專利名稱：水處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種水處理裝置，具體點說，涉及一種對各種水而言都能夠在極短的時間內(nèi)完成滅菌處理的水處理裝置。
背景技術(shù)：
迄今為止，關(guān)于水的無害化或殺菌的研究有很多。然而，在現(xiàn)在為止殺菌是利用高溫進(jìn)行的，這種方法或者是不能在不損傷食品的情況下實現(xiàn)殺菌，或者是即使殺菌也不能達(dá)到充分殺滅的程度。關(guān)于“殺菌”這個術(shù)語，對于不同的使用者而言其內(nèi)涵也有較大的不同，在本說明書中，“滅菌”、“消毒”、“殺菌”這三個術(shù)語是區(qū)別使用的，具體請見后述內(nèi)容。因此，在研究其現(xiàn)有技術(shù)時，需要注意這些詞語之間的區(qū)別?！皽缇笔侵笇⒋嬖谟趯ο笪锷系乃形⑸锶繙鐨??！跋尽笔侵赣羞x擇的殺滅微生物。而關(guān)于“殺菌”，習(xí)慣上認(rèn)為它與消毒具有相同的含義的，但其語義并不明確，是一個不確定的詞。應(yīng)該注意的是，在使用“殺菌”這個詞時，并不同于“滅菌”，并不是殺滅所有的微生物。上述用法是以感染病新法(日本法令)以及日本厚生省法令為依據(jù)的。另外， 在本發(fā)明中，作為滅菌對象的微生物而言，主要包括真菌、細(xì)菌、病毒以及原生動物。一般地，作為滅菌、消毒的方法，公知有物理方法、化學(xué)方法以及二者的組合。作為物理滅菌、消毒方法而言，有一種利用高溫與高壓的方法。例如，在高壓且 100°C以上的條件下保持規(guī)定時間的方法。此時，滅菌對象物被置于蒸汽環(huán)境中、水中或者熱且干燥的環(huán)境中。由于置于水中且維持在比常溫高的溫度下的方法是無害的，因而一直被廣泛的使用。但是，需注意的是，根據(jù)溫度的不同能夠被消毒的微生物的種類也不同，有時不能實現(xiàn)徹底滅菌。利用較高的溫度的方法有間歇滅菌法，間歇滅菌法是解除細(xì)菌的芽孢狀態(tài)并進(jìn)行滅菌的方法，通過使溫度上升后再下降，使非常耐高溫的芽孢發(fā)芽，從而能夠?qū)⑵錅鐨?。作為化學(xué)消毒方法而言，具有使用藥劑的方法，所使用的藥劑根據(jù)作為滅菌對象的微生物的種類選擇。化學(xué)消毒方法一般不能實現(xiàn)滅菌。但是，利用高溫、高壓進(jìn)行滅菌的方法并不適合對食品進(jìn)行除菌(將附著在食品上的微生物滅殺)。這是由于高溫與高壓會使食品中的細(xì)胞結(jié)構(gòu)被破壞從而使食品變質(zhì)。 此外，考慮到藥劑殘留的問題，所以化學(xué)方法也不適合用于食品的滅菌。因而，需要有一種不利用高溫、高壓而是在常溫(不到40°C )下安全且徹底的滅菌方法。作為不利用高溫、高壓的物理殺菌方法而言，現(xiàn)有技術(shù)中利用紫外線而進(jìn)行殺菌。 但是，利用紫外線進(jìn)行殺菌，如果紫外線不直接照射到微生物的話就沒有效果，這種方法本身是一種非常不徹底的殺菌方法。另外，目前有很多針對使水活性化的裝置的研究。作為水的活性化，常常采用的是在水中施加電場或磁場從而使水活性化的方法。例如，在專利文獻(xiàn)1的廢液過濾裝置以及專利文獻(xiàn)2的磁場波動水調(diào)整裝置中即是在水中施加磁場從而使水活性化。并且，在由磁場而被活性化的水中照射紫外線從而進(jìn)行殺菌。但是，如上所述，利用紫外線進(jìn)行的殺菌其本身是非常不徹底的殺菌方法，遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到滅菌的程度。在專利文獻(xiàn)3中公開了一種磁力電離水的供水裝置，該供水裝置在使從容器中流出的水循環(huán)的同時對其進(jìn)行處理。在該供水裝置中，于水的循環(huán)路徑中，用紫外線照射后施加磁場從而能夠?qū)崿F(xiàn)水的徹底滅菌。不過，在專利文獻(xiàn)3中，殺菌是由紫外線照射進(jìn)行的 (參照0050段)，磁力回路是為了生成磁場電離水而設(shè)置的。并且，在專利文獻(xiàn)3中雖然使用了“徹底(完全)殺菌”這個詞，但其是否達(dá)到了該說明書中作為目的而言的滅菌即徹底滅殺產(chǎn)孢菌(sporeformer)等的耐受力(抵抗力)高的微生物的程度，由于其中并無數(shù)據(jù)說明因而存有疑問。在到目前為止的殺菌技術(shù)中，有許多文獻(xiàn)記載了照射紫外線能夠殺菌的觀點，但其中所說的殺菌并不是滅菌。并且，即便是在某些條件下能夠?qū)崿F(xiàn)滅菌，但也沒有達(dá)到滅殺產(chǎn)孢菌的程度。此外，在專利文獻(xiàn)3所記載的裝置中，處理過的水是返回容器后才供使用的，因而，所供應(yīng)的水有可能混入殘存在容器中的雜菌。并且，包括上述專利文獻(xiàn)之外的技術(shù)(高壓滅菌器等)在內(nèi)，現(xiàn)有的各種滅菌裝置(較多使用的是高壓蒸發(fā)滅菌器、干熱滅菌器)并沒考慮滅菌所需的時間，而這至少需要 1 2小時?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本發(fā)明專利公開公報特開2006-289317號專利文獻(xiàn)2 日本發(fā)明專利公開公報特開2001-(^9957號專利文獻(xiàn)3 日本發(fā)明專利公開公報特開2002-138526號

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題因而，基于上述的技術(shù)背景而作出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種水處理裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)用極短的時間在常溫條件(0 40°C )下實現(xiàn)對各種的微生物進(jìn)行殺菌、滅菌。解決技術(shù)問題的技術(shù)方案本發(fā)明的水處理一種水處理裝置，用于在處理通路內(nèi)對處理對象水進(jìn)行規(guī)定的處理并供應(yīng)處理對象水，其具有紫外線照射裝置，其設(shè)置在所述處理通路上用于對所述處理對象水照射紫外線；磁場產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在所述處理通路上的所述紫外線照射裝置的下游側(cè)，對流動的所述處理對象水施加磁場；原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)，其設(shè)置在所述處理通路上的所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間，使過氧基(· (V)、氫離子(H3O+)、氫氧基 (H0 ·)、過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)、金屬-氧絡(luò)合體(M-00)、臭氧(O3)這些原子團(tuán)中的至少一種的數(shù)量增加。