本發(fā)明涉及壓力檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法、裝置和玻璃清洗設(shè)備。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的玻璃清洗設(shè)備中，最常用的清洗方式是采用毛刷清洗玻璃基板，在清洗的過程中毛刷與玻璃基板會(huì)直接進(jìn)行接觸，因此對(duì)玻璃基板與毛刷接觸位置受到的壓力進(jìn)行控制是非常有必要的。需要對(duì)這個(gè)壓力進(jìn)行控制的原因主要在于兩個(gè)方面：一是毛刷對(duì)玻璃基板垂直方向上壓力大小的控制；二是在玻璃基板的水平方向上對(duì)毛刷與玻璃基板不同接觸位置壓力平衡的控制即要使毛刷與玻璃基板接觸的各個(gè)點(diǎn)所受的壓力一致。若是對(duì)這個(gè)壓力的控制達(dá)不到要求，會(huì)產(chǎn)生以下的問題：

玻璃基板所受壓力過大容易造成玻璃基板的碎片，壓力過小達(dá)不到清洗標(biāo)準(zhǔn)要求；

壓力不平衡，會(huì)使玻璃基板卡在毛刷前面而不能順利完成清洗流程；

玻璃基板厚度越薄，對(duì)設(shè)備毛刷壓力的控制要求就越高，若是無法精確測量控制這個(gè)壓力，對(duì)薄玻璃設(shè)備就無法對(duì)應(yīng)清洗，不利于產(chǎn)品的輕薄化。

在現(xiàn)階段，在更換新的毛刷之后，就需要重新調(diào)節(jié)毛刷與玻璃基板接觸位置的壓力，以對(duì)應(yīng)生產(chǎn)需要。而對(duì)這個(gè)壓力的測量方法主要是通過肉眼的觀測和人為對(duì)接觸位置玻璃基板振動(dòng)情況進(jìn)行感受，這樣的方法受到的人為因素干擾很大，不同的人對(duì)這個(gè)壓力大小的測量是不一樣的，甚至是同一個(gè)人在不同的時(shí)間對(duì)這個(gè)壓力大小的測量也是不同的。除此之外，現(xiàn)階段對(duì)毛刷與玻璃基板之間壓力的測量時(shí)，存在這很大的測量誤差。對(duì)于這個(gè)壓力沒有一個(gè)定量的測量和調(diào)節(jié)方式，在生產(chǎn)的過程中就很容易出現(xiàn)上文提到的問題，出現(xiàn)問題對(duì)生產(chǎn)的影響是非常大的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法、裝置和玻璃清洗設(shè)備，解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測毛刷對(duì)玻璃基板的壓力時(shí)認(rèn)為因素干擾較大及檢測不準(zhǔn)確的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法，應(yīng)用于玻璃清洗設(shè)備，所述玻璃基板包括相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊以及相對(duì)設(shè)置的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，所述玻璃基板的滾動(dòng)方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，所述毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法包括：

壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟：在所述玻璃基板的第一底面上設(shè)置多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條；所述壓力感應(yīng)條的延伸方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，多個(gè)所述壓力感應(yīng)條依次從第三側(cè)邊向第四側(cè)邊排列；所述壓力感應(yīng)條的電阻隨著該壓力感應(yīng)條受到壓力的大小而改變；

支撐力控制步驟：控制在所述玻璃基板未設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條的第二底面受到的支撐力與預(yù)定支撐力之間的差別在預(yù)定范圍內(nèi)，并控制所述玻璃基板的第二底面下方的支撐點(diǎn)的設(shè)置位置為預(yù)定位置；

壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟：檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值；在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的預(yù)定位置施加垂直于所述玻璃基板的第一底面的相同大小的壓力，并檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值，根據(jù)所述壓力的壓力值、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)壓力感應(yīng)條的壓阻靈敏系數(shù)；

壓力值檢測步驟：當(dāng)所述玻璃基板被放置于所述玻璃清洗設(shè)備中時(shí)，檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的實(shí)時(shí)受力電阻值，根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值。

實(shí)施時(shí)，所述壓力感應(yīng)條包括半導(dǎo)體薄膜條；

所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟包括：在所述玻璃基板的第一底面上設(shè)置半導(dǎo)體薄膜層；所述半導(dǎo)體薄膜層的厚度在預(yù)定厚度范圍內(nèi)；

對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜條。

實(shí)施時(shí)，所述對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜條步驟包括：

通過光刻工藝，采用干法刻蝕的方法對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕，從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜。

實(shí)施時(shí)，當(dāng)所述半導(dǎo)體薄膜層為納米硅薄膜層時(shí)，用于干法刻蝕的刻蝕氣體采用CF4。

實(shí)施時(shí)，所述壓力感應(yīng)條包括金屬應(yīng)變片；

所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟包括：將多個(gè)所述金屬應(yīng)變片黏貼至所述玻璃基板的第一底面上。

實(shí)施時(shí)，在所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟和所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟之間還包括：在所述多個(gè)壓力感應(yīng)條上設(shè)置一層保護(hù)蓋層，所述保護(hù)蓋層能夠彎曲并能夠傳遞應(yīng)變。

實(shí)施時(shí)，所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟還包括：

在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的兩端分別設(shè)置金屬電極；

在設(shè)置于所述壓力感應(yīng)條兩端的兩金屬電極之間設(shè)置直流電壓源和電流檢測單元；

所述檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值步驟包括：

所述電流檢測單元檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電流值；

根據(jù)該直流電壓源輸出的直流電壓和所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電流值計(jì)算得到個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值；

