本發(fā)明涉及太陽能單、多晶硅片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到單晶硅線切割碎片洗料技術(shù)。
背景技術(shù)：
為了降低生產(chǎn)成本，回收利用單晶硅線切割碎片是行業(yè)內(nèi)必選。而如何將單晶硅線切割碎片在切割工序產(chǎn)生的切割廢液殘留、附著性臟污脫離去除徹底，降低了后續(xù)單晶硅碎片的化學(xué)清洗難度及處理成本。是一個課題。
現(xiàn)有技術(shù)中，針對金剛線在切割過程中破碎片的表面附著性臟污，行業(yè)內(nèi)大都通過清洗設(shè)備采用低濃度NaOH溶液升溫到80℃清洗去除，或者利用酸性清洗液HF+H2O2+H2O進行清洗去除，第一種方法需要設(shè)備輔助且試劑添加需準確計算，而且一方面清洗不徹底，一方面對硅片的腐蝕速率較快；第二種方法的酸性清洗液對環(huán)境污染較大，每公斤清洗成本在2元以上，成本較高。
本發(fā)明人經(jīng)大量研究發(fā)現(xiàn)，洗潔精所含有的表面活性劑,一方面可有效地減緩NaOH對硅片的腐蝕速率；生產(chǎn)試驗腐蝕速率可降低約25%左右，另一方面可增強對表面臟污的去除，從而基本確保不影響硅片品質(zhì)。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種單晶硅線切割碎片表面附著性臟污預(yù)清洗處理方法，它克服了現(xiàn)有的處理技術(shù)缺陷，處理成本即低又符合下道工序生產(chǎn)使用。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
單晶硅線切割碎片表面附著性臟污預(yù)清洗處理方法，依次進行以下步驟：
a將30千克碎片放入塑料周轉(zhuǎn)箱內(nèi)，加自來水浸泡30分鐘，攪拌清洗之后排出臟水；此步驟可去除硅片表面少量硅粉、臟污；
b向周轉(zhuǎn)箱添加自來水45升，加入白貓無磷配方洗潔精(上海白貓集團有限公司產(chǎn)品)100克攪拌均勻，形成白貓無磷配方洗潔精稀釋液，碎片在白貓無磷配方洗潔精稀釋液中浸泡20分鐘；此步驟可脫離硅片表面部分切割廢液、附著性臟污；
c 取純度為99%的NaOH片堿1.5千克，用塑料容器加入自來水3－4升進行溶解，完全溶解后倒入白貓無磷配方洗潔精稀釋液后攪拌均勻，形成混合清洗液，混合清洗液中NaOH濃度控制在2.5－3%，混合清洗液溫度控制在20－35℃之間，浸泡2小時，其中每間隔20分鐘進行攪拌，之后排放周轉(zhuǎn)箱內(nèi)的清洗液體；此步驟可脫離硅片表面切割廢液臟污、腐蝕部分硅化物顆粒；
d對周轉(zhuǎn)箱加自來水漂洗，最終去除硅片表面肉眼可見附著性臟污，得到干凈的碎片。
進一步：
所述周轉(zhuǎn)箱尺寸長70cm，寬55cm，高35cm，每箱裝30千克碎片。
本發(fā)明的有益效果是：1、使用自來水進行，解決了沒有自動清洗設(shè)備也可徹底去除肉眼可見表面附著性臟污，可以得到符合化學(xué)堿洗處理外觀標準的單晶碎片；不需要增加生產(chǎn)機械設(shè)備、操作簡單、生產(chǎn)能力大。2、利用洗潔精與NaOH配成清洗液，給洗潔精提供堿性條件，增加了清洗效果，洗潔精所含有的表面活性劑減緩了NaOH對硅片的腐蝕速率（生產(chǎn)試驗腐蝕速率可降低約25%左右）；3、通過洗潔精的乳化作用，將線切割碎片表面的切割廢液分散成細小的顆粒溶于水中，和NaOH皂化反應(yīng)、對硅粉的腐蝕作用，把單晶硅線切割碎片在切割工序產(chǎn)生的切割廢液殘留、硅粉臟污粘覆物脫離去除徹底，降低了后續(xù)單晶硅碎片的化學(xué)清洗難度及處理成本。4、成本低，本發(fā)明碎料每公斤清洗成本在0.25元。且本發(fā)明處理后產(chǎn)生的堿性廢水，不需單獨處理，與塊狀硅料酸洗生產(chǎn)產(chǎn)生的含硝酸、鹽酸、氫氟酸的酸性廢水，可以起到中和作用，從而充分發(fā)揮了以廢制廢的作用，如果按照此處理方法每月清洗15000千克碎硅片，可節(jié)省人民幣4000元以上。
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，并使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
具體實施方式
實施例：
單晶硅線切割碎片表面附著性臟污預(yù)清洗處理方法，依次進行以下步驟：
第一步：將線切割碎片放入塑料周轉(zhuǎn)箱內(nèi)（現(xiàn)用周轉(zhuǎn)箱尺寸長：70cm 寬：55cm 高：35cm），每箱裝30㎏添加自來水浸泡30分鐘攪拌清洗把臟水排凈，去除硅片表面少量硅粉、臟污；
第二步：添加自來水約45升，加入無磷配方洗潔精100克攪拌均勻浸泡20分鐘，脫離硅片表面部分切割廢液、附著性臟污；
第三步：NaOH（濃度為99%）片堿1.5千克，用塑料容器加入自來水3－4升進行溶解，完全溶解后倒入洗潔精清洗液內(nèi)后攪拌均勻，清洗液NaOH濃度控制在2.5－3%，液體溫度在20－35℃之間，浸泡2小時每間隔20分鐘進行攪拌清洗，脫離硅片表面切割廢液臟污粘覆、腐蝕部分硅化物顆粒；
化學(xué)反應(yīng)方程式一：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑
第四步：進行自來水更換去除硅片表面肉眼可見附著性臟污，得到干凈的線切割碎片。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。