微波加熱裝置及微波加熱方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少因熱量造成的損傷并同時加熱所期望的被處理物的微波加熱裝置及微波加熱方法。本發(fā)明所涉及的微波加熱裝置的特征在于，具備：用于保持被處理物的滾筒；向所述滾筒內(nèi)照射微波的微波照射裝置；使所述滾筒旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)裝置；設(shè)置在所述滾筒內(nèi)的攪拌片；對所述滾筒進行冷卻的冷卻裝置。
【專利說明】微波加熱裝置及微波加熱方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及微波加熱裝置及微波加熱方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 微波加熱技術(shù)作為加熱食品的技術(shù)而不斷發(fā)展。微波加熱與借助紅外線、熱風(fēng)等 進行的通常的加熱相比，具有如下等特征：
[0003] 能夠選擇性地加熱容易吸收微波的材料；
[0004] 加熱效率高，加熱時間短。
[0005] 目前，由于具有上述這樣的特征，微波加熱技術(shù)在工業(yè)上被應(yīng)用于木材等的干燥、 殺菌、陶瓷等的燒結(jié)、高分子材料的合成等廣泛的領(lǐng)域。其中，使用用在廢棄物的焚燒處理 中的例子來對微波加熱裝置進行說明（例如參照專利文獻1)。
[0006] 圖5是表示專利文獻1所記載的微波加熱裝置的結(jié)構(gòu)的說明圖。在外殼2內(nèi)設(shè)有 能夠旋轉(zhuǎn)的滾筒體10和支承輥11。在滾筒體10的內(nèi)側(cè)設(shè)置有多片攪拌葉片19,來對投入 到滾筒體10內(nèi)的廢棄物40進行攪拌。在外殼2的下部連接有吸氣機構(gòu)31，在外殼2的上 部連接有廢氣凈化機構(gòu)35。從磁控管21放射出的微波照射到滾筒體10內(nèi)的廢棄物40上。 由此能夠加熱廢棄物40。
[0007] 【專利文獻1】日本特開2004-183989號公報
[0008] 然而，在被處理物為難以吸收微波的材料和容易吸收微波的材料的混合物時，期 望在不對難以吸收微波的材料造成熱損傷的情況下僅使容易吸收微波的材料燃燒。
[0009] 然而，在以往的裝置中，存在如下課題：來自容易吸收微波的材料的熱量通過熱傳 導(dǎo)向難以吸收微波的材料傳導(dǎo)，而對難以吸收微波的材料造成熱損傷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明用于解決上述課題，其目的在于提供一種減少對難以吸收微波的材料的熱 損傷的微波加熱裝置及微波加熱方法。
[0011] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的微波加熱裝置的特征在于，具備：用于保持被處理物 的滾筒；向所述滾筒內(nèi)照射微波的微波照射裝置；使所述滾筒旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)裝置；設(shè)置在所 述滾筒內(nèi)的攪拌片；對所述滾筒進行冷卻的冷卻裝置。
[0012] 此外，本發(fā)明的微波加熱方法通過向在滾筒內(nèi)攪拌中的被處理物照射微波來加熱 所述被處理物，其特征在于，在照射微波的同時冷卻所述滾筒。
[0013] 【發(fā)明效果】
[0014] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制被處理物的溫度上升，減少在被處理物中產(chǎn)生熱 損傷的現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是表示硅再利用系統(tǒng)的工序圖。
[0016] 圖2是實施方式1所涉及的微波加熱裝置的剖面示意圖。
[0017] 圖3是實施方式1所涉及的微波加熱裝置的滾筒示意圖。
[0018] 圖4是實施方式1的其它示例所涉及的微波加熱裝置的剖視圖。
[0019] 圖5是表示專利文獻1所記載的微波加熱裝置的結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0020] 【符號說明】
[0021] 100、101微波加熱裝置
[0022] 300微波產(chǎn)生器
[0023] 310調(diào)諧器
[0024] 32〇導(dǎo)波管
[0025] 330金屬腔室
[0026] 340旋轉(zhuǎn)機構(gòu)
