T及第2開口 23B。 通過設(shè)置第1開口 23T及第2開口 23B,這樣,在HDDR反應(yīng)中,在HD(氫化、分解)反應(yīng)中, 氫通過第1開口 23T或者第2開口 23B,然后被切實(shí)供給到被保持在內(nèi)容器20內(nèi)的原料S。 此外,在DR(脫氫、再復(fù)合)反應(yīng)中,從原料S排出的氫從第1開口 23T或者第2開口 2 切實(shí)向內(nèi)容器20的外部排出。這樣,能夠?qū)崿F(xiàn)HDDR反應(yīng),內(nèi)容器20不會(huì)膨脹變形。通過設(shè)置第1開口 23T及第2開口 23B,這樣就能在內(nèi)容器20的內(nèi)部插入和配置測量儀器及具有各種功能的儀器,也能夠在內(nèi)容器20的內(nèi)部配置加熱器2。在本實(shí)施方式中,第1開口 23T及第2開口 2 的形狀平視為圓形,但是,第1開口 23T及第2開口 2 的形狀并非局限于此。此外,第1開口 23T及第2開口 2 也可以分別設(shè)置多個(gè)。在本實(shí)施方式中,第1開口 23T及第2開口 2 為圓形,內(nèi)容器側(cè)部21為圓筒形狀,因此,內(nèi)容器底部件22B及內(nèi)容器蓋部件22T的形狀分別為環(huán)狀。此外,內(nèi)容器底部件 22B及內(nèi)容器蓋部件22T是板狀部件。內(nèi)容器底部件22B及內(nèi)容器蓋部件22T分別是內(nèi)容器20的兩個(gè)端面。內(nèi)容器底部件22B和內(nèi)容器蓋部件22T相對配置,且兩者的板面平行。 內(nèi)容器底部件22B及內(nèi)容器蓋部件22T根據(jù)內(nèi)容器側(cè)部21的形狀,形成不同的形狀。在本實(shí)施方式中,內(nèi)容器蓋部件22T最好能夠在內(nèi)容器側(cè)部21上拆卸。這樣,就很容易將原料S投入內(nèi)容器20的內(nèi)部,因此,操作性提高。此外,在將內(nèi)容器蓋部件22T固定在內(nèi)容器側(cè)部21上的情況下,也能從第1開口 23T或者第2開口 2 投入原料S。溫度傳感器支承體3從內(nèi)容器20的第2開口 2 插入內(nèi)容器20的內(nèi)部。在溫度傳感器支承體 3被插入內(nèi)容器20內(nèi)部的前端部安裝作為溫度檢測機(jī)構(gòu)的溫度傳感器8。溫度傳感器8例如使用熱電偶等。被保持在內(nèi)容器20內(nèi)部的原料S的反應(yīng)氛圍氣溫度由溫度傳感器8測量。于是,溫度傳感器8被插入內(nèi)容器20的內(nèi)部,被配置在原料S的附近,因此,能夠更加準(zhǔn)確地測量反應(yīng)氛圍氣溫度。這樣就能高精確地控制HDDR反應(yīng)。圖3是表示內(nèi)容器所具有的軸部件的立體圖。在本實(shí)施方式中,內(nèi)容器20具有兩端開口的筒狀(在本實(shí)施方式中是圓筒形狀)軸部件對。軸部件M采用金屬材料(在本實(shí)施方式中是不銹鋼)構(gòu)成,如圖1所示,分別在第1開口 23T的部分和第2開口 2 的部分連接內(nèi)容器蓋部件22T和內(nèi)容器底部件22B。這樣,軸部件M就與內(nèi)容器2 —同旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。此外,軸部件M在側(cè)面具有多個(gè)孔25。氫和氬從該孔25流入內(nèi)容器20的內(nèi)部, 供給到被保持在內(nèi)容器20內(nèi)部的原料S。通過設(shè)置軸部件M,這樣就能抑制原料S的飛散 (特別是在HDDR反應(yīng)結(jié)束后冷卻原料S時(shí))。此外,被供給內(nèi)容器20內(nèi)部的氫和氬在通過軸部件M的多個(gè)孔25時(shí)被整流,因此,與紊亂的氣流流經(jīng)原料的情況相比,能夠抑制原料的飛散。在本實(shí)施方式中,內(nèi)容器20也可以配備第1開口 23T及第2開口 23B,不必設(shè)置軸部件對。內(nèi)容器20按照以與內(nèi)容器20的兩個(gè)端面,即內(nèi)容器底部件22B和內(nèi)容器蓋部件 22T交叉(在本實(shí)施方式中是正交)的軸(內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸) 為中心能夠旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的方式,被配置在外容器主體IOB的內(nèi)部。下面,說明其構(gòu)造。在構(gòu)成外容器10的外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi上設(shè)置多個(gè)(在本實(shí)施方式中是4個(gè))內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16。內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16是柱狀的部件,其一個(gè)端部被安裝在內(nèi)殼IOi上。內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 平行的方向上,與內(nèi)容器20的各個(gè)端面相比在更靠近外側(cè)的位置各配置兩根。 即,在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的方向上,內(nèi)容器20分別被兩根內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16夾著。在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的方向上,被配置在內(nèi)容器蓋部件22Τ的外側(cè)的2根內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16、以及被配置在內(nèi)容器底部件22Β的外側(cè)的2根的內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16分別相對地配置。在與內(nèi)容器20的各個(gè)端面相比的更外側(cè)相對配置的內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16彼此之間的間隔比內(nèi)容器20的外徑小。此外,在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的方向上,夾著內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ ,2根內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16被分別配置在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的直線上。在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的直線上所配置的2根內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16,在各自的其它端部,即,在內(nèi)殼IOi上的安裝側(cè)端部相反一側(cè)的端部,以與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 平行的軸為中心,支承輥17按照能夠旋轉(zhuǎn)的方式被雙支點(diǎn)支承。支承輥17的側(cè)部17S與內(nèi)容器側(cè)部 21接觸。