一種硅原材料的清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅原材料的清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅片是制備太陽能電池的一種基礎(chǔ)原料。太陽能行業(yè)用的單晶硅片，通常采用拉制法生產(chǎn)，制備好的單晶硅棒，然后經(jīng)過截?cái)唷⒛ミ?、切片加工而成?br>[0003]為了拉制單晶硅棒，需要對(duì)多晶硅原材料(簡(jiǎn)稱硅原材料)進(jìn)行去污去雜處理清洗。其清洗質(zhì)量優(yōu)劣與單晶硅棒的質(zhì)量相關(guān)，若單晶原料中殘留雜質(zhì)過多會(huì)造成單晶硅棒拉制時(shí)產(chǎn)生斷棱等問題的出現(xiàn)。清洗多晶硅料，通常選擇強(qiáng)酸或強(qiáng)堿作為清洗劑來去除硅原材料表面雜質(zhì)。雖然清洗效果比較好，但是強(qiáng)酸強(qiáng)堿會(huì)對(duì)設(shè)備造成損害，對(duì)硅片表面形成腐蝕，清洗合格率低，并且強(qiáng)堿強(qiáng)酸化學(xué)腐蝕工藝的廢水排放給環(huán)境造成很大的負(fù)擔(dān)，不符合環(huán)境保護(hù)與節(jié)能減排的政策方針。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種硅原材料的清洗方法，采用低堿洗液擦拭、高壓水槍沖洗、超聲清洗來實(shí)現(xiàn)硅原材料的全面清洗，避免使用強(qiáng)堿強(qiáng)酸化學(xué)腐蝕工藝帶來的設(shè)備危害和環(huán)境污染，并且方法簡(jiǎn)單，易操作，清洗效果好。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種硅原材料的清洗方法，包括下述步驟:
[0006](I)采用洗液對(duì)硅原材料表面進(jìn)行擦拭；所述洗液的重量組成為:硅片清洗劑38-40%、余量為純水；
[0007](2)高壓水槍沖洗9-15分鐘；
[0008](3)超聲清洗；超聲清洗溫度為31-33°C，時(shí)間為25-30分鐘。
[0009]優(yōu)選方案如下:
[0010]高壓水槍的壓力為8_12Kg。
[0011]步驟(3)中超聲清洗米用底震、前震和后震式二面超聲清洗機(jī)。
[0012]硅片清洗劑型號(hào)為MT-480。
[0013]硅片清洗劑一般由堿、螯合物和表面活性劑等組成，將硅片清洗液稀釋后使用，洗液屬于低堿性，不會(huì)對(duì)硅片表面造成損傷。采用洗液對(duì)硅原材料表面擦拭的方法能去除表面殘留的如:切割過程中的切削液、硅液等，利用高壓水槍沖洗表面殘留的雜質(zhì)，利用超聲清洗來去除殘留在硅料縫隙內(nèi)的雜質(zhì)。
[0014]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:
[0015]本發(fā)明采用低堿洗液擦拭、高壓水槍沖洗、超聲清洗來實(shí)現(xiàn)硅原材料的全面清洗，避免使用強(qiáng)堿強(qiáng)酸化學(xué)腐蝕工藝帶來的設(shè)備危害和環(huán)境污染，并且方法簡(jiǎn)單，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99%以上。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面對(duì)本實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不局限于具體的實(shí)施例。
[0017]實(shí)施例1:
[0018]一種硅原材料的清洗方法，包括下述步驟:
[0019](I)采用洗液對(duì)硅原材料表面進(jìn)行擦拭；所述洗液的重量組成為:硅片清洗劑38%、余量為純水；
[0020](2)高壓水槍沖洗15分鐘；
[0021](3)超聲清洗；超聲清洗溫度為31°C，時(shí)間為30分鐘。
[0022]高壓水槍的壓力為8Kg。
[0023]步驟(3)中超聲清洗米用底震、前震和后震式二面超聲清洗機(jī)。
[0024]硅片清洗劑型號(hào)為MT-480。
[0025]實(shí)施例2:
[0026]一種硅原材料的清洗方法，包括下述步驟:
[0027](I)采用洗液對(duì)硅原材料表面進(jìn)行擦拭；所述洗液的重量組成為:硅片清洗劑40%、余量為純水；
[0028](2)高壓水槍沖洗9分鐘；
[0029](3)超聲清洗；超聲清洗溫度為33°C，時(shí)間為25分鐘。
[0030]高壓水槍的壓力為12Kg。
[0031]步驟(3)中超聲清洗米用底震、前震和后震式二面超聲清洗機(jī)。
[0032]硅片清洗劑型號(hào)為MT-480。
[0033]硅片清洗劑一般由堿、螯合物和表面活性劑等組成，將硅片清洗液稀釋后使用，洗液屬于低堿性，不會(huì)對(duì)硅片表面造成損傷。采用洗液對(duì)硅原材料表面擦拭的方法能去除表面殘留的如:切割過程中的切削液、硅液等，利用高壓水槍沖洗表面殘留的雜質(zhì)，利用超聲清洗來去除殘留在硅料縫隙內(nèi)的雜質(zhì)。
[0034]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:
[0035]本發(fā)明采用低堿洗液擦拭、高壓水槍沖洗、超聲清洗來實(shí)現(xiàn)硅原材料的全面清洗，避免使用強(qiáng)堿強(qiáng)酸化學(xué)腐蝕工藝帶來的設(shè)備危害和環(huán)境污染，并且方法簡(jiǎn)單，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99%以上。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種娃原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步驟: (1)采用洗液對(duì)硅原材料表面進(jìn)行擦拭；所述洗液的重量組成為:硅片清洗劑38-40%、余量為純水； (2)高壓水槍沖洗9-15分鐘； (3)超聲清洗；超聲清洗溫度為31-33°C，時(shí)間為25-30分鐘。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅原材料的清洗方法，其特征在于所述高壓水槍的壓力為 8-12Kg。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅原材料的清洗方法，其特征在于所述步驟(3)中超聲清洗采用底震、前震和后震式三面超聲清洗機(jī)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅原材料的清洗方法，其特征在于所述硅片清洗劑型號(hào)為 MT-480。
【專利摘要】本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅原材料的清洗方法。(1)采用洗液對(duì)硅原材料表面進(jìn)行擦拭；所述洗液的重量組成為：硅片清洗劑38-40％、余量為純水；(2)高壓水槍沖洗9-15分鐘；(3)超聲清洗；超聲清洗溫度為31-33℃，時(shí)間為25-30分鐘。本發(fā)明采用低堿洗液擦拭、高壓水槍沖洗、超聲清洗來實(shí)現(xiàn)硅原材料的全面清洗，避免使用強(qiáng)堿強(qiáng)酸化學(xué)腐蝕工藝帶來的設(shè)備危害和環(huán)境污染，并且方法簡(jiǎn)單，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99％以上。
【IPC分類】B08B3/12, B08B3/08, B08B3/02
【公開號(hào)】CN105344641
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510822086
【發(fā)明人】王曉偉
【申請(qǐng)人】王曉偉
【公開日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2015年11月24日