專利名稱：為防止溢流的地下誘生孔阻塞的制作方法
為防止溢流的地下誘生孔阻塞背景除非在本文另外指出，這部分中描述的方案對于本申請中的權(quán)利要求不是現(xiàn)有技術(shù)，并且不因包含在這部分中而被承認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)。對于環(huán)境溢流或污染，第一步典型是封存，即使污染物擴散可能花費數(shù)年。傳統(tǒng)的溢流封存(spill containment)典型地包括挖溝并且用粘土材料填充溝。有時必須將地面結(jié)構(gòu)毀壞或以其他方式破壞以形成封存槽?？赡苡杏玫氖窃O(shè)計通過杠桿作用影響電修復(fù)技術(shù)(electro-remediation techniques)的溢流封存響應(yīng)，以便在避免對地面結(jié)構(gòu)的損壞同時仍阻止有害污染物的擴散。概述根據(jù)一些實施方案，用于形成地下阻滲透層的方法一般可以包括將表面活性劑材料提供至地下土壤容積和酸化地下土壤容積。例如，可以將表面活性劑材料提供至陰極模塊或陽極模塊，其中所述陰極模塊和陽極模塊安置為提供表面活性劑材料在地下土壤容積內(nèi)的滲透。可以之后使得表面活性劑材料滲透地下土壤容積的至少一部分。也可以將酸化材料提供至陰極模塊和/或陽極模塊。之后可以使酸化材料滲透地下土壤容積的所述部分。根據(jù)一些實施方案，污染封存系統(tǒng)一般地描述為可以包括多個電極和地下阻滲透層，所述地下阻滲透層包括在兩個電極之間延伸的至少一個阻擋段。阻擋段可以包括表面活性劑粘附材料。以上概述僅為了舉例說明并且不意圖以任何方式進行限制。除了上面描述的示例性方面、實施方案和特征之外，通過參考附圖和以下的詳述，其他方面、實施方案和特征將是顯見的。附圖簡述本公開內(nèi)容的主題在說明書的結(jié)論部分中特別指出并明確要求。由以下的描述和后附權(quán)利要求，并結(jié)合附圖，本公開內(nèi)容的以上和其他特征將變得更加充分顯而易見的。應(yīng)明白這些附圖僅描繪根據(jù)本公開內(nèi)容的數(shù)個實施方案，并且因此不應(yīng)被認(rèn)為是對其范圍的限制，本公開內(nèi)容將通過使用附圖而得以更加具體且詳細地描述。在附圖中:

圖1是實例系統(tǒng)的示意圖；圖2是圖1的實例系統(tǒng)的一部分的示例；圖3是圖1的實例系統(tǒng)的一部分的示例；圖4是不例實例方法的流程圖；圖5是示例另一個實例方法的流程圖；圖6是另一個實例系統(tǒng)的示意圖；圖7是用于實施圖4和5的方法的至少一部分的實例系統(tǒng)的示意圖；圖8是實例計算機程序廣品的不例；并且圖9是實例計算裝置的示例，全部根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案安排。
詳述以下說明與具體細節(jié)一起給出多個實例以提供對所要求保護的主題的全面理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白的是，所要求保護的主題可以在沒有本文公開的一些或更多具體細節(jié)的情況下實施。此外，在有的情況下，未詳細描述公知的方法、程序、系統(tǒng)、組件和/或電路以便避免使得所要求保護的主題不必要地模糊。在以下詳述中，參考形成其一部分的附圖。在附圖中，除非上下文另外指出，相似的符號典型地表示相似的組件。詳述、附圖和權(quán)利要求中描述的示例實施方案不意味著限定?？梢圆捎闷渌麑嵤┓桨?，并且可以進行其他變化，而不脫離這里給出的主題的精神或范圍。將容易地明白的是，可以將如本文通常描述的，以及附圖中示例的本公開內(nèi)容的各實施方案排列、代替、組合，并且設(shè)計在寬范圍的多種不同的構(gòu)造中，其全部被明確地預(yù)期，并且構(gòu)成本公開內(nèi)容的一部分。本公開內(nèi)容涉及一般地涉及地下污染源的封存并且更具體地涉及地下阻滲透層的原位形成的方法、裝置和系統(tǒng)。根據(jù)本公開內(nèi)容的多個實施方案，可以使用電修復(fù)設(shè)備如電修復(fù)電極結(jié)構(gòu)的布置以在土地中產(chǎn)生阻滲透層，所述阻滲透層具有基本上阻止地下污染物穿過阻擋層的滲透的能力。在一些實例中，可以將地下面積或區(qū)域用堿性(高pH)和/或緩沖的表面活性劑溶液滲透，并且之后可以通過在該區(qū)域用水溶液、未緩沖的溶液和/或酸性(低pH)溶液后續(xù)滲透以使得表面活性劑粘附至土壤粒子，使阻擋層結(jié)構(gòu)原位形成。在一些實例中，可以將地下區(qū)域用緩沖的和/或酸性溶液表面活性劑溶液滲透，并且之后可以通過在該區(qū)域用緩沖的和/或堿性表面活性劑溶液后續(xù)滲透以使得表面活性劑粘附至土壤粒子，使阻擋層結(jié)構(gòu)原位形成?？梢圆捎秒娦迯?fù)技術(shù)以實現(xiàn)化學(xué)化合物，包括表面活性劑、緩沖劑、酸和/或堿化合物在地下土壤容積內(nèi)的運動和/或滲透。這種材料穿過土壤容積的傳輸或滲透可以通過電滲、電遷移和/或電泳的方式發(fā)生。土壤材料可以包括砂礫、沙、淤泥和/或粘土材料。圖1示例根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案的實例污染封存系統(tǒng)100的頂部俯視圖。系統(tǒng)100包括具有阻擋段103、104、105和106的地下污染封存堤或阻滲透層102。阻滲透層102與在一些實施方案中可以是電修復(fù)系統(tǒng)的組件的電極模塊108、110、112、114和116結(jié)合。