這樣,內(nèi)容器20隔著兩根支承輥17及內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16被外容器10的外容器主體IOB支承,內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16及支承輥17具有用作內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)的功能。利用作為內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)裝置18,內(nèi)容器20以內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ為中心被旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)裝置18由支承體18S ;作為動(dòng)力傳送部件的旋轉(zhuǎn)體18R ; 作為動(dòng)力發(fā)生機(jī)構(gòu)的電動(dòng)機(jī)18Μ構(gòu)成。電動(dòng)機(jī)18被控制裝置50所控制。旋轉(zhuǎn)體18R通過齒輪和鏈條等動(dòng)力傳送機(jī)構(gòu)傳送來自電動(dòng)機(jī)18Μ的動(dòng)力,以與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 平行的軸為中心旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)體18R的外周部與內(nèi)容器20的內(nèi)容器側(cè)部21的外周部接觸,因此,如果旋轉(zhuǎn)體18R旋轉(zhuǎn),那么,內(nèi)容器20朝著與旋轉(zhuǎn)體18R旋轉(zhuǎn)的方向的相反方向旋轉(zhuǎn)。內(nèi)容器20 不僅可以旋轉(zhuǎn),也可以通過控制裝置50控制電動(dòng)機(jī)18M,使內(nèi)容器20擺動(dòng),從而在內(nèi)容器 20的旋轉(zhuǎn)角為360度以內(nèi)切換方向。圖4是表示內(nèi)容器的其它例子的立體圖。圖4所示的內(nèi)容器20a與上述內(nèi)容器20 同樣,它由內(nèi)容器側(cè)部21a ;在內(nèi)容器側(cè)部21a的一個(gè)端部所設(shè)置的內(nèi)容器蓋部件22Ta ;在內(nèi)容器側(cè)部21a的另一個(gè)端部所設(shè)置的內(nèi)容器底部件22Ba構(gòu)成。內(nèi)容器側(cè)部21a是切除筒狀部件的一部分的形狀,具有側(cè)部開口 21Ha。內(nèi)容器20a能夠從該側(cè)部開口 21Ha向內(nèi)容器20a供給和取出原料。此外,氫和氬從側(cè)部開口 21Ha流入內(nèi)容器20a的內(nèi)部,從原料排出的氫從側(cè)部開口 21Ha流出。此外,為了抑制原料的飛散,也可以按照能夠安裝和拆卸的方式設(shè)置在側(cè)部開口 21Ha具有多個(gè)孔的蓋。由于內(nèi)容器20a具有側(cè)部開口 2lHa,因此,無法使其旋轉(zhuǎn)。因此,內(nèi)容器20a只能擺動(dòng)。由于內(nèi)容器20a具有側(cè)部開口 2lHa,因此,也可以在內(nèi)容器蓋部件22Ta及內(nèi)容器底部件22Ba上不設(shè)置(也可以設(shè)置)上述第1開口 23T及第2開口 23B。因此,內(nèi)容器蓋部件 22Ta及內(nèi)容器底部件22Ba的加工變得容易,并且,因未設(shè)置第1開口 23T及第2開口 23B, 在內(nèi)容器20a內(nèi)能夠相應(yīng)地增大保持原料S的容積。這樣就很容易制造大量的磁性材料用粉末。而且,可以將在前端部具有溫度傳感器8的溫度傳感器支承體3從側(cè)部開口 21Ha插入內(nèi)容器20a內(nèi),因此,不必在內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 上設(shè)置溫度傳感器支承體3。這樣,反應(yīng)爐 1的設(shè)計(jì)自由度提高。反應(yīng)爐1在HDDR反應(yīng)中,利用內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使原料S被保持在內(nèi)部的內(nèi)容器20 旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),這樣就能攪拌或者粉碎原料S。內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)并非局限于這種構(gòu)造,例如, 也可以在旋轉(zhuǎn)體18R的外周部設(shè)置齒輪,在內(nèi)容器側(cè)部21的外周部設(shè)置和所述齒輪嚙合的齒輪,使兩個(gè)齒輪嚙合,從而將旋轉(zhuǎn)體18R的旋轉(zhuǎn)力向內(nèi)容器側(cè)部21傳達(dá)。此外,內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)也可以利用動(dòng)力發(fā)生機(jī)構(gòu)使支承輥17旋轉(zhuǎn),從而使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)。于是,內(nèi)容器20在外容器10的內(nèi)部旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。因此,從第2開口 2 被插入內(nèi)容器20內(nèi)部的溫度傳感器支承體3必須采用一種不會(huì)因所述旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)與內(nèi)容器底部件22B相互干擾的構(gòu)造。因此,溫度傳感器支承體3被插入其中的第2開口 2 最好至少包括內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸&。這樣,在內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)一圈的情況下,能夠形成第2開口 2 和內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 不接觸的部分。因此,如果在與第2開口 2 和內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 最接近的部分相比,更靠內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 的區(qū)域(例如,所述旋轉(zhuǎn)軸上)配置溫度傳感器支承體3, 那么,即使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),也能使溫度傳感器支承體3和內(nèi)容器底部件22B不相互干擾。在本實(shí)施方式中,在內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 上配置第2開口 2 的中心,在內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ上配置溫度傳感器支承體3。這樣,在內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的情況下,溫度傳感器支承體3和內(nèi)容器底部件22Β就不會(huì)相互干擾。反應(yīng)爐1按照橫向配置筒狀的內(nèi)容器20,即,按照內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ與鉛直方向 (重力的作用方向)正交的方式配置,將原料S保持在內(nèi)容器20的內(nèi)部。