[0027] 350 滾筒
[0028] 360 硅泥
[0029] 370攪拌片
[0030] 380冷卻裝置
[0031] 390水冷管
[0032] 391 空冷機構(gòu)
[0033] 400 吸氣口
[0034] 410 排氣口
[0035] 420溫度計
[0036] 430控制部

【具體實施方式】
[0037] 以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0038] (實施方式1)
[0039] 作為太陽能電池用硅晶片的制造工序的副產(chǎn)物，生成硅、水和碳的混合物即硅泥。 硅是難以吸收微波的材料，水和碳是容易吸收微波的材料。因此，如果能夠在不對硅泥中的 硅造成熱損傷的情況下實現(xiàn)水分的除去和碳的選擇性燃燒，那么能夠獲得高品質(zhì)的再利用 硅。
[0040] 在對硅泥照射了微波的情況下，難以吸收微波的硅雖然不容易因微波本身而被加 熱，但由于來自容易吸收微波的水、碳的熱傳導(dǎo)，硅的溫度有時會上升。與此相對地，本實施 方式所涉及的微波加熱裝置能夠在抑制對難以吸收微波的材料的熱損傷的同時選擇性地 僅加熱容易吸收微波的材料。因此，本微波加熱裝置對于從硅泥中獲得再利用硅是有用的。 以下，使用適用于從硅泥中獲得再利用硅的工序的示例來對本微波加熱裝置進行說明。
[0041] 首先，使用圖1對太陽能電池用硅的晶片制造工序進行說明。最初，在硅材料準(zhǔn)備 工序（S110)中準(zhǔn)備雜質(zhì)少的初始硅，接下來，在硅錠制成工序（S120)中制成硅錠。硅錠通 過切克勞斯基（CZ)法等制成。在硅錠加工、粘接工序（S130)中對制成的硅錠進行加工，將 該硅錠粘接固定于梁構(gòu)件。在切片加工工序（S140)中使用線鋸對粘接固定在梁構(gòu)件上的 硅錠進行切片加工。然后，經(jīng)由晶片清洗工序（S150)而制造出太陽能電池用硅晶片。
[0042] 接下來，說明硅再利用工序（S200)。硅再利用工序（S200)是指，將在切片加工工 序（S140)中作為副產(chǎn)物生成的硅泥通過分離、回收工序（S210)分離、回收，并經(jīng)由碳、水分 除去工序（S220)、熔融、凝固工序（S230)制成再利用硅，然后返回硅錠制成工序（S120)的 一系列的工序。
[0043] 在切片加工工序（S140)中，對硅錠進行加工時產(chǎn)生的硅的切屑與粘接有硅錠的 梁構(gòu)件材料、含有冷卻液（有機系）的水混合而作為硅泥大量地排出。在分離、回收工序 (S210)中利用例如壓濾機對該硅泥進行固態(tài)成分和液體成分的分離、回收。分離后的硅泥 的固態(tài)成分作為粉狀的硅泥被回收。在該粉狀的硅泥中含有殘留冷卻液成分的有機碳成 分、作為梁構(gòu)件的材料的石墨、作為金剛石線鋸的磨粒等殘留物的無機碳成分。所含有的有 機的碳成分、無機的碳成分為粉狀的硅泥整體的7at%左右。粉狀的硅泥的水分含有率為整 體的50%?60%左右。
[0044] 將回收后的粉狀的硅泥作為被處理物導(dǎo)入本實施方式所涉及的微波加熱裝置，進 行幾分鐘至幾十分鐘左右的加熱處理來實施碳、水分除去工序（S220)。通過在該工序中抑 制硅的氧化并同時除去碳成分和水分，從而能夠獲得純度高且熱損傷低的再利用硅。
[0045] 在此，使用圖2對本實施方式所涉及的微波加熱裝置100的詳細情況進行說明。
[0046] 微波加熱裝置100具備微波產(chǎn)生器300、調(diào)諧器310、導(dǎo)波管320、金屬腔室330、用 于保持被處理物（硅泥360)的滾筒350、作為滾筒350的旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)340、用于攪 拌硅泥360的攪拌片370、具有對滾筒350進行冷卻的水冷管390的冷卻裝置380。此外， 微波加熱裝置100具備將空氣或氣體取入金屬腔室330的吸氣口 400、進行排氣的排氣口 410、計測溫度的溫度計420。
[0047] 金屬腔室330以中心軸從水平方向傾斜30°的方式設(shè)置，從而容易攪拌被處理 物。在金屬腔室330的內(nèi)部設(shè)置有在旋轉(zhuǎn)機構(gòu)340的作用下向紙面進深方向旋轉(zhuǎn)且由耐熱 性的金屬制成的滾筒350。
[0048] 由微波產(chǎn)生器300產(chǎn)生的微波通過導(dǎo)波管320而向保持在滾筒350內(nèi)的硅泥360 照射。在此，作為微波照射裝置的一例，舉出組合微波產(chǎn)生器300、調(diào)諧器310、導(dǎo)波管320 而成的裝置。
