專利名稱：一種改進(jìn)的氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)用新型涉及一種污水處理氧化溝用曝氣轉(zhuǎn)盤，尤其是關(guān)于對(duì)轉(zhuǎn)盤表面凸塊及凹圓的改進(jìn)。
污水氧化溝處理工藝，由于具有處理工藝流程簡單，凈化效率高且穩(wěn)定，剩余活性污泥少，抗沖擊負(fù)荷能力強(qiáng)，能承受水質(zhì)及水量沖擊負(fù)荷，管理維護(hù)方便，運(yùn)行費(fèi)用低，而且兼具除磷脫氮功能，因而被廣泛用于污水生化處理。氧化溝工藝用曝氣裝置－－轉(zhuǎn)盤，如中國專利92206155和96229046公開的曝氣用轉(zhuǎn)盤，其圓盤形盤片由兩片或多片扇面拼裝而成，盤片兩表面呈放射狀規(guī)則直線排列有凸塊行，凸塊行間相間分布有眾多也呈放射狀分布的凹圓，盤片表面的凸塊有三角形，也有呈梯形。這種轉(zhuǎn)盤雖具有較好的充氧能力，但充氧效率仍不夠高，對(duì)水流攪動(dòng)推力仍不夠大。為進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)盤的充氧能力，中國專利90224217還提示在盤片兩側(cè)面增加兩面開設(shè)有眾多凹圓的圓環(huán)，以增加盤片上凹圓數(shù)，但這樣確減少了相同軸長盤片數(shù)，充氧能力提高不多，而且增加了轉(zhuǎn)盤重量從而增加了轉(zhuǎn)軸的負(fù)荷，影響動(dòng)力效率提高，因此仍有值得改進(jìn)的地方。
實(shí)用新型的目的在于提供一種改進(jìn)的，具有充氧能力和動(dòng)力效率高，對(duì)水流推力大，尤其可適合深氧化溝工藝的氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤。
實(shí)用新型另一目的在于提供一種能攜帶更多的空氣，具有更高充氧能力和動(dòng)力效率的氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤。
實(shí)用新型第一目的實(shí)現(xiàn)，主要改進(jìn)是將轉(zhuǎn)盤表面呈放射狀直線排列的凸塊行和凹坑，改為曲線排列。具體說，實(shí)用新型氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，由兩片以上扇面拼裝成圓形盤片，所說盤片表面排列有凸塊行，凸塊行間分布有凹坑，其特征在于所說凸塊行和凹坑呈曲線排列。實(shí)用新型曝氣轉(zhuǎn)盤表面的凹坑因相間在凸塊行間，所以凸塊行的曲線排列，也決定了凹坑也呈曲線排列。實(shí)用新型所說凸塊，可以是通常的三角形凸塊和梯形凸塊，其中較好的為采用四棱錐形凸塊，所說凹坑，一種較好方式采用圓形凹坑；轉(zhuǎn)盤上凸塊的曲線排列，曲線彎曲向轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)方向(凸塊長邊方向)彎曲，所說曲線可以采用圓弧形曲線，其較好的曲率半徑為大于轉(zhuǎn)盤半徑，小于轉(zhuǎn)盤直徑，其次還可以是其他類型的曲線，如雙曲線型、漸開線型等，視曝氣要求而定。除此，實(shí)用新型還可采取加大凸塊，以及加大凹圓直徑和深度，進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)盤的充氧能力。
實(shí)用新型另一目的實(shí)現(xiàn)，是在轉(zhuǎn)盤兩側(cè)的凸塊外側(cè)面加工有凹坑，通過增加轉(zhuǎn)盤上凹坑數(shù)量進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)盤充氧能力。另外改變轉(zhuǎn)盤制作工藝，實(shí)用新型還可在凸塊底面加工有凹坑，以進(jìn)一步增加轉(zhuǎn)盤上凹坑數(shù)量。
以下結(jié)合三個(gè)非限定性實(shí)施例的描述，進(jìn)一步說明實(shí)用新型結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)。


圖1為實(shí)用新型一種半圓盤片結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為
圖1A－A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為盤片剖視凹圓排列示意圖。
圖4為盤片四棱錐形凸塊結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為四棱錐形凸塊側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
