本發(fā)明涉及光燒結(jié)裝置，尤其涉及光燒結(jié)裝置提高射出的光的均勻度的光燒結(jié)裝置。

背景技術(shù)：

目前，隨著電子技術(shù)與信息通信技術(shù)的發(fā)展而開發(fā)出了智能設(shè)備、oled、太陽電池等多種電子設(shè)備。用于這些電子設(shè)備的電子元件的制造需要利用印刷電子技術(shù)。

印刷電子技術(shù)是通過工業(yè)印刷處理工藝技術(shù)將具有導(dǎo)電性、絕緣性、半導(dǎo)體性等的功能性油墨印刷在塑料、膜、紙、玻璃、基板上制造所需功能的電子元件的技術(shù)。這種印刷電子技術(shù)可以作為在各種元件上印刷的方式應(yīng)用，通過不同于現(xiàn)有電子產(chǎn)業(yè)的制造工序，能夠?qū)崿F(xiàn)大量生產(chǎn)、大面積化及工序的簡化。

印刷電子技術(shù)的工序由印刷、干燥、燒結(jié)等三個(gè)步驟構(gòu)成。此處，對(duì)產(chǎn)品性能起到較大影響的步驟是燒結(jié)工序。燒結(jié)是指融化納米粒子制造固體形態(tài)的功能性薄膜，是新一代技術(shù)領(lǐng)域中具有相當(dāng)大的價(jià)值的工序。一般的燒結(jié)工序通過熱燒結(jié)法、微波燒結(jié)法、激光燒結(jié)法等完成?，F(xiàn)有的熱燒結(jié)法需要在高溫真空腔環(huán)境進(jìn)行燒結(jié)工序，因此無法適用于耐熱性差的柔性基板，而其他燒結(jié)方法則因工序時(shí)間長、需要經(jīng)過復(fù)雜的步驟，因此具有生產(chǎn)性低、制造成本上升的問題。

為解決這些問題而已經(jīng)開發(fā)出的光燒結(jié)技術(shù)如下述現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)的專利文獻(xiàn)所公開。光燒結(jié)技術(shù)是通過傳播氙燈發(fā)生的白色光融化納米粒子，與現(xiàn)在利用熱等的方法相比能夠明顯更快、大量地生產(chǎn)功能性薄膜。

但現(xiàn)有的光燒結(jié)裝置具有只能實(shí)現(xiàn)局部燒結(jié)、燒結(jié)均勻性不足、無法適用于大面積基板的問題。

因此，現(xiàn)在亟待開發(fā)能夠解決現(xiàn)有光燒結(jié)裝置的問題的方案。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

(專利文獻(xiàn)1)韓國專利公開公報(bào)2014-0094789

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的一個(gè)技術(shù)問題是提供一種提高光均勻度的光燒結(jié)裝置。

本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種適于卷對(duì)卷(rolltoroll)工序的光燒結(jié)裝置。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題不限于以上內(nèi)容。

技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供光燒結(jié)裝置。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光燒結(jié)裝置包括：第一彎曲部，其配置在向被處理物發(fā)光的發(fā)光部所在位置的左上側(cè)且具有向上鼓起的形狀，向所述被處理物的方向反射從所述發(fā)光部射出的光；第二彎曲部，其配置在所述發(fā)光部所在位置的右上側(cè)且具有向上鼓起的形狀，向所述被處理物的方向反射從所述發(fā)光部射出的光；第一反射壁，其具有從所述第一彎曲部的左側(cè)端部向下曲線延伸的形狀；及第二反射壁，其具有從所述第二彎曲部的右側(cè)端部向下曲線延伸的形狀，所述第一彎曲部的弦與所述第二彎曲部的弦位于同一線上，所述第一彎曲部的右側(cè)端部與所述第二彎曲部的左側(cè)端部形成接點(diǎn)，從所述接點(diǎn)向所述發(fā)光部的長度方向剖面中心延伸的線(line)可以相對(duì)于形成有所述被處理物的基板垂直。