[0049] 在金屬腔室330的下表面設(shè)置有從大氣導(dǎo)入空氣的吸氣口 400。在金屬腔室330 的上表面設(shè)置有將在加熱硅泥360時產(chǎn)生的水蒸氣或碳燃燒時產(chǎn)生的氣體排出的排氣口 410。通過吸氣口 400和排氣口 410能夠進行吸氣量、排出量的流量調(diào)整。
[0050] 在此，對滾筒350的詳細情況進行說明。圖3(a)是從橫向觀察滾筒350時的剖面 示意圖，（b)是將滾筒350的開口放大后的示意圖。在滾筒350的內(nèi)側(cè)面與滾筒350的旋 轉(zhuǎn)軸平行地設(shè)置有攪拌片370,成為通過旋轉(zhuǎn)滾筒350而能夠攪拌被處理物的結(jié)構(gòu)。攪拌 片370由具有耐熱性的金屬構(gòu)成，作為一例可舉出不銹鋼的板。在此，示出了如下狀態(tài)：攪 拌片370的深度（進深）為滾筒350的深度的約3 / 4倍，攪拌片370的高度（從滾筒350 的內(nèi)側(cè)面起的高度）為滾筒350的直徑的約1 / 8倍，且攪拌片370在滾筒350的內(nèi)側(cè)面 以位于十字方向的方式設(shè)有4片。該配置能夠減小不向被處理物照射微波的遮蔽部分，因 此對于進行均勻的處理是有用的。由于金屬制的攪拌片370遮擋微波，容易產(chǎn)生遮蔽部分， 因此作為上述這樣的配置能盡可能地減小遮蔽部分。
[0051] 通過該攪拌片370能夠高效地攪拌被處理物，即使是粒徑不同的粉狀物為被處理 物，也不僅能在滾筒350的旋轉(zhuǎn)方向（圖中的進深方向）進行攪拌，還能在開口和里部方向 (圖中的左右方向）進行攪拌。
[0052] 需要說明的是，優(yōu)選攪拌片370由石英這樣的具有耐熱性且透射微波的材料構(gòu) 成。這是因為，若由透射微波的材料構(gòu)成攪拌片370,則不會形成不向被處理物照射微波的 遮蔽部分，能夠提高處理效率。
[0053] 此外，在滾筒350的內(nèi)側(cè)壁、攪拌片370的內(nèi)側(cè)設(shè)有由金屬覆蓋的水冷管390 (水 冷機構(gòu)）。即，冷卻裝置380 (圖2)具有用冷卻液來冷卻攪拌片370的水冷機構(gòu)。通過使冷 卻液在水冷管390中流動，從而能夠冷卻滾筒350的內(nèi)側(cè)和攪拌片370。由此，能夠有效地 冷卻溫度最高的滾筒350的中央附近，提高被處理物的冷卻效率。進而，由于攪拌片370與 被處理物接觸的機會較多，因此能夠更高效地冷卻被處理物。需要說明的是，作為冷卻液可 以適用水或油脂等。
[0054] 在本實施方式中，為了抑制圖2的硅泥360的微波加熱時的異常放電、局部加熱， 通過解碎機將娃泥360加工成5mm以下的粒狀物。將幾 kg的該娃泥360導(dǎo)入滾筒350,通 過旋轉(zhuǎn)機構(gòu)340使?jié)L筒350以3?20rpm進行旋轉(zhuǎn)。
[0055] 在微波加熱裝置100中具備控制部430?？刂撇?30為計算機。控制部430進行 旋轉(zhuǎn)機構(gòu)340的驅(qū)動控制。進而，控制部430以在微波照射時也對滾筒350進行冷卻的方 式控制冷卻裝置380。并且，控制部430與微波產(chǎn)生器300、（放射）溫度計420連接，以使 處理中的娃泥360的表面溫度成為600°C以下的方式控制冷卻裝置380和微波產(chǎn)生器300。 硅泥360的表面溫度由溫度計420測定。該表面溫度與硅泥360借助微波加熱而最大程度 升溫的部分（中心部分）的溫度不同。在最大程度升溫的部分的溫度上升至900°C左右時， 硅的氧化反應(yīng)加劇，不適于硅再利用。實驗的結(jié)果是，發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，若將表面溫度保持在 600°C以下，則能夠抑制硅泥360中的硅的氧化。
[0056] 在此，對圖1的碳、水分除去工序（S220)進行詳細說明。
[0057] 在碳、水分除去工序（S220)中，在進行圖2的滾筒350內(nèi)部的冷卻的同時向硅泥 360照射例如3?9kW左右的微波。于是，硅泥360中的有機的碳成分、無機的碳成分、水分 吸收微波而被加熱，首先，產(chǎn)生水蒸氣，且產(chǎn)生的水蒸氣從排氣口 410向金屬腔室330外排 出。然后，成為更高溫的有機的碳成分、無機的碳成分蒸發(fā)或與大氣中的氧發(fā)生燃燒反應(yīng)， 產(chǎn)生有機系氣體或C0 2。產(chǎn)生的有機系氣體或C02也從排氣口 410排出。如此，通過持續(xù)照 射微波，使硅泥360中的水分濃度、碳濃度降低。通過進行幾分鐘的微波的照射，從而能夠 使硅泥360中的水分濃度降低至例如1.5%以下，且能夠使碳濃度降低至例如0. lat%左 右。