電極模塊108、110、112、114和116可以構(gòu)造為促進表面活性劑材料在地下土壤容積內(nèi)的滲透，所述地下土壤容積至少部分地對應(yīng)于阻擋層102。單獨的阻擋段103、104、105和106可以分別與電極模塊對108/110、110/112、112/114和114/116結(jié)合。如下面將更詳細描述的，可以原位形成阻擋層102以通過，例如，抑制污染體118 (在圖1中顯示為從右至左流動)穿過阻擋層102而控制污染。阻擋層102可以包括粘附有表面活性劑的土壤材料，所述粘附有表面活性劑的土壤材料通過表面活性劑分子吸附至阻擋層容積內(nèi)的土壤粒子而形成。阻擋層102的粘附有表面活性劑的土壤材料可以通過至少部分地阻塞阻擋段103、104、105和/或106內(nèi)的土壤孔隙抑制污染體118的流動。圖2示例沿如根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案的圖1中所示的橫切面k' -A"所取的實例系統(tǒng)100的一部分的正視圖。如圖2中所示，電極模塊112包括位于電極儲器或井204中的電極202。如之前指出的，電極模塊112可以是電修復(fù)系統(tǒng)的一部分。可以定位電極模塊112以使得它從土壤表面206向下延伸至地下土壤208中，以使得阻擋段104可以在適合于至少部分地抑制污染體118的流的位置形成。
圖3示例根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案的如圖1中所示的實例系統(tǒng)100的一部分沿橫斷面B' -B"所取的另一個正視圖。如圖3中所示，電極模塊110、112和114包括位于相應(yīng)的電極井304、204和308中的相應(yīng)的電極302、202和306。在多個實施方案中，電極202、302和/或306中的任一個可以是陰極電極或陽極電極。在特定實施方案中，相鄰的電極在類型上可以是相同的或不同的，換言之，陽極電極可以鄰近于陰極電極，或鄰近于另一個陽極電極。例如，電極202可以是陰極電極并且電極302和306可以是陽極電極。在另一個實例中，電極202可以是陽極電極并且電極302和306可以是陰極電極。在多個實施方案中，電極，如電極模塊112的電極202，可以由導(dǎo)電材料形成。在一些非限制性實例中，電極可以由金屬材料如銅，不銹鋼，活性鈦，鐵等形成和/或由非金屬導(dǎo)電材料如石墨形成。在多個非限定性的實例中，電極可以由涂布有另一種材料如導(dǎo)電陶瓷的導(dǎo)電金屬如銅形成。在一些非限定性實例中，電極井，如電極井204，可以是任意類型的結(jié)構(gòu)體，如多孔外殼結(jié)構(gòu)體，其可以接收包含溶解的化學(xué)化合物的溶液并且可以允許這些溶液在電極井的內(nèi)部通過并環(huán)繞土壤。電極模塊108、110、112、114和116的放置可以依賴于土壤類型、土壤密度和/或孔尺寸，因此，在形成阻擋層102之前，可以使用已知技術(shù)測試地下土壤208以對于多種材料表征滲透速率?？梢圆捎眠@種技術(shù)以確定電極之間的間隔。通常，電極之間的間隔可以是任意距離。在一些非限定性實例中，電極之間的間隔可以是約10-30米，得到具有約10-30米的相應(yīng)長度并且具有約30cm的寬度的阻擋段103、104、105和106。相鄰的電極之間的間隔可以在距離上一致，或在距離上變化。圖4示例根據(jù)本公開內(nèi)容的多個實施方案的實例方法400的流程圖。方法400可以包括如通過框402和/或404中的一個或多個示例的一個或多個操作、功能或動作。方法400可以在框402處開始。在框402處，可以將表面活性劑材料提供至地下土壤容積。在一些實例中，也參考圖1-3，框402可以包括將表面活性劑材料的溶液提供至電極模塊108、110、112、114和116中的一個或多個，并且之后采用已知的電修復(fù)電動力學(xué)技術(shù)以使得表面活性劑材料透入位于兩個以上電極模塊之間的地下土壤容積。例如，對應(yīng)于阻擋段104的土壤容積可以通過以下方式由表面活性劑材料透入:將表面活性劑材料的溶液放置在鄰近于電極202的電極井204中，并且將電極202和302構(gòu)造為電修復(fù)系統(tǒng)的陰極/陽極對。之后可以通過在陰極/陽極電極對之間施加電場使得表面活性劑材料穿過地下土壤容積的至少一部分透入。在框402處采用的表面活性劑溶液可以包含加入至水溶液的一種或多種表面活性劑化合物。例如，在多個非限制性實例中，可以將表面活性劑以1-2克/升的濃度加入至水中，雖然可以依賴于特定土壤類型和/或條件采用特定類型的表面活性劑化合物和/或表面活性劑化合物的濃度。在一些實例中，可以將表面活性劑材料以堿性和/或緩沖的溶液提供至地下土壤容積。例如，在多個非限定性的實例中，可以將表面活性劑材料以PH緩沖的溶液的形式提供，例如，已經(jīng)使用電解質(zhì)如NaCl、Na2CO3等緩沖至中性或堿性pH的含有表面活性劑化合物的溶液。例如，在框402處采用的溶液可以包括溶解在0.003M Na2CO3溶液中的表面活性劑化合物。備選地，可以在沒有溶劑的情況下或不在溶液中提供在框402處采用的表面活性劑材料。當(dāng)?shù)叵峦寥廊莘e已經(jīng)含有足以溶解表面活性劑材料的水或當(dāng)?shù)叵峦寥廊莘e已經(jīng)被水飽和時，這可以是方便的?？梢詫⒈砻婊钚詣┎牧弦淮稳浚苑珠_的部分，或在時間上連續(xù)地提供至地下土壤容積。