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碳化硅承載體的制作方法

文檔序號(hào):8978687閱讀:142來源:國(guó)知局
碳化硅承載體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種碳化硅承載體,特別是有關(guān)于一種適用于高溫?zé)Y(jié)爐中,結(jié)構(gòu)已包含有披覆層,可直接用以承載胚體的碳化硅承載體。
【背景技術(shù)】
[0002]按,一般粉末冶金或陶瓷制程,其以金屬粉末或陶瓷粉末作為原料,經(jīng)干式或濕式成形為胚體之后,再將此胚體放入一高溫?zé)Y(jié)爐中,并對(duì)此高溫?zé)Y(jié)爐持續(xù)加熱升溫一段時(shí)間,直至高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)的溫度達(dá)到胚體的熔點(diǎn)以下的燒結(jié)溫度,而使胚體燒結(jié)固化成體,續(xù)經(jīng)后處理加工步驟等,即可完成此粉末冶金或陶瓷制程而得到一粉末冶金或陶瓷成品。
[0003]在執(zhí)行燒結(jié)作業(yè)時(shí),高溫?zé)Y(jié)爐100中將會(huì)設(shè)置多個(gè)陶瓷承載體1,用以承載胚體3,如圖1所示。然而,現(xiàn)有的陶瓷承載體I僅為一個(gè)附加電路板,若直接透過陶瓷承載體I來承載胚體3,于高溫作業(yè)下胚體3與陶瓷承載體I容易因化學(xué)反應(yīng)而相互沾黏,而現(xiàn)有技術(shù)的解決方式即是以人工外加方式設(shè)置披覆層2于陶瓷承載體I與胚體3之間,但此種方式不僅需透過人力來完成,整體燒結(jié)作業(yè)的時(shí)間亦將被拉長(zhǎng),無形之中增加了不少成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題即在提供一種已包含有披覆層的碳化硅承載體,以解決現(xiàn)有需透過人工外加方式設(shè)置披覆層所造成成本損耗的問題。
[0005]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段如下所述。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的目的,提出一種碳化硅承載體,適用于一高溫?zé)Y(jié)爐中,該碳化硅承載體包含:一附加電路板,其中,該附加電路板的制成材料為碳化硅;及至少一披覆層,一體成型于附加電路板上,其中,披覆層的制成材料相異于附加電路板。
[0007]較佳地,披覆層設(shè)置于附加電路板的一承載面上。
[0008]較佳地,附加電路板的所述承載面呈平坦?fàn)睢?br>[0009]較佳地,附加電路板的所述承載面設(shè)有至少一凸部。
[0010]較佳地,該凸部設(shè)置于該承載面的四周緣。
[0011]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鎂。
[0012]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鋁。
[0013]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鋯。
[0014]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鎂的復(fù)合化氧化物。
[0015]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鋁的復(fù)合化氧化物。
[0016]較佳地,披覆層的制成材料可為氧化鋯的復(fù)合化氧化物。根據(jù)本實(shí)用新型的目的,又提出一種碳化硅承載體,適用于一高溫?zé)Y(jié)爐中,碳化硅承載體包含:一附加電路板,包含一平坦的表面,其中附加電路板的制成材料為碳化硅;及至少一披覆層,一體成型于附加電路板的該表面上,其中披覆層的制成材料包含氧化鋯或氧化鋯的復(fù)合化氧化物。
[0017]本實(shí)用新型所產(chǎn)生的有益效果如下。
[0018]承上所述,本實(shí)用新型的碳化硅承載體包含有一體成型的附加電路板及披覆層,在燒結(jié)制程中,此碳化硅承載體可直接用以承載胚體,而無需再透過人工外加方式設(shè)置披覆層,可有效縮短制程時(shí)間及降低人力成本。
【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的碳化硅承載體的示意圖。
[0020]圖2為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第一實(shí)施例的第一示意圖。
[0021]圖3為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第一實(shí)施例的第二示意圖。
[0022]圖4為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第二實(shí)施例的第一示意圖。
[0023]圖5為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第二實(shí)施例的第二示意圖。
[0024]圖6為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第三實(shí)施例的第一示意圖。
[0025]圖7為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第三實(shí)施例的第二示意圖。
[0026]圖8為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第四實(shí)施例的示意圖。
