一種過渡金屬氮化物吸熱涂層的制作方法
【專利摘要】過渡金屬氮化物吸熱涂層，該過渡金屬氮化物吸熱涂層包括有從基體向外，依次為金屬紅外高反射層、吸收層、減反射層；其中，金屬紅外高反射層由W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、Cr中的任意一種組成，厚度為30-500納米；吸收層由WxAl1-xN構(gòu)成，其中，x＝0.1-0.9；吸收層的厚度為30-300納米；減反射層是Al的氮化物或氧化物組成，包括有AlN或Al2O3；減反射層的厚度為10-300納米；該光譜選擇性吸收涂層還可以包括有粘結(jié)層，該粘結(jié)層位于基底與金屬紅外高反射層之間；還可以包括有擴(kuò)散阻擋層，該擴(kuò)散阻擋層位于金屬紅外高反射層與吸收層之間；還可以包括有防護(hù)層，該防護(hù)層位于減反射層外側(cè)。所制備的涂層吸收率α可達(dá)0.96，發(fā)射率ε≤0.05(82℃)，ε≤0.10(400℃)，ε≤0.13(500℃)。耐溫溫度達(dá)到550℃。
【專利說明】一種過渡金屬氮化物吸熱涂層

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種過渡金屬氮化物吸熱涂層，用于槽式太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)中，也可用于太陽能工業(yè)加熱、太陽能空調(diào)和太陽能海水淡化系統(tǒng)中，屬于太陽能光熱利用【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]槽式真空集熱管的光熱轉(zhuǎn)換效率依賴于光譜選擇性吸收涂層的光學(xué)性質(zhì)和高溫穩(wěn)定性。一般來說，光譜選擇性吸收涂層需要具有高吸收率(> 0.94)和高溫時(shí)的低發(fā)射率(<0.10，400°C)，因?yàn)橥繉拥臒彷椛鋼p失與T4成正比例關(guān)系。涂層在高溫環(huán)境中的穩(wěn)定性也很重要，這決定了涂層的工作溫度。
[0003]金屬陶瓷復(fù)合涂層具有良好的熱穩(wěn)定性，主要應(yīng)用在中高溫領(lǐng)域，是近年來研究熱點(diǎn)之一。金屬陶瓷復(fù)合涂層是把金屬粒子摻入氧化物或氮化物等介質(zhì)基體中，通過金屬的帶間躍遷和小顆粒的共振使涂層對(duì)太陽光譜有很強(qiáng)的吸收作用。多種過渡金屬與陶瓷基體形成的金屬陶瓷復(fù)合涂層(Pt-Al2O3, N1-Al2O3, Mo-Al2O3, W-Al2O3, N1-S12等)均具有良好的光學(xué)性能和真空熱穩(wěn)定性。但這些涂層在空氣中熱穩(wěn)定性較差，這主要是因?yàn)榻饘倭Ｗ釉诳諝猸h(huán)境中的氧化或擴(kuò)散。同時(shí)，在制備過程中，由于氧氣作為反應(yīng)氣體，所形成的復(fù)合涂層一般來說是M-M0-A1203，(M = Pt、N1、Mo、W、Ni等)，影響了涂層的光學(xué)性能。
[0004]過渡金屬氮化物或者氧化物在空氣中具有良好的熱穩(wěn)定性，這是由于過渡金屬的d或f亞層具有未完全配對(duì)的電子，比如W2N, Mo2N等。在這些涂層中弓丨入第三組元Al，形成WAIN、MoAIN，通過控制涂層中Al的含量可以得到金屬態(tài)至非金屬態(tài)的涂層，同時(shí)提高涂層的耐高溫性能。這些涂層是太陽能光譜選擇性吸收涂層的理想吸收層材料。
[0005]中國發(fā)明專利CN8510042涉及一種A1-N/A1選擇性吸收涂層，該涂層可采用單個(gè)技術(shù)Al靶反應(yīng)濺射制備，工藝簡(jiǎn)單、成本低，涂層的吸收率可達(dá)0.93，發(fā)射率0.06 (100C) ο在中低溫太陽能真空集熱管上得到了廣泛應(yīng)用。但該涂層在較高溫度工作時(shí)，涂層中的鋁粒子活性增加，金屬粒子和絕緣介質(zhì)的熱擴(kuò)散作用加強(qiáng)，涂層結(jié)構(gòu)紊亂，涂層性能下降，影響了真空管的集熱效率和壽命。
[0006]中國發(fā)明專利CN96102331.7涉及一種M_A1N(M = SS、W等)光譜選擇性吸收涂層，該涂層采用金屬靶在Ar+N2氣氛下反應(yīng)濺射形成。由于采用了雙直流電源，沉積效率增力口，涂層耐溫性能得到提高。但該涂層只限于真空環(huán)境中工作，在空氣環(huán)境中金屬粒子發(fā)生氧化和擴(kuò)散，導(dǎo)致涂層失效。
[0007]歐洲專利W02012/172505A1涉及一種雙金屬氮化物復(fù)合涂層的光譜選擇性吸收涂層，將具有高溫穩(wěn)定性的WxN或MoxN摻雜在AlNx中作為吸收層，由于金屬氮化物具有良好高溫穩(wěn)定性，使涂層具有高溫?zé)岱€(wěn)定性。該發(fā)明專利中制備工藝復(fù)雜，需要WxN或MoxN與AlNx相互獨(dú)立成相，成本相對(duì)較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提出一種過渡金屬氮化物作為吸收層的太陽光譜選擇性吸收涂層，本發(fā)明之涂層具有光學(xué)性能優(yōu)良、耐高溫能力強(qiáng)等特點(diǎn)，在制備工藝方面易于實(shí)現(xiàn)且調(diào)控簡(jiǎn)單，適用于高溫環(huán)境條件下的太陽能光熱利用中。