因此,原料S被保持在內(nèi)容器20的內(nèi)部,且與第1開口 23Τ及第2開口 2 相比更靠下(鉛直方向下側(cè))的區(qū)域。因此,如果第1開口 23T及第2開口 2 被配置在遠(yuǎn)離內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ的位置,或者第1開口 23Τ及第2開口 2 包括內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ ,但是與其相比而偏心配置,那么,在內(nèi)容器20內(nèi)保持原料S的容積就會(huì)變小。因此,第1開口 23T和第2開口 2 最好形成圓形,第1開口 23T和第2開口 2 包括內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸Zr,且在內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸&配置第1開口 23T和第2開口 2 的中心。這樣,在內(nèi)容器20內(nèi)容易確保保持原料S的容積,因此,容易構(gòu)成適合制造大量磁性材料用粉末的構(gòu)造。反應(yīng)爐1在內(nèi)容器20的外側(cè)且外容器10的內(nèi)側(cè),即,在構(gòu)成內(nèi)容器20的內(nèi)容器側(cè)部21和構(gòu)成外容器10的外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi之間配置加熱器2。在內(nèi)容器20的外側(cè)配置加熱器2的這種方式具有加熱器2的配置自由度提高這樣的優(yōu)點(diǎn)。加熱器2例如是電加熱器,被控制裝置50所控制。在HDDR反應(yīng)中,利用加熱器2,隔著內(nèi)容器20加熱被保持在內(nèi)容器20內(nèi)的原料S。如后所述,也可以將加熱器2配置在內(nèi)容器20的內(nèi)側(cè)。此外,最好在加熱器2和構(gòu)成外容器10的外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi之間配置隔熱材料。這樣,利用隔熱材料就能抑制從加熱器2排出的熱量和HDDR反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量傳到外容器主體10B,因此,能夠更加有效地抑制外容器主體IOB的升溫。反應(yīng)爐1具有將氣體導(dǎo)入外容器10的內(nèi)部的氣體導(dǎo)入口 121、以及將外容器10內(nèi)部的氣體向外容器10的外部排出的氣體排出口 12E。氣體導(dǎo)入口 121及氣體排出口 12E貫通構(gòu)成外容器10的外容器主體IOB的外殼IOo和內(nèi)殼IOi,并且連通外容器主體IOB的外側(cè)和內(nèi)側(cè)。在氣體導(dǎo)入口 121中設(shè)置壓力傳感器9,它是用來檢測出外容器10的內(nèi)部空間 101的壓力的壓力檢測機(jī)構(gòu)。這樣,在制造磁性材料用粉末時(shí),檢測出內(nèi)部空間101的壓力, 將其控制在所需的壓力。此外,只要壓力傳感器9能夠檢測出內(nèi)部空間101的壓力即可,因此,它的安裝位置并非局限于氣體導(dǎo)入口 121。氣體導(dǎo)入口 121與氣體供給通道30連接。在氣體供給通道30中設(shè)有作為氣體供給機(jī)構(gòu)的氣體供給泵6。氣體供給泵6的排出口通過氣體供給通道30與氣體導(dǎo)入口 121連接,吸入口通過氣體供給通道30與開關(guān)閥32、33連接。此外,在氣體供給泵6的排出口和氣體導(dǎo)入口 121之間設(shè)置開關(guān)閥36。在開關(guān)閥32的和氣體供給泵6相反的一側(cè)連接儲(chǔ)藏氫的氫罐34,在開關(guān)閥33的和氣體供給泵6相反的一側(cè)連接儲(chǔ)藏作為惰性氣體的氬的氫罐 35。根據(jù)這種構(gòu)造,氣體供給泵6通過氣體供給通道30及氣體導(dǎo)入口 121向內(nèi)部空間101 供給氣體(在本實(shí)施方式中是氫和氬)。氫在HDDR反應(yīng)中使用,氬在HDDR反應(yīng)后冷卻原料 S時(shí)使用。氫及氬均在氣體狀態(tài)下被供給內(nèi)部空間101。在氣體排出口 12E中連接氣體排出通道31。在氣體排出通道31中設(shè)有作為氣體排出機(jī)構(gòu)的排氣泵7。排氣泵7被控制裝置50所控制。在排氣泵7的吸入口和氣體排出口 12E之間連接開關(guān)閥37。根據(jù)這種構(gòu)造,排氣泵7通過氣體排出口 12E及氣體排出通道 31將內(nèi)部空間101的氣體向外容器10的外部排出。在本實(shí)施方式中,氣體供給泵6、排氣泵7、開關(guān)閥32、33、36、37被控制裝置50所控制。在向外容器10的內(nèi)部空間101供給氫的情況下,打開開關(guān)閥32和開關(guān)閥36,關(guān)閉開關(guān)閥33和開關(guān)閥37,然后驅(qū)動(dòng)氣體供給泵6。在向內(nèi)部空間101供給氬的情況下,打開開關(guān)閥33和開關(guān)閥36,關(guān)閉開關(guān)閥32和開關(guān)閥37,然后驅(qū)動(dòng)氣體供給泵6。在排出內(nèi)部空間101的氣體的情況下,打開開關(guān)閥37,關(guān)閉開關(guān)閥36,然后驅(qū)動(dòng)排氣泵7。反應(yīng)爐1具有導(dǎo)風(fēng)體15,它是用來將從氣體導(dǎo)入口 121供給的氣體導(dǎo)入內(nèi)容器20 的內(nèi)部的氣流控制機(jī)構(gòu)。導(dǎo)風(fēng)體15是在與內(nèi)容器20的第1開口 23T相對的位置設(shè)有開口 (以下是導(dǎo)入口)15H的環(huán)狀的板狀部件。在本實(shí)施方式中,導(dǎo)風(fēng)體15被設(shè)置在氣體導(dǎo)入口 121和氣體排出口 12E之間,且內(nèi)容器20的第1開口 23T和氣體導(dǎo)入口 121之間,將通過導(dǎo)入口 15H從氣體導(dǎo)入口 121流入的氣體導(dǎo)入內(nèi)容器20的內(nèi)部。此外,在本實(shí)施方式中,由于導(dǎo)風(fēng)體15和第1開口 23T的距離遠(yuǎn),因此,在導(dǎo)入口 15H中安裝作為筒狀結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)入筒15S,但是,在導(dǎo)風(fēng)體15和第1開口 23T的距離近的情況下,導(dǎo)入口 15H可以只是孔。利用該導(dǎo)風(fēng)體15分割氣體導(dǎo)入口 121和氣體排出口 12E,抑制從氣體導(dǎo)入口 121 流入的氫和氬通過內(nèi)容器20的外部,然后從氣體排出口 12E被排出的現(xiàn)象。這樣,在制造磁性材料用粉末時(shí),從氣體導(dǎo)入口 121流入的氫和氬被有效地供給到被保持在內(nèi)容器20內(nèi)部的原料S。此外,在內(nèi)容器20的第1開口 23T和氣體導(dǎo)入口 121之間設(shè)置導(dǎo)風(fēng)體15,這樣不僅能夠縮小導(dǎo)入口 15H和第1開口 23T的距離,而且能夠縮小氣體導(dǎo)入口 121 —側(cè)的外容器10的內(nèi)部空間101的容積,使其比氣體排出口 12E —側(cè)小。這樣就能有效地將氫和氬供給到被保持在內(nèi)容器20的內(nèi)部的原料S。