本發(fā)明涉及相轉(zhuǎn)移光罩，具體是涉及一種解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法。

背景技術(shù)：

1、相移掩模(phase?shift?mask，psm)是同時利用光線的強度和相位來成像，得到更高分辨率的一種分辨率增強技術(shù)。隨著芯片圖形設(shè)計越來越復雜和精密，為減小圖案的最小解析度，高階制程的關(guān)鍵層需使用相轉(zhuǎn)移光罩。

2、在相轉(zhuǎn)移光罩的制程過程中，隨著圖案設(shè)計愈發(fā)復雜，出現(xiàn)臟污的種類越來越多樣，這些異常的臟污類型會造成浪費檢測機臺的產(chǎn)能、造成交期延后以及報廢等損失。

3、在現(xiàn)有相轉(zhuǎn)移光罩制程中，有一類異常臟污大量分布于外圍的cr遮光膜上(如圖1所示)，臟污的大小約為200-700nm，高度約為20nm，且這些臟污較難由常規(guī)清洗制程去除，大大影響了產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在提供一種解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法。

2、具體方案如下：

3、一種解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法，該方法是為了去除相轉(zhuǎn)移光罩的鉻遮光膜上具有胺類化學物殘留，其包括有以下步驟：

4、s1、采用去離子水進行預(yù)清洗；

5、s2、采用臭氧水進行清洗；

6、s3、采用四甲基氫氧化銨藥液進行清洗；

7、s4、采用熱的去離子水進行沖洗，熱的去離子溫度為60-100℃；

8、s5、采用超聲波震蕩；

9、s6、采用去離子水進行沖洗；

10、s7、干燥。

11、進一步的，所述步驟s4中熱的去離子水的流量為1000-1800ml/min，沖洗時間為200-300s。

12、本發(fā)明提供的解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法與現(xiàn)有技術(shù)相比較具有以下優(yōu)點：本發(fā)明提供的解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法，在四甲基氫氧化銨藥液清洗完成后采用熱的去離子水進行沖洗，增強與胺類化學物殘留的表面親和度，之后使用超聲波震蕩產(chǎn)生納米級別的微小爆破氣泡將其去除，以讓胺類化學物殘留從鉻遮光膜上脫離開，最后被去離子水沖洗掉，避免了這些胺類化學物殘留在后續(xù)關(guān)鍵尺寸量測機cdsem量測的臭氧環(huán)境中被氧化為復雜的氮氧化物，因此也解決了鉻遮光膜上臟污的問題。

技術(shù)特征：

1.一種解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法，其特征在于，該方法是為了去除相轉(zhuǎn)移光罩的鉻遮光膜上具有胺類化學物殘留，其包括有以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s4中熱的去離子水的流量為800-2000ml/min，沖洗時間為200-500s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s1中去離子水的流量為500-1500ml/min，溫度為22.5-23.5℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s2中臭氧水的流量為800-1500ml/min，溫度為22.5-23.5℃，清洗時間為15-60秒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s3中四甲基氫氧化銨藥液的流量為800-2000ml/min，溫度為22.5-23.5℃，清洗時間為500-1000秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s6中熱的去離子水的流量為500-1500ml/min，溫度為60-80℃，沖洗時間為200-500秒。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種解決鉻遮光膜上附著大量臟污的方法，其在四甲基氫氧化銨藥液清洗完成后采用熱的去離子水進行沖洗，增強與胺類化學物殘留的表面親和度，之后使用超聲波震蕩產(chǎn)生納米級別的微小爆破氣泡將其去除，以讓胺類化學物殘留從鉻遮光膜上脫離開，最后被去離子水沖洗掉，避免了這些胺類化學物殘留在后續(xù)關(guān)鍵尺寸量測機CDSEM量測的臭氧環(huán)境中被氧化為復雜的氮氧化物，因此也解決了鉻遮光膜上臟污的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：黃紹春,鄭智遠,黃宇光,黃志賢
受保護的技術(shù)使用者：廈門美日豐創(chuàng)光罩有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6