所述檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值步驟包括：

所述電流檢測單元檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到壓力時(shí)的電流值；

根據(jù)該直流電壓源輸出的直流電壓和所述壓力感應(yīng)條受到壓力時(shí)的電流值計(jì)算得到個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到壓力時(shí)的電阻值。

實(shí)施時(shí)，所述根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值步驟包括：

根據(jù)下列公式計(jì)算得到所述壓力感應(yīng)條在受到壓力時(shí)的彎曲度和該壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的彎曲度之間的彎曲度差值△Y；

其中，L為所述玻璃基板的第二底面下方的兩相鄰支撐點(diǎn)之間的間距，R2為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受力電阻值，R1為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，K為壓阻靈敏系數(shù)，t為所述玻璃基板的厚度和所述壓力感應(yīng)條的厚度之和；

通過光杠桿法和該彎曲度差值△Y計(jì)算得到每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值。

本發(fā)明還提供了一種毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置，應(yīng)用于玻璃清洗設(shè)備，所述玻璃基板包括相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊以及相對(duì)設(shè)置的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，所述玻璃基板的滾動(dòng)方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，所述毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置包括：

壓力感應(yīng)單元，包括設(shè)置于所述玻璃基板的第一底面上的多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條；所述壓力感應(yīng)條的延伸方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，多個(gè)所述壓力感應(yīng)條依次從第三側(cè)邊向第四側(cè)邊排列；所述壓力感應(yīng)條的電阻隨著該壓力感應(yīng)條受到壓力的大小而改變；

支撐力控制單元，用于控制在所述玻璃基板未設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條的第二底面受到的支撐力與預(yù)定支撐力之間的差別在預(yù)定范圍內(nèi)，并控制所述玻璃基板的第二底面下方的支撐點(diǎn)的設(shè)置位置為預(yù)定位置；

壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算單元，用于檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的預(yù)定位置施加垂直于所述玻璃基板的第一底面的相同大小的壓力，并檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值，根據(jù)所述壓力的壓力值、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條在受到壓力時(shí)的彎曲度計(jì)算得出每個(gè)壓力感應(yīng)條的壓阻靈敏系數(shù)；以及，

壓力值檢測單元，用于檢測當(dāng)所述玻璃基板被放置于所述玻璃清洗設(shè)備中時(shí)每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的實(shí)時(shí)受力電阻值，并根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值；

所述壓力測試標(biāo)準(zhǔn)板包括設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條的玻璃基板。

實(shí)施時(shí)，所述壓力感應(yīng)條包括半導(dǎo)體薄膜條；

所述半導(dǎo)體薄膜層的厚度在預(yù)定厚度范圍內(nèi)。

實(shí)施時(shí)，所述壓力感應(yīng)條包括金屬應(yīng)變片；

多個(gè)所述金屬應(yīng)變片黏貼于所述玻璃基板的第一底面上。

實(shí)施時(shí)，本發(fā)明所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置還包括：保護(hù)蓋層，設(shè)置于所述多個(gè)壓力感應(yīng)條上；

所述保護(hù)蓋層能夠彎曲并能夠傳遞應(yīng)變。

實(shí)施時(shí)，所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算單元具體用于根據(jù)下列公式計(jì)算得到所述每個(gè)所述壓力感應(yīng)條在受到壓力時(shí)的彎曲度和該壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的彎曲度之間的彎曲度差值△Y，之后通過光杠桿法根據(jù)該彎曲度差值計(jì)算得到每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值；

$\mathrm{\Δ}Y=L^2\×\frac{R2-R1}{R1}\×{(K\×3t)}^{-1};$

其中，L為所述玻璃基板的第二底面下方的兩相鄰支撐點(diǎn)之間的間距，R2為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受力電阻值，R1為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，K為壓阻靈敏系數(shù)，t為所述玻璃基板的厚度和所述壓力感應(yīng)條的厚度之和。

本發(fā)明還提供了一種玻璃清洗設(shè)備，包括上述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法、裝置和玻璃清洗設(shè)備通過在所述玻璃基板的第一底面上設(shè)置多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條來感應(yīng)所述玻璃基板表面受到的壓力；本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法首先設(shè)置多個(gè)壓力感應(yīng)條，然后模擬玻璃清洗設(shè)備中的環(huán)境，也即執(zhí)行支撐力控制步驟，將所述玻璃基板二底面受到的支撐力和支撐點(diǎn)模擬為與玻璃清洗設(shè)備中的多個(gè)用于帶動(dòng)玻璃基板前進(jìn)的滾輪給予玻璃基板的支撐力和支撐點(diǎn)一致，之后模擬實(shí)際清洗時(shí)毛刷(在實(shí)際清洗時(shí)毛刷的位置是不動(dòng)的)給予玻璃基板的壓力，根據(jù)該壓力和各壓力感應(yīng)條的電阻的變化來計(jì)算每個(gè)壓力感應(yīng)條的壓阻靈敏系數(shù)，然后在實(shí)際清洗時(shí)就可以根據(jù)每個(gè)壓力感應(yīng)條的受力時(shí)的電阻值、該壓阻靈敏系數(shù)來得到所述玻璃基板受到的壓力值，從而可以實(shí)現(xiàn)毛刷對(duì)玻璃基板的壓力的量化測量，并可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)測量出玻璃基板與毛刷接觸的各個(gè)點(diǎn)受到的壓力大小，使得測量結(jié)果更準(zhǔn)確，對(duì)壓力控制效果更好。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法應(yīng)用于的玻璃基板(所述玻璃基板上設(shè)置有壓力感應(yīng)條PS)的示意圖；

