專利名稱：耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層及其制備方法，屬于太陽(yáng)能利用裝備制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前，隨著全球能源供應(yīng)問(wèn)題日顯突出和可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的積極推行，國(guó)際國(guó)內(nèi)對(duì)太陽(yáng)能耐高溫技術(shù)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用已掀起新一輪高潮。美國(guó)等工業(yè)化先進(jìn)國(guó)家早在上世紀(jì)八十年代，即開(kāi)始了將太陽(yáng)能耐高溫技術(shù)應(yīng)用到紡織、建筑、食品加工、木材烘干等工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和日常取暖、燒開(kāi)水等方面，以獲得100°C以上的熱水和蒸汽。近年來(lái)，太陽(yáng)能耐高溫技術(shù)在歐美發(fā)達(dá)國(guó)家增長(zhǎng)更加迅猛，根據(jù)歐盟委員會(huì)發(fā)布的《能源的未來(lái):可再生能源》白皮書(shū)，到2010年，歐盟將安裝I億m2的太陽(yáng)能集熱器，其中太陽(yáng)能供暖系統(tǒng)將占1900萬(wàn)m2。國(guó)外太陽(yáng)能耐高溫?zé)崂眉夹g(shù)中所使用的集熱器，大部分以金屬一玻璃封接式集熱器、平板太陽(yáng)能集熱器為主，由于其制作成本較高、制作工藝復(fù)雜且熱效率較低，技術(shù)和設(shè)備工藝沒(méi)有得到突破性進(jìn)展，而造成太陽(yáng)能耐高溫?zé)崂眉夹g(shù)無(wú)法形成產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，暫只能依托在國(guó)家政府補(bǔ)助與頒布新能源法來(lái)強(qiáng)制實(shí)施。我國(guó)對(duì)太陽(yáng)能耐高溫集熱管及其應(yīng)用技術(shù)的研究起步較晚，一直局限于小型部件和材料的攻關(guān)項(xiàng)目，研發(fā)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于一些發(fā)達(dá)國(guó)家。國(guó)際上普遍采用金屬-玻璃式集熱管做為太陽(yáng)能耐高溫?zé)崂弥械募療岵考Ｊ褂贸杀据^高，是制約我國(guó)太陽(yáng)能耐高溫應(yīng)用的主要因素之一。而其原因在于，當(dāng)工作溫度高于400°C時(shí)，由于鍍層間金屬和介質(zhì)的擴(kuò)散作用加強(qiáng)，鍍層結(jié)構(gòu)遭到破壞，使鍍層整體性能發(fā)生變化。耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層是太陽(yáng)能光熱利用中的前沿課題，耐高溫選擇性吸收鍍層要求鍍層能耐400°C的高溫，并能長(zhǎng)期穩(wěn)定工作，在太陽(yáng)能光譜范圍內(nèi)維持較高的吸收比，在紅外光譜范圍內(nèi)保持較低的發(fā)射比。然而，所述此類選擇性吸收鍍層。目前尚未見(jiàn)有報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種在400°C以上長(zhǎng)時(shí)期工作穩(wěn)定，膜系結(jié)構(gòu)合理，耐高溫性能優(yōu)越的太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，同時(shí)提供一種工藝成本較低，工藝流程合理簡(jiǎn)單的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的制備方法，為即將到來(lái)的太陽(yáng)能耐高溫應(yīng)用技術(shù)的高潮，提供裝備技術(shù)支持。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其第一個(gè)目的技術(shù)方案是:
一種耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層(或稱膜系結(jié)構(gòu))，包括以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層的載體，而其在以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層的載體一側(cè)表面，由內(nèi)到外依次有金屬底層，鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層，氮鋁化鈦高填充因子吸收層，氮鋁化鈦低填充因子吸收吸層，鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層和氮化鋁減反射層。由以上所給出的技術(shù)方案，可以明了本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)有:一是在于，吸收層兩側(cè)均沉積有防止金屬與介質(zhì)擴(kuò)散的防擴(kuò)散層，該防擴(kuò)散層采用具有高熔點(diǎn)、高溫下化學(xué)穩(wěn)定性好的TiN與Ti ;且在于吸收層由耐高溫材料TiAlN通過(guò)高填充因子層和低填充因子層構(gòu)成，從根本上解決了吸收層高溫?cái)U(kuò)散的問(wèn)題。二是在于，TiAlN作為一種新型鍍層材料，具有硬度高、氧化溫度高、熱硬性好、附著力強(qiáng)、導(dǎo)熱率低等優(yōu)良特性。自1985年Knotek等首次發(fā)表了關(guān)于TiAlN鍍層的研究成果后，人們便對(duì)其優(yōu)異抗高溫氧化能力和良好的使用性能表示了極大的關(guān)注。但由于制備方法不盡相同，其性能也有差異，且將TiAlN作為太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的報(bào)道也未曾見(jiàn)至IJ。本發(fā)明提出通過(guò)控制反應(yīng)濺射時(shí)氮?dú)獾牧?，決定TiAlN鍍層中金屬成分的多少，將金屬成分多(含金屬成分5(T75wt%)的鍍層作為選擇性吸收干涉鍍層中的高填充因子層，將金屬成分少(含金屬成分25 40wt%)的鍍層作為選擇性吸收干涉鍍層中的低填充因子層，這樣既利用了 TiAlN的耐高溫氧化、熱硬性好的性能，又能利用其光學(xué)特性產(chǎn)生太陽(yáng)能光譜選擇性吸收的性能。