[0009]本發(fā)明提出的光譜選擇性吸收涂層從基體向外，依次為金屬紅外高反射層、第一吸收層、第二吸收層、減反射層，其特征在于，所述第一吸收層和第二吸收層分別由成分不同的過渡金屬氮化物W2N中引入第三組元Al形成的WAlN構(gòu)成。為了提高涂層的結(jié)合力和穩(wěn)定性，在基底與金屬紅外高反射層之間增加粘結(jié)層，在金屬紅外高反射層與第一吸收層之間增加擴(kuò)散阻擋層，在減反射層外側(cè)增加防護(hù)層。
[0010]本發(fā)明中的基底材料選取的是不銹鋼、Cu、Al、玻璃和Si中的一種；
[0011]本發(fā)明中的金屬紅外高反射層為純金屬W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、N1、Cr中的任意一種，厚度為30-500納米；
[0012]本發(fā)明中的吸收層由WxAlhN構(gòu)成，其中，x = 0.1-0.9。吸收層為單層結(jié)構(gòu)或是成分漸變的多亞層結(jié)構(gòu)。WxAlhN采用W和Al純金屬靶，在氬氣和氮?dú)鈿夥障鹿矠R射而成，也可采用固定成分的WAl靶，在氬氣和氮?dú)鈿夥障聻R射而成。厚度為30-300納米；
[0013]本發(fā)明中的減反射層主要是Al的氮化物或氧化物，包括AlN或Al2O315該層所采用的靶材為Al純金屬靶，采用直流或中頻磁控濺射的制備方法，或采用AlN或Al2O3陶瓷靶采用射頻濺射的制備方法，厚度為10-300納米；
[0014]本發(fā)明中的粘結(jié)層是W、Mo、T1、Zr、AIN、TiN, ZrN和Al2O3中的任意一種，厚度為1-200納米；
[0015]本發(fā)明中的擴(kuò)散阻擋層是AIN、TiN, TiAlN, A1203、T12中的任意一種，厚度為1-100納米；
[0016]本發(fā)明中的防護(hù)層主要是Si的氮化物、氧化物或氮氧化物，包括Si3N4、S1jPS1N。該層所采用的靶材為Si靶，采用直流或中頻磁控濺射的制備方法，厚度為0-150納米。
[0017]在本發(fā)明的太陽光譜選擇性吸收涂層中，該太陽光譜選擇性吸收涂層的吸收層可以為一層或兩層，為兩層的情況下，是第一吸收亞層、第二吸收亞層；第一吸收亞層、第二吸收亞層均由WxAlhN構(gòu)成，其中，x = 0.1-0.9，只是第一吸收亞層、第二吸收亞層中的X取值不同，即在X = 0.1-0.9中的X取值不同，如，在第一吸收亞層中，X取值為0.6 ;在第二吸收亞層中，X取值為0.2 ;也可以是在第一吸收亞層中，X取值為0.2 ;在第二吸收亞層中，X取值為0.6 ;第一吸收亞層、第二吸收亞層總厚度為30-300納米。
[0018]本發(fā)明針對(duì)不同的膜層材料通過調(diào)整濺射功率、氮-氧-氬的流量以及沉積時(shí)間來控制各膜層厚度和成分。也就是說，吸收涂層通過調(diào)整濺射功率，高純Ar、高純N2和高純O2中的一種或幾種的流量以及沉積時(shí)間來控制各吸收涂層的厚度和成分。
[0019]本發(fā)明的原理是:通過在過渡金屬W2N中引入第三組元Al，形成了 WA1N，不僅提高了涂層的耐高溫性能，同時(shí)通過控制涂層中W和Al的含量，可以精確控制涂層的光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))。通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，得到了從表層至基底折射率逐漸增加的涂層結(jié)構(gòu)，在多層膜逐級(jí)吸收和WAlN涂層的本征吸收雙重作用下，得到了性能優(yōu)良的太陽光譜選擇性吸收涂層。
[0020]本發(fā)明是一種太陽光譜選擇性吸收涂層及其制備方法，其優(yōu)點(diǎn)在于:所制備的涂層吸收率 α 可達(dá) 0.96，發(fā)射率 ε ^0.05(82°C ), ε ^ 0.10(400°C ), ε ^ 0.13(500°C ),耐溫溫度達(dá)到550°C，滿足太陽能高溫利用的要求。該涂層制備工藝簡(jiǎn)單，成本低，采用該方法制作的涂層可以用于空氣和真空環(huán)境中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最簡(jiǎn)單涂層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中O為基底，I為金屬紅外高反射層(W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、N1、Cr中的任意一種),2為吸收層WxAl^xN(x =
0.1-0.9)，3 為減反射層(AlN 或 Al2O3)。
[0022]圖2為增加附屬功能層后的涂層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中O為基底，I為金屬紅外高反射層(W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、N1、Cr中的任意一種)，2-1為第一吸收亞層WxAUU=0.1-0.9)，2-2 為第二吸收亞層 WxAlhN (X = 0.1-0.9)，3 為減反射層(AlN 或 Al2O3)，4 為粘結(jié)層(W、Mo、T1、Zr、AIN、TiN, ZrN和Al2O3中的任意一種)，5為擴(kuò)散阻擋層(AIN、TiN,TiAlN, Al2O3^ T12 中的任意一種)，6 為防護(hù)層(Si3N4、S12 或 S1N)