在本實(shí)施方式中,導(dǎo)入口 15H的形狀是圓形,但是,并非局限于此。此外,如果導(dǎo)入口 15H比第1開口 23T大,那么,不從第1開口 23T流入是流向內(nèi)容器20外部的氫和氬增加,如果導(dǎo)入口 15H比第1開口 23T小,那么,通過導(dǎo)入口 15H的氫和氬的流量減少,結(jié)果, 氫、氬流入內(nèi)容器20內(nèi)部的效率下降。因此,使導(dǎo)入口 15H的形狀及大小與內(nèi)容器20的第 1開口 23T相同,這樣就能抑制流向內(nèi)容器20外部的氫、氬的流量,并且能夠抑制所述流入效率下降。在內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16、支承輥17及導(dǎo)風(fēng)體15相互干擾的情況下,也可以在導(dǎo)風(fēng)體15中設(shè)置導(dǎo)入口 15H以外的開口,從而使它們不與導(dǎo)風(fēng)體15相互干擾。在本實(shí)施方式中,導(dǎo)風(fēng)體15被安裝在外容器10的蓋子IOC上,如果打開蓋子10C,那么,它就與蓋子IOC 一同移動(dòng)。這樣就能抑制打開蓋子IOC將內(nèi)容器20配置在外容器10的內(nèi)部空間101時(shí), 或者將內(nèi)容器20從內(nèi)部空間101取出時(shí)操作效率的下降。此外,導(dǎo)風(fēng)體15也可以按照自由安裝和拆卸的方式設(shè)置在外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi的內(nèi)側(cè)。圖5-1、圖5-2是表示導(dǎo)風(fēng)體的變形例的示意圖。導(dǎo)風(fēng)體15被配置在氣體導(dǎo)入口 121和氣體排出口 12E之間即可,并非局限于被配置在內(nèi)容器20的第1開口 23T和氣體導(dǎo)入口 121之間的構(gòu)造。例如,如圖5-1所示,也可以在內(nèi)容器20的周圍設(shè)置導(dǎo)風(fēng)體15a。在此情況下,在導(dǎo)風(fēng)體15a中設(shè)置貫通口 15Ha,使內(nèi)容器20與該貫通口 15Ha貫通。這樣,由于氣體導(dǎo)入口 121和氣體排出口 12E被導(dǎo)風(fēng)體15a分割,因此,也能減少通過內(nèi)容器20的外部然后從氣體排出口 12E排出的氫、氬的流量。結(jié)果,在制造磁性材料用粉末時(shí),從氣體導(dǎo)入口 121流入的氫、氬被有效地供給到被保持在內(nèi)容器20內(nèi)部的原料S。 此外,圖5-1所示的導(dǎo)風(fēng)體1 被固定在外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi上即可,因此,不必采用能夠在內(nèi)殼IOi上安裝和拆卸的構(gòu)造。這樣,不需要上述能夠安裝和拆卸的構(gòu)造,因此, 能夠簡化反應(yīng)爐1的構(gòu)造。如圖5-2的導(dǎo)風(fēng)體15b所示,在導(dǎo)入口 15H中安裝作為筒狀部件的導(dǎo)入筒15S,被安裝在導(dǎo)入口 15H中的端部的相反一側(cè)的端部被配置在內(nèi)容器20的第1開口 23T內(nèi)。這樣就能有效地將通過導(dǎo)入口 15H后的氫、氬供給到被保持在內(nèi)容器20內(nèi)部的原料S。此外, 氣流控制機(jī)構(gòu)并非局限于導(dǎo)風(fēng)體15、lfe、巧b。例如,也可以在氣體導(dǎo)入口 121中安裝向第 1開口 23T引導(dǎo)的管道,或者利用送風(fēng)機(jī)構(gòu)(例如風(fēng)扇)將從氣體導(dǎo)入口 121流出的氫、氬向第1開口 23T引導(dǎo)。在本實(shí)施方式中,反應(yīng)爐1也可以具有用來攪拌磁性材料用粉末的原料S的攪拌機(jī)構(gòu)。在HDDR反應(yīng)中,除了內(nèi)容器20的旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)外,如果利用攪拌機(jī)構(gòu)攪拌原料S,那么,原料S就會(huì)變得更加均勻,磁性材料用粉末的質(zhì)量也會(huì)進(jìn)一步提高。下面對攪拌機(jī)構(gòu)進(jìn)行說明。圖6、圖7-1、圖7-2表示具有攪拌機(jī)構(gòu)的一例內(nèi)容器。圖6所示的內(nèi)容器20b具有從內(nèi)容器20b的內(nèi)壁20iwb突出的部件(內(nèi)容器突起部)26,用作攪拌機(jī)構(gòu)。在內(nèi)容器20b 旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的過程中,利用該內(nèi)容器突起部26攪拌被保持在內(nèi)容器20b內(nèi)的原料S。這樣,原料S被進(jìn)一步攪拌和粉碎,從而變得更細(xì),因此,不僅在原料S的外側(cè),也在其內(nèi)部進(jìn)行均勻反應(yīng),磁性材料用粉末的質(zhì)量提高。此外,利用內(nèi)容器突起部26也能粉碎原料S的原料塊。而且,根據(jù)內(nèi)容器突起部沈,內(nèi)容器20b的傳熱面積增大,因此,也能從內(nèi)容器20b 向原料S,或者從原料S向內(nèi)容器20b有效地傳熱。對于圖7-1、圖7-2所示的內(nèi)容器20c、20d與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸&正交的斷面的內(nèi)形狀形成多角形(在本例中為六角形),用作攪拌機(jī)構(gòu)。這樣,原料被多角形的角部粉碎,攪拌,根據(jù)這種效果,與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸&正交的斷面的內(nèi)形狀為圓形的內(nèi)容器20相比,原料被進(jìn)一步攪拌而變得微細(xì),因此,也在原料內(nèi)部進(jìn)行均勻的反應(yīng),磁性材料用粉末的質(zhì)量提
尚ο對于圖7-2所示的內(nèi)容器20d,與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ正交的斷面的外形狀也形成和內(nèi)形狀相似的多角形。在此情況下,如圖1所示,內(nèi)容器20d借助2根支承輥17及內(nèi)容器支承機(jī)構(gòu)16被外容器10的外容器主體IOB所支承,因此,在內(nèi)容器20d的一部分上設(shè)置外形狀為圓形的支承部20dh,這樣就能使內(nèi)容器20d順暢地旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。圖8是表示攪拌機(jī)構(gòu)的其它例子的示意圖。圖8所示的攪拌機(jī)構(gòu)是從分別設(shè)置在內(nèi)容器20的兩個(gè)端面的兩個(gè)開口中的至少一個(gè)開口(在本例中是第2開口 23B)被插入內(nèi)容器20內(nèi)部的部件(攪拌棒)40。將該攪拌棒40從第2開口 2 插入旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)著的內(nèi)容器20的內(nèi)部。此時(shí),攪拌棒40與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸^ 交叉地被插入內(nèi)容器20的內(nèi)部。接著與被保持在內(nèi)容器20中的原料S接觸然后攪拌原料S。在攪拌原料S時(shí),也可以使攪拌棒40振動(dòng),然后加快攪拌。此外,也可以使攪拌棒40沿著與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的方向往復(fù)攪拌。