根據(jù)本公開內(nèi)容，在框402處可以采用多種表面活性劑化合物和/或表面活性劑化合物的組合。在多個實施方案中，可以采用陰離子、非離子、陽離子和/或兩性表面活性齊U。例如，可以采用表面活性劑如，但是不限于，羥基丙基β環(huán)糊精(HPCD)、聚山梨酯80、三甲基溴化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酰胺、甲基纖維素、磺酸二辛酯、二苯醚二磺酸酯(diphenyl oxide disulfonate) >聚氧燒基化脂肪酸酷和/或十_■燒基硫酸納。此外，在多個實施方案中，在框402處采用的表面活性劑材料可以包括可生物降解的表面活性劑和/或生物表面活性劑。例如，可以采用生物表面活性劑如，但是不限于，海藻糖脂(trehalolipids)、鼠李糖脂(rhamnolipids)、槐糖脂(sophorolipids)、糖脂、二糖基二甘油酯、表面活性肽、脂乳化劑和/或乳化膠。此外，在框402處采用的表面活性劑材料可以包括涂層和/或粘合聚合材料如，但是不限于，聚硅氧烷。在實施框402中，可以跨越兩個以上電極安置多個直流(DC)電壓。例如，在多個非限定性的實例中，可以將約100伏至約10，000伏的電壓施加至電極，雖然所采用的電學(xué)條件可能依賴于特定的土壤類型和/或條件。在一些實例中，框402可以使用脈沖DC電壓進行。例如，在非限定性實例中，可以在三至七天的跨度內(nèi)每十秒施加持續(xù)時間為一秒的DC電壓脈沖，在此過程中表面活性劑分子可以電滲地轉(zhuǎn)移至地下土壤容積中。方法400可以以在框404處地下土壤容積的酸化繼續(xù)。在多個實施方案中，框404可以包括鄰近于在框402處采用的相同的電極提供酸性或低pH溶液。在其他實施方案中，可以鄰近于另一個電極提供酸性或低PH溶液。例如，如果在框402處部分地通過將表面活性劑材料提供至電極井204使得表面活性劑透入地下土壤容積105，則框404可以包括將酸性或低pH溶液提供至或者電極井202或者電極井308。之后可以使酸性或低pH溶液滲透，并且從而通過在陰極/陽極電極對之間施加電場而酸化地下土壤容積的至少一部分。可以采用與之前描述的相似的電學(xué)條件。酸化可以全部一次，以分開的部分，或在時間上連續(xù)地進行。在一些實施方案中，在框404處采用的未緩沖的和/或酸性溶液可以包括具有與在框402處采用的相同和/或不同的表面活性劑化合物的未緩沖的和/或酸性表面活性劑溶液。例如，框402可以包括使用緩沖的HP⑶溶液以用HP⑶透入地下土壤容積，并且框404可以包括使用未緩沖的HP⑶溶液以使得該地下容積酸化，導(dǎo)致在該地下容積內(nèi)粘附有HPCD的土壤的形成。在多個其他的實施方案中，未緩沖的和/或酸性溶液也可以是包含，僅舉出數(shù)個非限制性實例，鹽酸、硫酸和/或乙酸溶液的酸性水溶液。雖然上面已經(jīng)作為包括框402的實施之后是框404的實施描述了方法400，但是所要求保護的主題不限于該方面并且框404可以在框402之前，其過程中或之后實施。例如，在一些實施方案中，框404可以通過，例如，使得酸性溶液透入地下土壤容積產(chǎn)生土壤容積的酸化而進行。隨后，框402可以通過使得高pH或緩沖的表面活性劑溶液透入相同的土壤容積導(dǎo)致在該地下容積內(nèi)粘附有表面活性劑的土壤的形成而進行。此外，在一些實施方案中，框402和/或框404可以實施多次以形成根據(jù)本公開內(nèi)容的阻滲透層。例如，在框402和404之后可以是另一個框402的重復(fù)和/或另一個框404的重復(fù)。 圖5示例根據(jù)本公開內(nèi)容的多個實施方案的實例方法500的流程圖。方法500可以包括如通過框502、504、506和/或508中的一個或多個所示的一個或多個操作、功能或動作。方法500可以在框502處開始。在框502處，可以鄰近于陰極電極或陽極電極中的至少一個提供表面活性劑材料。在一些實例中，也參考圖1-3，框502可以包括將表面活性劑材料的溶液，如緩沖的HP⑶溶液，提供至一個或多個電極模塊108、110、112、114和116。在框504處，可以使表面活性劑材料透入地下土壤容積的至少一部分。例如，可以采用電修復(fù)技術(shù)以使得HP⑶表面活性劑透入位于兩個或多個電極模塊108、110、112、114和116之間的地下土壤容積。在框506處，可以鄰近于陰極電極或陽極電極中的至少一個提供酸化材料，并且在框508處，可以使酸化材料透入在框504處由表面活性劑材料透入的地下土壤容積的一部分。例如，如果將緩沖的HPCD溶液在框502提供至電極模塊112，并且使得HPCD材料在框504處透入對應(yīng)于阻擋段104和/或105的土壤容積的至少一部分，那么框506和508可以包括將未緩沖的或酸性溶液提供至一個或多個電極模塊110、112和/或114，并且之后使得未緩沖的或酸性溶液透入對應(yīng)于阻擋段104和105的土壤容積。圖6示例根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案的另一個實例污染封存系統(tǒng)600的一部分。系統(tǒng)600包括四個實例阻滲透層602、604、606和607，其可以實施為包含污染體605。阻擋層602可以米用本文描述的技術(shù),使用現(xiàn)有的電修復(fù)場610的所選的電極模塊608以及用于形成阻擋層602的目的提供的另外的電極模塊612形成。在這種情況下，實例阻擋層602和607在排列上是非線性的。