[0058] 本來，由于硅粉是難以吸收微波的材料，因而難以通過微波直接加熱，但由于來自 高溫的碳的熱傳導(dǎo)，而可能使硅的溫度上升。在對硅施加熱量時，存在變質(zhì)（因氧化引起的 氧濃度上升）和損傷蓄積而使再利用硅的品質(zhì)降低的情況。因此，在本實施方式中，為了防 止硅的溫度上升，在對滾筒350的內(nèi)側(cè)和攪拌片370進行冷卻的同時，將硅泥360中的水 分、碳燃燒除去。由此，能夠抑制硅的溫度上升，能夠減少硅的變質(zhì)和熱損傷。
[0059] 需要說明的是，優(yōu)選構(gòu)成為滾筒350的外側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)低于內(nèi)側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)。更 詳細而言，優(yōu)選采用在滾筒350的內(nèi)側(cè)使用耐熱性高且導(dǎo)熱系數(shù)高的材料（例如，不銹鋼等 金屬材料，或者導(dǎo)熱系數(shù)為15W · πΓ1 · Γ1以上且500W · πΓ1 · Γ1以下的材料）、在外側(cè)使用 難以吸收微波且導(dǎo)熱系數(shù)低的材料（例如石英、氧化鋯、耐熱板等）這樣的雙層結(jié)構(gòu)。特別 是，優(yōu)選滾筒350的內(nèi)側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)為外側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)的2倍以上且100倍以下。通過使 滾筒350的內(nèi)側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)為外側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)的2倍以上，從而還能夠抑制包圍滾筒350 的金屬腔室330的溫度上升。若溫度上升，則金屬可能會變得容易吸收微波，但通過抑制金 屬腔室330的溫度上升，由此能夠減小被金屬腔室330吸收的微波的能量。此外，由于在滾 筒350的內(nèi)側(cè)和外側(cè)使用不同的材料，因此在它們之間（滾筒350的側(cè)面）埋入水冷管390 的加工也變得容易，能夠容易地制成滾筒350。通過將冷卻裝置380埋入滾筒350的側(cè)面， 能夠高效地實施冷卻。
[0060] 此外，微波加熱處理也可以在減壓下實施。進而，也可以向金屬腔室330內(nèi)供給氧 氣與不活潑氣體（氮氣、氬氣等）的混合氣體、或者氫氣與不活潑氣體的混合氣體等。由此， 能夠抑制硅的氧化。
[0061] 需要說明的是，本微波加熱裝置也可以適用于在藍寶石基板、氮化鎵（GaN)基板、 砷化鎵（GaAs)基板等基板制作時產(chǎn)生的泥漿。在這些泥漿中也包含容易吸收微波的材料 和難以吸收微波的材料，本微波加熱裝置能夠在不對難以吸收微波的材料造成熱損傷的同 時執(zhí)行微波加熱處理。
[0062] 需要說明的是，容易吸收微波的材料（第一物質(zhì)）表示極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角 (Tan δ )為〇. 〇1以上的物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為ΚΓ2以上且1〇4以下的物質(zhì)中的任一種物質(zhì)。而 且，難以吸收微波的材料（第二物質(zhì)）表示與極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角Tan δ為〇. 〇1以上的 物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為1〇_2以上且1〇4以下的物質(zhì)中的任一種均不同的物質(zhì)。包含上述任一種 的第一物質(zhì)和第二物質(zhì)這兩方的被處理物適于通過本實施方式所涉及的微波加熱裝置100 進行處理。這種情況下，能夠在不對第二物質(zhì)造成熱損傷的情況下加熱第一物質(zhì)。
