專利名稱：：超純流體的制作方法超純流體發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及具有就不飽和物質(zhì)(尤其芳族化合物)而言的高純度的烴流體，制備所述烴流體的方法，用于所述方法中的催化劑，以及所述流體的用途。發(fā)明背景烴流體的重要性能是一般由用于較重質(zhì)物質(zhì)的ASTMD-86，ASTMD-1078或ASTMD-1160減壓蒸餾技術(shù)測定的蒸餾信息，閃點(diǎn)，密度，由ASTMD-611測定的苯胺點(diǎn)，芳族化合物含量(例如由UV光鐠分析法測定)，溴指數(shù)(例如由ASTMD2710測定)，粘度，顏色和折射指數(shù)。流體被分類為鏈烷經(jīng)屬，如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的Norpar⑤流體；異鏈烷烴屬,如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的Isopar⑧流體；脫芳烴的流體，如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的ExxsolD⑧流體；環(huán)烷炫屬物質(zhì)，如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的Nappar⑤流體；非脫芳經(jīng)的物質(zhì)，如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的Varsol⑤流體；以及芳族化合物流體，如由ExxonMobilChemicalCompany銷售的SolvessoTM重質(zhì)芳族化合物流體。與起始點(diǎn)是原油的任何烴產(chǎn)品一樣，在烴流體等級或"切割餾分(cut)"中可能實(shí)現(xiàn)的純度覆蓋了從較粗到較純的寬范圍。典型地，烴流體的工業(yè)自生產(chǎn)得到了沸程一M蓋至少約5°C(例如，己烷)和延伸到接近于100°C(例如，煤油)的產(chǎn)品。在這里使用的術(shù)語"沸程"指分布在初始溫度(在該溫度下指定的切割餾分彿騰)與干點(diǎn)溫度之間的溫度。烴流體的化學(xué)性質(zhì)和組成根據(jù)該流體的預(yù)計(jì)用途而顯著地變化。雖然各等級的烴流體具有工業(yè)用途，但是還有特殊的應(yīng)用，這些應(yīng)用需要就芳族化合物和/或雜原子(特別含疏和含氧的物質(zhì))而言異常純的、但是就烴本身的異構(gòu)體和/或碳數(shù)而言非超高純的烴流體。例如，對于工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)和消耗的己烷，它可以通常以一種等級銷售，該等級是在大約64。C或65。C開始沸騰和在約7(TC結(jié)束沸騰，并且含有除正己烷之外的多種烴類。這一類型的等級對于許多過程是有用的，例如在聚合物的制造中用作加工助劑、在溶劑萃取過程中用作溶劑等等(與以較小的實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的量獲得的超高純度光語級正己烷相反，例如從AldrichChemicals獲得，它可含有95%或更高的正己烷)。具有從50。C到350。C的蒸餾切割餾分(distillationcut)的現(xiàn)用脫芳烴的流體是在工業(yè)規(guī)模上通過煤油、柴油或其它石油切割餾分的分餾，隨后通過使用加氫催化劑(典型地，鎳或鎳型催化劑)的一個或幾個加氫過程所獲得的。在這里使用的術(shù)語"蒸餾切割餾分"指所確定的物質(zhì)具有大于或等于所規(guī)定的較低溫度(例如在這里5(TC)的初沸點(diǎn)和小于或等于所規(guī)定的較高溫度(例如在這里350匸)的干點(diǎn)。在這里使用的術(shù)語"實(shí)際切割餾分(actualcut)"當(dāng)應(yīng)用于溫度范圍時(shí)準(zhǔn)確地確定了所確定物質(zhì)的初沸點(diǎn)和干點(diǎn)。