本發(fā)明涉及微波加熱
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種微波爐。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有微波爐的波導(dǎo)口是其中一個(gè)上拐角為斜角的矩形，這種形狀的波導(dǎo)口在使用過程中，其輸出功率偏低，空載狀態(tài)下磁控管陽(yáng)極溫度可達(dá)348℃，十分接近設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)參考值350℃以下的最大值；更為重要的是，其加熱不均勻性達(dá)31.5％，完全超過了30％以下這一標(biāo)準(zhǔn)范圍。因而加熱效果較差，用戶體驗(yàn)較差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：為解決現(xiàn)有微波爐波導(dǎo)口的結(jié)構(gòu)存在問題，加熱不均勻性偏大，加熱效果不好、用戶體驗(yàn)差的問題。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種微波爐，其具備磁控管、波導(dǎo)管和加熱室，所述波導(dǎo)管與所述加熱室的連通處設(shè)有波導(dǎo)口，所述波導(dǎo)口下邊緣的中部具有朝上設(shè)置的弧形凸起，所述弧形凸起的邊緣為連續(xù)的平滑曲線。其中，所述波導(dǎo)口的其中一個(gè)上拐角為斜角。其中，所述弧形凸起設(shè)置在所述波導(dǎo)口中心的、遠(yuǎn)離所述斜角的一側(cè)。其中，所述弧形凸起的邊緣包括設(shè)置在頂部的水平線段、對(duì)稱設(shè)置在所述水平線段兩側(cè)的兩個(gè)第一圓弧和兩個(gè)第二圓弧，所述第一圓弧分別與所述波導(dǎo)口的底邊、第二圓弧連接，所述第二圓弧與所述水平線段連接；所述第一圓弧、第二圓弧、水平線段均平滑連接。其中，所述水平線段與波導(dǎo)口底邊的距離為10-15mm，所述弧形凸起底邊的寬度為25-35mm；所述弧形凸起的中心與所述波導(dǎo)口中心的水平距離為1-10mm；所述第一圓弧的半徑為10-20mm，所述第二圓弧的半徑為5-15mm，所述水平線段的長(zhǎng)度為5-10mm。優(yōu)選的，所述水平線段與波導(dǎo)口底邊的距離為13.5mm，所述弧形凸起底邊的寬度為31.9mm；所述弧形凸起的中心與所述波導(dǎo)口中心的水平距離為3mm；所述第一圓弧的半徑為16mm，所述第二圓弧的半徑為10mm，所述水平線段的長(zhǎng)度為7.9mm。其中，所述波導(dǎo)管與開設(shè)有所述波導(dǎo)口的本體圍成用于引導(dǎo)微波的腔室，所述波導(dǎo)管上部設(shè)有微波入口、下部設(shè)有相對(duì)所述腔室內(nèi)凹陷設(shè)置的內(nèi)凹弧面，所述本體的上部對(duì)應(yīng)微波入口設(shè)有相對(duì)所述腔室外凸設(shè)置的外凸弧面、下部設(shè)有所述波導(dǎo)口；所述磁控管產(chǎn)生的微波經(jīng)微波入口進(jìn)入所述腔室。其中，所述波導(dǎo)口設(shè)置在所述加熱室的側(cè)壁上。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明一種微波爐，通過在已有波導(dǎo)口下部設(shè)置向上延伸的弧形凸起，改變了微波的傳播路徑，使微波在加熱室內(nèi)分布更加均勻，食材溫度分布均勻，口感更好；使用本發(fā)明所述的波導(dǎo)口或微波爐時(shí)，各項(xiàng)參數(shù)均優(yōu)于已有的波導(dǎo)口，更加節(jié)能、加熱均勻、空載時(shí)磁控管陽(yáng)極溫度低，有利于保護(hù)設(shè)備，使用壽命更長(zhǎng)。附圖說明圖1是現(xiàn)有波導(dǎo)口的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明所述本體上的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明所述波導(dǎo)口的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明所述波導(dǎo)管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明所述本體與波導(dǎo)管的連接示意圖；圖6是本發(fā)明所述微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例所述波導(dǎo)管寬度為80mm時(shí)波導(dǎo)管內(nèi)部寬度方向上電場(chǎng)強(qiáng)度分布圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例所述已有波導(dǎo)口與本發(fā)明所述波導(dǎo)口的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比結(jié)果；圖9是針對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一的對(duì)比設(shè)計(jì)的示意圖。