一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置及清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置及清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 陶瓷圓頂（以下統(tǒng)稱Do me)的外觀呈一碗型造型，其中陶瓷圓頂?shù)膬?nèi)部為粗糙設(shè) 計(jì)，產(chǎn)品功能是捉取、附著集成電路制程中所產(chǎn)生的不純物質(zhì)，避免不純物質(zhì)影響生產(chǎn)設(shè)備 穩(wěn)走度。
[0003] Dome材質(zhì)本體為工業(yè)陶瓷。陶瓷材質(zhì)經(jīng)由發(fā)大鏡觀察可發(fā)現(xiàn)到表面呈現(xiàn)類似蜂 槽狀，布滿許多毛細(xì)孔。集成電路制程中所產(chǎn)生的不純物質(zhì)，便是藉由這些毛細(xì)孔，將不純 物吸附、捕捉于表免，避免影響生產(chǎn)設(shè)備穩(wěn)定度。
[0004] 陶瓷圓頂?shù)膫鹘y(tǒng)清洗處理方式為采用研磨方式將不純物磨除即可，但集成電路制 程跨路微米世代后，不純物質(zhì)也相應(yīng)縮小。研磨方式以無法有效將微米大小的不純物刷除， 進(jìn)而產(chǎn)生殘留。這些殘留將嚴(yán)重影響集成電路生產(chǎn)設(shè)備的穩(wěn)定度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的，就是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，而提供一種陶瓷圓頂?shù)?清洗裝置，可以有效去除陶瓷圓頂表面不純物，符合微米等級集成電路生產(chǎn)需求，成功地開 發(fā)利用超純水的洗凈工藝，有效去除微米等級附著物，提供優(yōu)良品質(zhì)的陶瓷圓頂。
[0006] 實(shí)現(xiàn)上述目的的一種技術(shù)方案是：一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，包括清洗箱體，所述 清洗箱體的內(nèi)部設(shè)置一隔板，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁平行，且所述隔板的高度 小于所述清洗箱體的左側(cè)壁的高度，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁之間形成溢流口；
[0007] 所述清洗箱體的底部設(shè)置一超音波機(jī)，所述超音波機(jī)位于所述隔板和所述清洗箱 體的右側(cè)壁之間；
[0008] 所述陶瓷圓頂放置在所述清洗箱體內(nèi)，且位于所述隔板和所述清洗箱體的右側(cè)壁 之間；
[0009] 所述清洗箱體內(nèi)盛放有超純水，且所述陶瓷圓頂浸沒在所述超純水中。
[0010] 上述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，其中，所述超音波機(jī)的頻率40kHz、功率 3000kW。
[0011] 上述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，其中，所述超純水的比阻抗值至少為18MQ. cm。
[0012] 本發(fā)明提供的另外一種技術(shù)方案是：一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǎ涫遣捎酶鶕?jù)權(quán) 利要求1所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置進(jìn)行的，包括下列步驟：
[0013] S1，在清洗箱體中注入超純水，超純水的溫度控制在40°C ;
[0014] S2,將陶瓷圓頂放入清洗箱體內(nèi)的超純水中；
[0015] S3,開啟超音波機(jī)，對陶瓷圓頂進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間至少為45分鐘。
[0016] 上述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǎ渲?，所述超音波機(jī)的頻率為40kHz，功率為 3000kW。
[0017] 上述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒?，其中，所述超純水的比阻抗值至少?8MQ. cm。
[0018] 本發(fā)明的陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置的技術(shù)方案和陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǖ募夹g(shù)方案，與 現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：
[0019] (1)洗凈過程采用超純水洗凈，利用高潔凈度的水質(zhì)洗凈，提供更加優(yōu)良的品質(zhì)；
[0020] (2)排除傳統(tǒng)的研磨洗凈方式，減少研磨動(dòng)作可有效減少陶瓷圓頂因研磨所帶來 的損耗，將可有效延長零件使用壽命，給客戶在零件的采購與維修費(fèi)用上帶來實(shí)質(zhì)的節(jié)約。
【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明的陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 為了使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將結(jié)合附圖 對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0023] 請參閱圖1，本發(fā)明的實(shí)施例，一種陶瓷圓頂10的清洗裝置，包括清洗箱體1，清洗 箱體1的內(nèi)部設(shè)置一隔板2,隔板2與清洗箱體1的左側(cè)壁11平行，且隔板2的高度小于清 洗箱體1的左側(cè)壁11的高度，隔板1與清洗箱體1的左側(cè)壁11之間形成溢流口 3 ;清洗箱 體1的底部設(shè)置一超音波機(jī)4,超音波機(jī)4位于隔板2和清洗箱體1的右側(cè)壁12之間，超音 波機(jī)4的頻率為40kHz，功率為3000kW ;陶瓷圓頂10放置在清洗箱體1內(nèi)，且位于隔板2和 清洗箱體1的右側(cè)壁12之間；清洗箱體1內(nèi)盛放有超純水（圖中未顯示），且陶瓷圓頂10 浸沒在超純水中，超純水的比阻抗值至少為18M Q . cm。
