本發(fā)明涉及厭氧高溫氮?dú)鉁y(cè)試爐，具體為一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法。

背景技術(shù)：

1、目前，無論是在半導(dǎo)體行業(yè)晶圓(光刻膠pi、pbo、bcb)固化，還是在led制造行業(yè)烘烤玻璃基板，因?yàn)樾枰跓o氧、高溫環(huán)境中進(jìn)行，因此會(huì)經(jīng)常用到厭氧高溫氣氛爐。厭氧高溫氣氛爐是一種在軍工、汽車、電子等行業(yè)都經(jīng)常會(huì)用到的設(shè)備，厭氧高溫氣氛爐的工作流程是：將產(chǎn)品放置于高溫試驗(yàn)箱箱體內(nèi)，然后將箱體內(nèi)的大氣(含20.6％大氣氧氣)使用氮?dú)膺M(jìn)行置換，當(dāng)氧氣的濃度低于一定水平時(shí)(通常在100ppm以下)，升高溫度開始生產(chǎn)或試驗(yàn)，低濃度的氧氣才不會(huì)在生產(chǎn)中對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行氧化，從而保證產(chǎn)品的質(zhì)量。

2、目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上的高溫烘烤設(shè)備主要以高溫老化為主，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，功能單一，已不能滿足半導(dǎo)體行業(yè)和高性能電子行業(yè)的發(fā)展。大部分高溫試驗(yàn)箱沒有充氮?dú)夤δ?，試?yàn)過程不能防止樣品氧化。

3、主要的缺點(diǎn)有：(1)氮?dú)庵苯油ǖ皆囼?yàn)箱內(nèi)，由于氮?dú)鉁囟容^低箱內(nèi)溫度較高，充氮后箱內(nèi)溫度波動(dòng)大；(2)氮?dú)夤苈窙]有壓力檢測(cè)裝置，氮?dú)鈹鄽饣驓鈮旱蜁r(shí)，沒有報(bào)警功能；(3)沒有安裝氧氣濃度分析儀，氧氣濃度不穩(wěn)定和氧氣濃度超標(biāo)時(shí)不會(huì)報(bào)警等，因此，針對(duì)這些現(xiàn)狀，迫切需要開發(fā)一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法，以滿足實(shí)際使用的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明針對(duì)的目的是提供一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法，解決現(xiàn)有厭氧高溫氮?dú)鉅t由于氮?dú)庵脫Q氧氣的控制精度低，容易造成箱內(nèi)溫度波大和箱內(nèi)氧氣濃度無法控制而造成樣品氧化的缺陷。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法，包括主管路、內(nèi)箱、大流量充氮管路、小流量充氮管路，所述主管路依次設(shè)有單聯(lián)件、氣源過濾器和壓力檢測(cè)器，內(nèi)箱的內(nèi)部設(shè)有氧氣濃度分析儀，所述大流量充氮管路依次設(shè)有調(diào)節(jié)閥a、電磁閥a和流量計(jì)a，所述小流量充氮管路依次設(shè)有調(diào)節(jié)閥b、電磁閥b和流量計(jì)b；

4、大流量充氮管路、小流量充氮管路與主管路之間設(shè)有三通閥，主管路通過三通閥分別與大流量充氮管路、小流量充氮管路進(jìn)行導(dǎo)通連接，大流量充氮管路和小流量充氮管路的其中一端設(shè)有加熱裝置，大流量充氮管路和小流量充氮管路靠近加熱裝置的一端均與內(nèi)箱進(jìn)行導(dǎo)通連接。

5、上述說明中，作為進(jìn)一步的方案，主管路、大流量充氮管路和小流量充氮管路均由pu氣管構(gòu)成。

6、上述說明中，作為進(jìn)一步的方案，大流量充氮管路靠近調(diào)節(jié)閥a的一端為輸入端a，大流量充氮管路靠近調(diào)節(jié)閥b的一端為輸入端b，輸入端a和輸入端b均通過三通閥與主管路進(jìn)行導(dǎo)通連接。

7、上述說明中，作為進(jìn)一步的方案，流量計(jì)a和流量計(jì)b均由浮子式流量計(jì)構(gòu)成。

8、上述說明中，作為進(jìn)一步的方案，加熱裝置由加熱箱和兩條不銹鋼管構(gòu)成，不銹鋼管呈螺旋狀結(jié)構(gòu)設(shè)置于加熱箱的內(nèi)部，不銹鋼管分別與大流量充氮管路和小流量充氮管路進(jìn)行導(dǎo)通連接。