因此，使用先前的己烷例子，有這樣的己烷等級，其可以被描述為在50-350C的蒸餾切割餾分之內(nèi)的并具有6'C的沸程的64。C到70X:的實(shí)際切割餾分。由上述分餾和/或加氫方法實(shí)現(xiàn)的芳族化合物的水平將取決于被氫化的原料來變化，較高沸點(diǎn)的烴類比較低沸程的烴類更加難易脫芳烴。典型地，對于具有從150'C到3001C的蒸餾切割餾分和低于40°C的沸程的烴流體，由這些方法能夠?qū)崿F(xiàn)從100ppm到8000ppm的芳族化合物水平。對于初沸點(diǎn)低于150匸的組合物可以實(shí)現(xiàn)較低的芳族化合物水平，但是對于該低沸點(diǎn)烴類，對于某些應(yīng)用來說希望進(jìn)一步降低含有雜原子的分子的水平。因此需要找到具有一定量的芳族化合物和/或一定量的含有雜原子的分子(如含硫和含氧的分子)的烴流體的制備方法，這些量低于由當(dāng)前工業(yè)規(guī)模脫芳烴方法所達(dá)到的那些量。將脫芳烴的烴流體(如以煤油、柴油或其它煉油廠原料為基礎(chǔ)的那些)用于各種最終應(yīng)用中，其中包括油墨、消費(fèi)品、金屬禮制、水處理、涂料、鉆井泥漿、農(nóng)業(yè)配制料等等。歷史上，脫芳烴的流體含有約1-2wt。A芳族化合物和其它不飽和物質(zhì)(例如，烯烴)。舉例來說，石油原料可以在催化劑如鎳、Ni/Mo、Ni/Mo/W上氫化以提供中間產(chǎn)物(它例如具有20wt。/。芳族化合物)，接著進(jìn)行精制步驟，后者包括在催化劑如鎳上進(jìn)行加氬。這一水平的芳族化合物對于最終應(yīng)用如水處理是不令人滿意的。除了約1-2wt。/。的芳族化合物和烯屬物質(zhì)的水平之外，在最終產(chǎn)品中的其它典型雜質(zhì)包括高水平的雜原子，如含硫化合物、含氮化合物和含氧化合物。當(dāng)脫芳烴的烴流體例如用作在催化過程中或在需要超低水平的此類雜質(zhì)的過程中(如在半導(dǎo)體加工過程中)的溶劑時(shí)，這些其它雜質(zhì)是有害的。Ni在加氫反應(yīng)器中的使用也是安全問題，因?yàn)槭Э胤磻?yīng)的危險(xiǎn)。高壓加氫方法可以實(shí)現(xiàn)大約100-500ppm的芳族化合物水平。然而，此類方法的投資是相當(dāng)高的，并且產(chǎn)生了增大的安全問題。此外，目前可利用的加氫方法通常不能降低在最終產(chǎn)品中的含氧化合物含量，這由于許多原.因而是一個缺點(diǎn)，如在使用該烴流體作為工藝用流體的過程中增加的催化劑失活。因此，在沒有這樣的高壓方法下在烴流體中產(chǎn)生超低水平的芳族化合物、含氧化合物和其它雜質(zhì)的方法是人們所高度追求的。另外，甚至低于100ppm的芳族化合物含量是所希望的，這歸因于提高的環(huán)境要求以及與在消費(fèi)品、水處理方法等等中使用的烴流體中的芳族化合物含量有關(guān)的增嚴(yán)的法規(guī)要求?，F(xiàn)有技術(shù)沒有提供以經(jīng)濟(jì)的方式和/或適應(yīng)環(huán)境的方式解決全部這些問題的方案。4艮多的專利教導(dǎo)了通過吸附進(jìn)行脫芳烴的方法，如U.S.4，567，315和5，220，099，但是吸附工藝既是環(huán)境上不好的又是能量低效率的解決方案。U.S.4，795，840是采用約30-100kg/cm2(約30-100個大氣壓)的壓力的加氫方法的實(shí)例。然而，該產(chǎn)品殘留了至少1wt。/。的烷基四氫化萘類(芳族物質(zhì))。在加氫之后，釆用使用分子篩的分離步驟。U.S.5，151，172教導(dǎo)了使用包括擔(dān)載在絲光沸石上的Pt/Pd的催化劑來氫化烴原料流，根據(jù)所給出的實(shí)施例，它達(dá)到了低到16wt。/。的芳族化合物含量。U.S.5,830,345教導(dǎo)了由一種反應(yīng)制備的汽油摻混物，該反應(yīng)包括釆用包含加氫催化劑和具有約5埃的孔隙的沸石催化劑的雙催化劑所進(jìn)行的富含苯的重整產(chǎn)品料流的同時(shí)加氬和異構(gòu)化。