本申請(qǐng)涉及光掩?；逄幚?，尤其涉及一種光掩模基板化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝及裝置。

背景技術(shù)：

1、光掩膜基板又稱(chēng)為勻膠鉻版，是當(dāng)前及未來(lái)微細(xì)加工光掩膜制作的主流感光材料，具有高感光靈敏度、高分辨率、低缺陷密度、耐磨、易清洗、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。產(chǎn)品構(gòu)造為在平整的、高光潔度的玻璃基板上通過(guò)直流磁控濺射沉積上氮化鉻-氮氧化鉻薄膜而形成鉻膜基板，再在其上涂敷一層光致抗蝕劑(又稱(chēng)光刻膠)或電子束抗蝕劑。

2、光掩?；宓囊r底材料主要由玻璃基板組成，包括普通的蘇打鈉鈣玻璃以及石英玻璃，要求玻璃襯底材料具有高平整度和高光潔度，首先需要對(duì)襯底材料采用化學(xué)機(jī)械拋光法進(jìn)行加工，拋光過(guò)程中主要采用氧化鈰以及二氧化硅等拋光液作為主要的拋光輔材，拋光完成后氧化鈰以及二氧化硅等拋光過(guò)程中產(chǎn)生的顆粒會(huì)黏附在玻璃基板上，后道工序需要對(duì)拋光后的玻璃基板進(jìn)行精密的清洗。

3、目前，現(xiàn)有的清洗工藝及裝置對(duì)拋光后玻璃基板的清洗效果不佳。

4、因此，如何提高對(duì)拋光后玻璃基板的清洗效果，成為需要解決的問(wèn)題。

5、在背景技術(shù)中公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此其可能包含沒(méi)有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光掩模基板化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝及裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光掩模基板化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝，包括：

3、s100、依次使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、sc1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后的光掩?；暹M(jìn)行清洗，在上述清洗過(guò)程中均采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到清洗后的光掩模基板；

4、s200、對(duì)s100中每次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行漂洗，漂洗完成后，得到漂洗后的光掩?；澹?/p>

5、s300、對(duì)漂洗后的光掩?；暹M(jìn)行干燥處理，去除光掩?；迳蠚埩舻乃ぃ玫角逑赐瓿傻墓庋谀；?。

6、在一些實(shí)施例中，所述s100的清洗過(guò)程具體包括：

7、s101、使用堿性清洗劑對(duì)光掩?；暹M(jìn)行第一次清洗，同時(shí)采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到第一次清洗后的光掩?；澹?/p>

8、s102、使用酸性清洗劑對(duì)第一次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行第二次清洗，同時(shí)采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到第二次清洗后的光掩?；?；

9、s103、使用sc1清洗液對(duì)第二次清洗后的光掩模基板進(jìn)行第三次清洗，同時(shí)采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到第三次清洗后的光掩?；澹?/p>

10、s104、使用氫氟酸對(duì)第三次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行清洗，同時(shí)采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到第四次清洗后的光掩?；?；

11、s105、利用臭氧對(duì)第四次清洗后的光掩模基板進(jìn)行清洗，同時(shí)采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到第五次清洗后的光掩?；?，即清洗后的光掩模基板。

12、在一些實(shí)施例中，所述堿性清洗劑的濃度為5-10％，使用溫度為30-60℃。

13、在一些實(shí)施例中，所述酸性清洗劑的濃度為3-5％，使用溫度為30-60℃。

14、在一些實(shí)施例中，在所述s104中，所述氫氟酸的濃度為0.5-1％，使用溫度為30-60℃，清洗浸泡時(shí)間不超過(guò)60s。

15、在一些實(shí)施例中，所述s200中，包括：

16、s201、在使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、sc1清洗液、氫氟酸對(duì)光掩模基板清洗后，采用純水噴淋、氮?dú)夤呐菀约凹兯焖倥欧诺姆绞竭M(jìn)行漂洗；

