本發(fā)明涉及空調(diào)，特別涉及一種空調(diào)器及其控制方法、存儲介質(zhì)以及控制器。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)階段變頻空調(diào)電控中的直流母線電容大部分無過熱保護控制，少部分使用溫度測試儀器對直流母線電容的發(fā)熱進行檢測，再反饋至mcu(micro-controller?unit，微控制單元)控制。

2、其中，無過熱保護控制情況下，若負載較重，則會導(dǎo)致電容發(fā)熱嚴重，使得電容使用壽命縮短；為此，相關(guān)技術(shù)中選用裕量較大的電容以保障運行，但這會導(dǎo)致成本增加。同時，使用溫度測試儀器檢測電容發(fā)熱進行控制的情況，會增加成本，且會使得電控體積增加。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種空調(diào)器及其控制方法、存儲介質(zhì)以及控制器，以減小設(shè)計空調(diào)器時的電容裕量，降低硬件成本，減小空調(diào)器體積。

2、為達到上述目的，本發(fā)明第一方面實施例提出了一種空調(diào)器的控制方法，所述空調(diào)器包括功率因數(shù)校正電路和與所述功率因數(shù)校正電路的輸出端并聯(lián)的電容，所述控制方法包括：獲取所述電容的紋波電流，并根據(jù)所述紋波電流和所述電容的esr曲線得到電容中心溫升；獲取室外環(huán)境溫度，并根據(jù)所述室外環(huán)境溫度和所述電容中心溫升計算電容中心溫度；將所述電容中心溫度與預(yù)設(shè)溫度進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果對所述功率因數(shù)校正電路進行控制。

3、另外，本發(fā)明上述實施例的空調(diào)器的控制方法還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

4、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述功率因數(shù)校正電路包括并聯(lián)連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，所述根據(jù)比較結(jié)果對所述功率因數(shù)校正電路進行控制，包括：若所述電容中心溫度小于或等于所述預(yù)設(shè)溫度，則控制所述功率因數(shù)校正電路進入第一工作模式，其中，所述第一工作模式為所述第一開關(guān)管間歇性導(dǎo)通，所述第二開關(guān)管持續(xù)關(guān)斷，或者，為所述第二開關(guān)管間歇性導(dǎo)通，所述第一開關(guān)管持續(xù)關(guān)斷；若所述電容中心溫度大于所述預(yù)設(shè)溫度，則控制所述功率因數(shù)校正電路進入第二工作模式，所述第二工作模式為所述第一開關(guān)管和所述第二開關(guān)管交替導(dǎo)通。

5、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述獲取所述電容的紋波電流，包括：獲取所述功率因數(shù)校正電路的輸入電流和輸出電流，并根據(jù)所述輸入電流和所述輸出電流計算得到所述電容的紋波電流。

6、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述獲取所述電容的紋波電流，包括：通過與所述電容串聯(lián)的第一采樣電阻獲取所述電容的紋波電流。

7、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述根據(jù)所述室外環(huán)境溫度和所述電容中心溫升計算電容中心溫度，包括：計算所述室外環(huán)境溫度與環(huán)境溫度系數(shù)的乘積，并將所述乘積與所述電容中心溫升的加和作為所述電容中心溫度。

8、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述控制方法還包括：記錄所述功率因數(shù)校正電路進入所述第二工作模式之后的持續(xù)時間；當所述持續(xù)時間達到預(yù)設(shè)時間時，將當前的電容中心溫度與所述預(yù)設(shè)溫度進行比較；若所述當前的電容中心溫度大于所述預(yù)設(shè)溫度，則控制所述空調(diào)器停機；若所述當前的電容中心溫度小于或等于所述預(yù)設(shè)溫度，則控制所述功率因數(shù)校正電路進入所述第一工作模式。

9、為達到上述目的，本發(fā)明第二方面實施例提出了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)上述的空調(diào)器的控制方法。