圖2是是本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法的流程圖；

圖3A是圖1的A-A剖面圖；

圖3B是圖1的B-B剖面圖；

圖4A是在玻璃基板10的第一底面上設(shè)置有半導(dǎo)體薄膜層11的示意圖；

圖4B是經(jīng)過對(duì)半導(dǎo)體薄膜層11進(jìn)行刻蝕之后，所述玻璃基板10的第一底面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體薄膜條12的示意圖；

圖5A是圖3A的基礎(chǔ)上增加了保護(hù)蓋層的示意圖；

圖5B是在圖3B的基礎(chǔ)上增加了所述保護(hù)蓋層30的示意圖；

圖6A是在圖5B的基礎(chǔ)上增加了直流電壓源、電流檢測單元和導(dǎo)線的示意圖；

圖6B是在圖5A的基礎(chǔ)上增加了導(dǎo)線401的示意圖；

圖7A是以玻璃基板10的長度為750mm，玻璃基板10的寬度為650mm為例，在玻璃基板10的第一底面上設(shè)置有納米硅薄膜層20的示意圖；

圖7B是經(jīng)過對(duì)納米硅薄膜層20進(jìn)行刻蝕之后，所述玻璃基板10的第一底面上形成有多個(gè)納米硅薄膜條NGS的主視圖；

圖7C是圖7B的A-A剖視圖；

圖7D是圖7B的B-B剖視圖；

圖7E是在圖7C的基礎(chǔ)上增加了塑料膜層的示意圖；

圖7F是在圖7D的基礎(chǔ)上增加了塑料膜層的示意圖；

圖7G是在圖7F的基礎(chǔ)上，在每一所述納米硅薄膜條的兩端設(shè)置的兩鋁電極之間設(shè)置有相互串聯(lián)的直流電壓源(圖7G中未示出)和電流檢測單元50的示意圖；

圖7H是所述納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板的受力位置示意圖；

圖8是毛刷80、玻璃基板10和各納米硅薄膜條之間的位置關(guān)系示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法，應(yīng)用于玻璃清洗設(shè)備，如圖1(圖1是設(shè)置有多個(gè)壓力感應(yīng)條PS的玻璃基板10的第一底面的平面圖)所示，所述玻璃基板10包括相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)邊C1和第二側(cè)邊C2以及相對(duì)設(shè)置的第三側(cè)邊C3和第四側(cè)邊C4，所述玻璃基板10的滾動(dòng)方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊C1向第二側(cè)邊C2，如圖2所示，所述毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法包括：

壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟S1：在所述玻璃基板10的第一底面上設(shè)置多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條PS；所述壓力感應(yīng)條PS的延伸方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊C1向第二側(cè)邊C2，多個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS依次從第三側(cè)邊C3向第四側(cè)邊C4排列；所述壓力感應(yīng)條PS的電阻隨著該壓力感應(yīng)條PS受到壓力的大小而改變；

支撐力控制步驟S2：控制在所述玻璃基板10未設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條PS的第二底面受到的支撐力與預(yù)定支撐力之間的差別在預(yù)定范圍內(nèi)，并控制所述玻璃基板10的第二底面下方的支撐點(diǎn)的設(shè)置位置為預(yù)定位置；

壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟S3：檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力時(shí)的電阻值；在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的預(yù)定位置施加垂直于所述玻璃基板10的第一底面的相同大小的壓力，并檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的受力電阻值，根據(jù)所述壓力的壓力值、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的壓阻靈敏系數(shù)；

壓力值檢測步驟S4：當(dāng)所述玻璃基板10被放置于所述玻璃清洗設(shè)備中時(shí)，檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的實(shí)時(shí)受力電阻值，根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS受到的壓力值。

本發(fā)明實(shí)施例所述的檢測毛刷與玻璃之間壓力的方法通過在所述玻璃基板10的第一底面上設(shè)置多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條PS來感應(yīng)所述玻璃基板10表面受到的壓力；本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法首先設(shè)置多個(gè)壓力感應(yīng)條，然后模擬玻璃清洗設(shè)備中的環(huán)境，也即執(zhí)行支撐力控制步驟，將所述玻璃基板10的第二底面受到的支撐力和支撐點(diǎn)模擬為與玻璃清洗設(shè)備中的多個(gè)用于帶動(dòng)玻璃基板10前進(jìn)的roller(滾輪)給予玻璃基板10的支撐力和支撐點(diǎn)一致，之后模擬實(shí)際清洗時(shí)毛刷(在實(shí)際清洗時(shí)毛刷的位置是不動(dòng)的)給予玻璃基板10的壓力，根據(jù)該壓力和各壓力感應(yīng)條PS的電阻的變化來計(jì)算每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的壓阻靈敏系數(shù)，然后在實(shí)際清洗時(shí)就可以根據(jù)每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的受力時(shí)的電阻值、該壓阻靈敏系數(shù)來得到所述玻璃基板10受到的壓力值，從而可以實(shí)現(xiàn)毛刷對(duì)玻璃基板的壓力的量化測量，并可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)測量出玻璃基板與毛刷接觸的各個(gè)點(diǎn)受到的壓力大小，使得測量結(jié)果更準(zhǔn)確，對(duì)壓力控制效果更好，解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測毛刷對(duì)玻璃基板的壓力時(shí)認(rèn)為因素干擾較大及檢測不準(zhǔn)確的問題。