采用這樣的水處理裝置，使處理對象水通過紫外線照射裝置，能夠在一定程度上滅殺微生物。此外，處理對象水通過紫外線照射裝置時，能夠產(chǎn)生使原子團(tuán)或者使原子團(tuán)增加的化學(xué)物種，例如，過氧基(·02_)、氫離子(H3O+)、氫氧基(Η0·)、過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)、金屬-氧絡(luò)合體(M-00)、臭氧(O3)。單單用紫外線照射通常的水的話，這些原子團(tuán)的數(shù)量非常少。在本發(fā)明中，還設(shè)置有原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)，從而能夠使處理通路中的紫外線照射裝置與磁場產(chǎn)生裝置之間的上述原子團(tuán)或者使原子團(tuán)增加的化學(xué)物種的至少一種增加。并且，在原子團(tuán)增加的狀態(tài)下，處理對象水通過磁場產(chǎn)生裝置時能夠給處理對象水施加磁場作用，在原子團(tuán)的氧化作用下提高殺菌能力，將處理對象水中的微生物一概殺死。在原子團(tuán)與磁場的相互作用下，能夠?qū)崿F(xiàn)強(qiáng)力的滅菌，并且使原子團(tuán)的氧化能力消失。 本發(fā)明中所使用的原子團(tuán)主要是水的構(gòu)成要素，因而能夠使通過了磁場產(chǎn)生裝置的原子團(tuán)無害化。如此，采用本發(fā)明的水處理裝置，不使用藥物，而是利用來源于水并最終返回水中的物質(zhì)進(jìn)行滅菌，并且能夠得到可飲用的無害水。并且，通過了磁場產(chǎn)生裝置的水的清洗能力較好，能夠適用于食品等的清洗中，并且其滲透能力較高且沒有微生物，因而能夠適用在種子的浸泡、發(fā)芽中，比如，應(yīng)用在幼芽的栽培中。上述原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)可以為能夠使空氣或氧氣從外部進(jìn)入所述處理通路內(nèi)的小孔或間隙，該小孔或間隙設(shè)置于所述處理通路上的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間。原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)也可以為能夠?qū)⒖諝饣蛘哐鯕鈴耐獠抗?yīng)到所述處理通路內(nèi)的氣體供應(yīng)器，且其設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間。此外，所述原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)還可以為設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間的過氧化氫產(chǎn)生裝置。此外，上述水處理裝置還可以具有離子量調(diào)整裝置，該離子量調(diào)整裝置設(shè)置在所述處理通路中的所述磁場產(chǎn)生裝置的上游側(cè)，具有殼體與設(shè)置在該殼體內(nèi)的離子供應(yīng)內(nèi)插芯體，該離子供應(yīng)內(nèi)插芯體含有在表面露出的金屬從而能夠產(chǎn)生離子交換。用這樣的離子量調(diào)整裝置來調(diào)整金屬離子的量，從而能夠使磁場產(chǎn)生裝置中的殺菌能力進(jìn)一步增強(qiáng)，或者能夠使之前混入在水中的金屬離子減少。在上述的水處理裝置中，還可以設(shè)有循環(huán)通路，該循環(huán)通路在所述磁場產(chǎn)生裝置的下游側(cè)連接所述處理通路與所述容器，用于從所述容器中供應(yīng)所述處理對象水，從而，使處理對象水在本發(fā)明的水處理裝置中循環(huán)地進(jìn)行殺菌，能夠在數(shù)分鐘內(nèi)滅殺任何微生物。此外，在本發(fā)明的水處理裝置中，最好是在所述循環(huán)通路上的所述磁場產(chǎn)生裝置與所述容器之間設(shè)置出水通路，該出水通路用于將被滅菌且無害化的處理完成水取出。通過在水返回容器前的、磁場產(chǎn)生裝置的下游設(shè)置出水通路，不會使微生物混入水中，得到被滅菌、無害化的處理完成水。原子團(tuán)是非常不穩(wěn)定的，所以，縮短紫外線照射裝置與磁場產(chǎn)生裝置之間的距離， 在原子團(tuán)數(shù)量充分的狀態(tài)下使處理對象水流入磁場產(chǎn)生裝置，從而能夠有效地發(fā)揮本發(fā)明的水處理裝置的滅菌能力。發(fā)明的效果采用本發(fā)明的水處理裝置，能夠在極短的時間內(nèi)將處理對象水中的各種微生物進(jìn)行滅菌。并且，如果用由水處理裝置處理后的水清洗想要除菌的食品等，則能夠?qū)⒏街趯ο笪锷系奈⑸飫冸x。此外，由于用本發(fā)明的水處理裝置處理后的水是無害、無菌的，因而能夠用作飲用水、實驗用水、農(nóng)業(yè)用水等。


圖1為本發(fā)明的水處理裝置的整體結(jié)構(gòu)圖2為紫外線照射裝置的剖視圖3為原子團(tuán)增加部的剖視圖4為磁場產(chǎn)生裝置的剖視圖5為將水處理裝置前后重疊地配置的結(jié)構(gòu)圖6所示為原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的其他實施方式；
圖7為兼有原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的離子量調(diào)整器的剖視圖8中(a)為具有水流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)的容器的結(jié)構(gòu)圖，(b)為其俯視圖9為表示滅菌實驗結(jié)果的表；
圖10為表示滅菌實驗結(jié)果的表；
圖11為表示滅菌實驗結(jié)果的表；
圖12為表示滅菌實驗結(jié)果的表；
