專利名稱：浮沉池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于固液分離技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種水處理設(shè)備技術(shù)的改進(jìn)，尤其涉及一種將氣浮和混凝沉淀相結(jié)合的水處理技術(shù)。
背景技術(shù)：
混凝沉淀工藝是目前給水處理、中水處理和部分污水處理的核心工藝，它承擔(dān)著水處理中95%以上的負(fù)荷，已有150余年的歷史。目前國內(nèi)外現(xiàn)有的常規(guī)凈水工藝設(shè)備主要包括平流沉淀池、斜管沉淀池、機(jī)械加速澄清池等等。氣浮法(DAF)是在水中通入大量微細(xì)氣泡，使其粘附于雜質(zhì)顆粒上造成整體密度< 1的狀態(tài)，靠浮力使其上升至水面而使固液分離的一種凈水法。對(duì)于低濁度的原水， 溶氣氣浮工藝要優(yōu)于沉淀工藝，而當(dāng)原水濁度> 100NTU時(shí)，則不宜采用氣浮法。對(duì)于濁度 < 100NTU的原水，DAF工藝要優(yōu)于常規(guī)的沉淀工藝，特別是對(duì)低溫、低濁水、及輕質(zhì)懸浮體污染水，其優(yōu)勢(shì)更為明顯。公開號(hào)為CN101037277A的發(fā)明專利申請(qǐng)公布說明書公開了一種浮沉池，其池體分為上下兩層，上層設(shè)有混合區(qū)、絮凝區(qū)、氣浮區(qū)和沉淀出水區(qū)，絮凝區(qū)設(shè)在混合區(qū)的一側(cè)， 下層設(shè)有下層沉淀區(qū)，絮凝區(qū)與下層沉淀區(qū)的一端連通，下層沉淀區(qū)的另一端與貫通上下兩層的接觸區(qū)下層連通，接觸區(qū)上層與位于混合區(qū)另一側(cè)的氣浮區(qū)連通，沉淀出水區(qū)位于氣浮區(qū)和混合區(qū)之間，氣浮區(qū)與沉淀出水區(qū)連通，氣浮區(qū)與氣浮出水管連通，沉淀出水區(qū)與沉淀出水管連通。這種沉淀池結(jié)合了平流沉淀和氣浮沉淀，具有有效處理水質(zhì)大幅度變換的原水的優(yōu)點(diǎn)，但是存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜，占地面積大，池容空間利用率低的缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種充分利用池容空間、有效提高沉淀面積，并且既可以單獨(dú)運(yùn)行混凝沉淀和氣浮又可以將混凝沉淀與氣浮聯(lián)用的浮沉池，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在不足。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案一種浮沉池，其包括池體，以及設(shè)于池體中的沉淀墻和溶氣釋放器，所述沉淀墻由間隔排列的沉淀構(gòu)件構(gòu)成，其特征在于所述沉淀墻將所述池體沿水平方向分割出分別位于沉淀墻兩側(cè)的絮凝沉淀區(qū)和氣浮區(qū)，所述溶氣釋放器設(shè)于氣浮區(qū)底部。所述沉淀墻的沉淀構(gòu)件低端位于絮凝沉淀區(qū)側(cè)，沉淀構(gòu)件高端位于氣浮區(qū)側(cè)。所述氣浮區(qū)上部還設(shè)有排渣裝置，所述絮凝沉淀區(qū)底部設(shè)有排泥裝置，所述池體位于進(jìn)水口處設(shè)有濾波器。所述沉淀構(gòu)件為斜板或者斜管。 所述沉淀墻豎直或傾斜位于池體中。 所述沉淀墻有多個(gè)，且沉淀墻兩個(gè)一組相對(duì)設(shè)置，所述絮凝沉淀區(qū)位于一組沉淀墻中間，所述氣浮區(qū)位于一組沉淀墻外側(cè)。[0013]所述多個(gè)沉淀墻之間相互平行或不平行。所述池體為環(huán)形池體，所述沉淀墻為環(huán)形沉淀墻，所述絮凝沉淀區(qū)位于環(huán)形沉淀墻內(nèi)，所述氣浮區(qū)位于環(huán)形沉淀墻外。采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型僅通過沉淀墻將所述池體分割出分別位于沉淀墻兩側(cè)的絮凝沉淀區(qū)和氣浮區(qū)，具有如下優(yōu)點(diǎn)1、實(shí)現(xiàn)了既能運(yùn)行混凝沉淀和氣浮又可以將沉淀與氣浮聯(lián)用，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)縮小了占地面積，提高了處理水量；2、沉淀墻對(duì)池體進(jìn)行間隔分割，提高了池體有效沉淀面積，增強(qiáng)了對(duì)原水水量的適應(yīng)性；3、進(jìn)水口設(shè)置濾波器，有助于實(shí)現(xiàn)均勻配水。4、減少了集水設(shè)備，節(jié)約了投資和運(yùn)行費(fèi)用。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明


