一種電磁式除垢阻垢裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種除垢阻垢裝置，具體涉及一種電磁式除垢阻垢裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著環(huán)保要求越來越高，水資源日趨緊張，節(jié)約用水對(duì)工業(yè)生產(chǎn)已非常重要。目前有的生產(chǎn)單位從節(jié)約用水考慮，冷卻水系統(tǒng)基本不排污，使循環(huán)水很多參數(shù)嚴(yán)重超標(biāo)，導(dǎo)致系統(tǒng)短期結(jié)垢，不得不停產(chǎn)處理，造成停產(chǎn)損失，大大縮短了設(shè)備的使用壽命。安裝高性能磁性水處理阻垢除垢器既能確保工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備長(zhǎng)期高負(fù)荷穩(wěn)定運(yùn)行，又能節(jié)約水資源，降低生產(chǎn)成本?？梢娍茖W(xué)有效的磁性水處理阻垢除垢器對(duì)工業(yè)生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)效益的提高具有很重要的現(xiàn)實(shí)意義。
[0003]對(duì)于磁性阻垢技術(shù)，要想起到較好的阻垢效果，需具備以下幾個(gè)條件:①較高的磁場(chǎng)強(qiáng)度；②水流速度足夠大;③水流的速度方向與磁力線垂直水流在磁場(chǎng)中停留的時(shí)間越長(zhǎng)越好。第四個(gè)條件導(dǎo)致現(xiàn)有的水阻垢處理時(shí)間較長(zhǎng)或設(shè)備尺寸較大，第一個(gè)條件則使阻垢處理能耗升高。
[0004]因此，亟需一種能耗低、處理效率高的除垢阻垢裝置。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了克服【背景技術(shù)】的不足，本實(shí)用新型提供一種能耗低、處理效率高的除垢阻垢
目.ο
[0006]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案:一種電磁式除垢阻垢裝置，包括筒狀的磁化腔以及分別設(shè)置在磁化腔兩端的進(jìn)水法蘭和出水法蘭，還包括交流電源和直流電源，所述磁化腔包括沿進(jìn)水法蘭向出水法蘭方向依次設(shè)置的高頻磁化區(qū)以及高磁通磁化區(qū)；所述高頻磁化區(qū)外壁依次纏繞有多個(gè)高頻區(qū)磁感線圈，所述多個(gè)高頻區(qū)磁感線圈與所述交流電源連通;所述高磁通磁化區(qū)外壁纏繞有一個(gè)高磁通區(qū)磁感線圈，所述高磁通區(qū)磁感線圈與所述直流電源連通。
[0007]本實(shí)用新型中，高頻區(qū)磁感線圈與交流電源連通，交流電源為其提供高頻交流電(500-5KHZ)，從而使高頻磁化區(qū)產(chǎn)生線性的、高頻變換的高頻磁場(chǎng)，高頻磁場(chǎng)進(jìn)一步產(chǎn)生環(huán)形電場(chǎng)。環(huán)形電場(chǎng)驅(qū)使高頻磁化區(qū)的水流中的自由電子聚集在其內(nèi)壁，形成感應(yīng)電流(渦流)，從而排斥被極性的水分子所包裹的金屬陽(yáng)離子，避免金屬陽(yáng)離子積聚成水垢。由于流經(jīng)高頻磁化區(qū)的水體中的自由電子濃度降低，因此處理后的水不易產(chǎn)生水垢。與此同時(shí)，極性的水分子在不斷變換的電場(chǎng)和磁場(chǎng)中不斷震動(dòng)，釋放出原本被水分子包裹的雜質(zhì)，促進(jìn)其溶解而不會(huì)因聚集而沉淀，形成水垢。而在高磁通磁化區(qū)中，直流電源為高磁通區(qū)線圈提供穩(wěn)定的直流電，形成較高的磁通量，強(qiáng)磁場(chǎng)力使迫使水分子磁化，使水分子滲透性提高、表面張力下降而溶解性增強(qiáng)，促使水中的不同物質(zhì)溶于水中，從而杜絕水垢的形成，磁化的水分子還可促進(jìn)已形成的水垢溶解、脫落。本實(shí)用新型分別對(duì)水體進(jìn)行高頻磁處理和高磁通量磁處理，從消除源頭和提高水垢溶解度兩方面阻礙水垢的形成，具有較高的阻垢效率。由于在高磁通量磁處理之前已經(jīng)減少水體中的自由電子濃度和金屬離子的溶解度，高磁通量磁處理所需的時(shí)間較短，可有效降低產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)所需的能耗。
[0008]所述高頻磁化區(qū)的長(zhǎng)度與高磁通磁化區(qū)的長(zhǎng)度之比為1:2—2.5。
[0009]所述高頻區(qū)磁感線圈與高磁通區(qū)磁感線圈直徑一致且匝數(shù)之比為5:1-0.5。
[0010]在上述比例的長(zhǎng)度和線圈匝數(shù)下，高頻磁化區(qū)和高磁通磁化區(qū)共同作用效果最優(yōu)，可在較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)維持水的磁化效果和自由電子分離效果。
[0011]所述進(jìn)水法蘭的外側(cè)環(huán)繞有多個(gè)銅條，所述多個(gè)銅條的兩端分別通過兩個(gè)短路環(huán)連通，所述短路環(huán)與所述交流電源連通。
