本技術(shù)涉及人工晶體爐，尤其涉及一種用于晶體爐的閥門清理裝置。

背景技術(shù)：

1、以多/單晶硅為例，多/單晶硅在整個(gè)生產(chǎn)過程中，受坩堝容量的限制，當(dāng)坩堝內(nèi)的原料拉制完畢后，必須停爐(逐漸降低加熱器的加熱功率，當(dāng)爐內(nèi)的溫度降低到室溫后，打開爐室)，取出拉制好的晶棒，然后往坩堝內(nèi)重新放入原料，原料放入后，啟動(dòng)電源，對(duì)坩堝重新加熱，當(dāng)坩堝內(nèi)的原料熔化后開始新一輪晶棒的拉制，大大降低了生產(chǎn)的效率，本申請(qǐng)人為了進(jìn)一步提高晶體爐的生產(chǎn)效率，提出了一種用于人工晶體爐的加料裝置(申請(qǐng)?zhí)枮?02322659033.4)，該申請(qǐng)通過在立柱上設(shè)置升降機(jī)構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，并通過升降機(jī)構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)來驅(qū)動(dòng)加料筒的升降和旋轉(zhuǎn)，可以實(shí)現(xiàn)在不停爐的狀態(tài)下往坩堝內(nèi)添加原料，有效的提高了生產(chǎn)效率等。

2、上述專利申請(qǐng)?jiān)趯?shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，在加料過程中，碎料通過石英托與石英筒之間的間隙流入坩堝內(nèi)部，由于碎料顆粒度較小，且處于熱場(chǎng)內(nèi)部，部分料粉塵會(huì)上揚(yáng)從上面掉落在閥門的密封環(huán)處，而密封環(huán)處為旋板閥密封，粉塵的存在在一定程度上會(huì)影響旋板閥的密封性能，從而造成設(shè)備的故障率提高等。

3、那么如何提供一種用于晶體爐的閥門清理裝置就成了本領(lǐng)域技術(shù)人員的長(zhǎng)期技術(shù)訴求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了克服背景技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型公開了一種用于晶體爐的閥門清理裝置，本實(shí)用新型通過在加料機(jī)構(gòu)下法蘭或閥門主體上設(shè)置氣體分流環(huán)，用于清理閥門主體上閥門密封環(huán)處積塵的清理，可有效的提高閥門主體的密封性能，降低設(shè)備的故障率，保證設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性等。

2、為了實(shí)現(xiàn)所述的發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

3、一種用于晶體爐的閥門清理裝置，包括加料機(jī)構(gòu)、閥門主體和氣體分流環(huán)，在所述加料機(jī)構(gòu)的下端頭或閥門主體的上端頭設(shè)有氣體分流環(huán)，所述氣體分流環(huán)的中部設(shè)有進(jìn)氣腔，所述進(jìn)氣腔的下面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，每個(gè)吹氣口的出氣端分別對(duì)應(yīng)閥門主體上的閥門密封環(huán)，進(jìn)氣腔連通外部氣源。

4、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述每個(gè)吹氣口的出氣端分別設(shè)有吹氣嘴。

5、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述每個(gè)吹氣口的出氣端分別設(shè)有吹氣管。

6、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述每個(gè)吹氣口的出氣端與吹氣嘴之間分別設(shè)有吹氣管。

7、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述氣體分流環(huán)設(shè)置在加料機(jī)構(gòu)的下端頭時(shí)，氣體分流環(huán)的上端面連接加料機(jī)構(gòu)上加料機(jī)構(gòu)下法蘭的下面，氣體分流環(huán)的第一結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，在氣體分流環(huán)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，在環(huán)形槽的開口端設(shè)有蓋板使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔，在進(jìn)氣腔的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔的側(cè)壁上設(shè)有貫通至加料機(jī)構(gòu)下法蘭外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口連接氣源。

8、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述氣體分流環(huán)的第二結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，在氣體分流環(huán)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽的開口端與加料機(jī)構(gòu)下法蘭的下面貼合使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔，在進(jìn)氣腔的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔的側(cè)壁上設(shè)有貫通至加料機(jī)構(gòu)下法蘭外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口連接氣源。

9、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述氣體分流環(huán)設(shè)置在閥門主體的上端頭時(shí)，氣體分流環(huán)的第三結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，氣體分流環(huán)的外緣面連接閥門主體中上法蘭的內(nèi)緣面，在氣體分流環(huán)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，在環(huán)形槽的開口端設(shè)有蓋板使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔，在進(jìn)氣腔的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔的側(cè)壁上設(shè)有貫通至閥門主體中上法蘭外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口連接氣源。

10、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述進(jìn)氣口通過快接鎖扣連接進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管連接氣源。