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0024]本發(fā)明提供一種具有過渡金屬氮化物作為吸收層結(jié)構(gòu)的太陽光譜選擇性吸收涂層，如圖1所示，涂層包括3層膜，從基體向外，依次為金屬紅外高反射層1、吸收層2、減反射層3。為了提高涂層的結(jié)合力和穩(wěn)定性，在基底與金屬紅外高反射層之間可以增加粘結(jié)層，在金屬紅外高反射層與第一吸收層之間可以增加擴(kuò)散阻擋層，在減反射層外側(cè)可以增加防護(hù)層。
[0025]本發(fā)明提供另一種具有過渡金屬氮化物作為吸收層結(jié)構(gòu)的太陽光譜選擇性吸收涂層，如圖2所示，涂層包括從基體O向外，依次為金屬紅外高反射層1、第一吸收亞層2-1、第二吸收亞層2-2、減反射層3。為了提高涂層的結(jié)合力和穩(wěn)定性，在基底O與金屬紅外高反射層I之間增加粘結(jié)層4，在金屬紅外高反射層I與第一吸收層2-1之間增加擴(kuò)散阻擋層5，在減反射層3外側(cè)增加防護(hù)層6。
[0026]金屬紅外高反射層由W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、N1、Cr中的任意一種組成,金屬紅外高反射層的厚度為30-500納米；吸收層由WxAlhN構(gòu)成，其中，x = 0.1-0.9 ;WxAlhN采用W和Al純金屬靶，在氬氣和氮?dú)鈿夥障鹿矠R射而成；也可采用固定成分的WAl靶，在氬氣和氮?dú)鈿夥障聻R射而成，吸收層的厚度為30-300納米；減反射層是Al的氮化物或氧化物組成，包括有AlN或Al2O3 ;該層所采用的靶材為Al純金屬靶，采用直流或中頻磁控濺射的制備方法，減反射層的厚度為10-300納米；該太陽光譜選擇性吸收涂層還包括有粘結(jié)層，該粘結(jié)層位于基底與金屬紅外高反射層之間，粘結(jié)層由W、Mo、T1、Zr、AlN、TiN、ZrN和Al2O3中的任意一種組成，位于基底表面，粘結(jié)層的厚度為1-200納米；該太陽光譜選擇性吸收涂層還包括有擴(kuò)散阻擋層，該擴(kuò)散阻擋層位于金屬紅外高反射層與吸收層之間；擴(kuò)散阻擋層由AIN、TiN, TiAlN, A1203、T12中的任意一種組成，擴(kuò)散阻擋層的厚度為1_100納米；該太陽光譜選擇性吸收涂層還包括有防護(hù)層，該防護(hù)層位于減反射層外側(cè)，防護(hù)層是Si的氮化物、氧化物或氮氧化物組成，包括有Si3N4、Si02或S1N，該層所采用的靶材為Si靶，采用直流或中頻磁控濺射的制備方法，防護(hù)層的厚度為0-150納米。
[0027]實(shí)施例1
[0028]以WziWa5Ala 5N/A1N光譜選擇性吸收涂層為例。制備步驟如下:
[0029]步驟一:制備金屬紅外高反射層；采用金屬W靶(純度為99.99% )直流磁控濺射方法，將真空室預(yù)抽真空至5.0X 10_3Pa，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm,調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pat5開啟W靶，功率為20KW，濺射12min，制備200nm的W膜。
[0030]步驟二:制備吸收層；選用純度為99.99%的W靶和純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為lOOsccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 XlO^1Pa0開啟W靶和Al靶電源，W靶功率為20KW，A1靶功率為18KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制Al靶濺射電壓為380?400V，利用中頻-直流共濺射方式沉積20min，制備120nm的Wa5Ala5N膜；
[0031]步驟三:制備減反射層；選用純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180SCCm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為50sCCm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pa15開啟Al靶，功率為15KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制濺射電壓為380?400V，利用中頻磁控濺射沉積25min，制備60nm的AlN膜；
[0032]所制備的涂層吸收率可達(dá)0.90，發(fā)射率ε ^ 0.05(82°C ), ε ^ 0.09(400°C ),ε ( 0.12 (500°C )。耐溫溫度達(dá)到 500°C。
[0033]實(shí)施例2
[0034]以WZiWa6Ala4N/Wa2Ala8N/AlN光譜選擇性吸收涂層為例。制備步驟如下:
[0035]步驟一:制備金屬紅外高反射層；采用金屬W靶(純度為99.99% )直流磁控濺射方法，將真空室預(yù)抽真空至5.0X 10_3Pa，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm,調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pat5開啟W靶，功率為20KW，濺射12min，制備200nm的W膜。
[0036]步驟二:制備第一吸收層；選用純度為99.99%的W靶和純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為80sccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.SXK^Pa。開啟W靶和Al靶電源，W靶功率為20KW，A1靶功率為15KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制Al靶濺射電壓為380?400V，利用中頻-直流共濺射沉積15min，制備90nm的Wa6Ala4N膜；
[0037]步驟三:制備第二吸收層；選用純度為99.99%的W靶和純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為60sccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.SXK^Pa。開啟W靶和Al靶電源，W靶功率為10KW，A1靶功率為20KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制Al靶濺射電壓為360?390V，利用中頻-直流共濺射沉積13min，制備40nm的Wa2Ala8N膜；
[0038]步驟四:制備減反射層；選用純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180SCCm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為50sCCm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pa15開啟Al靶，功率為15KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制濺射電壓為380?400V，利用中頻磁控濺射沉積25min，制備60nm的AlN膜；
[0039]所制備的涂層吸收率可達(dá)0.95，發(fā)射率ε ^ 0.05(82°C ), ε ^ 0.10(400°C ),ε ( 0.13 (500°C )。耐溫溫度達(dá)到 500°C。
[0040]實(shí)施例3
[0041]以Al^/W/AlN/WwAU/WwAU/AlN/Si^光譜選擇性吸收涂層為例。制備步驟如下:
[0042]步驟一:在不銹鋼基底上制備粘結(jié)層；選用純度為99.99%的Al靶，濺射前將真空室預(yù)抽真空至5 X 10?,通入純度為99.999 %的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的O2作為反應(yīng)氣體，流量為20sccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.SXK^Pa。開啟Al靶，功率為15KW。通過陰極電壓控制系統(tǒng)控制濺射電壓為400?420V，利用中頻磁控濺射方式沉積35min,制備10nm的Al2O3膜；
[0043]步驟二:在粘結(jié)層上制備金屬紅外高反射層；采用金屬W靶(純度為99.99% )直流磁控濺射方法，通入純度為99.999 %的Ar作為濺射氣體，流量為180sCCm，調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pat5開啟W靶，功率為20KW,濺射12min,制備200nm的W膜。
[0044]步驟三:在金屬紅外高反射層上制備擴(kuò)散阻擋層；選用純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為60SCCm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X 1-1Pa15開啟Al靶，功率為8KW。通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制濺射電壓為380?400V，利用中頻磁控濺射方式沉積lOmin，制備1nm的AlN膜；
[0045]步驟四:在擴(kuò)散阻擋層上制備第一吸收層；選用純度為99.99%的W靶和純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999 %的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的隊(duì)作為反應(yīng)氣體，流量為80sccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X K^Pa。開啟W靶和Al靶電源，W靶功率為20KW，A1靶功率為15KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制Al靶濺射電壓為380?400V，利用中頻-直流共濺射沉積15min，制備90nm的Wa6Ala4N膜；