[0063] 在此，使用圖4對本實施方式的其它示例所涉及的微波加熱裝置101進行說明。在 圖4中，與圖2相同的構(gòu)成要素使用同一符號而省略說明。與圖2的不同點在于，冷卻裝置 380具有向滾筒350噴射冷卻氣體的空冷機構(gòu)391。空冷機構(gòu)391形成為通過從吸氣口 400 導(dǎo)入冷卻后的冷卻氣體并將其噴到滾筒350的外側(cè)面，由此對微波照射中的滾筒350進行 冷卻的結(jié)構(gòu)。需要說明的是，有時也將在圖2中說明的用冷卻液來冷卻滾筒350的機構(gòu)即 水冷管390記載為水冷機構(gòu)。冷卻氣體使用空氣、不活潑氣體、促進碳的燃燒的氧氣、或者 它們的混合氣體。
[0064] 就水冷機構(gòu)而言，冷卻效率高，并且能夠精確地進行溫度控制，因此適用于使想要 加熱的材料成為高溫（600°C以上）的情況、或不想極力地升高材料的溫度的情況等。然而， 為了在滾筒350中設(shè)置水冷機構(gòu)，使得結(jié)構(gòu)復(fù)雜化因而制造成本升高。另一方面，就空冷機 構(gòu)391而言，雖然與水冷機構(gòu)相比冷卻效率下降，但能夠簡化滾筒350的結(jié)構(gòu)，還能夠?qū)⒅?造成本抑制得低。因此，空冷機構(gòu)391適用于想要在600°C以下比較低的溫度中處理物質(zhì)的 情況。
[0065] 但是，優(yōu)選將水冷機構(gòu)與空冷機構(gòu)391組合配置。即，優(yōu)選冷卻裝置380除了具有 水冷機構(gòu)（水冷管390)以外還具有空冷機構(gòu)391。由此，能夠提高冷卻效率，因此能夠極力 抑制難以吸收微波的材料的溫度上升。此外，由于還能夠降低金屬腔室330整體的溫度，因 此還能夠減少被金屬腔室330吸收的微波，能高效地加熱被處理物。
[0066] 進而，通過利用控制部430對冷卻裝置380所具備的兩系統(tǒng)（水冷機構(gòu)和空冷機 構(gòu)391)冷卻機構(gòu)進行控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)快速冷卻。具體而言，在使來自微波產(chǎn)生器300的 微波照射硅泥360的同時使水冷機構(gòu)或空冷機構(gòu)391中的任一方進行冷卻。這種情況下， 控制部430以使硅泥360的表面溫度成為600°C以下的方式控制微波產(chǎn)生器300和冷卻裝 置380。在硅泥360中的水分完全蒸發(fā)之前的期間，由于水分的蒸發(fā)奪取熱量，因此幾乎不 存在硅泥360的溫度上升，容易保持在600°C以下。但是，在水分完全蒸發(fā)后的階段，硅泥 360的溫度急劇上升。此時，僅通過水冷機構(gòu)或空冷機構(gòu)391中一系統(tǒng)的冷卻無法應(yīng)對急劇 的溫度上升，存在硅泥360中的溫度上升的危險性。因此，在硅泥360的溫度急劇上升的同 時，以并用水冷機構(gòu)和空冷機構(gòu)391來實施快速冷卻的方式進行控制。通過并用兩者來進 行快速冷卻，從而在發(fā)生了急劇的溫度變化的情況下，也能夠?qū)⒈惶幚砦锏臏囟染S持為期 望的溫度。這種情況下，控制部430在滾筒350內(nèi)的溫度（硅泥360的溫度）成為預(yù)先設(shè) 定的溫度時使水冷機構(gòu)（水冷管390)和空冷機構(gòu)391這兩方進行冷卻。就預(yù)先設(shè)定的溫 度而言，在被處理物為硅泥的情況下例如為500度，且被預(yù)先存儲在控制部430中。
[0067] 【工業(yè)實用性】
[0068] 本發(fā)明可以利用于太陽能電池或半導(dǎo)體等的材料再利用工序、功能性材料或高分 子材料的合成等各種工業(yè)領(lǐng)域的熱處理工序中。
【權(quán)利要求】
1. 一種微波加熱裝置，其特征在于，具備： 用于保持被處理物的滾筒； 向所述滾筒內(nèi)照射微波的微波照射裝置； 使所述滾筒旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)裝置； 設(shè)置在所述滾筒內(nèi)的攪拌片； 對所述滾筒進行冷卻的冷卻裝置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述冷卻裝置具有用冷卻液來冷卻所述滾筒的水冷機構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述水冷機構(gòu)埋入到所述滾筒的側(cè)面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述水冷機構(gòu)以供所述冷卻液通過的管設(shè)于所述攪拌片的方式構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述冷卻裝置還具有向所述滾筒噴射冷卻氣體的空冷機構(gòu)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波加熱裝置，其特征在于，具備： 