根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一個(gè)反射壁可以具有隨著趨向所述被處理物的方向而相對(duì)于形成有所述被處理物的基板向外側(cè)張開的曲線形狀。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一反射壁及所述第二反射壁可以以從所述接點(diǎn)向所述發(fā)光部的長度方向剖面中心延伸的線為基準(zhǔn)彼此對(duì)稱。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一個(gè)反射壁的曲率可以隨著趨向形成有所述被處理物的基板方向逐漸增大。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置，在卷對(duì)卷(rolltoroll)工序中所述被處理物的移動(dòng)方向?yàn)閺乃龅谝环瓷浔诘剿龅诙瓷浔诘姆较颍纬捎兴霰惶幚砦锏幕宓闹行奈挥谒鼋狱c(diǎn)的下側(cè)的情況下，所述第一反射壁可以比所述第二反射壁更相對(duì)于形成有所述被處理物的基板向外側(cè)張開。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置在卷對(duì)卷工序中所述被處理物的移動(dòng)方向?yàn)閺乃龅谝环瓷浔诘剿龅诙瓷浔诘姆较虻那闆r下，所述第一反射壁的反射率可以小于所述第二反射壁的反射率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置，所述第一彎曲部以所述第一彎曲部的中心為基準(zhǔn)對(duì)稱，所述第二彎曲部以所述第二彎曲部的中心為基準(zhǔn)對(duì)稱。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的所述發(fā)光部是氙燈，所述氙燈可以配置在從所述第一彎曲部的右側(cè)端部與所述第二彎曲部的左側(cè)端部形成的接點(diǎn)向下側(cè)方向相隔的位置。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置包括：內(nèi)部上端面，其向被處理物方向反射從發(fā)光部射出的光；第一反射壁，其具有從所述內(nèi)部上端面的一端部向下曲線延伸的形狀；及第二反射壁，其具有從所述內(nèi)部上端面的另一端部向下曲線延伸的形狀，所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一個(gè)反射壁具有隨著趨向所述被處理物的方向而相對(duì)于所述被處理物向外側(cè)張開的曲線形狀。

根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置包括：內(nèi)部上端面，其向被處理物方向反射從發(fā)光部射出的光；第一反射壁，其具有從所述內(nèi)部上端面的一端部向下曲線延伸的形狀；及第二反射壁，其具有從所述內(nèi)部上端面的另一端部向下曲線延伸的形狀，所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一個(gè)的曲率隨著趨向形成有所述被處理物的基板方向逐漸增大

技術(shù)效果

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，包括配置在向被處理物發(fā)光的發(fā)光部所在位置的左上側(cè)且具有向上鼓起的形狀，向所述被處理物的方向反射從所述發(fā)光部射出的光的第一彎曲部、配置在所述發(fā)光部所在位置的右上側(cè)且具有向上鼓起的形狀，向所述被處理物的方向反射從所述發(fā)光部射出的光的第二彎曲部、從所述第一彎曲部的左側(cè)端部向下曲線延伸的第一反射壁及從所述第二彎曲部的右側(cè)端部向下曲線延伸的第二反射壁，所述第一彎曲部的右側(cè)端部與所述第二彎曲部的左側(cè)端部形成接點(diǎn)，從所述接點(diǎn)向所述發(fā)光部的長度方向剖面中心延伸的線(line)能夠相對(duì)于所述被處理物垂直。

從發(fā)光部的長度方向剖面中心向第一彎曲部與第二彎曲部的接點(diǎn)延伸的線相對(duì)于被處理物垂直，因此從發(fā)光部射出的光能夠均勻地照射到被處理物。

并且，第一反射壁及第二反射壁具有向下曲線延伸的結(jié)構(gòu)，因此能夠進(jìn)一步提高從發(fā)光部射出的光均勻度的效果。

本發(fā)明的效果不限于上述效果，可通過以下說明更明確理解。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的分解立體圖；

圖2用于說明本發(fā)明第一實(shí)施例的反射罩，是沿圖1中a-a′線的剖面圖；

圖3為用于說明利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的導(dǎo)電膜形成方法的流程圖；

圖4用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的反射壁，是對(duì)應(yīng)于圖1中a-a′線的剖面圖；

圖5為用于說明利用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的卷對(duì)卷導(dǎo)電膜形成方法的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1：被處理物10：發(fā)光部