17、s202、在使用臭氧對(duì)光掩?；迩逑春螅捎玫?dú)夤呐莺鸵缌髌吹姆绞竭M(jìn)行漂洗。

18、在一些實(shí)施例中，在所述s202中，氮?dú)饬髁靠刂圃?0-100l/min。

19、在一些實(shí)施例中，所述s300，包括：

20、s301、通過(guò)純水慢提拉的方式對(duì)漂洗后的光掩?；暹M(jìn)行第一次干燥，純水水溫為50-80℃，提拉速度為10-50mm/min，得到第一次干燥后的光掩?；?；

21、s302、采用潔凈熱風(fēng)對(duì)第一次干燥后的光掩?；暹M(jìn)行第二次干燥，熱風(fēng)溫度設(shè)置為70-120℃，得到第二次干燥后的光掩?；?。

22、在一些實(shí)施例中，所述sc1清洗液中雙氧水、氨水、水的配比為1：1：500。

23、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光掩模基板化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗裝置，包括：

24、清洗單元，依次使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、sc1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后的光掩模基板進(jìn)行清洗，在上述清洗過(guò)程中均采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到清洗后的光掩?；?；

25、漂洗單元，對(duì)每次清洗后的光掩模基板進(jìn)行漂洗，漂洗完成后，得到漂洗后的光掩?；?；

26、干燥單元，對(duì)漂洗后的光掩?；暹M(jìn)行干燥處理，去除光掩模基板上殘留的水膜，得到清洗完成的光掩?；濉?/p>

27、本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓庋谀；寤瘜W(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝及裝置，該清洗工藝包括：依次使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、sc1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后的光掩?；暹M(jìn)行清洗，在上述清洗過(guò)程中均采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到清洗后的光掩模基板；對(duì)每次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行漂洗，漂洗完成后，得到漂洗后的光掩模基板；對(duì)漂洗后的光掩模基板進(jìn)行干燥處理，去除光掩模基板上殘留的水膜，得到清洗完成的光掩?；?。本申請(qǐng)通過(guò)依次使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、sc1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)光掩模基板進(jìn)行清洗，并在每次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行漂洗，最后再進(jìn)行干燥，能夠有效去除附著在光掩?；迳系臍埩纛w粒、有機(jī)物、清洗劑、水漬等雜質(zhì)，提高對(duì)拋光后光掩模基板的清洗效果。

技術(shù)特征：

1.一種光掩模基板化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗工藝，其特征在于，所述s100的清洗過(guò)程具體包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗工藝，其特征在于，所述堿性清洗劑的濃度為5-10％，使用溫度為30-60℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗工藝，其特征在于，所述酸性清洗劑的濃度為3-5％，使用溫度為30-60℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗工藝，其特征在于，在所述s104中，所述氫氟酸的濃度為0.5-1％，使用溫度為30-60℃，清洗浸泡時(shí)間不超過(guò)60s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗工藝，其特征在于，所述s200中，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗工藝，其特征在于，在所述s202中，氮?dú)饬髁靠刂圃?0-100l/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗工藝，其特征在于，所述s300，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的清洗工藝，其特征在于，所述sc1清洗液中雙氧水、氨水、水的配比為1：1：500。

10.一種光掩?；寤瘜W(xué)機(jī)械拋光后的清洗裝置，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光掩?；寤瘜W(xué)機(jī)械拋光后的清洗工藝及裝置，該工藝包括：依次使用堿性清洗劑、酸性清洗劑、SC1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后的光掩模基板進(jìn)行清洗，在清洗過(guò)程中采用超聲波同步進(jìn)行處理，得到清洗后的光掩?；澹粚?duì)每次清洗后的光掩?；暹M(jìn)行漂洗，漂洗完成后，得到漂洗后的光掩?；澹粚?duì)漂洗后的光掩?；暹M(jìn)行干燥處理，得到清洗完成的光掩模基板。本申請(qǐng)通過(guò)依次使用堿性、酸性清洗劑、SC1清洗液、氫氟酸、臭氧對(duì)光掩模基板進(jìn)行清洗，并在每次清洗后進(jìn)行漂洗，最后再進(jìn)行干燥，能夠有效去除附著在光掩?；迳系臍埩纛w粒、有機(jī)物、清洗劑、水漬等雜質(zhì)，提高對(duì)拋光后光掩模基板的清洗效果。

技術(shù)研發(fā)人員：周志剛,顏春李
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)沙領(lǐng)創(chuàng)芯材科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9