系統(tǒng)600的實例阻擋層604、606和607可以采用本文描述的技術(shù)，使用所選的現(xiàn)有電修復(fù)場610的電極模塊形成。阻擋層604和606,如在該實例中彼此鄰近排列顯不的，可以充當(dāng)提供污染體605的另外的封存。在這種情況下，阻擋層604和606在排列上是線性的。此外，實例阻擋層607與阻擋層604和606交叉，并且采用與阻擋層604和606 —樣的場610的一些電極模塊。雖然圖6示例數(shù)個實例阻擋層構(gòu)造，但是這種實例構(gòu)造是非限定性的并且根據(jù)本公開內(nèi)容的阻滲透層可以采取具有任意形狀的任意構(gòu)造，包括開放構(gòu)造的如線、線性的或另外地，以及封閉構(gòu)造如矩形構(gòu)造、圓形構(gòu)造等。例如，另外的阻擋段609和611可以與阻擋層602和604組合以在污染體605周圍提供封閉的圓形形狀的阻擋層構(gòu)造。圖7示例用于提供和/或?qū)嵤└鶕?jù)本公開內(nèi)容的至少一些實施方案的污染控制系統(tǒng)的實例系統(tǒng)700。系統(tǒng)700可以包括可操作連接至處理器706的處理單元702，其可以包括處理單元控制邏輯電路704。處理單元702可以包括裝置或子系統(tǒng)的任意排列，其構(gòu)造為使用例如處理器400和/或500進行如在圖1和6中所示的那些系統(tǒng)的制造。處理單元控制邏輯電路704可以構(gòu)造為提供裝置或子系統(tǒng)的任意排列的功能化控制，并且可以包括硬件、軟件或固件邏輯電路和/或其任意組合，雖然所要求保護的主題不限于特定類型的或表現(xiàn)的處理單元控制邏輯電路。處理器706可以是微處理器或中央處理單元(CPU)。在其他實施方案中，處理器706可以是專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、數(shù)字式信號處理器(DSP)或其他集成形式。處理器706和處理單元702可以構(gòu)造為通過任意合適的方式通訊，如，例如，通過有線連接或無線連接。圖8示例根據(jù)本公開內(nèi)容的至少一些實例安排的實例計算機程序產(chǎn)品800。程序產(chǎn)品800可以包括信號負(fù)載介質(zhì)802。信號負(fù)載介質(zhì)802可以包含當(dāng)通過例如處理器執(zhí)行時可以提供上面關(guān)于圖4和5描述的功能的一個或多個指令804。因此，例如，參考圖7的系統(tǒng)，一個或多個控制邏輯電路704和/或處理器706可以響應(yīng)通過介質(zhì)802傳送的指令804進行圖4和5中所示的框中的一個或多個。在一些實施方案中，信號負(fù)載介質(zhì)802可以包括計算機可讀介質(zhì)806，如，但是不限于，硬盤驅(qū)動器、光盤(CD)、數(shù)字多功能光盤(DVD)、磁帶機、儲存器等。在一些實施方案中，信號負(fù)載介質(zhì)802可以包括可記錄介質(zhì)808，如，但是不限于，儲存器，可讀/寫(R/W)⑶、R/W DVD等。在一些實施中，信號負(fù)載介質(zhì)802可以包括通信介質(zhì)810，如，但是不限于，數(shù)字和/或模擬通信介質(zhì)(例如，光纜、波導(dǎo)管、有線通信連接、無線通信連接等)。因此，例如，參考圖7的系統(tǒng)，可以將程序產(chǎn)品800通過信號負(fù)載介質(zhì)802無線傳送至處理單元702，其中將信號負(fù)載介質(zhì)802通過無線通信介質(zhì)810 (例如，符合802.11標(biāo)準(zhǔn)的無線通信介質(zhì))傳送至處理單元702。圖9是描繪根據(jù)本公開內(nèi)容的多種實施方案的實例計算裝置900的框圖。在非?；镜臉?gòu)造901中，計算裝置900典型包括一個或多個處理器910以及系統(tǒng)儲存器920。儲存器總線930可以用于處理器910與系統(tǒng)儲存器920之間的通信。依賴于所需的構(gòu)造，系統(tǒng)存儲器920可以是任意類型的，包括但是不限于易失性存儲器(如RAM)、非易失性存儲器(如ROM、閃存等)或它們的任意組合。系統(tǒng)存儲器920典型地包括操作系統(tǒng)921、一個或多個應(yīng)用922以及程序數(shù)據(jù)924。應(yīng)用922可以包括指令923，其安排為進行如本文所述的包括關(guān)于圖4和5中所示的流程圖描述的動作的功能。程序數(shù)據(jù)924可以包括可以用于實施指令923的電修復(fù)(ER)數(shù)據(jù)925，如電壓、電壓脈沖方案等。在一些實例中，可以將應(yīng)用922安排為以操作系統(tǒng)921上的程序數(shù)據(jù)924操作，以使得可以提供如本文所述的本公開內(nèi)容的實施。這里描述的基本構(gòu)造在圖9中由虛線901之內(nèi)的那些組件示例。計算裝置900可以具有其他特征或功能，以及便于基本配置901和任何所需的裝置和接口之間通信的附加接口。例如，可以使用總線/接口控制器940以便于基本配置901與一個或多個數(shù)據(jù)存儲裝置950之間經(jīng)由存儲接口總線941的通信。數(shù)據(jù)存儲裝置950可以是可移動存儲裝置951，不可移動存儲裝置952，或它們的組合?？梢苿哟鎯筒豢梢苿哟鎯ρb置的實例包括磁盤裝置如軟盤驅(qū)動器和硬盤驅(qū)動器(HDD)、光盤驅(qū)動器如高密度光盤(CD)驅(qū)動器或數(shù)字多功能光盤(DVD)驅(qū)動器、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)以及磁帶機等。