彎曲度差值ΔY理論上是壓力感應(yīng)條的彎曲度的變化量。但是在具體測量過程中，壓力感應(yīng)條與玻璃基板是一起變化的，而且壓力感應(yīng)條的厚度遠(yuǎn)小于玻璃基板。因此可以理解為這里所測的ΔY、玻璃基板的彎曲度變化量和壓力感應(yīng)條的彎曲度變化量相同，都代表了壓力感應(yīng)條的彎曲度的變化量。

說明書中提到的公式是文獻(xiàn)中常用的測量納米硅的壓阻靈敏系數(shù)的常用方法，可以不限于這個(gè)公式，只要能將壓力感應(yīng)條的電阻值、壓力感應(yīng)條受到的壓力值，以及玻璃基板的彎曲度三個(gè)值相互關(guān)聯(lián)，知道其中一個(gè)值，可以計(jì)算出其余兩個(gè)值即可，并由該三個(gè)值中任一個(gè)值即能得到其他兩個(gè)值的技術(shù)手段是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，因?yàn)閴毫Ω袘?yīng)條的厚度以及保護(hù)蓋層的厚度遠(yuǎn)小于玻璃基板的厚度，在這里可以看作玻璃基板的彎曲度，壓力感應(yīng)條的彎曲度和保護(hù)蓋層的彎曲度相等。

圖3A是圖1的A-A剖面圖，圖3B是圖1的B-B剖面圖，在圖3B中，標(biāo)號(hào)為ME的為金屬電極，在后面會(huì)提到在檢測壓力感應(yīng)條PS的壓阻靈敏系數(shù)時(shí)需要在壓力感應(yīng)條PS的兩端分別設(shè)置一金屬電極ME。

在具體實(shí)施時(shí)，所述壓力感應(yīng)條可以包括半導(dǎo)體薄膜條和/或金屬應(yīng)變片；所述半導(dǎo)體薄膜條例如可以為納米硅薄膜條。但是實(shí)際操作時(shí)，所述壓力感應(yīng)條并不限于包括半導(dǎo)體薄膜條和/或金屬應(yīng)變片，所述壓力感應(yīng)條只需采用在受到壓力變化時(shí)電阻也相應(yīng)變化的材料即可，所述半導(dǎo)體薄膜條也并不限于采用納米硅薄膜條，僅用作舉例而并非加以限定。

由于所有的半導(dǎo)體薄膜條都有壓阻效應(yīng)(即電阻值隨著壓力改變)，并且金屬應(yīng)變片也會(huì)有電阻隨著壓力改變的特性，也即能根據(jù)金屬應(yīng)變片的電阻值的變化來得知其受到的壓力大小，因此所述壓力感應(yīng)條可以包括半導(dǎo)體薄膜條和/或金屬應(yīng)變片。

具體的，所述壓力感應(yīng)條可以包括半導(dǎo)體薄膜條；

所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟包括：如圖4A所示，在所述玻璃基板10的第一底面上設(shè)置半導(dǎo)體薄膜層11；所述半導(dǎo)體薄膜層11的厚度在預(yù)定厚度范圍內(nèi)；所述預(yù)定厚度范圍可以為3nm-6nm；對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜條；

如圖4B所示，經(jīng)過對(duì)半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕之后，所述玻璃基板10的第一底面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體薄膜條12。

優(yōu)選的，所述對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜條步驟包括：

通過光刻工藝，采用干法刻蝕的方法對(duì)所述半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行刻蝕，從而形成多個(gè)所述半導(dǎo)體薄膜。

在形成半導(dǎo)體薄膜條時(shí)，采用光刻和干法刻蝕是最優(yōu)的，光刻的精度高，而干法刻蝕的垂直指向性好，能使得制作半導(dǎo)體薄膜條的精度高。

具體的，當(dāng)所述半導(dǎo)體薄膜層為納米硅薄膜層時(shí)，用于干法刻蝕的刻蝕氣體優(yōu)選采用CF4(四氟化碳)。當(dāng)半導(dǎo)體薄膜層為納米硅薄膜層時(shí)采用CF4進(jìn)行刻蝕的效果最好。

在實(shí)際操作時(shí)，當(dāng)所述半導(dǎo)體薄膜層為納米硅薄膜層時(shí)，可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)工藝制備該納米硅薄膜層，在制備過程中使用的高頻源的功率、襯底溫度、反應(yīng)氣體濃度等條件對(duì)納米硅薄膜的生長起著非常重要的作用，因此要選取恰當(dāng)?shù)墓に嚄l件。

具體的，所述壓力感應(yīng)條包括金屬應(yīng)變片；

所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟包括：將多個(gè)所述金屬應(yīng)變片黏貼至所述玻璃基板的第一底面上。

當(dāng)所述壓力感應(yīng)條包括金屬應(yīng)變片時(shí)，僅需要將多個(gè)金屬應(yīng)變片黏貼到玻璃基板的第一底面即可。

優(yōu)選的，在所述壓力感應(yīng)條設(shè)置步驟和所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟之間還包括：在所述多個(gè)壓力感應(yīng)條上設(shè)置一層保護(hù)蓋層，所述保護(hù)蓋層能夠彎曲并能夠傳遞應(yīng)變。

在優(yōu)選情況下，如圖5A(圖5A是圖3A的基礎(chǔ)上增加了保護(hù)蓋層的示意圖)所示，在壓力感應(yīng)條PS上設(shè)置有保護(hù)蓋層30，以保護(hù)該多個(gè)壓力感應(yīng)條PS。