這樣,由于在與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的整個(gè)方向上攪拌原料S,因此,能夠更加均勻地?cái)嚢柙蟂,制造質(zhì)量更加均勻的磁性材料用粉末。圖9是表示攪拌棒的變形例的說明圖。該攪拌棒40a由按照能夠在作為擺動(dòng)中心軸的銷43上擺動(dòng)的方式連結(jié)第1臂41和第2臂42的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)構(gòu)成。攪拌原料S的部分 (攪拌用具47)能夠移動(dòng)以接觸原料S。在第1臂41上,按照與第1臂41交叉且與所述擺動(dòng)中心軸正交的方式安裝輸入桿44,連結(jié)棒45按照能夠擺動(dòng)的方式與該輸入桿44連結(jié)。 根據(jù)這種構(gòu)造,如果使連結(jié)棒45沿著與第2臂42平行的方向移動(dòng),那么,第1臂41以所述擺動(dòng)中心軸為中心擺動(dòng)。即,第1臂41是可動(dòng)部。在第1臂41的前端部,即在所述擺動(dòng)中心軸的相反一側(cè)的端部安裝攪拌用具47。在使用攪拌棒40a時(shí),在連結(jié)棒45和原料S之間存在第2臂42的狀態(tài)下,從分別設(shè)置在內(nèi)容器20的兩個(gè)端面的兩個(gè)開口中的至少一個(gè)開口(例如第2開口 23B)插入攪拌棒40a。接著,在攪拌原料S時(shí),當(dāng)內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)時(shí),從第2臂42朝著第1臂41 的方向按壓連結(jié)棒45。于是,第1臂41在銷43的位置彎曲,攪拌用具47朝著原料S移動(dòng)。 攪拌用具47與原料S接觸后,在該位置固定連結(jié)棒45,然后攪拌原料S。在原料S的攪拌結(jié)束的情況下,從第1臂41朝著第2臂42的方向拉出連結(jié)棒45。于是,第1臂41以銷43的位置為中心旋轉(zhuǎn)而離開原料S。這樣,攪拌用具47離開原料S。于是,原料S的攪拌結(jié)束。在該攪拌棒40a插入內(nèi)容器20的內(nèi)部時(shí),不必使攪拌棒40a與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸 λ: 交叉。如圖8的例子所示,如果使攪拌棒40與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ交叉,那么,如果圖1所示的外容器主體IOB的內(nèi)徑?jīng)]有一定的富??臻g,則無法將攪拌棒40插入內(nèi)容器20的內(nèi)部。 但是,如圖9所示的攪拌棒40a,由于不必使攪拌棒40a與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸&交叉,因此,即使在圖1所示的外容器主體IOB的內(nèi)徑?jīng)]有富??臻g的情況下,也能將攪拌棒40a插入內(nèi)容器20的內(nèi)部,然后攪拌原料S。此外,在攪拌棒40a上所安裝的攪拌用具47能夠更換,也可以取代攪拌用具47,安裝用來采集反應(yīng)過程中的原料S的夾具、各種傳感器等儀器。這樣不僅能夠確認(rèn)HDDR反應(yīng)的進(jìn)度,而且,除了反應(yīng)氛圍氣中的溫度外,也能測量各種各樣的物理量。例如,取代攪拌用具47,在攪拌棒40a上安裝上述溫度傳感器8,使溫度傳感器8 與原料S接觸,這樣也能直接測定原料S的溫度。這樣就能更加精確地控制HDDR反應(yīng)。此外,也可以在圖8所示的攪拌棒40上安裝用來采集反應(yīng)中的原料S的夾具等。圖10是表示在蓋上反應(yīng)爐的蓋子的狀態(tài)下,向內(nèi)容器的內(nèi)部供給添加物的機(jī)構(gòu)的構(gòu)造說明圖。在HDDR反應(yīng)中,有時(shí)向原料S供給Dy、Tb等添加物。因此,圖1所示的反應(yīng)爐1也可以具有向內(nèi)容器的內(nèi)部供給添加物的機(jī)構(gòu)(添加物供給機(jī)構(gòu))60。如果使用添加物供給機(jī)構(gòu)60,那么,不必中斷HDDR反應(yīng)就能向原料S供給添加物,因此,制造磁性材料用粉末時(shí)的操作性提高。如圖10所示,添加物供給機(jī)構(gòu)60被配置在內(nèi)容器20的內(nèi)部。更加具體地來講, 添加物供給機(jī)構(gòu)60從分別設(shè)置在內(nèi)容器20的兩個(gè)端面的兩個(gè)開口中的至少一個(gè)開口(在本例中是第2開口 23B)被插入內(nèi)容器20的內(nèi)部,然后被配置在內(nèi)容器20的內(nèi)部。添加物供給機(jī)構(gòu)60包括例如使用管構(gòu)成的添加物通道61 ;在添加物通道61的添加物投入口 62 一側(cè)設(shè)置且用來打開和關(guān)閉添加物通道61的第1門63 ;在添加物通道61的添加物投入口 64 一側(cè)設(shè)置且用來打開和關(guān)閉添加物通道61的第2門65 ;被第1門63和第2門65劃分的空間66。添加物通道61從圖1所示的外容器主體IOB被插入內(nèi)部空間101,添加物通道 61從第2開口 2 被插入內(nèi)容器20的內(nèi)部,添加物投入口 64被配置在內(nèi)容器20的內(nèi)部, 第1門63及第2門65被配置在外容器主體IOB的外部。在向原料S供給添加物的情況下,在打開第1門63,關(guān)閉第2門65的狀態(tài)下,從添加物投入口 62投入添加物。所投入的添加物通過第1門63被送入空間66內(nèi)。添加物被送入空間66后,關(guān)閉第1門63,打開第2門65。于是,空間66內(nèi)的添加物通過添加物通道61,從添加物投入口 64被供給到內(nèi)容器20內(nèi)的原料S。于是,在HDDR反應(yīng)中,就能向原料S投入添加物。此外,由于添加物供給機(jī)構(gòu)60的添加物通道61從第2開口 2 被插入內(nèi)容器20的內(nèi)部,因此,如果第2開口 2 在包括內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ的規(guī)定區(qū)域形成,且添加物通道61在不接觸第2開口 2 的狀態(tài)下被插入,那么,即使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng), 也能向原料S供給添加物。圖11表示內(nèi)容器的軸部件的其它構(gòu)造例子。圖11所示的軸部件2 省略了在側(cè)面設(shè)置的多個(gè)孔。圖1、圖3所示的軸部件M連接內(nèi)容器蓋部件22T和內(nèi)容器底部件22B, 因此,如果內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),那么,軸部件M也與內(nèi)容器20 —同旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。因此,在圖1所示的反應(yīng)爐1配備上述攪拌棒40、40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60的情況下,有時(shí)采用不使用軸部件M的構(gòu)造。此外,如圖11的軸部件2 所示,第1軸部件Mal和第2軸部件構(gòu)成軸部件Ma,朝著與內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)軸ττ平行的方向按照規(guī)定的間隔配置第1軸部件Mal和第2軸部件Ma2。