溫度計，其對所述滾筒內(nèi)的溫度進行測定； 控制部，其在使所述微波照射裝置照射微波的同時使所述水冷機構(gòu)或所述空冷機構(gòu)中 的任一方進行冷卻，當(dāng)所述滾筒內(nèi)的溫度成為預(yù)先設(shè)定的溫度時使所述水冷機構(gòu)和所述空 冷機構(gòu)這兩方進行冷卻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述滾筒以外側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)低于內(nèi)側(cè)的導(dǎo)熱系數(shù)的方式構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其特征在于， 具備在使所述微波照射裝置照射微波的同時使所述冷卻裝置進行冷卻的控制部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述攪拌片由透射微波的材料構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的微波加熱裝置，其特征在于， 所述被處理物包含第一物質(zhì)和第二物質(zhì)， 所述第一物質(zhì)是極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角Tan δ為〇. 〇1以上的物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為ΚΓ2 以上且104以下的物質(zhì)中的任一種， 所述第二物質(zhì)與極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角Tan δ為〇. 〇1以上的物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為ΚΓ2 以上且104以下的物質(zhì)中的任一種均不同。
11. 一種微波加熱方法，向在滾筒內(nèi)攪拌中的被處理物照射微波來加熱所述被處理物， 其特征在于， 在照射微波的同時冷卻所述滾筒。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的微波加熱方法，其特征在于， 所述滾筒的冷卻通過冷卻設(shè)置于所述滾筒上的攪拌片來進行。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的微波加熱方法，其特征在于， 所述滾筒的冷卻使用冷卻液來進行。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的微波加熱方法，其特征在于， 所述滾筒的冷卻還使用冷卻氣體來進行。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的微波加熱方法，其特征在于， 所述滾筒的冷卻在照射微波的同時使用所述冷卻液或所述冷卻氣體中的任一種來進 行，當(dāng)所述滾筒內(nèi)的溫度成為預(yù)先設(shè)定的溫度時使用所述冷卻液和所述冷卻氣體這兩方來 進行。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項所述的微波加熱方法，其特征在于， 所述被處理物包含第一物質(zhì)和第二物質(zhì)， 所述第一物質(zhì)是極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角Tan δ為〇. 〇1以上的物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為ΚΓ2 以上且104以下的物質(zhì)中的任一種， 所述第二物質(zhì)與極性物質(zhì)、介質(zhì)損耗角Tan δ為〇. 〇1以上的物質(zhì)、或者導(dǎo)電率為ΚΓ2 以上且104以下的物質(zhì)中的任一種均不同。
【文檔編號】F24C7/02GK104105239SQ201410100661
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月9日
【發(fā)明者】永井久雄, 山西齊, 谷本憲司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社