其中，1、本體；11、波導(dǎo)口；111、弧形凸起；12、外凸弧面；2、波導(dǎo)管；21、微波入口；22、內(nèi)凹弧面；3、磁控管；4、加熱室；5、第一圓?。?、第二圓弧；7、水平線段。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上；術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“前端”、“后端”、“頭部”、“尾部”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可視具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。實(shí)施例一：如圖2和圖3所示，本實(shí)施例公布了一種微波爐，其具備磁控管3、波導(dǎo)管2和加熱室4，波導(dǎo)管2與加熱室4的連通處設(shè)有波導(dǎo)口11，波導(dǎo)口11下邊緣的中部具有朝上設(shè)置的弧形凸起111，弧形凸起111的邊緣為連續(xù)的平滑曲線。具有較高能量的微波通過波導(dǎo)口11時(shí)，假如波導(dǎo)口11形狀具有尖銳的凸起部分，則微波會(huì)集中在該部分上，會(huì)產(chǎn)生打火等異?，F(xiàn)象，因此波導(dǎo)口11形狀應(yīng)盡可能做成沒有尖銳凸起的部分。相對(duì)于如圖1所示的現(xiàn)有的波導(dǎo)口11來(lái)說，本發(fā)明通過增設(shè)弧形凸起111，從而改變了微波的傳播路徑，使微波在加熱室4內(nèi)分布更加均勻，食材溫度分布均勻，口感更好。優(yōu)選的，波導(dǎo)口11的其中一個(gè)上拐角為斜角。進(jìn)一步的，弧形凸起111設(shè)置在波導(dǎo)口11中心的、遠(yuǎn)離斜角的一側(cè)。斜角相當(dāng)于將原有的銳角或直角切掉一部分，變成兩個(gè)鈍角結(jié)構(gòu)，這樣會(huì)導(dǎo)致斜角與弧形凸起111的距離較近，容易引起微波集中現(xiàn)象，為避免這一現(xiàn)象發(fā)生，才將弧形凸起111設(shè)置在波導(dǎo)口11中心位置的、遠(yuǎn)離斜角的一側(cè)，增大弧形凸起111與斜角的距離。具體的，如圖3所示，弧形凸起111的邊緣包括設(shè)置在頂部的水平線段7、對(duì)稱設(shè)置在水平線段7兩側(cè)的兩個(gè)第一圓弧5和兩個(gè)第二圓弧6，第一圓弧5分別與波導(dǎo)口11的底邊、第二圓弧6連接，第二圓弧6與水平線段7連接；第一圓弧5、第二圓弧6、水平線段7均平滑連接；圖3中，R1表示第一圓弧5的半徑，R2表示第二圓弧6的半徑，h表示水平線段7到波導(dǎo)口11下邊緣的距離，即圓弧凸起111的高度。這種由多段弧線或直線段構(gòu)成的邊緣平滑的弧形凸起111，其形狀調(diào)節(jié)更加方便，以便獲得效果最佳的波導(dǎo)口11的尺寸，加熱效果更理想?？蛇x的，如圖3所示，水平線段7與波導(dǎo)口底邊的距離h為10-15mm，弧形凸起底邊的寬度為25-35mm；弧形凸起的中心與波導(dǎo)口中心的水平距離為1-10mm；第一圓弧5的半徑為10-20mm，第二圓弧6的半徑為5-15mm，水平線段7的長(zhǎng)度為5-10mm。優(yōu)選的，水平線段7與波導(dǎo)口底邊的距離h為13.5mm，弧形凸起底邊的寬度為31.9mm；弧形凸起的中心與波導(dǎo)口中心的水平距離為3mm；第一圓弧5的半徑R1為16mm，第二圓弧6的半徑R2為10mm，水平線段7的長(zhǎng)度為7.9mm；三者之間平滑過渡，這樣可以獲得最佳的加熱效果。對(duì)比設(shè)計(jì)：如圖9所示，本方案是針對(duì)實(shí)施例一的對(duì)比設(shè)計(jì)方案，即將圓弧凸起111設(shè)置在波導(dǎo)口11的上邊緣處，做成這種形狀的情況下，通過實(shí)驗(yàn)可確認(rèn)，關(guān)聯(lián)變化的其他各種加熱性能會(huì)急劇變化，且朝極端不好的方向變化的可能性很高。這是因?yàn)椴▽?dǎo)口11上部電場(chǎng)強(qiáng)度較大，若對(duì)波導(dǎo)口11的上部進(jìn)行變更，則加熱室4內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)受到很大的影響，加熱效果較差。因而才將圓弧凸起111設(shè)置在了如實(shí)施例一所講的波導(dǎo)口11下邊緣處。實(shí)施例二：進(jìn)一步的，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，如圖4至6所示，本實(shí)施例中波導(dǎo)管2與開設(shè)有波導(dǎo)口11的本體1圍成用于引導(dǎo)微波的腔室，波導(dǎo)管2上部設(shè)有微波入口21、下部設(shè)有相對(duì)腔室內(nèi)凹陷設(shè)置的內(nèi)凹弧面22，本體1的上部對(duì)應(yīng)微波入口21設(shè)有相對(duì)腔室外凸設(shè)置的外凸弧面12、下部設(shè)有波導(dǎo)口11；磁控管3產(chǎn)生的微波經(jīng)微波入口21進(jìn)入腔室。