30：反射罩33a：第一彎曲部

33b：第二彎曲部40a：第一反射壁

40b：第二反射壁50：固定部

60：濾光器70：外殼

s：基板c：中心線

具體實(shí)施方式

以下參見附圖具體詳述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但本發(fā)明可以具體化成其他形態(tài)，因此技術(shù)思想不限于此處說明的實(shí)施例。此處介紹的實(shí)施例是為了使所公開的內(nèi)容徹底、完整，是為了本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解本發(fā)明的思想而提供的。

本說明書中提到某個(gè)構(gòu)成要素位于其他構(gòu)成要素上的情況下，表示可直接形成于其他構(gòu)成要素上或它們之間可能還有第三構(gòu)成要素。另外，關(guān)于附圖，形狀及區(qū)域的厚度是為有效說明技術(shù)內(nèi)容而夸張顯示的。

并且，本說明書的多種實(shí)施例中使用的第一、第二、第三等術(shù)語用于記敘多種構(gòu)成要素，但這些構(gòu)成要素不得限定于這些術(shù)語。這些只是為了區(qū)分某一構(gòu)成要素與其他構(gòu)成而使用的，因此可能在一個(gè)實(shí)施例中稱為第一構(gòu)成要素，而在其他實(shí)施例中則稱為第二構(gòu)成要素。此處說明和示出的各實(shí)施例還包括與其相輔的實(shí)施例。并且，在本說明書中‘及/或’用于表示包括前后羅列的多個(gè)構(gòu)成要素中的至少一個(gè)。

本說明書中單數(shù)型語句在無特殊記載的情況下還包括復(fù)數(shù)型。并且，“包括”或“具有”等術(shù)語的目的在于指定存在說明書中記載的特征、數(shù)字、步驟、構(gòu)成要素或其組合，不得理解為排除一個(gè)或其以上的其他特征或數(shù)字、步驟、構(gòu)成要素或其組合。并且，本說明書中“連接”不僅表示多個(gè)構(gòu)成要素之間間接連接，還包括直接連接。

并且，本說明書中“相同”、“垂直”、“對(duì)稱”等術(shù)語不僅包括完全相同、垂直、對(duì)稱的情況，還包括實(shí)質(zhì)上相同、垂直、對(duì)稱的情況。本并且，本說明書中“相同”、“垂直”、“對(duì)稱”等術(shù)語不僅包括設(shè)計(jì)值相同、垂直、對(duì)稱的情況，還包括在產(chǎn)品上相同、垂直、對(duì)稱的情況。

并且，以下說明本發(fā)明時(shí)判斷認(rèn)為對(duì)相關(guān)公知功能或構(gòu)成的具體說明可能不必要地混淆本發(fā)明主題的情況下將省略其具體說明。

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的分解立體圖。

參見圖1，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置可包括向被處理物1方向反射從發(fā)光部10射出的光的反射罩30及反射壁。并且，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置還可以包括位于所述反射罩30及反射壁的外側(cè)的外殼70。

根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的被處理物1可表示圖案化于塑料、膜、紙、玻璃、基板s等上的微金屬粒子及前體等被光燒結(jié)的對(duì)象物質(zhì)被光燒結(jié)的對(duì)象物質(zhì)。例如，被處理物1不僅可以包括銅、鐵、鉬、鎳、鋁、金、白金等金屬，還可以包括氧化鈦、鋰鈷氧化物、氧化硅等陶瓷。被處理物1可以是納米或微米大小，這種情況下粒子的表面積比大，因此光吸收度高。并且，例如被處理物1是印刷在基板s上的金屬納米油墨，可通過干燥及燒結(jié)步驟形成太陽電池、半導(dǎo)體、顯示器等電子設(shè)備的電極。但并非被處理物1必須局限于形成電極的金屬納米油墨。

此處，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光燒結(jié)裝置還可以包括固定印刷有被處理物1的基板s的固定部50。此處，固定部50將被處理物1固定配置在一對(duì)反射壁之間，可以將被處理物1配置在從反射壁的末端，即反射壁的最下端向下側(cè)相隔預(yù)定間隔的位置。作為一個(gè)例子，固定部50在被處理物1被燒結(jié)期間可以保持固定，或者可以起到移動(dòng)式固定部的功能使得被處理物1在以卷對(duì)卷(rolltoroll)方式移動(dòng)的過程中被燒結(jié)。