三是在于，TiN是一種高硬度、耐腐蝕、應(yīng)用廣泛的涂層材料，已成為國(guó)內(nèi)外硬質(zhì)涂層研究的熱點(diǎn)，開(kāi)始應(yīng)用于切削工具工業(yè)鍍層、摩擦(軸承和齒輪)、裝飾和光學(xué)領(lǐng)域，以及微電子學(xué)領(lǐng)域。由于TiN的柱狀晶結(jié)構(gòu)在空氣中使用時(shí)在500度以上都有抗氧化能力，所以本發(fā)明采用磁控反應(yīng)濺射的方法制備T1-TiN的復(fù)合涂層，利用其抗高溫氧化能力，作為太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的防擴(kuò)散層。基于本發(fā)明具備以上所述技術(shù)特點(diǎn)，而有效實(shí)現(xiàn)其在400°C以上長(zhǎng)期工作穩(wěn)定，耐高溫性能優(yōu)越的目的。 在上述技術(shù)方案中，本發(fā)明還主張其所述金屬底層是銅膜層或銀膜層。當(dāng)然，并不局限于此。由于本發(fā)明將金屬底層作為紅外反射層，這在一定程度上有利于提高太陽(yáng)能選擇性吸收的有效吸收率。在上述技術(shù)方案中，本發(fā)明還主張金屬底層的厚度在10(Tl50nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層的厚度在3(T50nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦高填充因子吸收層的厚度在5(T80nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦低填充因子吸收層的厚度在75 120nm范圍內(nèi)；鈦_氮化鈦第二防擴(kuò)散層的厚度在15 30nm范圍內(nèi)；氮化鋁減反射層的厚度在75 100nm范圍內(nèi)。但不局限于此。這是本發(fā)明根據(jù)其性價(jià)比和目前太陽(yáng)能耐高溫利用技術(shù)領(lǐng)域?qū)嶋H需要所優(yōu)選的。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其第二個(gè)目的的技術(shù)方案是:
一種制備如以上所述耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的方法，以真空磁控濺射鍍膜機(jī)為加工設(shè)備，以清潔金屬/玻璃成型材料基為所述鍍層載體，而所述制備方法依次按照如下步驟連續(xù)進(jìn)行:
a,將金屬成型材料基置入所述鍍膜機(jī)腔體內(nèi)，在氬氣氣氛中，開(kāi)金屬靶，濺射沉積金屬底層，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，金屬靶電流38-40A，濺射電壓350-400V,維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ；
b，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在金屬層上沉積鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-90sCCm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；
c，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在第一防擴(kuò)散層上沉積氮鋁化鈦高填充因子吸收層，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-llQsccm，氮?dú)饬髁?00-140sccm, Ti靶電流40-42A，濺射電壓410-430V, Al革巴電流40-42A，濺射電壓400-410V，維持腔體真空度2.5 X lO'a ；
d，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在氮鋁化鈦高填充因子吸收層上沉積氮鋁化鈦低填充因子吸收層，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?00_140sccm，Ti革巴電流15-18A，濺射電壓380V-400V, Al革巴電流40-42A，濺射電壓360-380V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；
e，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在氮鋁化鈦低填充因子吸收層上沉積鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層，直至所需厚度，其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-90sccm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；
f，采用Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層上沉積氮化鋁減反層，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-100sccm, Al靶電流40-42A，濺射電壓310-330V，維持腔體真空度2.5X lO'a。在上述制備方法的技術(shù)方案中，本發(fā)明還主張，所述每個(gè)步驟的濺射時(shí)間由所需鍍層厚度決定，而其鍍層厚度每IOnm的濺射時(shí)間，控制在0.5^1min范圍內(nèi)。但并不局限于此。因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)整各制備步驟的通氣量，靶電流和濺射電壓等三個(gè)工藝要素或其中任何一個(gè)工藝要素，將都會(huì)直接影響單位時(shí)間內(nèi)的鍍層厚度，這里所給出的是一種典型的控制范圍。上述技術(shù)方案得以全面實(shí)施后，全面有效地實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的初衷。


圖1是本發(fā)明所述鍍層的膜系結(jié)構(gòu)示意圖。圖中所示O為金屬/玻璃成型材料基。
具體實(shí)施方式
以下通過(guò)具體實(shí)施方式