實例計算機儲存介質(zhì)可以包括以用于信息存儲的任何方法或技術(shù)如計算機可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或其他數(shù)據(jù)實現(xiàn)的易失性和非易失性、可移動和不可移動介質(zhì)。系統(tǒng)存儲器920、可移動存儲器951和不可移動存儲器952都是計算機儲存介質(zhì)的實例。計算機儲存介質(zhì)包括，但不限于，RAM、ROM、EEPR0M、閃存或其他存儲器技術(shù)、CD-ROM、數(shù)字多用途光盤(DVD)或其他光學(xué)存儲、磁帶盒、磁帶、磁盤存儲器或其他磁存儲裝置，或可以用于存儲所需信息并且可以由計算裝置900訪問的任何其他介質(zhì)。任何這種計算機儲存介質(zhì)可以是裝置900的一部分。計算裝置900還可以包括用于便于不同接口裝置(例如，輸出接口、外圍接口和通信接口)與基本配置901經(jīng)由總線/接口控制器940通信的接口總線942。示例輸出接口960包括圖形處理單元961和音頻處理單元962，其可以被配置為經(jīng)由一個或多個A/V端口963與不同外部裝置如顯示器或揚聲器通信。示例外圍接口 960包括串行接口控制器971或并行接口控制器972，其可以被配置為與外部裝置如輸入裝置(例如，鍵盤、鼠標(biāo)、筆、音頻輸入裝置、觸摸輸入裝置等)或其他外圍裝置(例如，打印機、掃描儀等)經(jīng)由一個或多個I/O端口 973通信。示例通信接口 980包括網(wǎng)絡(luò)控制器981，其可以被設(shè)置為便于與一個或多個其他計算裝置990通過網(wǎng)絡(luò)通信經(jīng)由一個或多個通信端口 982通信。網(wǎng)絡(luò)通信連接可以是通信介質(zhì)的一個實例。通信介質(zhì)典型地可以通過計算機可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或調(diào)制的數(shù)據(jù)信號如載波或其他傳輸機制中的其他數(shù)據(jù)實現(xiàn)，并且包括任何信息傳遞介質(zhì)。“調(diào)制的數(shù)據(jù)信號”可以是其特征的一個或多個以將信息編碼在信號中的方式設(shè)定或改變的信號。作為實例，而不是限制性的，通信介質(zhì)可以包括有線介質(zhì)如有線網(wǎng)絡(luò)或直接接線連接，以及無線介質(zhì)如聲波、射頻(RF)、紅外(IR)和其他無線介質(zhì)。如本文所使用的術(shù)語計算機可讀介質(zhì)可以包括存儲介質(zhì)和通信介質(zhì)兩者?？梢詫⒂嬎阊b置900實現(xiàn)為小形狀因子的便攜式(或可移動)電子裝置如移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(PDA)、個人媒體播放裝置、無線網(wǎng)絡(luò)瀏覽裝置、個人頭戴式耳機裝置、專用裝置或包括任意以上功能的混合裝置的一部分。也可以將計算裝置900實現(xiàn)為包括便攜式計算機和非便攜式計算機構(gòu)造兩者的個人計算機，或者在工作站或服務(wù)器構(gòu)造中實現(xiàn)。在本公開內(nèi)容中提及術(shù)語"響應(yīng)...的"或"響應(yīng)..."不限于僅對于特定特征和/或結(jié)構(gòu)響應(yīng)。一個特征也可以響應(yīng)另一個特征和/或結(jié)構(gòu)，并且也位于該特征和/或結(jié)構(gòu)之內(nèi)。此外，當(dāng)在本文中或在后面的權(quán)利要求中使用術(shù)語或短語如"連接"或"響應(yīng)的"或"響應(yīng)"或"與...通訊"等時，這些術(shù)語應(yīng)當(dāng)廣義地理解。例如，短語"連接至"可以是指對于在其中使用該短語的內(nèi)容合適地通訊、電和/或可操作地連接。以上詳述的一些部分以對在計算系統(tǒng)存儲器，如計算機存儲器內(nèi)儲存的數(shù)據(jù)位或二進制數(shù)字信號的操作的算法或符號表示的方式給出。這些算法描述或表達是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域中的本領(lǐng)域技術(shù)人員用于將他們工作的實質(zhì)內(nèi)容傳達給其他本領(lǐng)域技術(shù)人員的技術(shù)的實例。算法在這里，并且一般地，被認(rèn)為是得到所需結(jié)果的操作或相似處理的自洽順序。關(guān)于這點，操作或處理包括物理量的物理操作。典型地，雖然不是必須，這種量可以采取能夠儲存、傳輸、組合、比較或以其他方式操作的電或磁信號的形式。已經(jīng)證明有時方便的是，原理上因為共同使用的原因，將這樣的信號稱為位、數(shù)據(jù)、值、元件、符號、字符、詞、數(shù)字、數(shù)值等。然而，應(yīng)當(dāng)明白的是，所有這些和相似的術(shù)語要與合適的物理量結(jié)合并且僅是方便標(biāo)記。除非另外具體聲明，如從以下討論顯見的，應(yīng)明白的是，遍及該說明書，采用術(shù)語如"處理"、"計算"、"運算"、"確定"等的論述是指計算裝置的動作或過程，在計算裝置的存儲器、寄存器或其他信息存儲器件、透射器件或顯示器件內(nèi)操作或轉(zhuǎn)換作為物理電子或磁學(xué)量表示的數(shù)據(jù)。