此處,第1軸部件Mal和第2軸部件的各個(gè)一個(gè)端部分別與內(nèi)容器蓋部件22T和內(nèi)容器底部件22B連接,在第1軸部件Mal和第2軸部件的各個(gè)另一個(gè)端部分別設(shè)置在它們和內(nèi)容器側(cè)部21之間保持規(guī)定間隔的墊片27。根據(jù)這種構(gòu)造,在第1軸部件Mal和第2軸部件之間形成間隙28。該間隙 28朝著軸部件Ma的圓周方向形成一周。在該間隙28中插入攪拌棒40、40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60,這樣,在內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的情況下,能夠避免攪拌棒40、40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60和周部件Ma的相互干擾。此外,在內(nèi)容器20的移動(dòng)只是擺動(dòng)的情況下,間隙觀不必朝著軸部件Ma的圓周方向形成一周。圖12是表示內(nèi)容器所配備的軸部件的其它構(gòu)造例子的立體圖。圖13是圖12所示的軸部件的支承構(gòu)造的示意圖。圖12、圖13所示的軸部件24b省略了在側(cè)面設(shè)置的多個(gè)孔。該軸部件24b在側(cè)面具有缺口 ^b,攪拌棒40、40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60從該缺口 28b 被插入,攪拌棒40、40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60從軸部件Mb的內(nèi)側(cè)朝著外側(cè)貫通。如圖13所示,在內(nèi)容器20e的內(nèi)容器蓋部件22Te中設(shè)置的第1開口 23Te和在內(nèi)容器底部件22Be中設(shè)置的第2開口 23Be中分別設(shè)置支承軸部件Mb的兩個(gè)端部的軸承 29T,29B0通過該軸承^T J9B,軸部件24b被構(gòu)成內(nèi)容器20e的內(nèi)容器蓋部件22 和內(nèi)容器底部件22B可自由轉(zhuǎn)動(dòng)地支承,且能夠獨(dú)立于內(nèi)容器20e旋轉(zhuǎn)。因此,即使軸部件24b靜止,內(nèi)容器20e也能旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。因此,在將攪拌棒40、 40a、添加物供給機(jī)構(gòu)60插入缺口 28b中的狀態(tài)下,軸部件24b與攪拌棒40、40a和添加物供給機(jī)構(gòu)60—同處于靜止?fàn)顟B(tài),內(nèi)容器20e能夠旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。這樣,在將攪拌棒40、40a、 添加物供給機(jī)構(gòu)60插入缺口 28b中的狀態(tài)下,能夠使內(nèi)容器20e旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。圖14是表示在內(nèi)容器的內(nèi)側(cè)配置加熱器的例子的說明圖。在上述說明中,如圖1 所示,在內(nèi)容器20的外側(cè)配置加熱器2,但是,也可以如圖14所示,在內(nèi)容器20的內(nèi)側(cè)配置加熱器2。在此情況下,如圖1所示,加熱器2被設(shè)置在外容器主體IOB的內(nèi)殼IOi中的加熱器支承體2H支承。從內(nèi)容器20的開口(在本例中是第2開口 23B)插入內(nèi)容器20的內(nèi)部。在將加熱器2配置在內(nèi)容器20的內(nèi)側(cè)的情況下,與內(nèi)容器20的外側(cè)相比,空間變小, 因此,必須確保配置加熱器2的空間,但是,這種方式具有能夠更有效地加熱原料S的優(yōu)點(diǎn)。 下面,說明磁性材料用粉末的制造方法。圖15是表示本實(shí)施方式的磁性材料用粉末的制造方法的流程圖。本實(shí)施方式的磁性材料用粉末的制造方法可以通過上述反應(yīng)爐1來實(shí)現(xiàn)。在以下的說明中,以使用圖1、 圖2所示的反應(yīng)爐1來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式的磁性材料用粉末的制造方法為例進(jìn)行說明。在以下的說明中,作為磁性材料用粉末,以制造作為稀土類合金粉末的Nd2Fel4B的粉末為例進(jìn)行說明。在步驟SlOl中,操作者接通反應(yīng)爐1的電源,操作控制裝置50,然后驅(qū)動(dòng)冷卻用泵 5,開始冷卻介質(zhì)W的循環(huán)。接著,進(jìn)入步驟S102,操作者打開外容器10的蓋子10C,從外容器主體IOB中取出內(nèi)容器20。接著,進(jìn)入步驟S103,操作者打開內(nèi)容器20的內(nèi)容器蓋部件22T,在內(nèi)容器20 的內(nèi)部投入預(yù)先準(zhǔn)備好的規(guī)定量的磁性材料用粉末的原料S(它是被處理物,在本實(shí)施方式中是Nd2Fel4B合金),然后關(guān)閉內(nèi)容器蓋部件22T,將內(nèi)容器蓋部件22T安裝在內(nèi)容器側(cè)部21上。此處,作為原料S的Nd2Fel4B合金的結(jié)晶尺寸是10 μ m 100 μ m。然后,進(jìn)入步驟S104。操作者在設(shè)置在外容器主體IOB內(nèi)部的2根支承輥17之間搭載內(nèi)容器20,然后關(guān)閉外容器10的蓋子10C。接著,進(jìn)入步驟S105,操作者操作控制裝置50,關(guān)閉開關(guān)閥36,打開開關(guān)閥37,然后驅(qū)動(dòng)排氣泵7,排出外容器10的內(nèi)部空間101 的氣體來抽真空。內(nèi)部空間101的壓力達(dá)到預(yù)先設(shè)定的規(guī)定壓力后,操作者操作控制裝置 50,關(guān)閉開關(guān)閥37,然后停止排氣泵7,從而結(jié)束排氣。接著,進(jìn)入步驟S106,操作者操作控制裝置50,打開開關(guān)閥32和開關(guān)閥36,關(guān)閉開關(guān)閥33和開關(guān)閥37,然后驅(qū)動(dòng)氣體供給泵6,從氫罐34向內(nèi)部空間101供給氫。在步驟 S107中,將內(nèi)部空間101的壓力保持在規(guī)定的壓力Pl (例如100千帕)。在此情況下,控制裝置50反饋控制氣體供給泵6的操作,例如,使壓力傳感器9檢測出的內(nèi)部空間101的實(shí)際壓力P和規(guī)定的壓力Pl的目標(biāo)值PlP的偏差為0。下面,進(jìn)入步驟S108,操作者操作控制裝置50,驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)18M,使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)。接著,進(jìn)入步驟S109,操作者操作控制裝置50,開始加熱器2的加熱。在步驟 S109中,控制裝置50繼續(xù)加熱,直至溫度傳感器8檢測出的溫度(S卩,內(nèi)部空間101的溫度)T變成預(yù)先設(shè)定的規(guī)定溫度Tl (例如100°C )。然后,進(jìn)入步驟S110,控制裝置50在規(guī)定的時(shí)間τ 1(例如,120分鐘)期間,將內(nèi)部空間101保持在規(guī)定的溫度Tl和規(guī)定的壓力Pl。在此情況下,控制裝置50反饋控制供給加熱器2的電力,以使溫度傳感器8檢測出的內(nèi)部空間101的溫度T和規(guī)定的溫度Tl的目標(biāo)值Tlp的偏差為0。