[0024] 一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒?，其是采用本發(fā)明的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置進(jìn)行的， 包括下列步驟：
[0025] S1，在清洗箱體1中注入超純水，超純水的溫度控制在40°C，超純水的比阻抗值至 少為 18MQ. cm ;
[0026] S2,將陶瓷圓頂10放入清洗箱體1內(nèi)的超純水中；
[0027] S3,開啟超音波機(jī)4,對陶瓷圓頂10進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間至少為45分鐘；超音波機(jī) 4的頻率40kHz、功率3000kW。
[0028] 本發(fā)明的陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǖ那逑葱Ч麢z測過程為：
[0029] 開啟超音波機(jī)4,對陶瓷圓頂10進(jìn)行清洗時(shí)，每清洗5分鐘后，對陶瓷圓頂10進(jìn)行 微塵粒子檢測，并記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，具體結(jié)果如表所示：
[0030]
[0032] 表 1
[0033] 由表1的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)觀察得到：
[0034] (1).前10分鐘，陶瓷圓頂10表面不潔明顯，微塵粒子含量測試都超出設(shè)備能力， 無法測出；
[0035] (2).第15分鐘到第40分鐘，在不同粒徑下的微塵粒子數(shù)，測試值明顯下降，陶瓷 圓頂10朝向越來越潔凈方向邁進(jìn)；
[0036] (3).第45分鐘后，微塵粒子顆粒數(shù)以達(dá)到集成電路生產(chǎn)等級，并維持穩(wěn)定。
[0037] 本發(fā)明的陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒?，洗凈過程采用超純水洗凈，利用高潔凈度的水質(zhì) 洗凈，提供更加優(yōu)良的品質(zhì)；排除傳統(tǒng)的研磨洗凈方式，減少研磨動(dòng)作可有效減少陶瓷圓頂 因研磨所帶來的損耗，將可有效延長零件使用壽命，給客戶在零件的采購與維修費(fèi)用上帶 來實(shí)質(zhì)的節(jié)約。
[0038] 以上實(shí)施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變換或變型，因此所有等同的 技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇，應(yīng)由各權(quán)利要求所限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，其特征在于，包括清洗箱體，所述清洗箱體的內(nèi)部設(shè)置一 隔板，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁平行，且所述隔板的高度小于所述清洗箱體的左 側(cè)壁的高度，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁之間形成溢流口； 所述清洗箱體的底部設(shè)置一超音波機(jī)，所述超音波機(jī)位于所述隔板和所述清洗箱體的 右側(cè)壁之間； 所述陶瓷圓頂放置在所述清洗箱體內(nèi)，且位于所述隔板和所述清洗箱體的右側(cè)壁之 間； 所述清洗箱體內(nèi)盛放有超純水，且所述陶瓷圓頂浸沒在所述超純水中。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，其特征在于，所述超音波機(jī)的頻 率為40kHz，功率為3000kW。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，其特征在于，所述超純水的比阻 抗值至少為18MD.cm。4. 一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǎ涫遣捎酶鶕?jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b 置進(jìn)行的，其特征在于，包括下列步驟： Sl，在清洗箱體中注入超純水，超純水的溫度控制在40°C; 52, 將陶瓷圓頂放入清洗箱體內(nèi)的超純水中； 53, 開啟超音波機(jī)，對陶瓷圓頂進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間至少為45分鐘。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǎ涮卣髟谟?，所述超音波機(jī)的頻 率 40kHz、功率 3000kW。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒ǎ涮卣髟谟?，所述超純水的比?抗值至少為18MD.cm。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種陶瓷圓頂?shù)那逑囱b置，包括清洗箱體，所述清洗箱體的內(nèi)部設(shè)置一隔板，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁平行，且所述隔板的高度小于所述清洗箱體的左側(cè)壁的高度，所述隔板與所述清洗箱體的左側(cè)壁之間形成溢流口；所述清洗箱體的底部設(shè)置一超音波機(jī)，所述超音波機(jī)位于所述隔板和所述清洗箱體的右側(cè)壁之間。本發(fā)明還公開了一種的陶瓷圓頂?shù)那逑捶椒?，可以有效去除陶瓷圓頂表面不純物，符合微米等級集成電路生產(chǎn)需求，成功地開發(fā)利用超純水的洗凈工藝，有效去除微米等級附著物，提供優(yōu)良品質(zhì)的陶瓷圓頂。
【IPC分類】B08B3/12
【公開號(hào)】CN104907281
【申請?zhí)枴緾N201510380967
【發(fā)明人】楊蘇圣
【申請人】上?？票娮涌萍加邢薰?br>【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年6月30日