9、一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路控制方法，基于上述一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，包括以下步驟：

10、s1，預(yù)設(shè)氧氣濃度區(qū)間，啟動(dòng)內(nèi)箱內(nèi)部的氧氣濃度分析儀進(jìn)行氧氣濃度檢測(cè)，得到氧氣濃度百分比a；

11、s2，快速充氮，啟動(dòng)電磁閥a和電磁閥b，大流量充氮管路和小流量充氮管路均與主管路進(jìn)行導(dǎo)通連接，大流量充氮管路和小流量充氮管路同時(shí)向加熱裝置進(jìn)行充氮；

12、s3，當(dāng)氧氣濃度百分比a小于預(yù)設(shè)氧氣濃度區(qū)間時(shí)，省略s2，關(guān)閉電磁閥a，啟動(dòng)電磁閥b，小流量充氮管路與主管路進(jìn)行導(dǎo)通連接，小流量充氮管路向加熱裝置進(jìn)行充氮。

13、上述說明中，作為進(jìn)一步的方案，調(diào)節(jié)閥a和調(diào)節(jié)閥b用于在s2或者s3中進(jìn)行氮?dú)鈮毫φ{(diào)節(jié)。

14、本發(fā)明所產(chǎn)生的有益效果如下：

15、本申請(qǐng)的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法，通過設(shè)置大流量充氮管路和小流量充氮管路與加熱裝置和內(nèi)箱進(jìn)行導(dǎo)通連接，并且通過氧氣濃度分析儀對(duì)內(nèi)箱的氧氣濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，從而根據(jù)內(nèi)箱氧氣濃度的情況進(jìn)行對(duì)應(yīng)的充氮管路進(jìn)行充氮?dú)饧訜?，使得?nèi)箱可保持正壓的狀態(tài)，精確控制內(nèi)箱氧氣濃度大小，氧氣濃度更加穩(wěn)定，從而減少內(nèi)箱溫度波動(dòng)較大的情況，氮?dú)庥昧可?，?jié)省試驗(yàn)成本。

技術(shù)特征：

1.一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：所述主管路、大流量充氮管路和小流量充氮管路均由pu氣管構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：所述大流量充氮管路靠近調(diào)節(jié)閥a的一端為輸入端a，大流量充氮管路靠近調(diào)節(jié)閥b的一端為輸入端b，輸入端a和輸入端b均通過三通閥與主管路進(jìn)行導(dǎo)通連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：所述流量計(jì)a和流量計(jì)b均由浮子式流量計(jì)構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：所述加熱裝置由加熱箱和兩條不銹鋼管構(gòu)成，不銹鋼管呈螺旋狀結(jié)構(gòu)設(shè)置于加熱箱的內(nèi)部，不銹鋼管分別與大流量充氮管路和小流量充氮管路進(jìn)行導(dǎo)通連接。

6.一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路控制方法，基于權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)，其特征在于：包括以下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路控制方法，其特征在于：所述調(diào)節(jié)閥a和調(diào)節(jié)閥b用于在s2或者s3中進(jìn)行氮?dú)鈮毫φ{(diào)節(jié)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電線插頭技術(shù)領(lǐng)域的一種厭氧高溫氮?dú)鉅t的管路系統(tǒng)及其控制方法，包括主管路、內(nèi)箱、大流量充氮管路、小流量充氮管路，所述主管路依次設(shè)有單聯(lián)件、氣源過濾器和壓力檢測(cè)器，內(nèi)箱的內(nèi)部設(shè)有氧氣濃度分析儀，大流量充氮管路依次設(shè)有調(diào)節(jié)閥A、電磁閥A和流量計(jì)A，小流量充氮管路依次設(shè)有調(diào)節(jié)閥B、電磁閥B和流量計(jì)B，設(shè)置大流量充氮管路和小流量充氮管路與加熱裝置和內(nèi)箱進(jìn)行導(dǎo)通連接，通過氧氣濃度分析儀對(duì)內(nèi)箱的氧氣濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，根據(jù)內(nèi)箱氧氣濃度的情況進(jìn)行對(duì)應(yīng)的充氮管路進(jìn)行充氮?dú)饧訜?，使得?nèi)箱可保持正壓的狀態(tài)，精確控制內(nèi)箱氧氣濃度大小，氧氣濃度更加穩(wěn)定，從而減少內(nèi)箱溫度波動(dòng)較大的情況，氮?dú)庥昧可?，?jié)省試驗(yàn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：徐文貫,黃俊華,黃以純,趙偉,黃初期
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東眾志檢測(cè)儀器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30