此外,控制裝置50也繼續(xù)控制,將上述內(nèi)部空間101的壓力保持在規(guī)定的壓力Ρ1。在步驟SllO中,被保持在內(nèi)容器20內(nèi)的原料S吸儲(chǔ)內(nèi)容器20內(nèi)部的氫。 此時(shí),內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),原料S被攪拌,因此,整個(gè)原料S全面地吸儲(chǔ)氫,減少不均勻的氫吸儲(chǔ)狀態(tài)。如果經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間τ 后,則進(jìn)入步驟S111。在步驟Sl 11中,操作者操作控制裝置50,將內(nèi)部空間101的壓力保持在規(guī)定的壓力Ρ2(例如40千帕)。在此情況下,控制裝置50例如打開開關(guān)閥37,對內(nèi)部空間101的壓力進(jìn)行減壓。然后,控制裝置50反饋控制氣體供給泵6的動(dòng)作,以使壓力傳感器9檢測出的內(nèi)部空間101的實(shí)際壓力P和規(guī)定的壓力Ρ2的目標(biāo)值Ρ2ρ之間的偏差變?yōu)?,根據(jù)需要,也反饋控制開關(guān)閥37的動(dòng)作。下面,進(jìn)入步驟S112,操作者操作控制裝置50,繼續(xù)加熱,直至溫度傳感器8檢測出的溫度T變成預(yù)先確定的規(guī)定溫度Τ2(例如800°C )。然后,進(jìn)入步驟S113,控制裝置50 在規(guī)定的時(shí)間τ2(例如360分鐘)期間,將內(nèi)部空間101保持在規(guī)定的溫度Τ2和規(guī)定的壓力Ρ2。在此情況下,控制裝置50反饋控制供給加熱器2的電力,以使溫度傳感器8檢測出的內(nèi)部空間101的溫度和規(guī)定的溫度Τ2的目標(biāo)值Τ2ρ之間的偏差變?yōu)?。此外,控制裝置50繼續(xù)控制,將上述內(nèi)部空間101的壓力保持在規(guī)定的壓力Ρ2。在步驟Sl 13中,被保持在內(nèi)容器20內(nèi)的原料S氫化、分解,發(fā)生反應(yīng),即HD反應(yīng), 生成IOOnm次序的微細(xì)矩陣(NdHx、α -Fe,Fe2B的矩陣)。此時(shí),原料S釋放熱量,但是,該熱量被內(nèi)容器20吸收。此外,內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),原料S被攪拌,因此,原料S的溫度分布被降低。如果經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間12后,則進(jìn)入步驟5114。在步驟S114中,操作者操作控制裝置50,加熱至溫度傳感器8檢測出的溫度T變成預(yù)先確定的溫度T3(例如850°C )。接著,進(jìn)入步驟S115,操作者操作控制裝置50,停止向內(nèi)部空間101供給氫。在此情況下,控制裝置50關(guān)閉開關(guān)閥36和開關(guān)閥32,停止氣體供給泵6的動(dòng)作。接著,進(jìn)入步驟Sl 16,操作者排出內(nèi)部空間101的氣體,然后將內(nèi)部空間101減壓至規(guī)定的排氣結(jié)束的壓力Pf。在此情況下,控制裝置50打開開關(guān)閥37,驅(qū)動(dòng)排氣泵7。在對內(nèi)部空間101進(jìn)行減壓時(shí),控制裝置50首先以規(guī)定的速度Vl (例如4千帕/ 分鐘)將其減壓至規(guī)定的壓力P3(例如6千帕)。然后,控制裝置50以規(guī)定的速度V2(例如0. 1千帕/分鐘)將其減壓至規(guī)定的排氣結(jié)束壓力Pf (例如1千帕)。如果內(nèi)部空間101的壓力變成規(guī)定的排氣結(jié)束壓力Pf,那么,操作控制裝置50,結(jié)束內(nèi)部空間101的排氣。在此情況下,控制裝置50關(guān)閉開關(guān)閥37,同時(shí)停止排氣泵7。在步驟S116中,發(fā)生反應(yīng),即DR反應(yīng),在被保持在內(nèi)容器20內(nèi)的原料S中脫氫、 再復(fù)合,生成Nd2Fel4B相。此時(shí),原料S吸熱。在DR反應(yīng)中所生成的Nd2Fel4B的結(jié)晶尺寸是IOOnm 500nm。在DR反應(yīng)中從與原料S排出的氫,即存在于反應(yīng)爐1的外容器10的內(nèi)部空間101的氫從被設(shè)置在外容器主體IOB中的氣體排出口 12E向外部排出。在DR反應(yīng)進(jìn)行過程中,內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),原料S被攪拌,因此,能夠在整個(gè)原料S中均勻地進(jìn)行HD反應(yīng)。此外,在DR反應(yīng)中,從原料S中排出的氫通過圖1所示的內(nèi)容器20的第2 開口 23B,從內(nèi)容器20的內(nèi)部被切實(shí)排出。如果步驟S116的減壓結(jié)束后,則進(jìn)入步驟S117。操作者操作控制裝置50,結(jié)束向加熱器2供電。接著,進(jìn)入步驟S118,操作者操作控制裝置50,向內(nèi)部空間101供給氬,作為對原料進(jìn)行冷卻的冷卻用惰性氣體,然后對HDDR反應(yīng)后的原料S進(jìn)行冷卻。在供給氬的情況下,控制裝置50打開開關(guān)閥33和開關(guān)閥36,關(guān)閉開關(guān)閥32和開關(guān)閥37,驅(qū)動(dòng)氣體供給泵6,從氬罐35向內(nèi)部空間101供給氬。接著,進(jìn)入步驟S 119,繼續(xù)冷卻直至內(nèi)部空間101的溫度變成規(guī)定的溫度T4(例如300C )。由溫度傳感器8檢測出的溫度T變成規(guī)定的溫度Τ4后,則進(jìn)入步驟S120。操作者操作控制裝置50,結(jié)束內(nèi)容器20的旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),然后停止供給氬。在此情況下,控制裝置50停止電動(dòng)機(jī)18Μ的驅(qū)動(dòng),同時(shí)關(guān)閉開關(guān)閥33和開關(guān)閥36,停止氣體供給泵6。接著, 進(jìn)入步驟S121,操作者打開外容器10的蓋子10C,從內(nèi)部空間101取出內(nèi)容器20。接著,進(jìn)入步驟S122,操作者打開內(nèi)容器20的內(nèi)容器蓋部件22Τ,取出HDDR反應(yīng)結(jié)束后的原料S,即取出制造完成的磁性材料用粉末。制造完成的磁性材料用粉末通過磁化而變成磁鐵。接著,在進(jìn)行處理的情況下(在步驟S123中,Yes),返回步驟S103,進(jìn)行以后的步驟。接著,在不進(jìn)行處理的情況下(在步驟S123中,No),進(jìn)入步驟S1M。在步驟SlM中, 操作者進(jìn)行結(jié)束操作。即,操作者在將內(nèi)容器蓋部件22T安裝在內(nèi)容器20中后,將其送回內(nèi)部空間101,然后蓋上蓋子10C。接著,操作控制裝置50,停止冷卻泵5的驅(qū)動(dòng),然后切斷反應(yīng)爐1的電源。在以上的本實(shí)施方式中,反應(yīng)爐1在內(nèi)容器20中設(shè)置第1開口 23T和第2開口 23B,因此,在HDDR反應(yīng)中,能夠切實(shí)地向原料S供給氫,而且能夠?qū)脑蟂排出的氫切實(shí)地向內(nèi)容器20的外部排出。這樣,氫的吸儲(chǔ)、排出速度增大,其量也大,于是,在內(nèi)容器20 內(nèi)的壓力變化大的HDDR反應(yīng)中,能夠避免內(nèi)容器20的變形等,從而能夠切實(shí)制造磁性材料用粉末。