以上詳述經(jīng)由使用框圖、流程圖和/或?qū)嵗o出裝置和/或方法的多個實施方案。在這種框圖、流程圖和/或?qū)嵗幸粋€或多個功能和/或操作的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白的是這種框圖、流程或?qū)嵗畠?nèi)的每個功能和/或操作可以通過寬范圍的硬件、軟件、固件或?qū)嶋H上其任意組合單獨地和/或共同地實施。在一個實施方案中，本文描述的主題的數(shù)個部分可以經(jīng)由專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、數(shù)字式信號處理器(DSP)或其他集成形式實施。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白本文所公開的實施方案的一些方面，整體地或部分地，可以在集成電路中等價地作為以下各項實施:作為在一個或多個計算機上運行的一個或多個計算機程序(例如，作為在一個或多個計算機系統(tǒng)上運行的一個或多個程序)、作為在一個或多個處理器上運行的一個或多個程序(例如，作為在一個或多個微處理器上運行的一個或多個程序)、作為固件或?qū)嶋H上作為其任意組合，并且設(shè)計電路和/或編寫用于軟件和或固件的代碼在本公開內(nèi)容的教導(dǎo)下將在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍之內(nèi)。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白本文描述的主題的機制能夠作為程序產(chǎn)品以多種形式發(fā)布，并且本文描述的主題的示例實施方案與用于實際進行發(fā)布的具體類型的信號負(fù)載介質(zhì)無關(guān)地適用。信號負(fù)載介質(zhì)的實例包括，但是不限于，以下各項:可記錄型介質(zhì)如軟盤、硬盤驅(qū)動器(HDD)、光盤(⑶)、數(shù)字多功能光盤(DVD)、數(shù)字磁帶、計算機存儲器等；和傳輸型介質(zhì)如數(shù)字和/或模擬通訊介質(zhì)(例如，光纜、波導(dǎo)、有線通訊連接、無線通訊連接
坐')
寸/ ο本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白在本領(lǐng)域中普通的是以本文描述的方式描述器件和/或方法，并且其后使用工程實踐將這樣描述器件和/或方法整合至數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。換言之，可以將本文描述的器件和/或方法的至少一部分經(jīng)由合理量的試驗整合至數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)通常包括以下各項中的一個或多個:系統(tǒng)單元外殼、視頻顯示器件、存儲器如易失和非易失存儲器、處理器如微處理器和數(shù)字信號處理器、計算實體如操作系統(tǒng)、驅(qū)動程序、圖形用戶界面和應(yīng)用程序、一個或多個互動器件如觸摸板或屏幕和/或控制系統(tǒng)，包括反饋回路和控制電動機(例如，對于檢測位置和/或速度的反饋；用于移動和/或調(diào)節(jié)組件和/或量的控制電動機)。典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)可以采用任何合適的可商購組件實施，如通常在數(shù)據(jù)計算/通訊和/或網(wǎng)絡(luò)計算/通訊系統(tǒng)中找到的那些。本文所描述的主題有時描述不同組成部分，這些不同組成部分包含在不同的其他組成部分內(nèi)或與不同的其他組成部分相連。應(yīng)明白這樣描述的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)僅是示例，并且實際上可以實施獲得相同功能的很多其他系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。在概念意義上，獲得相同的功能的組成部分的任何安排被有效地“結(jié)合”以使得獲得所需功能。因此，在本文中結(jié)合以獲得特定功能的任意兩個組成部分可以被視為彼此“結(jié)合”以使得獲得所需功能，而與結(jié)構(gòu)或中間組成部分無關(guān)。同樣，如此結(jié)合的任何兩個組成部分也可以被視作彼此“可操作連接(operablyconnected) ”,或“可操作地連接(operably coupled) ”，以獲得所需的功能,并且能夠如此結(jié)合的任意兩個組成部分也可以被視為彼此“可以可操作連接”，以獲得所需的功能?？梢钥刹僮鬟B接的具體實例包括但是不限于物理匹配的和/或物理相互作用的組成部分和/或可無線相互作用和/或無線相互作用的組成部分和/或邏輯相互作用的和/或可邏輯相互作用的組成部件。關(guān)于本文所公開的基本上任何復(fù)數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語的使用，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以適合于上下文和/或應(yīng)用由復(fù)數(shù)變換至單數(shù)和/或由單數(shù)變換至復(fù)數(shù)。為了清楚起見在本文可能清楚地給出多種單數(shù)/復(fù)數(shù)變換。