圖13為用紫外線照射而進(jìn)行殺菌的實驗裝置的整體結(jié)構(gòu)圖14中(a)為表示本發(fā)明的水處理裝置的滅菌實驗結(jié)果的表，(b)為表示紫外線照射而進(jìn)行殺菌的殺菌實驗結(jié)果的表；圖15為表示用磁場進(jìn)行處理的實驗結(jié)果的表。
具體實施例方式接下來參照相應(yīng)的附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行說明。如圖1所示，貯存在容器10中的處理對象水Al從該容器中流出，在水處理裝置1 中經(jīng)過規(guī)定的處理后向容器10回流從而被滅菌。水處理裝置1主要具有泵P、紫外線照射裝置20、作為“基”(原子團(tuán))增加機(jī)構(gòu)的一例的“基”增加部(下面也會稱為原子團(tuán)增加部)30、磁場產(chǎn)生裝置40。另外，為了將水處理裝置1的各裝置連接起來，還設(shè)有使處理對象水Al能夠循環(huán)的配管90 (91 94)。容器10用于貯存處理對象水Al。從原理上來講，對于構(gòu)成水處理裝置1而言容器 10是并不是必需的，但是為了能夠處理大量的水，最好還是設(shè)置有容器10。關(guān)于容器10的材質(zhì)，最好是采用SUS316(JIS，日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)型號)等規(guī)格的不銹鋼。關(guān)于能夠用本發(fā)明的水處理裝置1處理的處理對象水Al，并無特別的限定，可以是純水或者在純水中溶解或者混入其他物質(zhì)的溶液或混合物。作為具體的例子，有地下水、 泉水、溫泉水、礦泉水、自來水、雨水、海水、深層水、工業(yè)廢水、家庭廢水、農(nóng)作物處理廢水、 水產(chǎn)物處理廢水、含有藥劑的水、蓄水槽中水、壓載水(Ballast Water)、培養(yǎng)用水、養(yǎng)殖用水、游泳池的循環(huán)水、醫(yī)用滅菌水、浴缸水、精密機(jī)器清洗水、半導(dǎo)體清洗水等。配管90具有導(dǎo)入管91、處理配管92、循環(huán)配管93、出水配管94，其中，導(dǎo)入管91 用于將原水(處理對象水Al，水處理裝置1中未處理的水)導(dǎo)入容器10 ；處理配管92用于使從容器10中流出的處理對象水Al按順序地流過紫外線照射裝置20、原子團(tuán)增加部30以及磁場產(chǎn)生裝置40，并構(gòu)成處理通路；循環(huán)配管93 —端連接在磁場產(chǎn)生裝置40的下游側(cè)， 用于使流過處理配管92的處理對象水Al返回容器10，該循環(huán)配管93另一端與導(dǎo)入管91 連接，構(gòu)成循環(huán)通路；出水配管94用于使從磁場產(chǎn)生裝置40流出的處理對象水Al (處理后的水)流出(到外部)。泵P設(shè)置在容器10下游側(cè)的處理配管92上，用于將容器10內(nèi)的處理對象水Al抽出并將其以壓力輸送至紫外線照射裝置20。關(guān)于泵P的配置，并不限于圖1所示的方式，也可以將其設(shè)置在處理配管92或循環(huán)配管93的任意位置上。此外，也可以設(shè)置多個泵P以保證足夠的水輸送壓力。此外，關(guān)于泵P對處理對象水Al的壓送(以壓力輸送)方向，必需是如上所述地使處理對象水Al按順序地流過紫外線照射裝置20、磁場產(chǎn)生裝置40的方向。紫外線照射裝置20對流動在其內(nèi)部的處理對象水Al照射紫外線。作為紫外線照射裝置20，可以采用公知的紫外線殺菌裝置。例如，如圖2所示，紫外線照射裝置20具有圓筒狀的殼體23，該殼體23具有供處理對象水Al流入、流出的導(dǎo)入口 21以及導(dǎo)出口 22，在殼體23內(nèi)具有石英管M，在石英管M內(nèi)具有紫外線燈25。作為紫外線燈25而言，可以采用峰值波長為254nm或185nm的，是采用254nm的還是采用185nm的，根據(jù)需要滅殺的對象微生物的種類適當(dāng)?shù)剡x擇它們的其中之一或者二者都選用。需要注意的是，該紫外線照射裝置20通過紫外線照射作用也可以殺死微生物，但并不是“滅菌”。在紫外線照射裝置20中對處理對象水Al照射紫外線能夠?qū)崿F(xiàn)上述的殺菌，并且還能夠產(chǎn)生在水中的反應(yīng)活性較高的各種“基”或者是能夠增加這些“基”的化學(xué)物種(chemical species).這些“基”包括過氧基(·02_)、氫離子(H3O+)、臭氧(O3)、氫氧基 (Η0·)、作為活性氧(reactive oxygen)的過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)等。此外，在水中含有氯的情況下也會產(chǎn)生C10_。在本實施方式中，如圖3所示，原子團(tuán)增加部30的結(jié)構(gòu)為，在不銹鋼管31上形成螺紋孔32，在該螺紋孔32上旋合著螺栓33。螺栓33與螺紋孔32旋合，且它們之間存在一點間隙，因而，在不銹鋼管31內(nèi)的通路34中有處理對象水Al流動時，因處理對象水Al的流動而會在螺栓33與螺紋孔32的旋合處附近產(chǎn)生負(fù)壓，在該負(fù)壓的作用下，會有些許的空氣從螺栓33與螺紋孔32之間的空隙進(jìn)入通路34內(nèi)。流入通路34的空氣因處理對象水Al 的流動而被攪拌，從而形成納米氣泡(nano bubble)或者微氣泡(micro bubble)(下面僅稱作納米氣泡)，從而產(chǎn)生來源于水與氧的、包括過氧化氫(H2O2)的原子團(tuán)或者使原子團(tuán)增加的化學(xué)物種。作為該化學(xué)物種而言，包括過氧基(· (V)、氫離子(H3O+)、氫氧基(H0 ·)、 單線態(tài)氧(1O2)、金屬-氧絡(luò)合體(M-00)、臭氧(O3)?？梢哉{(diào)整螺栓33的旋入量以調(diào)整納米氣泡35的產(chǎn)生量從而產(chǎn)生足量的上述化學(xué)物種。此外，也可以通過提高不銹鋼管31內(nèi)的處理水Al的流速來提高上述化學(xué)物種的產(chǎn)生量。作為原子團(tuán)增加部30所使用的不銹鋼管31，以采用JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))中的 SUS316的材質(zhì)為佳。原子團(tuán)增加部30的不銹鋼管31中含有的鐵(Fe)會以微量金屬離子的方式溶解在處理對象水Al中，從而能夠增強(qiáng)磁場產(chǎn)生裝置40中的殺菌能力。