此外,在HDDR反應(yīng)結(jié)束后供給的冷卻用惰性氣體(例如氬)也被切實(shí)地供給到原料S,因此,能夠切實(shí)地冷卻原料S。反應(yīng)爐1冷卻外容器10,因此,在反應(yīng)過程中,在有大量熱量吸收釋放的HDDR反應(yīng)中,能夠抑制氫從外容器10中泄漏。此處,在直接放置原料然后進(jìn)行HDDR反應(yīng)的方法中,僅原料的表面進(jìn)行反應(yīng),在原料的內(nèi)部,反應(yīng)中途停止。但是,反應(yīng)爐1使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),攪拌原料S,因此, 能夠切實(shí)地進(jìn)行整個(gè)原料S的HDDR反應(yīng)。此外,反應(yīng)爐1通過內(nèi)容器20的旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)來攪拌原料S,這樣,使原料S的溫度分布、氫的吸儲(chǔ)、排出變得均勻,能夠使整個(gè)原料S均勻地反應(yīng)。于是,所制造的磁性材料用粉末的質(zhì)量提高。反應(yīng)爐1通過攪拌原料S能夠使整個(gè)原料S的溫度迅速地變得均勻,因此,在反應(yīng)過程中,在有大量的熱量吸收和釋放的HDDR反應(yīng)中,具有容易控制原料S的溫度的優(yōu)點(diǎn)。在使大量的原料S發(fā)生HDDR反應(yīng)的情況下,反應(yīng)過程中吸收和釋放的熱量更大,原料S的溫度控制變得更難,但是,在這樣的情況下,反應(yīng)爐1也能比較容易地控制原料S的溫度。于是,反應(yīng)爐1適合根據(jù)HDDR法制造大量磁性材料用粉末的工藝。即使原料S是大塊,通過使內(nèi)容器20旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng),也能將其粉碎,使其變細(xì),因此,能夠避免發(fā)生只有塊的表面進(jìn)行HDDR反應(yīng)這樣的情況。此外,通過內(nèi)容器20的旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)能夠粉碎大塊的原料S,因此,不必預(yù)先粉碎原料。這樣,制造磁性材料用粉末時(shí)的操作性提高。此外,反應(yīng)爐1所配備的內(nèi)容器20從在兩個(gè)端面設(shè)置的開口插入溫度傳感器8, 然后測量內(nèi)容器20內(nèi)的原料S附近的溫度,因此,能夠測量更接近HDDR反應(yīng)場的氛圍氣溫度。結(jié)果,HDDR反應(yīng)中的溫度控制的精確度提高,所制造的磁性材料用粉末的質(zhì)量提高。而且,也能夠從內(nèi)容器20的開口在內(nèi)容器20的內(nèi)部配置具有各種功能的儀器,因此,在實(shí)際的操作中,不必對反應(yīng)爐1進(jìn)行大的改造就能靈活應(yīng)用。此外,反應(yīng)爐1也能從內(nèi)容器20 的開口將加熱器2配置在內(nèi)容器20內(nèi),因此,也能靈活地應(yīng)對將來的設(shè)計(jì)改變。工業(yè)實(shí)用性如上所述,本實(shí)用新型的反應(yīng)爐對于利用HDDR反應(yīng)來制造磁性材料用粉末的方
法非常有用。
權(quán)利要求1.一種反應(yīng)爐,其特征在于,包括外容器;冷卻該外容器的外容器冷卻機(jī)構(gòu);內(nèi)容器,其是設(shè)在所述外容器內(nèi)部的用來保持原料的筒狀容器,按照能夠以與該容器的兩個(gè)端面交叉的軸為中心旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的方式被支承在所述外容器的內(nèi)部,并且在所述兩個(gè)端面分別具有開口;使該內(nèi)容器旋轉(zhuǎn)或者擺動(dòng)的內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu);在所述內(nèi)容器的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)所配置的加熱器;向所述外容器的內(nèi)部導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口,以及將所述外容器內(nèi)部的氣體向所述外容器外部排出的氣體排出口 ;和將從所述氣體導(dǎo)入口供給的氣體導(dǎo)向所述內(nèi)容器的內(nèi)部的氣流控制機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置有溫度傳感器。
3.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置有攪拌所述內(nèi)容器內(nèi)的所述原料的攪拌機(jī)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述攪拌機(jī)構(gòu)是從所述內(nèi)容器的內(nèi)壁突出的部件。
5.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,具有至少從一個(gè)所述開口插入所述內(nèi)容器內(nèi)部的部件。
6.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述部件在所述內(nèi)容器的內(nèi)部支承溫度傳感器。
7.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述部件是攪拌所述內(nèi)容器內(nèi)的所述原料的攪拌機(jī)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述部件具有以與所述原料接觸的方式移動(dòng)的可動(dòng)部。
9.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,在所述內(nèi)容器的內(nèi)部配置有對所述原料供給添加物的添加物供給機(jī)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述內(nèi)容器在所述開口部彼此之間具有兩端開口的筒狀的軸部件,且該軸部件在側(cè)面具有孔。
11.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐,其特征在于,所述內(nèi)容器的旋轉(zhuǎn)軸至少貫通一個(gè)所述開口。
專利摘要提供一種適合使用HDDR法制造磁性材料用粉末的反應(yīng)爐。反應(yīng)爐(1)通過HDDR反應(yīng)制造磁性材料用粉末。反應(yīng)爐(1)包括外容器(10);作為外容器冷卻機(jī)構(gòu)的主體一側(cè)冷卻介質(zhì)通道(10Bc)以及蓋子一側(cè)冷卻介質(zhì)通道(10Cc);內(nèi)容器(20);作為內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的內(nèi)容器驅(qū)動(dòng)裝置(18);加熱器(2);氣體導(dǎo)入口(12I)及氣體排出口(12E);以及作為氣流控制機(jī)構(gòu)的導(dǎo)風(fēng)體(15)。
文檔編號F27B7/42GK201954939SQ20102055393
公開日2011年8月31日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者入江周一郎, 鈴木健一 申請人:Tdk株式會(huì)社