的描述，對(duì)本發(fā)明作再度說(shuō)明。實(shí)施方式之一，如附圖1所示。一種耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，包括以金屬/玻璃成型基材料所作的所述鍍層的載體，而在以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層載體的一側(cè)表面，由內(nèi)到外依次有金屬底層1，鈦-氮化鈦-第一防擴(kuò)散層2，氮鋁化鈦高填充因子吸收層3，氮鋁化鈦低填充因子吸收層4，鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層5和氮化鋁減反射層6。而所述金屬底層I是銅膜層或銀膜層。而所述金屬底層I的厚度在10(Tl50nm范圍內(nèi)；鈦_氮化鈦第一防擴(kuò)散層2的厚度在3(T50nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦高填充因子吸收層3的厚度在5(T80nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦低填充因子吸收層4的厚度在75 120nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層5的厚度在15 30nm范圍內(nèi)；氮化鋁減反射層6的厚度在75 100nm范圍內(nèi)。
具體實(shí)施方式
之二
一種如實(shí)施方式之一所述的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的制備方法，以真空磁控濺射鍍膜機(jī)為加工設(shè)備，以清潔金屬/玻璃成型材料基為所述鍍層載體，而所述制備方法依次按照如下步驟連續(xù)進(jìn)行:
a,將金屬/玻璃成型材料基置入所述鍍膜機(jī)腔體內(nèi)，在氬氣氣氛中，開(kāi)金屬靶，濺射沉積金屬底層I，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110%(:111，金屬靶電流38-4(^，濺射電壓350-400V，維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ；
b，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在金屬底層I上沉積鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層2，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-90SCCM，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；
c，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在第一防擴(kuò)散層2上沉積氮鋁化鈦高填充因子吸收層3，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?00-140sccm, Ti靶電流40-42A，濺射電壓410-430V, Al靶電流40-42A，濺射電壓400-410V，維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ；
d，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在高填充因子吸收層3上沉積氮鋁化鈦低填充因子吸收層4，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110sCCm，氮?dú)饬髁?00-140sccm，Ti靶電流15-18A，濺射電壓380V-400V，Al靶電流40-42A，濺射電壓360-380V,維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ；
e，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在氮鋁化鈦低填充因子吸收層4上沉積鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層5，直至所需厚度，其工藝策略是:氬氣流量90-1 IOsccm,氮?dú)饬髁?0-90sccm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；f，采用Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層5上沉積氮化鋁減反層6，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-100sccm, Al靶電流40-42A，濺射電壓310-330V，維持腔體真空度2.5X lO'a。而所述各步驟的濺射時(shí)間由所需鍍層厚度決定，而其鍍層厚度每IOnm的濺射時(shí)間，控制在0.5 Imin范圍內(nèi)。本發(fā)明所 述金屬成型材料基，是指金屬板材或金屬管材，例如銅箔和銅管，或不銹鋼板材或不銹鋼管材，而所述玻璃成型材料基，是指玻璃板材和玻璃管材等等。本發(fā)明初試結(jié)果顯示，其所述耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，能夠擔(dān)當(dāng)在400°C以上的溫度下長(zhǎng)期連續(xù)工作，經(jīng)去年夏季連續(xù)工作30天的測(cè)試，未發(fā)現(xiàn)鍍層結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定而擴(kuò)散的缺點(diǎn)，其太陽(yáng)光吸收率達(dá)到接近90%，而所述制備方法，則全面體現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單合理，鍍層質(zhì)量好，工藝成本低得顯著優(yōu)點(diǎn)。采用本發(fā)明鍍層膜系結(jié)構(gòu)制成的太陽(yáng)能集熱器集熱管的性能測(cè)試如下:
玻璃管表面鍍層結(jié)構(gòu)為M金屬/T1-TiN/TiAlN(H)/TiAlN(L)/T1-TiN/AlN，以金屬底層作為為紅外反射層，以T1-TiN作為防擴(kuò)散層，以TiAlN(H)- TiAlN(L)為吸收層，最外層以AlN為減反層。內(nèi)管測(cè)試:α上=0.892，α 中=0.899，α 下=0.900
加熱 450°C，真空排氣保溫 3Omin 后測(cè)試:α ±=0.890, α φ =0.892, α τ=0.897 加熱 450°C，保溫 23h 后管測(cè)試:α 上=0.893, α φ =0.899, α τ=0.894 加熱 450°C，保溫 48h 后測(cè)試:α 上=0.891，α φ =0.896, α τ=0.894 加熱 450°C，保溫一周后測(cè)試:α 上=0.890，α φ =0.894，α τ=0.894 其中所述α ±為玻璃管上端20cm處鍍層吸收率； α+為玻璃管中部鍍層吸收率； α τ為玻璃管下端20cm處鍍層吸收率；所述鍍層在450°C環(huán)境下工作一周后，性能未發(fā)生明顯衰退，吸收率下降僅為0.005左右。性能實(shí)測(cè)結(jié)果告·訴人們，本發(fā)明是很成功的。
權(quán)利要求