圖5B是在圖3B的基礎(chǔ)上增加了所述保護(hù)蓋層30的示意圖。

具體的，所述保護(hù)蓋層30可以包括塑料膜層。

具體的，所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算步驟還包括：

如圖6A(圖6A是在圖5B的基礎(chǔ)上增加了直流電壓源、電流檢測單元和導(dǎo)線的示意圖)所示，在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的兩端分別設(shè)置金屬電極ME；

在設(shè)置于所述壓力感應(yīng)條PS兩端的兩金屬電極ME之間設(shè)置直流電壓源41和電流檢測單元42；在圖6A中標(biāo)號(hào)為401的為導(dǎo)線；

所述檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值步驟包括：

所述電流檢測單元42檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力F時(shí)的電流值I01；

根據(jù)該直流電壓源41輸出的直流電壓和所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力F時(shí)的電流值I01計(jì)算得到個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力時(shí)的電阻值R1；

所述檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值步驟包括：

所述電流檢測單元42檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS受到壓力F時(shí)的電流值I02；

根據(jù)該直流電壓源41輸出的直流電壓和所述壓力感應(yīng)條PS受到壓力F時(shí)的電流值I02計(jì)算得到個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS受到壓力時(shí)的電阻值R2。

在圖6A中，標(biāo)號(hào)為Ro的為用于帶動(dòng)玻璃基板10前進(jìn)的滾輪。

圖6B是在圖5A的基礎(chǔ)上增加了導(dǎo)線401的示意圖。

在檢測到R1和R2之后，根據(jù)所述壓力的壓力值F、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS未受到壓力時(shí)的電阻值R1和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條PS的受力電阻值R2計(jì)算得出每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的壓阻靈敏系數(shù)K。

具體的，當(dāng)所述壓力感應(yīng)條包括半導(dǎo)體薄膜條時(shí)，所述根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)K、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值R1和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值R2計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值F步驟包括：

根據(jù)下列公式計(jì)算得到所述每個(gè)所述壓力感應(yīng)條在受到壓力時(shí)的彎曲度和該壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的彎曲度之間的彎曲度差值△Y；

$\mathrm{\Δ}Y=L^2\×\frac{R2-R1}{R1}\×{(K\×3t)}^{-1};$

其中，L為所述玻璃基板的第二底面下方的兩相鄰支撐點(diǎn)之間的間距，R2為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受力電阻值，R1為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，K為壓阻靈敏系數(shù)，t為所述玻璃基板的厚度和所述壓力感應(yīng)條的厚度之和；

通過光杠桿法和該彎曲度差值△Y計(jì)算得到每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值。

當(dāng)在所述壓力感應(yīng)條之上還設(shè)置有保護(hù)蓋層時(shí)，t為所述玻璃基板的厚度、所述壓力感應(yīng)條的厚度和所述保護(hù)蓋層的厚度之和。

在圖6A所示的實(shí)施例中，L也即相鄰兩滾輪Ro之間的間距。

在實(shí)際操作時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法首先設(shè)置多個(gè)壓力感應(yīng)條，然后模擬玻璃清洗設(shè)備中的環(huán)境，也即執(zhí)行支撐力控制步驟，將所述玻璃基板10的第二底面受到的支撐力和支撐點(diǎn)模擬為與玻璃清洗設(shè)備中的多個(gè)用于帶動(dòng)玻璃基板10前進(jìn)滾輪Ro給予玻璃基板10的支撐力和支撐點(diǎn)一致，之后模擬實(shí)際清洗時(shí)毛刷(在實(shí)際清洗時(shí)毛刷的位置是不動(dòng)的)給予玻璃基板10的壓力，根據(jù)該壓力和各壓力感應(yīng)條PS的電阻的變化來計(jì)算每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的壓阻靈敏系數(shù)，然后在實(shí)際清洗時(shí)就可以根據(jù)每個(gè)壓力感應(yīng)條PS的受力時(shí)的電阻值、該壓阻靈敏系數(shù)來得到所述玻璃基板10受到的壓力值，從而可以實(shí)現(xiàn)毛刷對(duì)玻璃基板的壓力的量化測量，并可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)測量出玻璃基板與毛刷接觸的各個(gè)點(diǎn)受到的壓力大小，使得測量結(jié)果更準(zhǔn)確，對(duì)壓力控制效果更好，解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測毛刷對(duì)玻璃基板的壓力時(shí)認(rèn)為因素干擾較大及檢測不準(zhǔn)確的問題。

當(dāng)所述壓力感應(yīng)條包括半導(dǎo)體薄膜條時(shí)，是利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)壓力檢測，半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)原理如下：

對(duì)半導(dǎo)體施加應(yīng)力時(shí)，半導(dǎo)體除產(chǎn)生形變外能帶結(jié)構(gòu)也要相應(yīng)發(fā)生變化，因而半導(dǎo)體材料的電阻率(或?qū)щ娐?就要改變。半導(dǎo)體的這種由于應(yīng)力的作用使電阻率發(fā)生改變的現(xiàn)象稱作壓阻效應(yīng)。

而納米硅薄膜由大量的超細(xì)硅晶粒和大量的晶粒間界面組成。這一特殊的結(jié)構(gòu)造成納米硅薄膜具有較大的壓阻效應(yīng)。采用納米硅薄膜條的方式來測量壓力，可以動(dòng)態(tài)地、精確地測量出毛刷與玻璃基板之間受到的壓力大小，此外還可以計(jì)算出在接觸位置玻璃基板的彎曲度是多少。這樣的就可以避免在生產(chǎn)過程中玻璃基板受到的壓力過大而發(fā)生碎片，同時(shí)也不用擔(dān)心因?yàn)閴毫^小而達(dá)不到清洗效果。