磁控管3產(chǎn)生的微波經(jīng)微波入口21進(jìn)入波導(dǎo)管2，然后經(jīng)外凸弧面12、內(nèi)凹弧面22反射后由波導(dǎo)口11均勻反射至加熱室4內(nèi)，由于波導(dǎo)口11結(jié)構(gòu)的改變，進(jìn)入加熱室4的微波分布更加均勻，食材內(nèi)溫度分布均勻，口感更好。優(yōu)選的，波導(dǎo)口11設(shè)置在加熱室4的側(cè)壁上。首先，當(dāng)微波頻率在2450MHz、波導(dǎo)管2寬度80mm時(shí)，空氣中波長(zhǎng)和波導(dǎo)管2內(nèi)波長(zhǎng)的算法如下：其中，λg為微波在波導(dǎo)管2內(nèi)的波長(zhǎng)；λo為微波在空氣中的波長(zhǎng)；a為波導(dǎo)管2的寬度。當(dāng)撥波導(dǎo)管2寬度a為80mm時(shí)，可以得到表1所示的結(jié)果：表1單位:mm頻率λoaλgλg/2λg/42450Mhz122.4580190.2495.1247.56可見微波在波導(dǎo)管2中的波長(zhǎng)λg是大于其在空氣中的波長(zhǎng)λo的。相應(yīng)的，圖7所示是波導(dǎo)管2的寬度為80mm、微波頻率在2450MHz時(shí)，波導(dǎo)管2內(nèi)部寬度方向上各部位電場(chǎng)強(qiáng)度的分布圖。即，磁控管3內(nèi)部微波的電場(chǎng)強(qiáng)度是波導(dǎo)管2的中心部位最高，左右兩側(cè)趨向減小，最外側(cè)是最低。改變波導(dǎo)口11形狀時(shí)，以最小的變化就能引起加熱室4分布的電場(chǎng)強(qiáng)度變化最大的位置是波導(dǎo)口11的中心線位置的形狀。因?yàn)榇颂幍碾妶?chǎng)強(qiáng)度最高，所以將圓弧凸起111設(shè)置在波導(dǎo)口11底邊的中心位置附近。實(shí)施例三：下面用一個(gè)具體的實(shí)施例來(lái)比較一下使用圖1所示的現(xiàn)有波導(dǎo)口11的微波爐與本發(fā)明微波爐的加熱效果：參見圖8所示，在額定電壓220V/50Hz，微波輸出功率為700w的狀態(tài)下，現(xiàn)有波導(dǎo)口11的實(shí)測(cè)輸出功率675.6w雖然也能滿足標(biāo)準(zhǔn)的要求，但使用本發(fā)明的波導(dǎo)口11的實(shí)測(cè)輸出功率690.4w輸出功率更高，能量轉(zhuǎn)化效率更高，節(jié)約電能；至于加熱不均勻性，我們?cè)诓捎矛F(xiàn)有波導(dǎo)口11的微波爐、以及采用本發(fā)明所述波導(dǎo)口11的微波爐的加熱室4內(nèi)均放置了5個(gè)同樣規(guī)格的、盛有等量的水的燒杯；第一次加熱試驗(yàn)中，水的初始溫度T10為20.1℃，加熱設(shè)定時(shí)間后，測(cè)得各燒杯第一次加熱后的水溫T11，各燒杯內(nèi)第一次加熱前后的水溫差T11-T10記為△T1；然后再以初始溫度T20為19.8℃再進(jìn)行一次加熱試驗(yàn)，測(cè)得第二次加熱后的水溫T21，各燒杯第二次加熱前后的水溫差T21-T20記為△T2；計(jì)算各燒杯加熱前后的平均水溫差△T＝(△T1+△T2)/2，根據(jù)上述結(jié)果，得出平均溫差值△T平均、△Tmax、△Tmin，最后利用公式(△Tmax-△Tmin)/△T平均得出加熱不均勻性；最后的結(jié)果是：采用現(xiàn)有波導(dǎo)口11的微波爐的加熱不均勻性為31.5％，而采用本發(fā)明波導(dǎo)口11的微波爐的加熱不均勻性為21.1％；由于加熱不均勻性一般要求低于30％，可見現(xiàn)有波導(dǎo)口11根本無(wú)法滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，而本發(fā)明的波導(dǎo)口11則可獲得遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于標(biāo)準(zhǔn)加熱不均勻性的要求，加熱均勻性更好；空載情況下，磁控管3陽(yáng)極溫度要求在350℃以下，現(xiàn)有波導(dǎo)口11為348℃，十分接近標(biāo)準(zhǔn)值，而本發(fā)明波導(dǎo)口11則可使空載狀態(tài)下的磁控管3陽(yáng)極溫度降至305℃，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于標(biāo)準(zhǔn)值，更有利于保護(hù)磁控管3設(shè)備。可見，使用本發(fā)明的波導(dǎo)口11或微波爐時(shí)，各項(xiàng)參數(shù)均優(yōu)于已有的波導(dǎo)口11，更加節(jié)能、加熱均勻、空載時(shí)磁控管3陽(yáng)極溫度更低，有利于保護(hù)設(shè)備，使用壽命更長(zhǎng)。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3