陶瓷電子元件的承燒治具的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陶瓷電子元件的承燒治具，其包括框架和承燒盤，所述框架包括外框架和底盤。所述底盤開設(shè)多個(gè)開窗，所述外框架圍繞所述底盤設(shè)置并形成收納空間。所述承燒盤設(shè)置在所述底盤的上方并位于收納空間內(nèi)，所述承燒盤上開設(shè)多個(gè)鏤空區(qū)域。陶瓷電子元件的承燒治具在陶瓷電子元件進(jìn)行燒制過程當(dāng)中，底盤上的開窗、承燒盤上的鏤空區(qū)域可以提高承燒裝置對(duì)承燒盤上的電子元件的傳熱速率，減小各個(gè)電子元件之間、每個(gè)電子元件內(nèi)部的溫度梯度。滿足陶瓷電子元件的快速燒成的條件，縮短燒成時(shí)間，使得陶瓷電子元件的燒成一致性好，具有良好的電氣性能。
【專利說明】陶瓷電子元件的承燒治具

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子元件領(lǐng)域，特別涉及一種陶瓷電子元件的承燒治具。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著陶瓷電子元件應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，用戶對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量要求也越來越高。而在生產(chǎn)過程中每個(gè)工藝流程的時(shí)間、溫度等參數(shù)都將影響著產(chǎn)品質(zhì)量。尤其是在燒制過程中，溫度的控制對(duì)陶瓷電子元件的電氣性能產(chǎn)生著極大影響。
[0003]傳統(tǒng)的，陶瓷電子元件在燒制過程中，采用承燒板裝載陶瓷電子元件。由于承燒板的厚度較厚，因此在燒制過程中傳熱效果差，陶瓷電子元件溫度梯度變大，可能導(dǎo)致陶瓷電子元件的溫升滯后于設(shè)定的溫度。使其無法獲得良好的燒成效果，從而影響陶瓷電子元件的電氣性能。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]基于此，有必要提供一種使得陶瓷電子元件的燒成一致、具有良好電氣性能的陶瓷電子元件的承燒治具。
[0005]其技術(shù)方案為，一種陶瓷電子元件的承燒治具包括框架和承燒盤，所述框架包括外框架和底盤，所述底盤開設(shè)多個(gè)開窗，所述外框架圍繞所述底盤設(shè)置并形成收納空間，所述承燒盤設(shè)置在所述底盤的上方并位于收納空間內(nèi)，所述承燒盤上開設(shè)多個(gè)鏤空區(qū)域。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括至少兩個(gè)支撐塊，所述支撐塊間隔設(shè)置在所述外框架上。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐塊呈正方體狀。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承燒盤包括基體，所述基體的表面包覆一層隔離層。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承燒盤呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0010]上述的陶瓷電子元件的承燒治具在陶瓷電子元件進(jìn)行燒制過程當(dāng)中，利用框架底盤上的開窗、承燒盤上的鏤空區(qū)域使位于陶瓷電子元件下方的熱量可以直接從陶瓷電子元件底部傳送至內(nèi)部，提高承燒裝置對(duì)承燒盤上的電子元件的傳熱效率。減小各個(gè)電子元件之間、每個(gè)電子元件內(nèi)部的溫度梯度。滿足陶瓷電子元件的快速燒成，縮短燒成時(shí)間，從而使得陶瓷電子元件的燒成一致性好，具有良好的電氣性能。
[0011]利用多個(gè)支撐塊可以使得多個(gè)陶瓷電子元件的承燒治具能夠堆疊以提高待燒制電子元件的裝爐量。
[0012]在基體的表面包覆一層隔離層，隔離層將基體與待燒制電子元件隔離開，避免兩者之間發(fā)生反應(yīng)，破壞待燒電子元件的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陶瓷電子元件的承燒治具的俯視圖；
[0014]圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陶瓷電子元件的承燒治具的框架的俯視圖；
[0015]圖2B為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陶瓷電子元件的承燒治具的框架的側(cè)視圖；
[0016]附圖標(biāo)記說明
[0017]10、陶瓷電子元件的承燒治具，110、框架，111、外框架，112、底盤，113、開窗，114、支撐塊，120、承燒盤。

【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合多個(gè)附圖對(duì)本技術(shù)方案的實(shí)施例做進(jìn)一步的說明。
