專利名稱：一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種儲(chǔ)存介質(zhì)的無(wú)害化處理設(shè)備，具體涉及一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的日新月異，信息存儲(chǔ)介質(zhì)也多種多樣，例如傳統(tǒng)的電腦硬盤(pán)，移動(dòng)硬盤(pán)，U盤(pán)，固態(tài)存儲(chǔ)盤(pán)等大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，再如光盤(pán)、磁盤(pán)和電子底片等傳統(tǒng)軟存儲(chǔ)裝置，上述信息存儲(chǔ)介質(zhì)作為電腦或電子裝置的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中包含了大量的國(guó)家機(jī)密和企業(yè)機(jī)密，必須在其廢棄后進(jìn)行較為安全的銷毀處理，以防止機(jī)密的外泄。傳統(tǒng)的銷毀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的方式是按照電子存儲(chǔ)介質(zhì)的材料組成，對(duì)其分別進(jìn)行粉碎處理。例如對(duì)于電腦硬盤(pán)，移動(dòng)硬盤(pán)，固態(tài)存儲(chǔ)盤(pán)等含有堅(jiān)硬金屬外殼的存儲(chǔ)介質(zhì)，進(jìn)·行相應(yīng)的銷毀處理。但是目前市場(chǎng)上的銷毀設(shè)備往往有粉碎不徹底，有時(shí)候還會(huì)粉碎不到重要的存儲(chǔ)芯片等問(wèn)題。因此，為避免上述問(wèn)題，確有必要提供一種具有改良結(jié)構(gòu)的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的所述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低且能徹底毀銷儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其包括電源輸入端、線圈、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器、電容器以及第二電子開(kāi)關(guān)；其中，所述線圈內(nèi)設(shè)有一磁敏傳感器，于磁敏傳感器上連接有磁場(chǎng)信號(hào)輸出線；所述第一電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于升壓整流器和電源輸入端之間；所述電源輸入端、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器和電容器組成充電回路；所述電容器、線圈和第二電子開(kāi)關(guān)組成放電回路；所述第二電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于線圈和電容器之間。本實(shí)用新型的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備進(jìn)一步設(shè)置為所述第一電子開(kāi)關(guān)具體為雙向可控硅、繼電器或交流接觸器。本實(shí)用新型的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備進(jìn)一步設(shè)置為所述第二電子開(kāi)關(guān)具體為可控硅或者IGBT電子開(kāi)關(guān)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果本實(shí)用新型的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備可徹底毀銷儲(chǔ)存介質(zhì)上信息可降低開(kāi)關(guān)的噪音，提高可靠性，延長(zhǎng)使用壽命，并可實(shí)現(xiàn)高壓、大電流工作，提高磁場(chǎng)；同時(shí)，通過(guò)在線圈內(nèi)埋設(shè)磁場(chǎng)傳感器，從而便于線圈內(nèi)磁場(chǎng)的檢測(cè)和放大。

圖I是本實(shí)用新型的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱說(shuō)明書(shū)附圖I所示，本實(shí)用新型為一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其由電源輸入端I、線圈2、第一電子開(kāi)關(guān)3、升壓整流器4、電容器5以及第二電子開(kāi)關(guān)6等元件裝配形成。其中，所述電源輸入端I輸入220V或者IlOV的交流電，為設(shè)備工作提供電能。所述線圈2的一端開(kāi)設(shè)有一開(kāi)口 21，存儲(chǔ)介質(zhì)可通過(guò)該開(kāi)口 21插入線圈2內(nèi)，通過(guò)線圈2產(chǎn)生的強(qiáng)磁場(chǎng)而將存儲(chǔ)介質(zhì)上的信息徹底銷毀。于所述線圈2內(nèi)設(shè)有一磁敏傳感器22，于磁敏傳感器22上連接有磁場(chǎng)信號(hào)輸出線23。該磁敏傳感器22用于測(cè)量磁場(chǎng)，其具體為四端的霍爾傳感器，或者四端的磁敏電阻，或者是二端的探測(cè)線圈。所述第一電子開(kāi)關(guān)3設(shè)置于升壓整流器4和電源輸入端I之間，其具體為雙向可控硅、繼電器或交流接觸器。 所述電源輸入端I、第一電子開(kāi)關(guān)3、升壓整流器4和電容器5組成充電回路；所述電容器5、線圈2和第二電子開(kāi)關(guān)6組成放電回路。所述第二電子開(kāi)關(guān)6設(shè)置于線圈2和電容器5之間，其具體為可控硅或者IGBT電子開(kāi)關(guān)，也可為其它電子開(kāi)關(guān)器。以上的具體實(shí)施方式
僅為本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例，并不用以限制本創(chuàng)作，凡在本創(chuàng)作的精神及原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本創(chuàng)作的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其特征在于包括電源輸入端、線圈、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器、電容器以及第二電子開(kāi)關(guān)；其中，所述線圈內(nèi)設(shè)有一磁敏傳感器，于磁敏傳感器上連接有磁場(chǎng)信號(hào)輸出線；所述第一電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于升壓整流器和電源輸入端之間；所述電源輸入端、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器和電容器組成充電回路；所述電容器、線圈和第二電子開(kāi)關(guān)組成放電回路；所述第二電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于線圈和電容器之間。
2.如權(quán)利要求I所述的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其特征在于所述第一電子開(kāi)關(guān)具體為雙向可控硅、繼電器或交流接觸器。
3.如權(quán)利要求2所述的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其特征在于所述第二電子開(kāi)關(guān)具體為可控硅或者IGBT電子開(kāi)關(guān)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，其包括電源輸入端、線圈、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器、電容器以及第二電子開(kāi)關(guān)；其中，所述線圈內(nèi)設(shè)有一磁敏傳感器，于磁敏傳感器上連接有磁場(chǎng)信號(hào)輸出線；所述第一電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于升壓整流器和電源輸入端之間；所述電源輸入端、第一電子開(kāi)關(guān)、升壓整流器和電容器組成充電回路；所述電容器、線圈和第二電子開(kāi)關(guān)組成放電回路；所述第二電子開(kāi)關(guān)設(shè)置于線圈和電容器之間。本實(shí)用新型的用于銷毀儲(chǔ)存介質(zhì)上信息的設(shè)備，具有噪音低、可靠性高、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，由于采用高壓、大電流工作，其磁場(chǎng)穩(wěn)定可靠；同時(shí)通過(guò)在線圈內(nèi)埋設(shè)磁場(chǎng)傳感器，從而便于監(jiān)測(cè)線圈內(nèi)的磁場(chǎng)。
文檔編號(hào)B09B1/00GK202725603SQ201220359978
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月24日
發(fā)明者陳澤軍 申請(qǐng)人:湖南省聯(lián)眾信息安全技術(shù)有限公司