發(fā)光部10射出用于光燒結(jié)被處理物1的光，例如，發(fā)光部10可以是氙燈。氙燈是通過在氙氣內(nèi)發(fā)生的放電發(fā)光的燈，可以發(fā)生具有60nm至2.5mm之間的寬波段的光譜的超短波白色光燒結(jié)被處理物1。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以將發(fā)光部10更換成紫外線燈或紅外線燈。例如，可以在發(fā)光部10安裝紅外線燈干燥被處理物10后在發(fā)光部10安裝氙燈燒結(jié)經(jīng)過干燥的被處理物10。

反射罩30及反射壁能夠用于向被處理物1方向反射從發(fā)光部10射出的光。后續(xù)將參見圖2詳述反射罩30及反射壁。

外殼70可罩住反射罩30及反射壁中的至少一個(gè)。外殼70可以包圍反射罩30的上部面及反射壁的外面進(jìn)行保護(hù)以免反射罩30及反射壁受到外部沖擊。

根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置還可以包括濾光器60。此處，濾光器60可以起到選擇性地只許光中具有特定波段的成分透過或阻斷該成分的光學(xué)元件的功能。這種濾光器60的配置位置比發(fā)光部10靠下，可以控制朝向被處理物1的發(fā)光部10射出的光的波段。此處，可以用反射壁固定濾光器60，例如，可以在一對(duì)反射壁的內(nèi)面形成用于濾光器60滑動(dòng)的滑槽，并設(shè)置成可拆卸狀態(tài)。但并非濾光器60必須固定于反射壁或以滑動(dòng)方式安裝拆卸。

以上說明了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置。以下參見圖2詳述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的反射罩30及反射壁。

圖2用于說明本發(fā)明第一實(shí)施例的反射罩，是沿圖1中a-a′線的剖面圖。以下參見圖2說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置。為便于說明而沒有示出濾光器60。

參見圖2，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的反射罩30及反射壁可提供使上述發(fā)光部10射出的光均勻地反射到被處理物1表面的反射面。

為此，反射罩30可包括第一彎曲部33a及第二彎曲部33b。

第一彎曲部33a配置在向被處理物1發(fā)光的發(fā)光部10所在位置的左上側(cè)且具有向上鼓起的形狀(+y方向)，能夠向被處理物1方向反射從發(fā)光部10射出的光。并且，第一彎曲部33a可以以第一彎曲部33a的中心a2為基準(zhǔn)對(duì)稱。

第二彎曲部33b配置在向被處理物1發(fā)光的發(fā)光部10所在位置的右上側(cè)且具有向上鼓起的形狀(+y方向)，能夠向被處理物1方向反射從發(fā)光部10射出的光。并且，第二彎曲部33b可以以第二彎曲部33b的中心b2為基準(zhǔn)對(duì)稱。

此處，第一彎曲部33a的弦a1與第二彎曲部33b的弦b1可位于同一線上。

并且，第一彎曲部33a的右側(cè)端部與第二彎曲部33b的左側(cè)端部形成接點(diǎn)，從所述接點(diǎn)延伸到發(fā)光部10的長度方向剖面中心的線(line，c：以下稱為中心線)能夠相對(duì)于形成有所述被處理物的基板對(duì)稱。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，發(fā)光部10可配置在從第一彎曲部33a的右側(cè)端部與所述第二彎曲部33b的左側(cè)端部構(gòu)成的接點(diǎn)向下側(cè)相隔預(yù)定距離l1的位置。

并且，第一彎曲部33a與第二彎曲部33b可以相對(duì)于所述中心線c對(duì)稱。

根據(jù)另一實(shí)施例，可以使第一彎曲部33a的右側(cè)端部與第二彎曲部33b的左側(cè)端部不相遇，而是使第一彎曲部33a的右側(cè)端部與第二彎曲部33b的左側(cè)端部之間相隔預(yù)定的距離。但應(yīng)確保設(shè)定的該相隔距離不會(huì)造成反射從發(fā)光部10射出的光時(shí)反射效率明顯下降。此處，所述相隔空間可以是非反射物質(zhì)。