如圖4所示，在磁場產(chǎn)生裝置40中，于處理對象水Al流動的管道41的外側(cè)并排地設(shè)置有多個磁鐵42。磁鐵42的配置使得其磁力線橫穿管道41中流動的處理對象水Al。當(dāng)然，關(guān)于磁鐵42的配置，也并不限于圖4所示的例子，只要能夠使磁力線與處理對象水Al 的流向相交叉，采用其他的配置方式也可。作為磁鐵42而言，其產(chǎn)生的磁場越強(qiáng)越好，可以采用含釹的磁鐵。此外，作為磁鐵 42而言，以磁通密度在0. 9T(9000Gauss)以上為佳，再好一點的是1. 2T (12000Gauss)，最好是在 1. 4T(HOOOGauss)以上。若磁鐵42的磁通密度小于0. 9T，則磁場產(chǎn)生裝置40內(nèi)的滅菌就會不充分。磁鐵 42的磁通密度越大磁場產(chǎn)生裝置40內(nèi)的殺菌能力就越好。處理對象水Al在上述的紫外線照射裝置20、原子團(tuán)增加部30以及磁場產(chǎn)生裝置 40中的各個流速以2m/s以上為佳。這是為了能夠充分地產(chǎn)生“基”并且提高磁場產(chǎn)生裝置 40的殺菌能力。另外，為了使原子團(tuán)在有氧化能力的狀態(tài)下能夠到達(dá)磁場產(chǎn)生裝置40，原子團(tuán)增加部30與磁場產(chǎn)生裝置40之間的流路的長度(路程)以20cm以下為佳，最好是在 IOcm以下。此外，在原子團(tuán)增加部30形成在紫外線照射裝置20與磁場產(chǎn)生裝置40之間的配管部分上時，紫外線照射裝置20與磁場產(chǎn)生裝置40之間的流路長度以20cm以下為佳， 最好是在IOcm以下?；钚蕴窟^濾器50設(shè)置在出水配管94上，出水配管94位于處理配管92與循環(huán)配管93交匯之處的下游側(cè)?；钚蕴窟^濾器50是填充有活性炭的公知過濾器，可以任意選擇。 此外，也可以在與上述不同的位置配置這樣的物理過濾器。例如，如圖1所示地，可以在循環(huán)配管93上設(shè)置過濾器61，在導(dǎo)入原水的導(dǎo)入管91上設(shè)置過濾器62。按照如上所述而構(gòu)成的水處理裝置1的動作如下所述。從導(dǎo)入管91被導(dǎo)入的原水進(jìn)入容器10中，并且，在泵P的作用下被從容器10中抽出而流入處理配管92。處理對象水Al進(jìn)入紫外線照射裝置20內(nèi)從而被殺菌。此時，并不是所有的微生物都被殺滅，隱藏在浮游物角落中的微生物與耐力較高的微生物(例如，產(chǎn)孢菌)會殘留下來。此外，紫外線照射處理對象水Al，會使水中產(chǎn)生“基”(原子團(tuán))。例如，產(chǎn)生如上所述的過氧基(· (V)、氫離子(H3O+)、氫氧基(H0 ·)、單線態(tài)氧(1O2)。若是自來水的話，還會產(chǎn)生 αο-。之后，通過了紫外線照射裝置20的處理對象水Al進(jìn)入原子團(tuán)增加部30。在原子團(tuán)增加部30中，空氣從設(shè)置于不銹鋼管31內(nèi)的側(cè)部上的螺紋孔32以及螺栓33之間的間隙進(jìn)入處理對象水Al中，從而在高速流動的處理對象水Al內(nèi)產(chǎn)生納米氣泡35。從而，使處理對象水Al中的原子團(tuán)或者能夠使原子團(tuán)數(shù)量增加的過氧化氫等的化學(xué)物種的數(shù)量增加。此外，會有些許的鐵從不銹鋼管31溶入處理對象水Al中。原子團(tuán)數(shù)目增加了的處理對象水Al進(jìn)入磁場產(chǎn)生裝置40中，并以較高的速度橫穿磁力線地流過。此時，原子團(tuán)的殺菌能力增強(qiáng)，并且原子團(tuán)有氧化型的向還原型的轉(zhuǎn)換。 即，變回?zé)o害的有用水。原子團(tuán)的殺菌能力增強(qiáng)，從而使在紫外線照射裝置20中未被殺滅的一部分微生物以及耐受性(抵抗力)較高的產(chǎn)孢菌等被滅殺。如此，使處理對象水Al在水處理裝置1中流動一次從而能夠滅殺包括產(chǎn)孢菌的微生物，即，實現(xiàn)滅菌。被滅菌后的處理對象水Al可以從出水配管94中流出，從而作為實驗用水、飲用水、生活用水等。出水配管94并不是直接與容器10連接，而是連接在磁場產(chǎn)生裝置40與容器10之間的循環(huán)配管93上，從而能夠確保滅菌的較徹底性以及水的無害性。另外，在磁場產(chǎn)生裝置40中，高速通過強(qiáng)力的磁場的處理對象水Al，具有非常高的浸透力與清洗能力，因而能夠使附著在什么物體上的微生物從該物體上脫離。因而，可以使從磁場產(chǎn)生裝置40流出的處理對象水Al通過循環(huán)配管93返回容器10內(nèi)。從而，使附著在容器10的內(nèi)壁以及浮游物上的微生物(容器10內(nèi)殘留的微生物)被剝離，從而浮游在水中。并且，被剝離的微生物被導(dǎo)入到處理配管92中，通過紫外線照射裝置20、原子團(tuán)增加部30以及磁場產(chǎn)生裝置40而被完全滅殺。如上面所說明的，采用本實施方式的水處理裝置1，通過紫外線照射裝置20、原子團(tuán)增加部30以及磁場產(chǎn)生裝置40，特別是通過使處理對象水Al在原子團(tuán)被增加的狀態(tài)下通過磁場產(chǎn)生裝置40，能夠滅殺產(chǎn)孢菌等用通常方法不能滅殺的微生物。此外，因磁場處理而使清洗能力增加的水返回容器10中之后進(jìn)行再次處理，從而能夠在數(shù)分鐘內(nèi)實現(xiàn)對容器10內(nèi)的處理對象水Al的滅菌。在使用本實施方式的水處理裝置1對食品等進(jìn)行除菌時，在容器10內(nèi)進(jìn)行洗凈即可。從而，與磁場處理水的清洗能力相結(jié)合作用，能夠除去附著在食品表面的微生物。此外，在需要更有效地對食品進(jìn)行除菌時，如圖5所示，將本實施方式的水處理裝置1前后兩組串聯(lián)配置，用后面(下游側(cè))的容器10清洗食品等即可。如此，前后串聯(lián)配置兩級水處理裝置1，被前面(第1級、上游側(cè))的裝置滅菌后的清洗能力較高的清洗水A2 存在于后面的容器10中，在容器10中清洗食品，從而能夠用大量的被滅菌后且清洗能力較高清洗水A2來進(jìn)行清洗，因而能夠提高清洗與除菌的效率。以上對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于上述的實施方式， 可以對其進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?。