1.一種耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，包括以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層的載體，其特征在于:在以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層載體的一側(cè)表面，由內(nèi)到外依次有金屬底層(1)，鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層(2)，氮鋁化鈦高填充因子吸收層(3)，氮鋁化鈦低填充因子吸收層(4)，鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層(5)和氮化鋁減反射層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，其特征在于:所述金屬底層(I)是銅膜層或銀膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層，其特征在于:金屬底層(I)的厚度在10(Tl50nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層(2)的厚度在3(T50nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦高填充因子吸收層(3)的厚度在5(T80nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦低填充因子吸收層(4)的厚度在75 120nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層(5)的厚度在15 30nm范圍內(nèi)；氮化鋁減反射層(6)的厚度在75 100nm范圍內(nèi)。
4.一種制備如權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的方法，以真空磁控濺射鍍膜機(jī)為加工設(shè)備，以清潔金屬/玻璃成型材料基為所述鍍層載體，其特征在于，所述制備方法依次按照如下步驟連續(xù)進(jìn)行: a，將金屬/玻璃成型材料基置入所述鍍膜機(jī)腔體內(nèi)，在氬氣氣氛中，開(kāi)金屬靶，濺射沉積金屬底層(I )，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCM，金屬靶電流38-40A，濺射電壓350-400V，維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ； b,采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在金屬底層(I)上沉積鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層(2)，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-90sccm, Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ； c，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在第一防擴(kuò)散層(2)上沉積氮鋁化鈦(3)高填充因子吸收層(3)，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?00-140sccm，Ti靶電流40-42A，濺射電壓410-430V，Al靶電流40-42A，濺射電壓400-410V，維持腔體真空度2.5 X lO'a ； d，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在高填充因子吸收層(3)上沉積氮鋁化鈦低填充因子吸收層(4)，直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110sCCm，氮?dú)饬髁?00-140sccm，Ti靶電流15-18A，濺射電壓380V-400V，Al靶電流40-42A，濺射電壓360-380V，維持腔體真空度2.5 X KT1Pa ； e，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在氮鋁化鈦低填充因子吸收層(4)上沉積鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層(5)，直至所需厚度，其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-90sccm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5 X KT1pa ；f，采用Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層(5)上沉積氮化鋁減反層(6)，直至所需厚度；其工藝策略是:氬氣流量90-110SCCm，氮?dú)饬髁?0-100sccm, Al靶電流40-42A，濺射電壓310-330V，維持腔體真空度2.5X lO'a。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層的制備方法，其特征在于:所述各個(gè)步驟的濺射時(shí)間由所需鍍層厚度決定，而其鍍層厚度每IOnm的濺射時(shí)間，控制在0.5 Imin范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種耐高溫太陽(yáng)能選擇性吸收鍍層及其制備方法，所述鍍層(膜系結(jié)構(gòu))，是在成型基材表面，由內(nèi)至外依次布置有金屬底層(1)、鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層(2)，氮鋁化鈦高填充因子吸收層(3)，氮鋁化鈦低填充因子吸收層(4)，鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層(5)和氮化鋁減反射層(6)，而所述制備方法，是以真空磁控濺射鍍膜機(jī)為加工設(shè)備，以金屬/玻璃成型材料基為載體，按照膜系結(jié)構(gòu)由內(nèi)至外依次分別連續(xù)鍍膜的，具有所述鍍層高溫工作穩(wěn)定，不易擴(kuò)散，其制備方法工藝簡(jiǎn)單，工藝成本低，鍍層質(zhì)量好等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)F24J2/50GK103234293SQ201310151298
公開(kāi)日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月27日
發(fā)明者夏建業(yè), 楊紀(jì)忠, 楊沐暉 申請(qǐng)人:江蘇夏博士節(jié)能工程股份有限公司