采用納米硅薄膜測量壓力，可以實(shí)時(shí)檢測毛刷與玻璃基板接觸面各個(gè)點(diǎn)的壓力大小，能更好地對(duì)設(shè)備進(jìn)行調(diào)節(jié)，防止出現(xiàn)玻璃基板被卡住無法進(jìn)行工藝的情況，同時(shí)通過檢測調(diào)節(jié)使毛刷與玻璃基板接觸位置各個(gè)點(diǎn)壓力平衡，設(shè)備對(duì)很薄的玻璃基板也能過對(duì)應(yīng)清洗，從而使得產(chǎn)品向輕薄化發(fā)展。

采用納米硅薄膜測量壓力，能夠最大限度的保持生產(chǎn)工藝環(huán)境與條件，而不會(huì)發(fā)生測量調(diào)節(jié)過程中使用的是一個(gè)工藝環(huán)境條件，而在測試后的生產(chǎn)過程中卻使用另一種工藝環(huán)境條件的情況。采用納米硅薄膜測量壓力，能更好地對(duì)應(yīng)生產(chǎn)工藝。

采用納米硅薄膜測量壓力，能夠定量地對(duì)壓力進(jìn)行控制，這樣操作方法會(huì)更精確，受到人為因素干擾較小，對(duì)設(shè)備調(diào)試經(jīng)驗(yàn)也要求較低，可以擺脫對(duì)廠商工程師的依賴。

下面通過一具體實(shí)施例來說明本發(fā)明所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法：

本發(fā)明所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法的一具體實(shí)施例包括：

步驟一、在玻璃基板的第一底面上采用PECVD工藝制備納米硅薄膜層

按要求在不同厚度的玻璃基板(例如0.5T玻璃基板(即厚度為0.5mm(毫米)的玻璃基板)、0.3T玻璃基板(即厚度為0.3mm的玻璃基板))的第一底面上采用PECVD工藝制備納米硅薄膜層；

如圖7A所示，以玻璃基板10的長度為750mm，玻璃基板10的寬度為650mm為例，在玻璃基板10的第一底面上制備的納米硅薄膜層20的厚度大于或等于3nm(納米)而小于或等于6nm；

步驟二、采用光刻工藝制備預(yù)定寬度和預(yù)定長度的納米硅薄膜條

因?yàn)樾枰獪y量在工藝過程中毛刷與玻璃基板接觸位置各個(gè)點(diǎn)的壓力大小，因此通過不同位置的納米硅薄膜條的電阻變化來間接反映對(duì)應(yīng)的毛刷與玻璃基板的接觸點(diǎn)受到的壓力大?。?/p>

通過光刻工藝制備的納米硅薄膜條的長度和寬度按照工藝情況進(jìn)行設(shè)計(jì)，在滿足測量精度的前提下盡可能多的選取測量點(diǎn)，長度和寬度可以通過光刻工藝過程使用的掩膜來進(jìn)行控制；

所述納米硅薄膜條的長度根據(jù)玻璃基板的長度來確定，納米硅薄膜條的寬度沒有預(yù)定的數(shù)值范圍，按照測量要求，在滿足條件(測量精度，反應(yīng)玻璃基板的彎曲度的能力等)的情況下，納米硅薄膜條的數(shù)量越多越好。

如圖7B(圖7B是主視圖)、圖7C(圖7C是圖7B的A-A剖視圖)所示，所述玻璃基板10的第一底面上采用光刻工藝制備有多條具有預(yù)定長度和預(yù)定寬度的納米硅薄膜條NGS；

如圖7D(圖7D是圖7B的B-B剖視圖)所示，在使用光刻工藝在玻璃基板10的第一底面上制備好預(yù)定長度和預(yù)定寬度的納米硅薄膜條NGS之后，在納米硅薄膜條NGS兩端分別蒸鍍上鋁電極LvE，并且接上導(dǎo)線(圖5D中未示導(dǎo)線)，來測量納米硅薄膜條NGS受到外力影響發(fā)生形變后電阻的變化情況。

此部分的光刻工藝在曝光、顯影之后可以采用Dry Etch(干發(fā)刻蝕)的方法對(duì)納米硅薄膜層進(jìn)行刻蝕，刻蝕氣體可以選擇使用CF4。

步驟三：在制備好的納米硅薄膜條上加保護(hù)蓋層

完成了測試標(biāo)準(zhǔn)板主體結(jié)構(gòu)(也即在第一底面設(shè)置有納米硅薄膜條的玻璃基板)的制備之后，需要在所述測試標(biāo)準(zhǔn)板主體結(jié)構(gòu)上加一層起到保護(hù)作用的保護(hù)蓋層30，以形成納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板，所述保護(hù)蓋層30可以采用Plastic Film(塑料薄膜)，因?yàn)樗芰媳∧ぞ哂辛己玫膹澢匦?，也起著傳遞應(yīng)變的作用，不會(huì)對(duì)納米硅薄膜條的形變造成很大的影響；此外塑料薄膜有一定的耐化、阻水、阻氧特性，可以對(duì)納米硅薄膜條起到保護(hù)的作用；

如圖7E(圖7E是在圖7C的基礎(chǔ)上增加了塑料膜層的示意圖)、圖7F(圖7F是在圖7D的基礎(chǔ)上增加了塑料膜層的示意圖)所示，標(biāo)號(hào)為PF的為塑料膜層。