圖6所示為原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的其他實施方式。關(guān)于原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)，只要是能夠產(chǎn)生以過氧化氫為主的化學(xué)物種即可，因而并不限于利用上述的納米氣泡的方法，采用任何能夠產(chǎn)生過氧化氫的方法均可。例如，圖6所示的過氧化氫產(chǎn)生裝置130為原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的一例，該過氧化氫產(chǎn)生裝置130具有電解槽131，由隔膜132將電解槽131分為兩個腔室，即陽極室133與陰極室134。并且，在陽極式133中設(shè)有陽極135，在陰極室134中設(shè)有陰極136。陰極136為多孔質(zhì)部件，能夠通過滲透的方式將空氣或者氧導(dǎo)入陰極室134內(nèi)。 另外，在陽極135與陰極136之間施加有電壓。使處理對象水Al流動在分為這樣的兩個腔室即陽極室133與陰極室134的電解槽131中，從而能夠通過1/202+Η20 — H2O2這樣的反應(yīng)產(chǎn)生過氧化氫。關(guān)于該過氧化氫產(chǎn)生裝置130的設(shè)置位置，只要是位于處理配管92上磁場產(chǎn)生裝置40的上游，設(shè)置在哪里都可以。另外，作為原子團(tuán)增加裝置而言，采用紫外線照射裝置也可以(在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，用紫外線照射裝置代替原子團(tuán)增加部30)。另外，也可以使紫外線照射裝置(圖1所示的結(jié)構(gòu)中的紫外線照射裝置20)兼做原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)。如上所述，用紫外線照射處理對象水Al，則會從水中產(chǎn)生過氧基(· Of)、氫離子(H3O+)、氫氧基(H0 ·)、過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)。因而，只要是用紫外線照射裝置能夠產(chǎn)生足夠的這些化學(xué)物種，就可以將紫外線照射裝置用作原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)(或者，也可以將紫外線照射裝置兼用作原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu))。另外，還可以設(shè)有用于調(diào)整處理對象水Al內(nèi)的金屬離子量的離子量調(diào)整器，該離子量調(diào)整器可以與原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)合并，也可以單獨設(shè)置。圖7為兼有原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的離子量調(diào)整器的剖視圖。如圖7所示，離子量調(diào)整器230具有圓筒狀的筒體231，在該筒體231內(nèi)安裝著至少在表面上具有金屬層的內(nèi)插芯體239。內(nèi)插芯體239的第1端239a以及第2端239b皆形成為錐形，從而使處理對象水Al能夠從第1端239a順暢地流向第2端 239b。在結(jié)構(gòu)架231的一端與另一端上分別設(shè)有蓋232、232，蓋232、232具有分別與芯體 239的第1端239a、第2端239b相對應(yīng)的形狀。位于處理對象水Al流入的入口側(cè)的蓋232 具有管部23 ,與上述原子團(tuán)增加部30同樣，在管部23 的側(cè)部設(shè)有螺紋孔234與螺栓 235，并且，空氣能夠從螺栓235與螺紋孔234之間的間隙進(jìn)入管部23 內(nèi)，從而在離子調(diào)整器230內(nèi)產(chǎn)生納米氣泡。采用這樣的離子量調(diào)整器230時，其可起到能產(chǎn)生納米氣泡的原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)的作用同時，還能夠提供金屬離子，從而增強(qiáng)磁場產(chǎn)生裝置40內(nèi)的殺菌能力，并且，通過選擇金屬的種類從而能夠使之前溶解在處理對象水Al中的有害重金屬被無害化。離子量調(diào)整器230的芯體239會逐漸溶解而減少，因而，最好是采用能夠容易更換的結(jié)構(gòu)。關(guān)于在芯體239的表面上所使用的金屬而言，可以為佝，Co，Ag，Pb，Ni，Al，Mg，Zn， Cu，Ti等。芯體239以含有這些金屬中至少一種為佳。具體點說，作為芯體239而言，可以為在奧氏體不銹鋼中摻加Ti而形成的金屬芯體、在奧氏體不銹鋼中摻加Si而形成的金屬芯體、在奧氏體不銹鋼中摻加Cu而形成的金屬芯體等。另外，可以在水處理裝置1的配管90 (特別是處理配管92的磁場產(chǎn)生裝置40的上游側(cè))的至少內(nèi)周面上使用含有上述金屬的材料，，該含有上述金屬的材料也可以形成在離子量調(diào)整器230中。例如，可以用SUS316(JIQ等規(guī)格的不銹鋼或者銅形成處理配管 92。從而，能夠向處理對象水Al中供應(yīng)金屬離子，因而能夠增強(qiáng)殺菌能力并使重金屬無害化。在上述實施方式中，在原子團(tuán)增加部30中使空氣從間隙進(jìn)入，然而也可以使氧氣從間隙進(jìn)入。另外，也可以設(shè)置小孔以代替上述的部件之間的間隙。而且，也可以用泵或者氧氣瓶(氣體供應(yīng)裝置)將空氣或氧氣強(qiáng)制性地注入處理配管92內(nèi)。還有，關(guān)于空氣或氧氣進(jìn)入處理配管92的進(jìn)入處的位置，只要是位于磁場產(chǎn)生裝置40之前，設(shè)置在從容器10 到磁場裝置40之間或者循環(huán)配管93上的任意位置均可。即，只要不是設(shè)置在使處理完成的水從磁場產(chǎn)生裝置40經(jīng)過出水配管94而流出的路徑上，設(shè)置在其他任何位置上都可以。 當(dāng)然，進(jìn)入處的位置以及結(jié)構(gòu)最好是能夠使進(jìn)入磁場產(chǎn)生裝置40的處理對象水Al中含有足夠的原子團(tuán)。另外，如上述實施方式那樣，在將存在于容器10中的處理對象水Al供應(yīng)給水處理裝置1的結(jié)構(gòu)中，最好是產(chǎn)生能夠?qū)⒏街谌萜?0的內(nèi)壁上的微生物剝離的水流，從而使處理對象水Al中的微生物不會附著在容器10的內(nèi)壁上從而殘留在容器10內(nèi)。