圖1為實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2為
圖1的A-A向剖視圖；圖3為實(shí)施例2的沉淀墻布置剖視圖；圖4為實(shí)施例3的沉淀墻布置俯視圖；圖5為實(shí)施例4的沉淀墻布置俯視圖；其中，100-池體，101-絮凝沉淀區(qū)，102-氣浮區(qū)，200-沉淀墻，201-沉淀構(gòu)件， 202-過水間隙，300-溶氣釋放器，301進(jìn)氣管，400-排泥裝置，500-排渣裝置，600-濾波器。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 如
圖1、圖2所示，本實(shí)用新型的浮沉池，包括池體100、沉淀墻200、溶氣釋放器 300。其中，多個(gè)沉淀墻200兩個(gè)相對(duì)一組豎直平行設(shè)置在池體100中，將池體100分割成間隔交替的絮凝沉淀區(qū)101和氣浮區(qū)102。其中沉淀墻200有沉淀構(gòu)件間隔排列構(gòu)，在本實(shí)施例中，沉淀構(gòu)件為斜板201，當(dāng)然也可以為斜管。斜板201之間形成過水間隙202，每個(gè)斜板與水平面的傾斜角度為30-70度。在本實(shí)用新型中，斜板201的低端位于絮凝沉淀區(qū) 101側(cè)，高端位于氣浮區(qū)102側(cè)。溶氣釋放器300安裝在氣浮區(qū)102的底部，其通過進(jìn)氣管301與池體外部的壓力溶氣罐(圖中未示出)連接。另外，在絮凝沉淀區(qū)101的底部還設(shè)有排泥裝置400，在氣浮區(qū)的上部設(shè)有排渣裝置500。在池體100的進(jìn)水口處還設(shè)有濾波器600。以上就是本實(shí)用新型的浮沉池，該浮沉池的工作方式為原水先進(jìn)入絮凝沉淀區(qū) 101，然后向左右兩個(gè)方向分流，通過沉淀墻200的斜板201接觸絮凝沉淀作用后得到低濁度原水，低濁度原水流入氣浮區(qū)102，通過氣浮工藝將水中雜質(zhì)氣浮到氣浮區(qū)上部，最后通過排渣裝置500排出。而絮凝沉淀池101底部的集泥則通過排泥裝置400排出。[0033]在本實(shí)用新型中，通過沉淀墻200豎直設(shè)置在池體100中，將池體進(jìn)行水平方向分割出絮凝沉淀區(qū)和氣浮區(qū)，具有如下的優(yōu)點(diǎn)1、實(shí)現(xiàn)了既能運(yùn)行混凝沉淀又可以將沉淀與氣浮聯(lián)用，合理有效地利用了池容空間，大大提高了有效沉淀面積，對(duì)原水水量變化的適應(yīng)性較強(qiáng)，使沉淀池負(fù)荷可達(dá)到常規(guī)設(shè)備的2-3倍。2、經(jīng)過氣浮處理后的水可以由氣浮區(qū)直接排出，不需要布置集水設(shè)備，節(jié)約了設(shè)備投資；積泥面積比傳統(tǒng)沉淀池縮小一倍，使得沉淀池塵泥密實(shí)，排泥水較少，可以減小排泥運(yùn)行費(fèi)用。3、較常規(guī)設(shè)備節(jié)省50%以上的占地面積，節(jié)省了投資。實(shí)施例2 如圖3所示，本實(shí)施例池與實(shí)施例1不同的地方在于沉淀墻200是傾斜設(shè)置在池體100中的。在本實(shí)施例中，絮凝沉淀區(qū)101是上部口小，下部口大。當(dāng)然也可以使沉淀墻傾斜放置成絮凝沉淀區(qū)101的上部口大，下部口小。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，這里不再累述。實(shí)施例3 如圖4所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同地方在于多個(gè)沉淀墻200是相互不平行的。