1.一種多離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述多離子晶體的冷卻方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻方法，其特征在于，所述多離子晶體的冷卻方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述多離子晶體的冷卻方法包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述冷卻激光用于執(zhí)行多普勒冷卻、電磁感應(yīng)透明冷卻、邊帶冷卻和偏振梯度冷卻中的任意一種或其組合的冷卻激光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述輔助冷卻離子組合中的離子的數(shù)量n不大于離子晶體中的離子總數(shù)量的30％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述多離子晶體由同一種類離子組成；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子晶體的冷卻方法，其特征在于，所述多離子晶體的離子種類包括不同元素種類的離子、同種元素的不同同位素離子、同種類的分子離子或不同種類的分子離子中的任意一種或其組合。
10.一種離子阱量子計算設(shè)備，其特征在于，所述離子阱量子計算設(shè)備包括離子冷卻設(shè)備，所述離子冷卻設(shè)備被配置成使用權(quán)利要求1至9中任一項所述的離子晶體的冷卻方法進行冷卻。