例如，如圖8中(a)與(b)所示，在導(dǎo)入管91的下游側(cè)端部設(shè)置著直管狀的不銹鋼管91a，該不銹鋼管91a沿著容器10的內(nèi)周面配置，從而傾斜地朝容器10的內(nèi)壁IOa排出處理對象水Al。從而，處理對象水Al從不銹鋼管91a流出能夠產(chǎn)生沿著容器10的內(nèi)周面的水流。此外，在處理配管92的上游側(cè)端部設(shè)有直管狀的不銹鋼管92a，該不銹鋼管92a 沿著容器10的內(nèi)周面配置，從而能夠順著水流抽吸將容器10中的處理對象水Al并將其輸送到處理配管92 (水處理裝置1)中。此外，不銹鋼管91a向下傾斜地配置從而向斜下方排出處理對象水Al，并且，使不銹鋼管92a的端部(吸入口)配置位置比不銹鋼管91a的端部(排出口)低，從而，能夠在容器10內(nèi)產(chǎn)生螺旋狀的水流，并且，能夠沿著螺旋狀的水流將處理對象水Al吸入不銹鋼管 92a中。因而，因水流的作用而從內(nèi)壁IOa上脫離的微生物沿著水流被吸入不銹鋼管92a， 從而能夠均勻地將容器10內(nèi)的處理對象水Al輸送到水處理裝置1中，之后進(jìn)行滅菌。實施例接下來對確認(rèn)本發(fā)明的水處理裝置的滅菌效果的實施例進(jìn)行說明。在下面的實驗中使用的水處理裝置與上述的實施方式(參照圖1)大致相同(并未設(shè)置相當(dāng)于過濾器61、 62的部件)。用水處理裝置進(jìn)行的滅菌實驗用本發(fā)明的水處理裝置做了圖9 圖11中所記載的57種微生物的滅菌實驗。另外，關(guān)于圖中(表中)所示的菌名，拉丁語的表述為正式名稱(學(xué)名)，漢語的表述用于參考。<實驗方法>水處理裝置的規(guī)格如下所示容器水量30L處理配管中的流速2. 5m/s原子團(tuán)增加部的管道的材質(zhì)SUS316磁場產(chǎn)生裝置的磁鐵的磁通密度1. 37T容器內(nèi)存有自來水或者純水30L，使水處理裝置工作規(guī)定的時間，以對容器內(nèi)的水進(jìn)行處理。另外，在本實驗中，從磁場產(chǎn)生裝置流出的水通過循環(huán)配管而返回容器內(nèi)，之后被再次導(dǎo)入處理配管中。即，在本實驗中，在使水進(jìn)行循環(huán)的同時進(jìn)行處理。首先，將細(xì)菌放入容器內(nèi)使其濃度為10000個/ml。此外，將在此情況下的處理前的容器內(nèi)的水Iml在36°C的條件下進(jìn)行注皿培養(yǎng)(pour plate culture)，統(tǒng)計出的菌落數(shù)量為圖9 圖11中的“對照”。之后，使水處理裝置工作，分別在處理開始后1分鐘、2分鐘、3分鐘時從容器中取出作為試樣的水，滴入培養(yǎng)基中培養(yǎng)細(xì)菌，統(tǒng)計菌落數(shù)量。這些實驗針對每一個菌種都進(jìn)行。容器中的水沒有進(jìn)行加溫，實驗是在室溫條件(20°C)下進(jìn)行的?！磳嶒灲Y(jié)果〉如圖9 圖11所示，57種菌中，有10種在處理進(jìn)行1分鐘時被滅殺(滅菌)，有 50種在進(jìn)行了 2分鐘時被滅殺，在進(jìn)行了 3分鐘時，57種菌全部被滅殺。在現(xiàn)有技術(shù)中，即使采用高溫也需要十多分鐘才能實現(xiàn)滅菌，而在本發(fā)明中，在常溫(40°C )下且在3分鐘內(nèi)即可實現(xiàn)滅菌。特別是，即使是耐性最強(qiáng)的芽孢(spore99% )Bacillus subtilis (No. 38、38 號)，也在3分鐘內(nèi)被滅殺，從而可以斷定，目前為止所知道的所有菌都能夠在3分鐘內(nèi)被滅
O<用水處理裝置進(jìn)行的滅菌實驗2>用本發(fā)明的水處理裝置進(jìn)行圖12所示的13種微生物的滅菌實驗。另外，在本實驗中，并不是進(jìn)行水循環(huán)處理而從容器中取出試樣的方法，而是從出水配管中抽取通過水處理裝置僅一次的水的試樣?！磳嶒灧椒ā?br> 水處理裝置的規(guī)格如下所示容器的材質(zhì)SUS316容器水量30L處理配管中的流速2. 5m/s原子團(tuán)增加部的管道的材質(zhì)SUS316磁場產(chǎn)生裝置的磁鐵的磁通密度1. 37T將30L純水引入容器內(nèi)。之后，將菌株稀釋至106個/ml，并添加到容器內(nèi)的水中。 此外，抽取此時容器內(nèi)的水Iml在30°C的條件下注皿培養(yǎng)(pour plate culture) 3 7天， 統(tǒng)計出的菌落數(shù)量為圖9 圖11中的“對照”。之后使水處理裝置工作(室溫M°C、水溫21°C)。并且，在工作開始約1秒后抽取從出水配管流出的、通過水處理裝置僅一次的水1ml，在30°C的條件下注皿培養(yǎng)3 7天， 之后統(tǒng)計菌落的數(shù)量。針對圖12所示的13種微生物一個一個地進(jìn)行這樣的實驗，并且，對每個微生物的實驗都進(jìn)行10次?！磳嶒灲Y(jié)果〉如圖12所示，僅通過了本發(fā)明的水處理裝置一次，包括產(chǎn)孢菌Bac i 11 us subtilis (No. 8)在內(nèi)的13種菌均被滅殺(滅菌)。因而，采用本發(fā)明的水處理裝置能夠在極短的時間內(nèi)實現(xiàn)對微生物的滅殺(滅菌)。<與紫外線照射殺菌的比較實驗>將用本發(fā)明的水處理裝置進(jìn)行的殺菌(滅菌)與用紫外線照射進(jìn)行的殺菌相比較?！磳嶒灧椒ā邓幚硌b置的規(guī)格如下所示容器水量30L處理配管中的流速2. 5m/s原子團(tuán)增加部的管道的材質(zhì)SUS316磁場產(chǎn)生裝置的磁鐵的磁通密度1. 37T如圖13所示，用紫外線照射進(jìn)行殺菌所使用的實驗裝置具有用于存裝處理對象水Al的容器10、供來自于容器10的處理對象水Al流入的處理配管192、泵P、紫外線照射裝置120(紫外線燈兩根(峰值波長2Mnm，185nm))、用于使從紫外線照射裝置120流出的處理對象水流出到外部的出水配管194。實驗裝置的規(guī)格如下所示容器水量30L處理配管中的流速3. Om/s配管(包括泵、紫外線照射裝置)的全長3m將純水30L裝入容器內(nèi)，將預(yù)先調(diào)整了菌的數(shù)量的菌液(約106個/ml)放入容器內(nèi)。抽取此時的容器中的未處理使lml，在35°C下注皿培養(yǎng)并統(tǒng)計菌落的數(shù)量，其結(jié)果為圖 14中的(a)、(b)中的“對照”。