構(gòu)成反射罩30的第一彎曲部33a與第二彎曲部33b可以由金、銀、鋁、鐵等多種金屬及陶瓷、氧化鋁等非金屬材料中任意一種或兩種以上混合制成。此處，并非反射罩30本身必須由這些材料制成，可以將這些材料中任意一種或兩種以上混合而成的混合物涂布到反射罩30的下部面制成。

因此，包括第一彎曲部33a及第二彎曲部33b的反射罩30可以提供使從發(fā)光部10射出的光以均勻的強(qiáng)度到達(dá)形成有被處理物1的基板s表面的反射面。

不同于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的反射罩，當(dāng)在具有單一圓弧形狀的反射罩下方配置發(fā)光部的情況下，從發(fā)光部直接射出到被處理物表面的光與從發(fā)光部射出并被反射罩反射而照射到被處理物表面的光重疊。因此，現(xiàn)有技術(shù)具有被處理物中心部的光強(qiáng)度大于被處理物周邊部光強(qiáng)度的問題。

而根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，發(fā)光部10配置在第一彎曲部33a與第二彎曲部33b相接的接點(diǎn)下方的情況下，能夠降低從發(fā)光部10射出并被反射罩反射而射出到被處理物1表面的光的強(qiáng)度。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，能夠提供被處理物1中心部的光強(qiáng)度與被處理物周邊部的光強(qiáng)度均勻的效果。

另外，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置還包括向被處理物1表面反射從發(fā)光部10發(fā)出的光的反射壁，反射壁可包括從第一彎曲部33a的左側(cè)端部向下曲線延伸的第一反射壁40a及從所述第二彎曲部33b的右側(cè)端部向下曲線延伸的第二反射壁40b。

此處，第一反射壁40a及第二反射壁40b中至少一個(gè)反射壁可以具有隨著趨向被處理物1方向相對(duì)于被處理物1向外側(cè)張開的曲線形狀。例如，第一反射壁40a及第二反射壁40b可以以從所述接點(diǎn)向發(fā)光部10的長度方向剖面中心延伸的線為基準(zhǔn)彼此對(duì)稱。因此，第一反射壁40a及第二反射壁40b的下端端部可以分別與被處理物1向x軸方向相隔預(yù)定距離，例如分別相隔距離l2。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一反射壁40a及第二反射壁40b中至少一個(gè)反射壁的曲率可以向著趨近被處理物1的方向逐漸增大。因此，隨著從第一反射壁40a的第一彎曲部33a方向的一端趨向被處理物1方向的一端，曲線形態(tài)能夠接近直線。同樣，隨著從第二反射壁40b的第二彎曲部33b方向的一端趨向被處理物1方向的一端，曲線形態(tài)能夠接近直線。

由于第一反射壁40a及第二反射壁40b是向下曲線延伸的結(jié)構(gòu)，因此能夠向被處理物1表面均勻地反射從發(fā)光部10射出的光。

構(gòu)成反射壁的第一反射壁40a與第二反射壁40b也可以由金、銀、鋁、鐵等多種金屬及陶瓷、氧化鋁等非金屬材料中任意一種或兩種以上混合制成。此處，并非反射壁本身必須由這些材料制成，可以將這些材料中任意一種或兩種以上混合而成的混合物涂布到反射壁的下部面制成。

當(dāng)?shù)谝环瓷浔?0a及第二反射壁40b為直線垂直結(jié)構(gòu)的情況下，將發(fā)生基板s的部分周邊部的光強(qiáng)度高于中心部及端部的問題。

而如本發(fā)明的第一實(shí)施例所述，第一反射壁40a及第二反射壁40b為向下曲線延伸的結(jié)構(gòu)的情況下，引起非均勻性的光從反射壁與被處理物之間的相隔距離l2之間漏光。因此，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的反射壁提高被處理物1表面光均勻度。