[0019]請(qǐng)參閱圖1、圖2A、圖2B，陶瓷電子元件的承燒治具10包括框架110和承燒盤120?？蚣馨ㄍ饪蚣?11和底盤112,底盤112開設(shè)多個(gè)開窗113,外框架111圍繞底盤112設(shè)置并形成收納空間。承燒盤120設(shè)置在底盤112的上方，并位于收納空間中，承燒盤120上開設(shè)多個(gè)鏤空區(qū)域。待燒制的陶瓷電子元件放置在承燒盤120上并收納于外框架111和底盤112形成的收納空間內(nèi)。使用時(shí)，承燒盤120承載陶瓷電子元件，并放置在底盤112上。在燒制過程當(dāng)中，熱量的傳導(dǎo)可以經(jīng)由鏤空區(qū)域進(jìn)行。較于傳統(tǒng)的承燒板，由于在底盤112開設(shè)開窗113，同時(shí)承燒盤120上設(shè)置鏤空區(qū)域，位于陶瓷電子元件下方的熱量可以直接從陶瓷電子元件底部傳送至內(nèi)部，熱量傳導(dǎo)的速率加快。另外的，承燒盤120包括基體，基體的表面包覆一層隔離層。在本實(shí)施例中，承燒盤120的基體材料為鎳，隔離層為氧化鋯層。鎳具有良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、可塑性以及機(jī)械強(qiáng)度，并且較為經(jīng)濟(jì)。在基體的表面包覆一層隔離層，隔離層將基體與待燒制電子元件隔離開，在燒制過程中，阻止兩者之間發(fā)生反應(yīng)，破壞待燒制電子元件的性能。隔離層也可以選用其他不與待燒制電子元件發(fā)生反應(yīng)的材料。承燒盤120上的鏤空區(qū)域的密度可以取決于待燒制陶瓷電子元件的體積大小，如若體積較大，鏤空區(qū)域可以相應(yīng)的開設(shè)較為稀疏。若體積較小，則相應(yīng)的開設(shè)較為密集。在本實(shí)施例中，承燒盤120呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0020]請(qǐng)參閱圖2A、2B，在圖示的實(shí)施例中，在外框架111的上方還間隔設(shè)置至少兩個(gè)支撐塊114。在本實(shí)施例中，支撐塊114間隔設(shè)置在外框架111的上方。在其他實(shí)施例中，支撐塊也可以設(shè)置在外框架的底部，只要滿足承燒治具之間堆疊即可。利用多個(gè)支撐塊114可以使得陶瓷電子元件的承燒治具10之間能夠堆疊，提高承燒裝置的利用率。同時(shí)，支撐塊114在兩個(gè)陶瓷電子元件的承燒治具10之間形成一個(gè)縫隙，既利于燒成爐內(nèi)氣氛的流動(dòng)以提高導(dǎo)熱效率，也便于作業(yè)時(shí)的取放。在本實(shí)施例中，外框架111的外形呈長方體狀，支撐塊114呈正方體狀，個(gè)數(shù)為四個(gè)，支撐塊114分別設(shè)置在外框架111的四個(gè)角的上方?？梢岳斫獾氖?，支撐塊的形狀并不局限于正方體狀，其分布形式也可以是多樣化的，能夠在陶瓷電子元件的承燒治具之間起到堆疊作用即可。
[0021]上述的陶瓷電子元件的承燒治具在陶瓷電子元件進(jìn)行燒制過程當(dāng)中，利用框架底盤上的開窗、承燒盤上的鏤空區(qū)域?qū)崃繌奶沾呻娮釉牡撞總魉椭羶?nèi)部，提高承燒裝置對(duì)承燒盤上的電子元件的傳熱效率，減小各個(gè)電子元件之間、每個(gè)電子元件內(nèi)部的溫度梯度，滿足陶瓷電子元件的快速燒成，縮短燒成時(shí)間，從而使得陶瓷電子元件的燒成一致性好，具有良好的電氣性能。
[0022]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陶瓷電子元件的承燒治具，其特征在于，包括框架和承燒盤，所述框架包括外框架和底盤，所述底盤開設(shè)多個(gè)開窗，所述外框架圍繞所述底盤設(shè)置并形成收納空間，所述承燒盤設(shè)置在所述底盤的上方并位于收納空間內(nèi)，所述承燒盤上開設(shè)多個(gè)鏤空區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電子元件的承燒治具，其特征在于，還包括至少兩個(gè)支撐塊，所述支撐塊間隔設(shè)置在所述外框架上。
3.如權(quán)利要求2所述的陶瓷電子元件的承燒治具，其特征在于，所述支撐塊呈正方體狀。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陶瓷電子元件的承燒治具，其特征在于，所述承燒盤包括基體，所述基體的表面包覆一層隔離層。
5.如權(quán)利要求4所述的陶瓷電子元件的承燒治具，其特征在于，所述承燒盤呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】F27D5/00GK203837497SQ201420062677
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年2月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】張發(fā)秀, 宋子峰, 周鋒, 陸亨 申請(qǐng)人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司