實(shí)施例1參見附圖，以直徑1380mm轉(zhuǎn)盤為例，圓形曝氣轉(zhuǎn)盤由對(duì)稱的兩個(gè)半圓盤片1對(duì)接而成，盤片表面圓弧形排列有凸塊行2和凹圓3，軸孔4內(nèi)有與轉(zhuǎn)軸固定定位的螺紋，為減輕盤片重量又保證盤片有足夠的強(qiáng)度，在盤片近軸心處設(shè)有若干條加強(qiáng)肋6，靠軸孔處開有若干減輕自重的窗口5，盤片軸心區(qū)域加厚自圓心向外減薄呈過渡狀。盤片采用玻璃鋼或塑料(例如BMC塑料)經(jīng)高溫高壓壓制成型。轉(zhuǎn)盤兩側(cè)的凸塊行呈圓弧曲線向凸塊底(長)邊方向(轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)方向)彎曲，凸塊行的曲率半徑為900～1100mm，同一圓弧曲線行兩端凸塊夾角α為6－8度，前后行間凸塊及凹圓互相錯(cuò)位(圖3)。盤片表面共設(shè)有凸塊1058個(gè)，行與行間凸塊互相錯(cuò)位，凸塊一種較好的形式采用四棱錐形(圖4)，棱錐形凸塊底邊厚度h為16mm，其底邊側(cè)面(厚度方向)倒角有一小平面7，可有效防止凸塊在運(yùn)轉(zhuǎn)中因沖擊造成錐角破損；凹圓3直徑12mm，深5mm，共有4985個(gè)，凸塊和凹圓分別較相近似規(guī)格盤片增加8－10％和80％以上。
實(shí)施例2如實(shí)施例1，在轉(zhuǎn)盤兩表面的凸塊外側(cè)面開有圓形凹坑8，可使轉(zhuǎn)盤上凹圓數(shù)再增加20％。
實(shí)施例3如實(shí)施例1或2，在轉(zhuǎn)盤兩表面的凸塊底面開有圓形凹坑9，可使轉(zhuǎn)盤上凹圓數(shù)分別較實(shí)施例1或2再增加20％。
實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施例，還可采取其他實(shí)施方式，如盤片也可以由多片扇面組成；盤片與轉(zhuǎn)軸的固定也可采用抱合或鍵槽或其他連接固定形式；凸塊曲線還可以采用其他類型例如漸開線、雙曲線型等；凸塊和凹坑還可采用其他形式等等，均屬實(shí)用新型構(gòu)思保護(hù)范圍。
實(shí)用新型曝氣轉(zhuǎn)盤，由于將轉(zhuǎn)盤兩側(cè)面的凸塊行和凹坑改成曲線排列，和／或在凸塊外側(cè)面和／或底面增加凹坑，以及采取加大凸塊體積和加大凹坑體積及數(shù)量等措施。使每個(gè)盤片的凸塊和凹圓數(shù)分別較原來增加8－10％和80－120％以上，使狹氣水泡比一般盤片濺(戽)水多又高，形成較寬的水幕環(huán)，增加了濺(戽)水珠與空氣接觸時(shí)間，使水珠能裹狹吸收更多的空氣，從而增加了帶進(jìn)混合液中空氣量。尤其轉(zhuǎn)盤上凹圓(坑)數(shù)量增加一倍多，可顯著提高凹坑(圓)帶入空氣量，使實(shí)用新型轉(zhuǎn)盤具有較高的充氧能力和動(dòng)力效率，單盤充氧能力可較常規(guī)轉(zhuǎn)盤提高30％以上，動(dòng)力效率可提高20％以上，而且在深氧化溝中增加尤為明顯；其次，凸塊行的曲線排列還大大增加了轉(zhuǎn)盤對(duì)水流的推力，用在較深氧化溝槽工藝中仍可獲得滿意效果，顯著提高了轉(zhuǎn)盤的凈化效果。實(shí)用新型曝氣轉(zhuǎn)盤采用高溫高壓成型工藝，使盤片密實(shí)度也顯著提高，表面微細(xì)氣孔少，耐高溫、抗沖擊、耐老化、不變形，提高了轉(zhuǎn)盤的使用壽命。
權(quán)利要求1.一種氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，由兩片以上扇面拼裝成圓形盤片，所說盤片表面排列有凸塊行，凸塊行間分布有凹坑，其特征在于所說凸塊行和凹坑呈曲線排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說圓弧曲線向凸塊底邊方向彎曲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說曲線為圓弧曲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說圓弧曲線的曲率半徑大于轉(zhuǎn)盤半徑，小于轉(zhuǎn)盤直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說圓弧曲線的曲率半徑為900～1100mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說同一圓弧曲線行兩端凸塊夾角為6－8度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說凸塊外側(cè)面有凹坑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說凸塊底面有凹坑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說凸塊呈四棱錐形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤，其特征在于所說四棱錐凸塊底邊厚度為16mm。
專利摘要本實(shí)用新型是關(guān)于對(duì)氧化溝曝氣轉(zhuǎn)盤的改進(jìn),尤其是對(duì)轉(zhuǎn)盤凸塊行排列及凸塊的改進(jìn),其特征是將轉(zhuǎn)盤表面呈放射狀直線排列的凸塊行和凹坑,改為曲線尤其是圓弧曲線排列,并采用四棱錐形凸塊,以及在凸塊外側(cè)面和/或底面加工有凹坑。不僅增加了轉(zhuǎn)盤表面凸塊和凹坑數(shù),還提高了對(duì)水流的推力,因而較已有轉(zhuǎn)盤具有更高的充氧能力和動(dòng)力效率,更適用于水深較深的氧化溝曝氣。
文檔編號(hào)C02F3/14GK2412899SQ0021941
公開日2001年1月3日 申請(qǐng)日期2000年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月16日
發(fā)明者李伯平 申請(qǐng)人:宜興市振宇水處理環(huán)保廠, 無錫振宇電力輔機(jī)有限公司