之后，使紫外線照射裝置的紫外線燈點亮，過3分鐘后將泵啟動。并且，將從出水配管流出的最初的IOL水丟掉，之后從出水配管中抽取試樣1ml，在35°C的條件下注皿培養(yǎng)并統(tǒng)計菌落的數(shù)量。針對圖14所示的5種微生物分別進(jìn)行這樣的實驗，并且每種微生物進(jìn)行5次。此外，實驗在室溫條件下(25°C )進(jìn)行?！磳嶒灲Y(jié)果〉如圖14中(a)所示用本發(fā)明的水處理裝置進(jìn)行的處理中，5種菌全部被滅菌。另一方面，如圖14中(b)所示，僅用紫外線照射進(jìn)行的處理中，形成芽孢的Bacillus subtilis 會有不能完全滅殺的情況(第5次)發(fā)生。紫外線照射裝置120具有兩根功率很高的紫外線燈，并且，為了使紫外線能夠容易地照射到微生物而做了一番設(shè)計，因而，雖然僅用紫外線照射裝置120進(jìn)行紫外線照射能夠?qū)Υ蠖鄶?shù)的菌實現(xiàn)殺菌，但是，如果采用一般的紫外線照射裝置的話，殺菌能力會進(jìn)一步降低，并且在處理的水量較多時會不能以很高的概率實現(xiàn)滅菌。<用磁場進(jìn)行的處理實驗>針對圖15所示的5種微生物僅用磁場進(jìn)行處理實驗以研究能否實現(xiàn)滅菌?！磳嶒灧椒ā翟诒緦嶒炛?，所使用的實驗裝置為從本發(fā)明的水處理裝置中取出紫外線照射裝置與原子團(tuán)增加部，用不銹鋼管將容器與磁場產(chǎn)生裝置連接從而在二者間形成流路。即，僅用磁場產(chǎn)生裝置進(jìn)行對處理對象水的處理。磁場產(chǎn)生裝置的磁通密度為1. 37T。實驗針對圖15所示的5種微生物分別進(jìn)行。(Staphylococcus aureus · Pseudomonas aeruginosa · Bacillus subtilis)將25L(23°C )的純水裝入容器內(nèi)，在0. 45%的滅菌食鹽水2ml中調(diào)整菌液，使菌的濃度為約3X IO8個/ml。將這樣的菌液250ml放入容器內(nèi)，攪拌后濃度為約3X IO3個/ ml。并且，從容器內(nèi)抽取此時的處理對象水100μ 1放入培養(yǎng)皿中，在標(biāo)準(zhǔn)瓊脂培養(yǎng)基(agar medium)中注皿培養(yǎng)并測定未處理的水中的菌的數(shù)量。接下來，使實驗裝置啟動且水的流速為3. 0m/s，在60分鐘內(nèi)每隔10分鐘從容器中抽取100 μ 1的試樣放入培養(yǎng)皿中，在標(biāo)準(zhǔn)瓊脂培養(yǎng)基(agar medium)中注皿培養(yǎng)并測定菌的數(shù)量。另外，培養(yǎng)在35°C的條件下進(jìn)行，觀察時間為48小時。(Escherichia coli)將25L(23°C )的純水裝入容器內(nèi)，在0. 45%的滅菌食鹽水2ml中加入菌液，并對其進(jìn)行調(diào)整以使菌的濃度為約1. 5X IO8個/ml。將這樣的菌液2. 5ml放入容器內(nèi)，攪拌后濃度為約1. 5X IO4個/ml。并且，從容器內(nèi)抽取此時的處理對象水100 μ 1放入培養(yǎng)皿中， 在標(biāo)準(zhǔn)瓊脂培養(yǎng)基(agar medium)中注皿培養(yǎng)并測定未處理的水中的菌的數(shù)量。接下來， 使實驗裝置啟動且水的流速為3. 0m/s，在60分鐘內(nèi)每隔10分鐘從容器中抽取100 μ 1的試樣放入培養(yǎng)皿中，在標(biāo)準(zhǔn)瓊脂培養(yǎng)基(agar medium)中注皿培養(yǎng)并測定菌的數(shù)量。另外，培養(yǎng)在35°C的條件下進(jìn)行，觀察時間為48小時。(Legionella pneumophila)將25L(23°C )的純水裝入容器內(nèi)，在0. 45%的滅菌食鹽水2ml中調(diào)整菌液，使菌的濃度為約3 X IO8個/ml。將這樣的菌液250 μ 1放入容器內(nèi)，攪拌后濃度為約3 X IO3個/ ml。并且，從容器內(nèi)抽取此時的處理對象水100 μ 1放入培養(yǎng)皿中，接種到GVPC基礎(chǔ)培養(yǎng)基中并測定未處理的水中的菌的數(shù)量。接下來，使實驗裝置啟動且水的流速為3.0m/s，在60 分鐘內(nèi)每隔10分鐘從容器中抽取100μ 1的試樣放入培養(yǎng)皿中，接種到GVPC基礎(chǔ)培養(yǎng)基中并測定菌的數(shù)量。另外，培養(yǎng)在37°C的條件下進(jìn)行，觀察時間為5天?！磳嶒灲Y(jié)果〉從圖15的結(jié)果可知，在僅施加磁場的情況下，雖然處理時間越長菌的數(shù)量會越少，但是，即使是處理了 60分鐘后，也遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到滅菌的程度。因而可知，在僅使用磁場的情況下不能在較短的時間內(nèi)實現(xiàn)滅菌。<殘留物的濃度測定實驗>對用本發(fā)明的水處理裝置處理后的水中含有的殘留物(殘留氯(C10_))的濃度進(jìn)行了測定。〈實驗方法〉水處理裝置的規(guī)格如下所示容器水量30L處理配管中的流速2. 5m/s原子團(tuán)增加部的管道的材質(zhì)SUS316磁場產(chǎn)生裝置的磁鐵的磁通密度1. 37T在容器中存裝自來水30L(22°C )，使水處理裝置啟動并工作規(guī)定時間，從而對容器內(nèi)的水進(jìn)行處理。分別在處理開始后的1分鐘、2分鐘、3分鐘從容器中抽取試樣水，添加 DPD(Dimethyl-p-phenylenediamine)試劑。將此時的顯色與標(biāo)準(zhǔn)比色圖表比較，從而判定殘留氯(游離殘留氯)的濃度(即，所謂的DPD法)。另外，裝入容器中的自來水的殘留氯濃度為1. Oppm?！磳嶒灲Y(jié)果〉測得的殘留氯濃度為，處理1分鐘0. 6ppm, 2分鐘0. 2ppm, 3分鐘Oppm。S卩，處理時間越長殘留氯濃度越小，在處理了 3分鐘時完全檢測不到殘留氯。因而可知，采用本發(fā)明的水處理裝置，不僅能夠在短時間內(nèi)對微生物進(jìn)行滅菌，還能夠在短時間內(nèi)使處理對象水中含有的殘留物(殘留氯)分解。
權(quán)利要求