10、為達到上述目的，本發(fā)明第三方面實施例提出了一種控制器，包括存儲器、處理器和存儲在所述存儲器上的計算機程序，所述計算機程序被所述處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)上述的空調(diào)器的控制方法。

11、為達到上述目的，本發(fā)明第四方面實施例提出了一種空調(diào)器，包括：功率因數(shù)校正電路和與所述功率因數(shù)校正電路的輸出端并聯(lián)的電容，以及上述的控制器。

12、另外，本發(fā)明上述實施例的空調(diào)器還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

13、根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述功率因數(shù)校正電路包括并聯(lián)連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，所述控制器用于：在所述電容中心溫度小于或等于所述預(yù)設(shè)溫度，控制所述功率因數(shù)校正電路進入第一工作模式，其中，所述第一工作模式為所述第一開關(guān)管間歇性導(dǎo)通，所述第二開關(guān)管持續(xù)關(guān)斷，或者，為所述第二開關(guān)管間歇性導(dǎo)通，所述第一開關(guān)管持續(xù)關(guān)斷；在所述電容中心溫度大于所述預(yù)設(shè)溫度，控制所述功率因數(shù)校正電路進入第二工作模式，所述第二工作模式為所述第一開關(guān)管和所述第二開關(guān)管交替導(dǎo)通。

14、本發(fā)明實施例的空調(diào)器及其控制方法、存儲介質(zhì)以及控制器，通過電容的紋波電流檢測電容的發(fā)熱情況，并根據(jù)該發(fā)熱情況控制功率因數(shù)校正電路的工作模式，從而可減小設(shè)計空調(diào)器時的電容裕量，且與使用溫度測試儀器檢測電容發(fā)熱的方案相比，降低了硬件成本，減小了空調(diào)器體積。

技術(shù)特征：

1.一種空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述空調(diào)器包括功率因數(shù)校正電路和與所述功率因數(shù)校正電路的輸出端并聯(lián)的電容，所述控制方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述功率因數(shù)校正電路包括并聯(lián)連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，所述根據(jù)比較結(jié)果對所述功率因數(shù)校正電路進行控制，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述獲取所述電容的紋波電流，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述獲取所述電容的紋波電流，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述根據(jù)所述室外環(huán)境溫度和所述電容中心溫升計算電容中心溫度，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空調(diào)器的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括：

7.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一項所述的空調(diào)器的控制方法。

8.一種控制器，其特征在于，包括存儲器、處理器和存儲在所述存儲器上的計算機程序，所述計算機程序被所述處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一項所述的空調(diào)器的控制方法。

9.一種空調(diào)器，其特征在于，包括：功率因數(shù)校正電路和與所述功率因數(shù)校正電路的輸出端并聯(lián)的電容，以及根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的空調(diào)器，其特征在于，所述功率因數(shù)校正電路包括并聯(lián)連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，所述控制器用于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種空調(diào)器及其控制方法、存儲介質(zhì)以及控制器，空調(diào)器包括功率因數(shù)校正電路和與功率因數(shù)校正電路的輸出端并聯(lián)的電容，控制方法包括：獲取電容的紋波電流，并根據(jù)紋波電流和電容的ESR曲線得到電容中心溫升；獲取室外環(huán)境溫度，并根據(jù)室外環(huán)境溫度和電容中心溫升計算電容中心溫度；將電容中心溫度與預(yù)設(shè)溫度進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果對功率因數(shù)校正電路進行控制。該方法通過電容的紋波電流檢測電容的發(fā)熱情況，并根據(jù)該發(fā)熱情況控制功率因數(shù)校正電路的工作模式，從而可減小設(shè)計空調(diào)器時的電容裕量，且與使用溫度測試儀器檢測電容發(fā)熱的方案相比，降低了硬件成本，減小了空調(diào)器體積。

技術(shù)研發(fā)人員：馮君璞,張杰楠,畢然,王顏章,顏小君,邱武鋒
受保護的技術(shù)使用者：廣東美的制冷設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2