[0027]圖號(hào)說明:
[0028]100、200高溫?zé)Y(jié)爐
[0029]1、陶瓷承載體
[0030]2、12 披覆層
[0031]3、20 胚體
[0032]10碳化硅承載體
[0033]11附加電路板
[0034]111 凸部。
【具體實(shí)施方式】
[0035]請(qǐng)參閱圖2及圖3,其分別為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第一實(shí)施例的第一示意圖及第二示意圖。此碳化硅承載體10包含有附加電路板11及至少一披覆層12,于第一實(shí)施例中,附加電路板11包含有一承載面,該承載面呈平坦?fàn)睿辽僖慌矊?2則一體成型設(shè)置于附加電路板11的該承載面上,其中,披覆層12的制成材料相異于附加電路板Ilo在執(zhí)行加工作業(yè)時(shí),此碳化硅承載體10可設(shè)置于一高溫?zé)Y(jié)爐200中,由于附加電路板11與披覆層12為一體成型的設(shè)計(jì),可直接設(shè)置胚體20于碳化硅承載體10上,而不需如現(xiàn)有般必須再外加披覆層等介層至碳化硅承載體10上。
[0036]請(qǐng)參閱圖4及圖5,其分別為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第二實(shí)施例的第一示意圖及第二示意圖。此碳化硅承載體10設(shè)置于高溫?zé)Y(jié)爐200中,可直接用以承載待加工的胚體20。碳化硅承載體10包含有一體成型構(gòu)成的附加電路板11及披覆層12,于第二實(shí)施例中,披覆層12環(huán)繞包覆住附加電路板11,其中,披覆層12的制成材料相異于附加電路板Ilo
[0037]再請(qǐng)參閱圖6至圖8,其分別為本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第三實(shí)施例的第一示意圖及第二示意圖、本實(shí)用新型的碳化硅承載體的第四實(shí)施例的示意圖。此碳化硅承載體10包含有附加電路板11及至少一披覆層12,于第三實(shí)施例中,附加電路板11具有一承載面,于該承載面設(shè)有至少一凸部111,而至少一披覆層12則一體成型于該承載面上,其中,披覆層12的制成材料相異于附加電路板11。該碳化硅承載體10可設(shè)置于高溫?zé)Y(jié)爐200中,透過碳化硅承載體10的附加電路板11所設(shè)置的披覆層12可直接承載待加工的胚體20,而不需再另外設(shè)置介質(zhì)。該附加電路板11設(shè)有凸部111,以利碳化硅承載體疊放而不壓迫到待燒結(jié)的胚體2。
[0038]上述中,各實(shí)施例的碳化硅承載體10的附加電路板11的制成材料為碳化硅,而披覆層12的制成材料可為氧化鎂、氧化鋯、氧化鋁或復(fù)合化氧化物,但不以此為限。
[0039]綜上所述,本實(shí)用新型的碳化硅承載體除了包含附加電路板外,更包含了有與附加電路板一體成型設(shè)計(jì)的披覆層,使得碳化硅承載體設(shè)置于高溫?zé)Y(jié)爐中可直接用以承載胚體,而無需再由人工外加方式設(shè)置披覆層,不僅可減少人工成本的損耗,亦可縮短整體燒結(jié)制程的時(shí)間。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碳化硅承載體,適用于一高溫?zé)Y(jié)爐中,其特征在于,該碳化硅承載體包含: 一附加電路板,其中該附加電路板的制成材料為碳化硅?’及 至少一披覆層,一體成型于該附加電路板上,其中,該披覆層的制成材料相異于該附加電路板。2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅承載體,其特征在于,該披覆層設(shè)置于該附加電路板的承載面上。3.如權(quán)利要求2所述的碳化硅承載體,其特征在于,該附加電路板的該承載面呈平坦?fàn)睢?.如權(quán)利要求2所述的碳化硅承載體,其特征在于,該附加電路板的該承載面設(shè)有至少一凸部。5.如權(quán)利要求4所述的碳化硅承載體,其特征在于,該凸部設(shè)置于該承載面的四周緣。6.如權(quán)利要求1所述的碳化硅承載體,其特征在于,該披覆層的制成材料可為氧化鋯。7.如權(quán)利要求1所述的碳化硅承載體,其特征在于,該披覆層的制成材料可為氧化鋁。8.如權(quán)利要求1所述的碳化硅承載體,其特征在于,該披覆層的制成材料可為氧化鋯的復(fù)合化氧化物。9.如權(quán)利要求1所述的碳化硅承載體,其特征在于,該披覆層的制成材料可為氧化鋁的復(fù)合化氧化物。10.一種碳化硅承載體,適用于一高溫?zé)Y(jié)爐中,其特征在于,該碳化硅承載體包含: 一附加電路板,包含一平坦的表面,其中該附加電路板的制成材料為碳化硅;及 至少一披覆層,一體成型于該附加電路板的該表面上,其中該披覆層的制成材料為氧化鋯或氧化鋯的復(fù)合化氧化物。
【專利摘要】本實(shí)用新型揭露一種碳化硅承載體,適用于一高溫?zé)Y(jié)爐中,該碳化硅承載體包含:一附加電路板,其中,該附加電路板的制成材料為碳化硅;及至少一披覆層,一體成型于附加電路板上,其中,披覆層的制成材料相異于附加電路板。
【IPC分類】F27D5/00
【公開號(hào)】CN204630389
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520310720
【發(fā)明人】林博文
【申請(qǐng)人】凱樂士股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年5月14日
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