其它結(jié)構(gòu)也與實(shí)施例1相同。實(shí)施例4:如圖5所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同地方在于池體100為環(huán)形池體，沉淀墻 200為環(huán)形沉淀墻，環(huán)形沉淀墻內(nèi)為絮凝沉淀區(qū)101，環(huán)形沉淀墻外為氣浮區(qū)102。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。通過上述詳細(xì)描述，可以看出，本實(shí)用新型具有充分利用池容空間、有效提高沉淀面積、對(duì)原水水量變化適應(yīng)性強(qiáng)、沉淀負(fù)荷高以及無需專門集水設(shè)備、投資和運(yùn)行費(fèi)用低的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求1.一種浮沉池，其包括池體，以及設(shè)于池體中的沉淀墻和溶氣釋放器，所述沉淀墻由間隔排列的沉淀構(gòu)件構(gòu)成，其特征在于所述沉淀墻將所述池體沿水平方向分割出分別位于沉淀墻兩側(cè)的絮凝沉淀區(qū)和氣浮區(qū)，所述溶氣釋放器設(shè)于氣浮區(qū)底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮沉池，其特征在于所述沉淀墻的沉淀構(gòu)件低端位于絮凝沉淀區(qū)側(cè)，沉淀構(gòu)件高端位于氣浮區(qū)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的浮沉池，其特征在于所述氣浮區(qū)上部還設(shè)有排渣裝置， 所述絮凝沉淀區(qū)底部設(shè)有排泥裝置，所述池體位于進(jìn)水口處設(shè)有濾波器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮沉池，其特征在于所述沉淀構(gòu)件為斜板或者斜管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的浮沉池，其特征在于所述沉淀墻豎直或傾斜位于池體中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的浮沉池，其特征在于所述沉淀墻有多個(gè)，且沉淀墻兩個(gè)一組相對(duì)設(shè)置，所述絮凝沉淀區(qū)位于一組沉淀墻中間，所述氣浮區(qū)位于一組沉淀墻外側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的浮沉池，其特征在于多個(gè)所述沉淀墻之間相互平行或不平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的浮沉池，其特征在于所述池體為環(huán)形池體，所述沉淀墻為環(huán)形沉淀墻，所述絮凝沉淀區(qū)位于環(huán)形沉淀墻內(nèi)，所述氣浮區(qū)位于環(huán)形沉淀墻外。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種浮沉池，其包括池體，設(shè)于池體中的沉淀墻和溶氣釋放器，所述沉淀墻由間隔排列的沉淀構(gòu)件構(gòu)成，所述沉淀墻將所述池體沿水平方向分割出分別位于沉淀墻兩側(cè)的絮凝沉淀區(qū)和氣浮區(qū)，所述溶氣釋放器設(shè)于氣浮區(qū)底部。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了既能運(yùn)行混凝沉淀和氣浮又可以將沉淀與氣浮聯(lián)用，同時(shí)還具有充分利用池容空間、有效提高沉淀面積、對(duì)原水水質(zhì)、水量變化適應(yīng)性強(qiáng)、沉淀負(fù)荷高以及無需專門集水設(shè)備、投資和運(yùn)行費(fèi)用低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)C02F9/04GK202201759SQ20112023182
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月2日
發(fā)明者張麗, 徐立群, 李雨時(shí), 王力峰 申請(qǐng)人:上海立源水處理技術(shù)有限責(zé)任公司, 南通立源水業(yè)科技發(fā)展有限公司