通過上述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的反射罩30及反射壁的結(jié)構(gòu)特征，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置能夠如圖2的下端所示地對(duì)被處理物的整個(gè)表面提供均勻強(qiáng)度的光。

并且，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反射罩30還可以包括用于提高射向被處理物的光的均勻度的第一輔助彎曲部及第二輔助彎曲部。

輔助彎曲部如同構(gòu)成主彎曲部的第一彎曲部33a和第二彎曲部33b，是從反射罩30的下部面向上凹陷的彎曲形狀，其一端可分別與構(gòu)成主彎曲部的第一彎曲部33a和第二彎曲部33b的另一端相接。更具體地，所述第一輔助彎曲部可以從第一彎曲部33a的左側(cè)端部延伸的向上鼓起的結(jié)構(gòu)，所述第二輔助彎曲部可以從第二彎曲部33b的右側(cè)端部延伸的向上鼓起的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一彎曲部33a與所述第一輔助彎曲部可以以所述中心線c為基準(zhǔn)對(duì)稱于第二彎曲部33b和所述第二輔助彎曲部。

所述第一輔助彎曲部及第二輔助彎曲部的下側(cè)可分別配置發(fā)光部。此處，所述第一輔助彎曲部及第二輔助彎曲部可配置成包圍發(fā)光部的至少一部分。

分別位于所述第一輔助彎曲部及第二輔助彎曲部的下側(cè)的發(fā)光部能夠以所述中心線c為基準(zhǔn)對(duì)稱。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，光燒結(jié)裝置可包括向被處理物方向反射從發(fā)光部射出的光的內(nèi)部上端面、從所述內(nèi)部上端面的一端部向下曲線延伸的第一反射壁及從所述內(nèi)部上端面的另一端部向下曲線延伸的第二反射壁。此處，所述內(nèi)部上端面對(duì)應(yīng)于彎曲部。

例如，反射壁的結(jié)構(gòu)與上述內(nèi)容相同，而所述內(nèi)部上端面則可以是非鼓起形狀的由反射物質(zhì)形成的其他形狀。

以上說明了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的反射罩及反射壁。以下參見圖3說明利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的導(dǎo)電膜形成方法。

圖3為用于說明利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的導(dǎo)電膜形成方法的流程圖。

參見圖3，利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的導(dǎo)電膜形成方法可包括印刷作為被處理物的金屬納米油墨的步驟s100及通過氙燈燒結(jié)的步驟s200。以下詳述各步驟。

在印刷金屬納米油墨的步驟s100，可在基板上印刷圖案化金屬納米油墨。例如，基板可以是塑料、膜、紙、玻璃等。

在通過氙燈燒結(jié)的步驟s200，可以燒結(jié)圖案化的金屬納米油墨。例如，可以在發(fā)光部10設(shè)置所述氙燈照射白色光。此處，照射白色光進(jìn)行燒結(jié)可以由照射一個(gè)脈沖的單脈沖燒結(jié)、將白色光的能量分成多個(gè)脈沖照射的多重脈沖燒結(jié)或通過多重脈沖預(yù)熱后通過單脈沖燒結(jié)的兩部(2step)燒結(jié)構(gòu)成。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以在步驟s200光燒結(jié)之前干燥在步驟s100印刷的金屬納米油墨。為此，可以在發(fā)光部10安裝紅外線燈干燥被處理物并在發(fā)光部10安裝氙燈燒結(jié)經(jīng)過干燥的被處理物。

因此，在步驟s200從氙燈照射的光被上述反射罩30及反射壁反射而照射到被處理物表面，因此被處理物表面被照射均勻的光。

因此，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置及利用該裝置的導(dǎo)電膜形成方法能夠提供高燒結(jié)均勻性，從而能夠提供可大面積燒結(jié)的效果。

以上，參見圖3說明了利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的導(dǎo)電膜形成方法。以下說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置。

根據(jù)以下將要說明的本發(fā)明第二實(shí)施例，能夠提供一種考慮了通過卷對(duì)卷工序處理被處理物的情況下在被處理物連續(xù)移動(dòng)的過程中進(jìn)行燒結(jié)工序的工序條件的光燒結(jié)裝置。在說明本發(fā)明第二實(shí)施例方面，省略說明與上述第一實(shí)施例重復(fù)的部分，以具有差異的構(gòu)成為中心進(jìn)行說明。

