本技術(shù)涉及滅菌裝置，特別涉及一種介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在水體中，藻類是常見的微生物生物體之一，過度繁殖的藻類可能導致水質(zhì)惡化、生態(tài)破壞和其他環(huán)境問題。最新一版的國家衛(wèi)生飲用水標準，采用藻毒素、土臭素、3.2-甲基異莰醇等三個指標控制藻類的含量。因此，控制和殺滅藻類對維護水體生態(tài)平衡至關(guān)重要。高梯度磁場殺藻的原理是利用高梯度磁場作用于藻類細胞，干擾其正常的生理和代謝過程，從而達到殺滅和失活的目的。高梯度磁場可以通過改變細胞內(nèi)外的離子濃度，破壞細胞膜的完整性，損傷細胞器和dna或rna，進而導致細胞死亡。

2、然而，采用傳統(tǒng)的投藥法殺滅藻類會產(chǎn)生抗藥性和殺滅不徹底的弊病，而且也會對人體組織產(chǎn)生危害。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的主要目的是提供一種介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，旨在保證水中的藻類得到有效凈化的前提下，使排出的絮體無毒無害,并且可以循環(huán)使用。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，包括：

3、超聲介入磁種均質(zhì)器，用于將經(jīng)過粉末化處理的納米級磁性鐵粉均質(zhì)在待處理的溶液中；

4、殺菌單元，所述殺菌單元包括高梯度磁場結(jié)構(gòu)和高頻電場結(jié)構(gòu)，所述高梯度磁場設(shè)置有入水口和電磁流量計，用于通入并計量待處理的溶液，所述高頻電場結(jié)構(gòu)包括陰極和陽極，所述陰極豎直穿設(shè)于所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)內(nèi)部中心，所述陽極連通高電壓屏蔽線，并電性連接于大功率高頻發(fā)生器，所述大功率高頻發(fā)生器的陽極電性連接于所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)的外殼上；

5、反沖洗結(jié)構(gòu)，所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有出水口，出水口連接有反沖洗水入口、凈化水出口以及絮體出口，所述絮體出口連接有反沖洗厭氧消化水箱，所述反沖洗結(jié)構(gòu)連通于所述高梯度磁場的底部的反沖洗水入口，用于對所述高梯度磁場的內(nèi)部進行反沖洗，沖洗后的污水從所述絮體出口排入反沖洗厭氧消化水箱；以及

6、污泥濃縮厭氧反應器，所述污泥濃縮厭氧反應器連通于所述絮體出口，用于對沖洗后的污水進行厭氧消化處理。

7、在本申請的一實施例中，所述污泥濃縮厭氧反應器和所述絮體出口的連接處設(shè)置有排污通道，所述排污管道連接有厭氧消化處理裝置，所述排污通道內(nèi)設(shè)置有刮洗件，用于刮除附著于所述排污通道內(nèi)壁的絮體。

8、在本申請的一實施例中，所述刮洗件包括：

9、骨架，所述骨架穿設(shè)于所述排污通道內(nèi)部；

10、翼片，所述翼片周向設(shè)置于所述骨架的外壁，且至少局部與所述排污通道的內(nèi)壁抵接；以及

11、驅(qū)動件，所述驅(qū)動件驅(qū)動連接于所述骨架，以帶動所述翼片轉(zhuǎn)動對所述排污通道的內(nèi)壁進行刮洗。

12、在本申請的一實施例中，所述污泥濃縮厭氧反應器包括：

13、殼體，所述殼體的頂部設(shè)置有絮體進口，所述絮體進口連通所述排污通道，所述殼體的上部設(shè)置有排絮口；

14、陽極，所述陽極交錯層疊設(shè)置于所述殼體的內(nèi)部形成陽極區(qū)域，并與所述殼體的內(nèi)壁之間形成供絮體經(jīng)過的缺口，相鄰兩所述陽極的缺口相互錯位設(shè)置，以使絮體依次經(jīng)過每一所述陽極；

15、陰極，所述陰極設(shè)置于所述殼體內(nèi)，并位于所述陽極區(qū)域的外圍；以及

16、電源，所述陽極和所述陰極分別電連接于所述電源的正負極。

17、在本申請的一實施例中，所述陽極區(qū)域內(nèi)填充有催化劑。

18、在本申請的一實施例中，所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)包括：

19、軛鐵外殼；

20、分離腔道，所述分離腔道設(shè)置于所述軛鐵外殼內(nèi)，所述分離腔道內(nèi)填裝有纖維狀的鋼毛；以及

21、電磁線圈，所述電磁線圈繞置于所述分離腔道的外壁。

22、在本申請的一實施例中，所述分離腔道的頂部和底部均設(shè)置有篦孔板。

23、在本申請的一實施例中，所述反沖洗結(jié)構(gòu)包括：

24、沖洗水厭氧濃縮箱；

25、反沖洗泵，反沖洗泵分別連接所述沖洗水厭氧濃縮箱和所述反沖洗水入口；以及反沖洗元件，所述反沖洗元件和所述反沖洗水入口同軸心設(shè)置，并位于所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)內(nèi)部，用于對所述高梯度磁場內(nèi)部進行反沖洗。