步驟四：在玻璃清洗設(shè)備中，如圖7G所示，玻璃基板10底部的滾輪Ro不僅僅起著傳送玻璃基板10的作用，還起著支撐玻璃基板10的作用；因此在制備好了納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板之后，模擬玻璃清洗設(shè)備中的環(huán)境要求，首先測試出納米硅薄膜條的壓阻靈敏系數(shù)K，測試環(huán)境如圖7G所示；

如圖7G所示，在圖7F的基礎(chǔ)上，在每一所述納米硅薄膜條的兩端設(shè)置的兩鋁電極之間設(shè)置有相互串聯(lián)的直流電壓源(圖7G中未示出)和電流檢測單元50，在圖7F中標(biāo)示為401的為導(dǎo)線；

根據(jù)已知公式：

其中，L為所述玻璃基板10的第二底面下方的兩相鄰支撐點(diǎn)之間的間距(即相鄰兩滾輪Ro之間的間距)，R2為所述壓力感應(yīng)條受到壓力F時(shí)的受力電阻值，R1為所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，K為壓阻靈敏系數(shù)，t為所述玻璃基板10的厚度、所述納米硅薄膜條NGS的厚度和塑料薄膜PF的厚度之和；△Y是所述納米硅薄膜條在壓力F的作用下的彎曲度和該納米硅薄膜條未受到壓力時(shí)的彎曲度之間的彎曲度差值；如圖7G所示，施加至納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板的壓力F是施加于兩個(gè)相鄰支撐點(diǎn)之間(也即在兩個(gè)相鄰滾輪Ro之間)的；如圖7H所示，在模擬所述納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板在玻璃清洗設(shè)備中的受力情況時(shí)，是對(duì)整個(gè)玻璃10豎直方向都施加力，如下圖線L所示，目的是為了與進(jìn)行工藝時(shí)保持一致的條件，在進(jìn)行工藝時(shí)，毛刷的作用力也是對(duì)整個(gè)玻璃基板10的豎直方向。

在確定壓阻靈敏系數(shù)K的過程中，施加在納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板的壓力F是均勻平衡的，可以使用光杠桿法測出施加不同的壓力F,根據(jù)△Y的變化情況，以此來找到在清洗過程中毛刷施加到玻璃基板上的最佳壓力值；

使用電流檢測單元50測量出施加不同壓力F時(shí)納米硅薄膜條的電阻的變化情況，據(jù)此可以通過公式計(jì)算出壓阻靈敏系數(shù)K的值；

對(duì)于單條的納米硅薄膜條，在對(duì)其施加力F后，整條納米硅薄膜條都會(huì)發(fā)生形變，但是在受力點(diǎn)附近的形變量最大，在進(jìn)行測量ΔY時(shí)主要參考的也是受力點(diǎn)附近納米硅薄膜條的形變，在一定范圍內(nèi)，其他地方的形變可以忽略。

根據(jù)工藝的不同，納米硅薄膜條的壓阻靈敏系數(shù)K是不相同的，在同一塊玻璃基板上，因玻璃基板各個(gè)地方的工藝溫度、時(shí)間、薄膜條的厚度、長度不同，使得每一個(gè)納米硅薄膜條的壓阻林敏系數(shù)K也不同。但是在一定的工藝范圍內(nèi)，對(duì)精度要求不很高的情況下，我們可以認(rèn)為同一塊玻璃基板上的納米硅薄膜條的壓敏系數(shù)是相同的(視具體情況而定)。

步驟五：在清洗設(shè)備中使用標(biāo)準(zhǔn)板測量毛刷對(duì)玻璃的壓力

在納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板上，每一個(gè)納米硅薄膜條NGS的兩端的鋁電極LvE都引出導(dǎo)線401與電流檢測單元50相接，當(dāng)納米硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)板受到壓力F時(shí)，納米硅薄膜條NGS會(huì)發(fā)生形變，因?yàn)橛袎鹤栊?yīng)使得該納米硅薄膜條NGS電阻發(fā)生變化，而且會(huì)因?yàn)樗黾{米硅薄膜條NGS受到壓力F的不同該納米硅薄膜條NGS的電阻的變化值也不同；所述納米硅薄膜條NGS的電阻發(fā)生變化使電流檢測單元50上顯示的電流數(shù)值也發(fā)生變化，根據(jù)已知的壓阻靈敏系數(shù)K、兩個(gè)相鄰滾輪之間的距離L和標(biāo)準(zhǔn)板厚度t，就可以計(jì)算出△Y的情況，從而也可以知道納米硅薄膜條NGS受到的壓力F的大小。

在玻璃基板10的水平方向上，毛刷與玻璃基板10接觸的各個(gè)點(diǎn)受到的壓力大小，由該點(diǎn)對(duì)應(yīng)納米硅薄膜條連接的電流檢測單元檢測出來的電流數(shù)值來反映；

如圖8所示，若將不同的納米硅薄膜條依次命名為A、B、C、D、E、F、G，如果納米硅薄膜條A對(duì)應(yīng)的電流檢測單元顯示的電流值與納米硅薄膜條D對(duì)應(yīng)電流檢測單元顯示的電流值相差很大，說明納米硅薄膜條A、納米硅薄膜條D對(duì)應(yīng)的毛刷80與玻璃基板10接觸位置的壓力值是不同的。