圖4用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的反射壁，是對(duì)應(yīng)于圖1中a-a′線的剖面圖。為便于說明，沒有示出濾光器60。

根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置之間在反射壁部分存在區(qū)別，因此以此為中心進(jìn)行說明。

參見圖4，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的第一反射壁40a及第二反射壁40b中至少一個(gè)反射壁可以具有隨著趨向被處理物1方向相對(duì)于被處理物1向外側(cè)張開的曲線形狀。此處，在卷對(duì)卷工序中，被處理物1的移動(dòng)方向?yàn)閺牡谝环瓷浔?0a到第二反射壁40b的方向的情況下，第一反射壁40a能夠比第二反射壁40b更相對(duì)于基板s向外側(cè)張開。即，第一反射壁40a的下端部與基板s左側(cè)端部之間的x軸方向的距離l3可以大于第二反射壁40b的下端部與基板s的右側(cè)端部之間的x軸方向的距離l2。也就是說，可以將反射壁的曲率設(shè)為基板的長度方向(x軸方向)中心位于第一彎曲部33a與第二彎曲部33b形成的接點(diǎn)的下方的情況下l3大于l2。

由于是第一反射壁40a的下端部比第二反射壁40b的下端部更向外側(cè)張開的結(jié)構(gòu)，因此從發(fā)光部10照射的光的強(qiáng)度在基板s左側(cè)端部低隨著趨向基板s的右側(cè)端部逐漸增大。

因此，光燒結(jié)裝置的入口的光強(qiáng)度弱于出口的光強(qiáng)度，因此可提供能夠隨著基板的移動(dòng)而逐漸光燒結(jié)的效果。以下參見圖5說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置在卷對(duì)卷工序的效果。

圖5為用于說明利用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置的卷對(duì)卷導(dǎo)電膜形成方法的示意圖。

參見圖5，通過卷對(duì)卷工序燒結(jié)被處理物1的情況下，印刷有被處理物1(圖5沒有示出)的基板s從第一反射壁40a下端進(jìn)入并從第二反射壁40b下端出去。

印刷有被處理物1的基板s通過第一反射壁40a下端進(jìn)入光燒結(jié)裝置內(nèi)部的情況下暴露于低強(qiáng)度的光，基板s沿著x軸方向移動(dòng)的過程中逐漸地暴露于強(qiáng)度更高的光。

當(dāng)印刷有被處理物1的基板s通過第一反射壁40a下端進(jìn)入光燒結(jié)裝置內(nèi)部的時(shí)間點(diǎn)起照燒高強(qiáng)度的光的情況下，可能會(huì)發(fā)生含于被處理物中的粘合劑(binder)裂開的問題。

而如本發(fā)明的第二實(shí)施例所述，印刷有被處理物1的基板s通過第一反射壁40a下端進(jìn)入光燒結(jié)裝置內(nèi)部的情況下提供低強(qiáng)度的光以逐漸去除粘合劑，在已去除粘合劑的狀態(tài)下向x軸方向移動(dòng)基板s的過程中照射高強(qiáng)度的光，從而能夠提供可穩(wěn)定地光燒結(jié)的效果。

以上說明了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光燒結(jié)裝置能夠提供高燒結(jié)均勻性，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光燒結(jié)裝置能夠在卷對(duì)卷工序提高光燒結(jié)穩(wěn)定性。

在說明本發(fā)明第二實(shí)施例方面，使第一反射壁比第二反射壁更向外側(cè)張開以弱化了基板入口的光強(qiáng)度，但也可以使第一反射壁及第二反射壁與第一實(shí)施例相同、第一反射壁表面的反射率低于第二反射壁表面的反射率以弱化基板入口的光強(qiáng)度。

以上，通過優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做了具體說明，但本發(fā)明的范圍不應(yīng)局限于特定的實(shí)施例，而是應(yīng)該由技術(shù)方案的范圍解釋。并且，需要理解的是本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明范圍的情況下進(jìn)行多種修正及變形。