26、在本申請的一實施例中，所述反沖洗元件上分布有若干壓力噴嘴。

27、在本申請的一實施例中，所述反沖洗元件轉(zhuǎn)動連接于所述反沖洗水入口，以在水流的沖擊下自由轉(zhuǎn)動。

28、本實用新型技術(shù)方案中，當被處理溶液通過高梯度磁場時，高梯度磁場與高頻率電場產(chǎn)生洛倫茲力，形成磁種偏轉(zhuǎn)，并與陰性電極電子流形成電子渦旋，這樣就可以瞬間改變?nèi)芤旱牡入婞c和滲透壓，并在磁場洛倫茲力的作用下形成微小的磁種偏轉(zhuǎn)沖擊射流。由于細菌壁內(nèi)外組織液的滲透壓差改變和電子流渦旋和磁種偏轉(zhuǎn)射流的沖擊，將細菌壁破壞，細胞內(nèi)的質(zhì)液外流，從而達殺死溶液中細菌的作用。并且在殺菌過程中不會產(chǎn)生熱效應，不會改變?nèi)芤旱睦砘再|(zhì)，沒有放射性。由于電磁場穿透力強，不會產(chǎn)生死角，因此滅菌效果優(yōu)于傳統(tǒng)的滅菌技術(shù)。

29、進一步地，增加反沖洗結(jié)構(gòu)對附著在高梯度磁場內(nèi)的絮體進行沖洗，并將沖洗后的絮體排入污泥濃縮反應器中進行消解，經(jīng)過厭氧消解后的二價鐵離子返回到進口斷繼續(xù)起到氧化的作用，絮體中的大分子有機物消化成氧化碳，少量沉淀濃縮后經(jīng)過無害化處理可用于制作建筑材料。

技術(shù)特征：

1.一種介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述污泥濃縮厭氧反應器和所述絮體出口的連接處設(shè)置有排污通道，所述排污通道連接有厭氧消化處理裝置，所述排污通道內(nèi)設(shè)置有刮洗件，用于刮除附著于所述排污通道內(nèi)壁的絮體。

3.如權(quán)利要求2所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述刮洗件包括：

4.如權(quán)利要求2所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述污泥濃縮厭氧反應器包括：

5.如權(quán)利要求4所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述陽極區(qū)域內(nèi)填充有催化劑。

6.如權(quán)利要求1至5任一所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述高梯度磁場結(jié)構(gòu)包括：

7.如權(quán)利要求6所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述分離腔道的頂部和底部均設(shè)置有篦孔板。

8.如權(quán)利要求1所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述反沖洗結(jié)構(gòu)包括：

9.如權(quán)利要求8所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述反沖洗元件上分布有若干壓力噴嘴。

10.如權(quán)利要求9所述的介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，其特征在于，所述反沖洗元件轉(zhuǎn)動連接于所述反沖洗水入口，以在水流的沖擊下自由轉(zhuǎn)動。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種介入式高梯度磁場高頻電場液流滅菌處理裝置，包括超聲介入磁種均質(zhì)器、殺菌單元、反沖洗結(jié)構(gòu)以及污泥濃縮厭氧反應器，殺菌單元包括高梯度磁場結(jié)構(gòu)和高頻電場結(jié)構(gòu)，高梯度磁場設(shè)置有入水口，高頻電場結(jié)構(gòu)包括陰極和陽極，陰極豎直穿設(shè)于高梯度磁場結(jié)構(gòu)內(nèi)部中心，陽極連通高電壓屏蔽線，并電性連接于大功率高頻發(fā)生器；高梯度磁場結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有反沖洗水入口、凈化水出口以及絮體出口，反沖洗結(jié)構(gòu)連通于高梯度磁場的底部的反沖洗水入口，沖洗后的污水從絮體出口排出；污泥濃縮厭氧反應器連通于絮體出口。本技術(shù)技術(shù)方案旨在保證水中的藻類得到有效凈化的前提下，使排出的絮體可以循環(huán)使用。

技術(shù)研發(fā)人員：孫作達,張博
受保護的技術(shù)使用者：中博達智造（河北）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240305
技術(shù)公布日：2025/1/2