在具體實(shí)施時(shí)，也可以使用金屬應(yīng)變片代替納米硅薄膜條，采用金屬應(yīng)變片來測量毛刷與玻璃基板之間的壓力，其使用的原理是金屬應(yīng)變片在外力的作用下發(fā)生機(jī)械變形時(shí)，該金屬應(yīng)變片的電阻值發(fā)生變化，在實(shí)際操作時(shí)，只需要將金屬應(yīng)變片黏貼到玻璃基板上相應(yīng)的位置即可。

本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置，應(yīng)用于玻璃清洗設(shè)備，所述玻璃基板包括相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊以及相對(duì)設(shè)置的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，所述玻璃基板的滾動(dòng)方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，其特征在于，所述毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置包括：

壓力感應(yīng)單元，包括設(shè)置于所述玻璃基板的第一底面上的多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條；所述壓力感應(yīng)條的延伸方向?yàn)閺牡谝粋?cè)邊向第二側(cè)邊，多個(gè)所述壓力感應(yīng)條依次從第三側(cè)邊向第四側(cè)邊排列；所述壓力感應(yīng)條的電阻隨著該壓力感應(yīng)條受到壓力的大小而改變；

支撐力控制單元，用于控制在所述玻璃基板未設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條的第二底面受到的支撐力與預(yù)定支撐力之間的差別在預(yù)定范圍內(nèi)，并控制所述玻璃基板的第二底面下方的支撐點(diǎn)的設(shè)置位置為預(yù)定位置；

壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算單元，用于檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，在每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的預(yù)定位置施加垂直于所述玻璃基板的第一底面的相同大小的壓力，并檢測每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值，根據(jù)所述壓力的壓力值、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)壓力感應(yīng)條的壓阻靈敏系數(shù)；以及，

壓力值檢測單元，用于檢測當(dāng)所述玻璃基板被放置于所述玻璃清洗設(shè)備中時(shí)每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的實(shí)時(shí)受力電阻值，并根據(jù)所述壓阻靈敏系數(shù)、每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值和每個(gè)所述壓力感應(yīng)條的受力電阻值計(jì)算得出每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值；

所述壓力測試標(biāo)準(zhǔn)板包括設(shè)置有所述壓力感應(yīng)條的玻璃基板。

本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置通過在所述玻璃基板的第一底面上設(shè)置多個(gè)相互絕緣的壓力感應(yīng)條來感應(yīng)所述玻璃基板表面受到的壓力；本發(fā)明實(shí)施例所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測方法首先設(shè)置多個(gè)壓力感應(yīng)條，然后模擬玻璃清洗設(shè)備中的環(huán)境，也即執(zhí)行支撐力控制步驟，將所述玻璃基板二底面受到的支撐力和支撐點(diǎn)模擬為與玻璃清洗設(shè)備中的多個(gè)用于帶動(dòng)玻璃基板前進(jìn)的滾輪給予玻璃基板的支撐力和支撐點(diǎn)一致，之后模擬實(shí)際清洗時(shí)毛刷(在實(shí)際清洗時(shí)毛刷的位置是不動(dòng)的)給予玻璃基板的壓力，根據(jù)該壓力和各壓力感應(yīng)條PS的電阻的變化來計(jì)算每個(gè)壓力感應(yīng)條的壓阻靈敏系數(shù)，然后在實(shí)際清洗時(shí)就可以根據(jù)每個(gè)壓力感應(yīng)條的受力時(shí)的電阻值、該壓阻靈敏系數(shù)來得到所述玻璃基板受到的壓力值，從而可以實(shí)現(xiàn)毛刷對(duì)玻璃基板的壓力的量化測量，并可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)測量出玻璃基板與毛刷接觸的各個(gè)點(diǎn)受到的壓力大小，使得測量結(jié)果更準(zhǔn)確，對(duì)壓力控制效果更好，解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測毛刷對(duì)玻璃基板的壓力時(shí)認(rèn)為因素干擾較大及檢測不準(zhǔn)確的問題。

具體的，所述壓力感應(yīng)條可以包括半導(dǎo)體薄膜條；

所述半導(dǎo)體薄膜層的厚度在預(yù)定厚度范圍內(nèi)。

具體的，所述壓力感應(yīng)條可以包括金屬應(yīng)變片；

多個(gè)所述金屬應(yīng)變片黏貼于所述玻璃基板的第一底面上。

優(yōu)選的，所述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置，還包括：保護(hù)蓋層，設(shè)置于所述多個(gè)壓力感應(yīng)條上；

所述保護(hù)蓋層能夠彎曲并能夠傳遞應(yīng)變。

具體的，所述保護(hù)蓋層可以包括塑料膜層。

具體的，所述壓阻靈敏系數(shù)計(jì)算單元用于根據(jù)下列公式計(jì)算得到每個(gè)所述壓力感應(yīng)條在受到壓力時(shí)的彎曲度和該壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的彎曲度之間的彎曲度差值△Y，之后通過光杠桿法根據(jù)該彎曲度差值計(jì)算得到每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受到的壓力值；

$\mathrm{\Δ}Y=L^2\×\frac{R2-R1}{R1}\×{(K\×3t)}^{-1};$

其中，L為所述玻璃基板的第二底面下方的兩相鄰支撐點(diǎn)之間的間距，R2為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條受力電阻值，R1為每個(gè)所述壓力感應(yīng)條未受到壓力時(shí)的電阻值，K為壓阻靈敏系數(shù)，t為所述玻璃基板和所述壓力感應(yīng)條的厚度之和。

本發(fā)明實(shí)施例所述的玻璃清洗設(shè)備，包括上述的毛刷與玻璃基板之間壓力檢測裝置。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。