11、所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，所述進(jìn)氣管上設(shè)有電磁閥。

12、所述氣體分流環(huán)設(shè)置在加料機(jī)構(gòu)與閥門主體之間。

13、采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：

14、本實(shí)用新型通過在加料機(jī)構(gòu)下法蘭或閥門主體上設(shè)置氣體分流環(huán)，在氣體分流環(huán)上設(shè)置進(jìn)氣腔，在進(jìn)氣腔的底部設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，氣源中的氣體經(jīng)管道進(jìn)入進(jìn)氣腔，然后經(jīng)吹氣口吹出，吹處的氣體可以清理閥門主體上閥門密封環(huán)處的積塵和碎料，可有效的提高閥門主體的密封性能，降低設(shè)備的故障率，保證設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性等，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)便，工作效率高、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理等優(yōu)點(diǎn)，特別適合在晶體設(shè)備上推廣和應(yīng)用。

技術(shù)特征：

1.一種用于晶體爐的閥門清理裝置，包括加料機(jī)構(gòu)(1)、閥門主體(3)和氣體分流環(huán)(8)，其特征是：在所述加料機(jī)構(gòu)(1)的下端頭或閥門主體(3)的上端頭設(shè)有氣體分流環(huán)(8)，所述氣體分流環(huán)(8)的中部設(shè)有進(jìn)氣腔(7)，所述進(jìn)氣腔(7)的下面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，每個(gè)吹氣口的出氣端分別對(duì)應(yīng)閥門主體(3)上的閥門密封環(huán)(9)，進(jìn)氣腔(7)連通外部氣源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述每個(gè)吹氣口的出氣端分別設(shè)有吹氣嘴(11)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述每個(gè)吹氣口的出氣端分別設(shè)有吹氣管(10)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一權(quán)利要求所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述每個(gè)吹氣口的出氣端與吹氣嘴(11)之間分別設(shè)有吹氣管(10)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述氣體分流環(huán)(8)設(shè)置在加料機(jī)構(gòu)(1)的下端頭時(shí)，氣體分流環(huán)(8)的上端面連接加料機(jī)構(gòu)(1)上加料機(jī)構(gòu)下法蘭(2)的下面，氣體分流環(huán)(8)的第一結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)(8)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，在氣體分流環(huán)(8)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，在環(huán)形槽的開口端設(shè)有蓋板使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔(7)，在進(jìn)氣腔(7)的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔(7)的側(cè)壁上設(shè)有貫通至加料機(jī)構(gòu)下法蘭(2)外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口(5)，所述進(jìn)氣口(5)連接氣源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述氣體分流環(huán)(8)的第二結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)(8)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，在氣體分流環(huán)(8)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽的開口端與加料機(jī)構(gòu)下法蘭(2)的下面貼合使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔(7)，在進(jìn)氣腔(7)的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔(7)的側(cè)壁上設(shè)有貫通至加料機(jī)構(gòu)下法蘭(2)外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口(5)，所述進(jìn)氣口(5)連接氣源。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述氣體分流環(huán)(8)設(shè)置在閥門主體(3)的上端頭時(shí)，氣體分流環(huán)(8)的第三結(jié)構(gòu)為氣體分流環(huán)(8)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，氣體分流環(huán)(8)的外緣面連接閥門主體(3)中上法蘭的內(nèi)緣面，在氣體分流環(huán)(8)的上面設(shè)有向下凹陷的環(huán)形槽，在環(huán)形槽的開口端設(shè)有蓋板使環(huán)形槽形成一個(gè)密閉的腔體，所述密閉的腔體為進(jìn)氣腔(7)，在進(jìn)氣腔(7)的下底面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，在進(jìn)氣腔(7)的側(cè)壁上設(shè)有貫通至閥門主體(3)中上法蘭外緣面的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔的外端頭連接進(jìn)氣口(5)，所述進(jìn)氣口(5)連接氣源。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7任一權(quán)利要求所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述進(jìn)氣口(5)通過快接鎖扣(4)連接進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管連接氣源。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述進(jìn)氣管上設(shè)有電磁閥(6)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體爐的閥門清理裝置，其特征是：所述氣體分流環(huán)(8)設(shè)置在加料機(jī)構(gòu)(1)與閥門主體(3)之間。

技術(shù)總結(jié)
一種用于晶體爐的閥門清理裝置，涉及人工晶體爐技術(shù)領(lǐng)域，本技術(shù)通過在加料機(jī)構(gòu)下法蘭（2）或閥門主體（3）上設(shè)置氣體分流環(huán)（8），在氣體分流環(huán)上設(shè)置進(jìn)氣腔（7），在進(jìn)氣腔的底部設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)吹氣口，氣源中的氣體經(jīng)管道進(jìn)入進(jìn)氣腔，然后經(jīng)吹氣口吹出，吹處的氣體可以清理閥門主體上閥門密封環(huán)（9）處的積塵和碎料，可有效的提高閥門主體的密封性能，降低設(shè)備的故障率，保證設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性等，本技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)便，工作效率高、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理等優(yōu)點(diǎn)，特別適合在晶體設(shè)備上推廣和應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：劉朝軒,范飛,邵瑋,藺紅輝,王興龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：洛陽長(zhǎng)纓新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240416
技術(shù)公布日：2025/1/9