1.一種水處理裝置，由外界向該水處理裝置提供處理對象水，水處理裝置在處理通路內(nèi)對處理對象水進(jìn)行規(guī)定的處理，其特征在于，包括紫外線照射裝置，其設(shè)置在所述處理通路中用于對所述處理對象水照射紫外線.一入 ，磁場產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的下游側(cè)，對流過的所述處理對象水施加磁場；原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)，其設(shè)置在所述處理通路中的所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間，使過氧基(· O2-)、氫離子(H3O+)、氫氧基(H0 ·)、過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)、 金屬-氧絡(luò)合體(M-00)、臭氧(O3)這些原子團(tuán)中的至少一種的數(shù)量增加。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理裝置，其特征在于，所述原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)為能夠使空氣或氧氣從外部進(jìn)入所述處理通路內(nèi)的小孔或間隙，該小孔或間隙設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水處理裝置，其特征在于，還包括離子量調(diào)整裝置，該離子量調(diào)整裝置設(shè)置在所述處理通路中的所述磁場產(chǎn)生裝置的上游側(cè)，具有殼體與設(shè)置在該殼體內(nèi)的離子供應(yīng)內(nèi)插芯體，該離子供應(yīng)內(nèi)插芯體含有露出在表面的金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理裝置，其特征在于，所述原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)為能夠?qū)⒖諝饣蛘哐鯕鈴耐獠抗?yīng)到所述處理通路內(nèi)的氣體供應(yīng)器，且其設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理裝置，其特征在于，所述原子團(tuán)增加機(jī)構(gòu)為設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間的過氧化氫產(chǎn)生裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理裝置，其特征在于，還包括循環(huán)通路，該循環(huán)通路用于在所述磁場產(chǎn)生裝置的下游連接所述處理通路與容器，所述處理對象水進(jìn)入所述容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的水處理裝置，其特征在于，在所述循環(huán)通路上的所述磁場產(chǎn)生裝置與所述容器之間設(shè)置有出水通路，該出水通路用于將被滅菌且無害化的處理完成水取出。
8.一種水處理裝置，由外界向該水處理裝置提供處理對象水，水處理裝置在處理通路內(nèi)對處理對象水進(jìn)行規(guī)定的處理，其特征在于，包括紫外線照射裝置，其設(shè)置在所述處理通路中用于對所述處理對象水照射紫外線. 磁場產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的下游，對流過的所述處理對象水施加磁場；小孔或間隙，該小孔或間隙設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間，能夠使空氣或氧氣從外部透過小孔或間隙進(jìn)入所述處理通路內(nèi)。
9.一種水處理裝置，由外界向該水處理裝置提供處理對象水，水處理裝置在處理通路內(nèi)對處理對象水進(jìn)行規(guī)定的處理，其特征在于，包括紫外線照射裝置，其設(shè)置在所述處理通路中用于對所述處理對象水照射紫外線.磁場產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的下游，對流過的所述處理對象水施加磁場；氣體供應(yīng)器，該氣體供應(yīng)器設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間，由該氣體供應(yīng)器能夠?qū)⒖諝饣蛘哐鯕鈴耐獠抗?yīng)到所述處理通路內(nèi)。
10. 一種水處理裝置，由外界向該水處理裝置提供處理對象水，水處理裝置在處理通路內(nèi)對處理對象水進(jìn)行規(guī)定的處理，其特征在于，包括紫外線照射裝置，其設(shè)置在所述處理通路中用于對所述處理對象水照射紫外線.一入 ，磁場產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的下游，對流過的所述處理對象水施加磁場；過氧化氫產(chǎn)生裝置，其設(shè)置于所述處理通路中的所述紫外線照射裝置的上游側(cè)或者所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種水處理裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)用極短的時間在常溫條件下實現(xiàn)對所有的微生物的殺菌、滅菌。為達(dá)到這樣的目的，本發(fā)明的水處理裝置(1)，用于在處理配管(92)內(nèi)對處理對象水(A1)進(jìn)行規(guī)定的處理并供應(yīng)處理對象水，具有紫外線照射裝置(20)，其設(shè)置在所述處理管道上用于對所述處理對象水(A1)照射紫外線；磁場產(chǎn)生裝置(40)，其設(shè)置在所述處理配管上的所述紫外線照射裝置的下游側(cè)，對流動的所述處理對象水施加磁場；原子團(tuán)增加部(30，其設(shè)置在所述處理通路上的所述紫外線照射裝置與所述磁場產(chǎn)生裝置之間，使過氧基(·O2-)、氫離子(H3O+)、氫氧基(HO·)、過氧化氫(H2O2)、單線態(tài)氧(1O2)、金屬-氧絡(luò)合體(M-OO)、臭氧(O3)這些原子團(tuán)中的至少一種的數(shù)量增加。
文檔編號C02F1/32GK102164863SQ20098013793
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者山田光男 申請人:山田微生物研究所