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，通常，本文中并且尤其是所附權(quán)利要求中(例如，所附權(quán)利要求的主體)使用的術(shù)語，一般意欲作為“開放性”術(shù)語(例如，應(yīng)該將術(shù)語“包括(including) ”解釋為“包括但不限于”，應(yīng)該將術(shù)語“具有”解釋為“至少具有”，應(yīng)該將術(shù)語“包括(includes)”解釋為“包括但不僅限于”等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將理解，如果意欲引入特定數(shù)量的權(quán)利要求列舉項，這樣的意圖將在權(quán)利要求中明確地列舉，并且在不存在這種列舉項的情況下，不存在這樣的意圖。例如，為了有助于理解，以下所附權(quán)利要求可以包含引導(dǎo)性的短語“至少一個”和“一個或多個”的使用以引入權(quán)利要求列舉項。然而，即使當(dāng)同一個權(quán)利要求包含引導(dǎo)短語“一個或多個”或“至少一個”和不定冠詞例如“一個”或“一種”時，也不應(yīng)將這種短語的使用解釋為暗示通過不定冠詞“一個”或“一種”引入的權(quán)利要求列舉項將任何包含這樣引入的權(quán)利要求列舉項的特定權(quán)利要求限定為僅包含一個這種列舉項的實施(例如，應(yīng)將“一個”和/或“一種”典型地解釋為意指“至少一個”或“一種或多種”)；這對于用以引入權(quán)利要求列舉項的定冠詞的使用也同樣適用。此外，即使明確地敘述特定數(shù)量的所引入的權(quán)利要求列舉項，本領(lǐng)域技術(shù)人員也將理解應(yīng)將這種列舉項典型地解釋為意指至少所敘述的數(shù)目(例如，不帶有其他修飾的裸列舉項“兩個列舉項”典型地意指至少兩個列舉項，或者兩個以上列舉項)。此外，在使用類似于“A、B和C等中的至少一個”的慣例的那些情況下，通常這種表述意味著本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的慣例(例如，“具有A、B和C中的至少一個的系統(tǒng)”將包括但不限于具有單獨的A、單獨的B、單獨的C、A和B —起、A和C 一起、B和C 一起、和/或A、B和C 一起等的系統(tǒng))。此外，在使用類似于“A、B或C等中的至少一個”的慣例的那些情況下，通常這種表述意味著本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的慣例(例如，“具有A、B或C中的至少一個的系統(tǒng)”將包括但不限于具有單獨的A、單獨的B、單獨的C、A和B —起、A和C 一起、B和C 一起、和/或A、B和C 一起等的系統(tǒng))。本領(lǐng)域技術(shù)人員將進一步理解實際上任何表現(xiàn)兩個或更多個可替換術(shù)語的分離性單詞和/或短語，不論在說明書、權(quán)利要求書還是附圖中，都應(yīng)當(dāng)被理解為意圖包括術(shù)語的一個、術(shù)語的任何一個或全部兩個術(shù)語的可能性。例如，應(yīng)將短語“A或B”理解為包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。還應(yīng)該明白的是，術(shù)語“最優(yōu)化”可以包括最大化和/或最小化。術(shù)語如本文所使用的“最小化”等可以包括全局最小、局部最小、近似全局最小和/或近似局部最小。類似地，還應(yīng)明白的是，如本文所使用的術(shù)語"最大"等可以包括全局最大、局部最大、近似全局最大和/或近似局部最大。說明書中提及"實施方案"、"一個實施方案"、"一些實施方案"或"其他實施方案"可以意指關(guān)于一個或多個實施方案描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在至少一些實施方案中包括，但不需要在所有的實施方案中包括。在前面的說明書中術(shù)語"實施方案"、"一個實施方案"或"一些實施方案"的多次出現(xiàn)不一定是全部提及相同的實施方案。雖然在本文使用多個方法和系統(tǒng)描述并給出了特定實例技術(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白的是可以進行多個其他的修改，并且在不脫離所要求保護的主題的情況下可以用等價物替換。此外，可以適合于特定情況對于所要求保護的主題的教導(dǎo)進行很多修改而不脫離本文描述的中心思想。因此，希望的是所要求保護的主題不限于所公開的具體實例，而是這些所要求保護的主題也可以包括落在所附權(quán)利要求及其等價體的范圍之內(nèi)的所有實施方案。
權(quán)利要求
1.一種用于形成地下阻滲透層的方法，所述方法包括: 將表面活性劑材料提供至地下土壤容積；和 酸化所述地下土壤容積。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述酸化所述地下土壤容積的步驟在所述將表面活性劑材料提供至地下土壤容積的步驟之前進行。
3.權(quán)利要求1所述的方法，其中將表面活性劑材料提供至所述地下土壤容積包括: 鄰近于陰極電極或陽極電極中的至少一個提供表面活性劑材料，其中所述陰極電極和所述陽極電極構(gòu)造為促進所述表面活性劑材料在所述地下土壤容積內(nèi)的滲透；和 使得所述表面活性劑材料滲透所述地下土壤容積的至少一部分。