[0012]銅條和短路環(huán)共同形成一鼠籠式的結(jié)構(gòu)，通入交流電后可產(chǎn)生瞬時(shí)的高強(qiáng)度、高頻磁場(chǎng)，引發(fā)較強(qiáng)的、狹窄的環(huán)形電場(chǎng)，可以在短時(shí)間內(nèi)分離大部分的自由電子從而降低高頻磁化區(qū)和高磁通磁化區(qū)的工作壓力。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型剖面圖。
[0014]圖2為本實(shí)用新型左視圖投影圖。
[0015]圖3位本實(shí)用新型高頻磁化區(qū)的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步說明:
[0017]—種電磁式除垢阻垢裝置，如圖1、2、3所示，包括筒狀的磁化腔I以及分別設(shè)置在磁化腔兩端的進(jìn)水法蘭2和出水法蘭3，還包括交流電源和直流電源(圖中未出示，可選用任一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn))，所述磁化腔包括沿進(jìn)水法蘭向出水法蘭方向依次設(shè)置的高頻磁化區(qū)4以及高磁通磁化區(qū)5;所述高頻磁化區(qū)外壁依次纏繞有2個(gè)高頻區(qū)磁感線圈6，所述2個(gè)高頻區(qū)磁感線圈與所述交流電源連通;所述高磁通磁化區(qū)5外壁纏繞有一個(gè)高磁通區(qū)磁感線圈7，所述高磁通區(qū)磁感線圈7與所述直流電源連通。
[0018]所述高頻磁化區(qū)的長(zhǎng)度與高磁通磁化區(qū)的長(zhǎng)度之比為1:2。
[0019]高頻區(qū)磁感線圈與交流電源連通，交流電源為其提供高頻交流電(500-5KHZ)，從而使高頻磁化區(qū)產(chǎn)生線性的、高頻變換的高頻磁場(chǎng)，高頻磁場(chǎng)進(jìn)一步產(chǎn)生環(huán)形電場(chǎng)。環(huán)形電場(chǎng)驅(qū)使高頻磁化區(qū)的水流中的自由電子聚集在其內(nèi)壁，如圖3所示。
[0020]所述進(jìn)水法蘭的外側(cè)環(huán)繞有多個(gè)銅條8，所述多個(gè)銅條8的兩端分別通過兩個(gè)短路環(huán)9連通，所述短路環(huán)9與所述交流電源連通。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁式除垢阻垢裝置，包括筒狀的磁化腔以及分別設(shè)置在磁化腔兩端的進(jìn)水法蘭和出水法蘭，還包括交流電源和直流電源，其特征在于:所述磁化腔包括沿進(jìn)水法蘭向出水法蘭方向依次設(shè)置的高頻磁化區(qū)以及高磁通磁化區(qū);所述高頻磁化區(qū)外壁依次纏繞有多個(gè)高頻區(qū)磁感線圈，所述多個(gè)高頻區(qū)磁感線圈與所述交流電源連通;所述高磁通磁化區(qū)外壁纏繞有一個(gè)高磁通區(qū)磁感線圈，所述高磁通區(qū)磁感線圈與所述直流電源連通。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁式除垢阻垢裝置，其特征在于:所述高頻磁化區(qū)的長(zhǎng)度與高磁通磁化區(qū)的長(zhǎng)度之比為1:2—2.5。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁式除垢阻垢裝置，其特征在于:所述高頻區(qū)磁感線圈與高磁通區(qū)磁感線圈直徑一致且匝數(shù)之比為5:1-0.5。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁式除垢阻垢裝置，其特征在于:所述進(jìn)水法蘭的外側(cè)環(huán)繞有多個(gè)銅條，所述多個(gè)銅條的兩端分別通過兩個(gè)短路環(huán)連通，所述短路環(huán)與所述交流電源連通。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電磁式除垢阻垢裝置，包括筒狀的磁化腔以及分別設(shè)置在磁化腔兩端的進(jìn)水法蘭和出水法蘭，還包括交流電源和直流電源，所述磁化腔包括沿進(jìn)水法蘭向出水法蘭方向依次設(shè)置的高頻磁化區(qū)以及高磁通磁化區(qū)。本實(shí)用新型高頻磁化區(qū)產(chǎn)生線性的、高頻變換的高頻磁場(chǎng)，高頻磁場(chǎng)進(jìn)一步產(chǎn)生環(huán)形電場(chǎng)。環(huán)形電場(chǎng)驅(qū)使高頻磁化區(qū)的水流中的自由電子聚集在其內(nèi)壁，形成感應(yīng)電流（渦流），從而排斥被極性的水分子所包裹的金屬陽(yáng)離子，避免金屬陽(yáng)離子積聚成水垢。
【IPC分類】C02F5/00
【公開號(hào)】CN205313206
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521122373
【發(fā)明人】劉騰飛
【申請(qǐng)人】惠州市堯邦環(huán)?？萍加邢薰?br>【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日