[0046]步驟五:制備第二吸收層；選用純度為99.99%的W靶和純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180sccm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為60sccm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.SXK^Pa。開啟W靶和Al靶電源，W靶功率為10KW，A1靶功率為20KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制Al靶濺射電壓為360?390V，利用中頻-直流共濺射沉積13min，制備40nm的Wa2Ala8N膜；
[0047]步驟六:制備減反射層；選用純度為99.99%的Al靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180SCCm，通入純度為99.999%的N2作為反應(yīng)氣體，流量為50sCCm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5 X KT1Pa15開啟Al靶，功率為15KW，通過陰極電壓監(jiān)控系統(tǒng)控制濺射電壓為380?400V，利用中頻磁控濺射沉積20min，制備50nm的AlN膜；
[0048]步驟七:制備防護(hù)層；選用純度為99.99%的Si靶，通入純度為99.999%的Ar作為濺射氣體，流量為180SCCm，通入純度為99.999 %的N2作為反應(yīng)氣體，流量為70sCCm。調(diào)節(jié)濺射氣壓為4.5X liTPa。開啟Si靶電源，功率為12KW，利用直流磁控濺射方式沉積2Omin,制備 2Onm 的 Si3N4 膜；
[0049]所制備的涂層吸收率可達(dá)0.96，發(fā)射率ε ^ 0.05(82°C ), ε ^ 0.10(400°C ),ε ( 0.13 (500 °C )。耐溫溫度達(dá)到 550 0C ο
[0050]上述實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而不是限制本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，該過渡金屬氮化物吸熱涂層包括有從基體向外，依次為金屬紅外高反射層、吸收層、減反射層的功能層，其中，吸收層和減反射層為單層結(jié)構(gòu)，或?yàn)槎鄟唽咏Y(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，金屬紅外高反射層由W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、N1、Cr中的任意一種組成，厚度為30-500納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，吸收層由WxAlhN構(gòu)成，其中，X = 0.1-0.9 ;吸收層的厚度為30-300納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，減反射層是Al的氮化物或氧化物組成，包括有AlN或Al2O3 ;減反射層的厚度為10-300納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，該過渡金屬氮化物吸熱涂層還包括有粘結(jié)層，該粘結(jié)層位于基底與金屬紅外高反射層之間，粘結(jié)層由W、Mo、T1、Zr、AlN、TiN、ZrN和Al2O3中的任意一種組成，粘結(jié)層的厚度為1-200納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，該過渡金屬氮化物吸熱涂層還包括有擴(kuò)散阻擋層，該擴(kuò)散阻擋層位于金屬紅外高反射層與吸收層之間；擴(kuò)散阻擋層由AlN、TiN、TiAlN、Al203、Ti02中的任意一種組成，擴(kuò)散阻擋層的厚度為1_100納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，該過渡金屬氮化物吸熱涂層還包括有防護(hù)層，該防護(hù)層位于減反射層外側(cè)，防護(hù)層是Si的氮化物、氧化物或氮氧化物組成，包括有Si3N4、S12或S1N，防護(hù)層的厚度為0-150納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡金屬氮化物吸熱涂層，其特征在于，該過渡金屬氮化物吸熱涂層的吸收層為兩層，即第一吸收亞層、第二吸收亞層；第一吸收亞層、第二吸收亞層均由WxAlhN構(gòu)成，其中，X = 0.1-0.9，只是第一吸收亞層、第二吸收亞層中的X取值不同；第一吸收亞層、第二吸收亞層總厚度為30-300納米。
【文檔編號(hào)】F24J2/48GK104279780SQ201310278647
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月4日
【發(fā)明者】杜淼, 郝雷, 于慶河, 王笑靜, 余航, 蔣利軍, 劉曉鵬 申請(qǐng)人:北京有色金屬研究總院