4.權(quán)利要求3所述 的方法，其中酸化所述地下土壤容積包括: 鄰近于所述陰極電極或所述陽極電極中的至少一個提供酸化材料；和 使得所述酸化材料至少部分地滲透所述地下土壤容積的所述部分。
5.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含緩沖的表面活性劑溶液或堿性表面活性劑溶液中的至少一種。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含聚硅氧烷。
7.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含以下各項中的至少一種:羥基丙基β環(huán)糊精、聚山梨酯80、三甲基溴化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酰胺、甲基纖維素、磺酸二辛酯、二苯醚二磺酸酯、聚氧燒基化脂肪酸酷、十~■燒基硫酸納、海操糖脂、鼠李糖脂、槐糖脂、糖脂、~■糖基~■甘油酷、表面活性肽、脂乳化劑或乳化膠。
8.權(quán)利要求1所述的方法，其中酸化所述地下土壤容積包括將酸化材料提供至所述地下土壤容積，其中所述酸化材料包含以下各項中的至少一種:未緩沖的表面活性劑溶液、酸性表面活性劑溶液、酸化的水溶液，或水。
9.一種污染封存系統(tǒng)，所述污染封存系統(tǒng)包括: 多個電極，所述多個電極至少包括第一電極和第二電極；和 地下阻滲透層，所述地下阻滲透層包括至少一個阻擋段，其中所述阻擋段在所述第一電極與所述第二電極之間延伸，并且其中所述阻擋段包含表面活性劑粘附材料。
10.權(quán)利要求9所述的體系，其中所述表面活性劑粘附材料包含在粘附的表面活性劑材料的存在下與在不存在粘附的表面活性劑材料的情況下比較可滲透性低的土壤。
11.權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述表面活性劑粘附材料包含以下各項中的至少一種:羥基丙基β環(huán)糊精、聚山梨酯80、三甲基溴化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酰胺、甲基纖維素、磺酸二辛酯、二苯醚二磺酸酷、聚氧燒基化脂肪酸酷、十~■燒基硫酸納、海操糖脂、鼠李糖脂、槐糖脂、糖脂、~■糖基~■甘油酯、表面活性肽、脂乳化劑或乳化膠。
12.權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述表面活性劑粘附材料包含聚硅氧烷。
13.權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中: 所述多個電極包括第三電極； 所述地下阻滲透層包括第二阻擋段； 所述第二阻擋段在所述第二電極與所述第三電極之間延伸；并且所述第二阻擋段包含表面活性劑粘附材料。
14.權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述第一電極和所述第二電極中的至少一個包括構(gòu)造用于提供電修復(fù)的電極。
15.權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述地下阻滲透層構(gòu)造為基本上抑制地下污染物的滲透。
16.一種用于形成地下阻滲透層的方法，所述方法包括: 鄰近于陰極電極或陽極電極中的至少一個提供表面活性劑材料，其中所述陰極電極和所述陽極電極構(gòu)造為促進所述表面活性劑材料在地下土壤容積內(nèi)的滲透； 使得所述表面活性劑材料滲透所述地下土壤容積的至少一部分； 鄰近于所述陰極電極或所述陽極電極中的至少一個提供酸化材料；和 使得所述酸化材料至少部分地滲透所述地下土壤容積的所述部分。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含緩沖的表面活性劑溶液或堿性表面活性劑溶液中的至少一種。
18.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含聚硅氧烷。
19.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述表面活性劑材料包含以下各項中的至少一種:羥基丙基β環(huán)糊精、聚山梨酯80、三甲基溴化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酰胺、甲基纖維素、磺酸二辛酯、二苯醚二磺酸酯、聚氧燒基化脂肪酸酷、十二烷基硫酸納、海操糖脂、鼠李糖脂、槐糖脂、糖脂、_二糖基_二甘油酯、表面活性肽、脂乳化劑或乳化膠。
20.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述酸化材料包含以下各項中的至少一種:未緩沖的表面活性劑溶液、酸性表面活性劑溶液、酸化的水溶液，或水。
全文摘要
一種用于形成地下阻滲透層的方法，所述方法包括鄰近于陰極電極或陽極電極中的至少一個提供表面活性劑材料，其中所述陰極電極和所述陽極電極構(gòu)造為促進所述表面活性劑材料在地下土壤容積內(nèi)的滲透；使得所述表面活性劑材料滲透所述地下土壤容積的至少一部分；鄰近于所述陰極電極或所述陽極電極中的至少一個提供酸化材料；和使得所述酸化材料至少部分地滲透所述地下土壤容積的所述部分。
文檔編號B09C1/02GK103221157SQ201080070221
公開日2013年7月24日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者伊齊基爾·克魯格利奇 申請人:英派爾科技開發(fā)有限公司