U.S.5，831，139教導(dǎo)了由一種方法有選擇地將石腦油改質(zhì)到具有低芳族化合物含量的更多脂肪族的汽油，該方法包括從重質(zhì)石腦油和再循環(huán)料流(對其進(jìn)行環(huán)開裂)的選擇性異鏈烷烴合成，總體效果是烴類的分子量和沸點(diǎn)被降低。U.S.5，855，767教導(dǎo)了高壓(>30巴)烴類轉(zhuǎn)化方法，它包括使包括作為第一組分的沸石-P、可以是MCM-41的第二組分的裂化催化劑冉氫化組分接觸。U.S.5，855，767教導(dǎo)了通過使用在100。F下具有50-600SUS的粘度的原料，在350-700。F的溫度范圍、150-3500psig壓力的條件下，利用扭載在沸石無機(jī)氧化物載體上的貴金屬，將潤滑油范圍的烴類飽和的方涂。根據(jù)專利權(quán)人的公開內(nèi)容，芳族化合物含量降低到低至3vol.%。U.S.5，993，644教導(dǎo)了生產(chǎn)潤滑油基料的方法，該方法包括加氫處理、脫蠟和加氫的步驟。根據(jù)實(shí)施例，該方法能夠達(dá)到低至約6wt%的芳族化令物食量；對于芳族化合物水平的類似結(jié)果示于U.S.6,399，845中，該專利教導(dǎo)了采用同時(shí)除去芳族化合物和使鏈烷烴異構(gòu)化的催化劑從中間餾分制造柴油機(jī)燃料的方法。U.S.6，030，921教導(dǎo)了在包括加氫裂化和加氬的方法中的潤滑油料的加氫。在該專利中的實(shí)施例顯示芳族化合物的轉(zhuǎn)化率為約86%。U.S.6，207，870和U.S.6，541，417教導(dǎo)了采用硅摻雜的催化劑，在約6MPa的壓力下將粗柴油切割餾分中的芳族化合物加以氫化的方法。U.S.6，306，289教導(dǎo)了使用包括VIII族金屬和"大量"二氧化硅的催化劑來加氫處理烴油的方法。實(shí)施例表明60kg/cm2硫含量可以被減少到約500ppm。沒有提供關(guān)于芳族化合物水平的結(jié)果。U.S.6，509，510涉及釆用具有至少IOO埃的孔隙尺寸的二氧化硅-或氧化鋁-擔(dān)載的VIII族催化劑將芳族聚合物氬化的方法。U.S.6，541，417采用硅摻雜的VIII族催化劑用于烴原料的加氫，特別用于粗柴油切割餾分的脫芳烴。U.S.2001/0013484和2002/0117425涉及獲得低多芳族烴(PAH)的方法。實(shí)施例表明PAH降低至9wt。/o以上的量。U.S.2003/0188991教導(dǎo)了能夠用于加氫、異構(gòu)化、加氫裂化和很多其它反應(yīng)的中孔二氧化硅催化劑。在MCM-41上的Pd為了對比目的而使用(例如，參見該專利的表15)。U.S.2004/0181103教導(dǎo)了可用于將燃料脫芳烴的擔(dān)載催化劑。根據(jù)實(shí)施例，實(shí)現(xiàn)了低至480ppm的芳族化合物水平。WO01/14501討論了通過使用包含在MCM-41上的Pt/Pd的一種催化劑，降低在柴油機(jī)燃料中的芳族化合物和/或烯烴的濃度的方法，其具有在大于450。F(約232X:)的溫度下的"完全的芳族化合物飽和"。WO2004/024319教導(dǎo)了一種催化劑，該催化劑可用于有選擇地將鏈烷烴屬原料改質(zhì)到可用于與汽油摻混的異鏈烷烴產(chǎn)品。EP0698073涉及用于在含烴的原料中芳族化合物的加氫的方法，實(shí)施例表明芳族化合物含量減少到剛好低于約1wt%。相關(guān)的其它專利包括U.S.5，612，422;5,853,566;6,084,140;6,136,181;6,197,721;6,264,826;6,280,608;6,281,397;6,417,287;6,432,297;6，579，444;和2003/0173252。本發(fā)明人令人驚奇地發(fā)現(xiàn)了將烴流體氫化的方法，它不需要使用高壓系統(tǒng)并且提供了超低水平的雜質(zhì)(尤其芳族化合物和其它不飽和烴)。發(fā)明概述本發(fā)明涉及具有低水平的不飽和物質(zhì)(尤其芳族化合物和烯屬物質(zhì))的經(jīng)流體，并且在實(shí)施方案中還提供了具有低水平的含硫或氧化物質(zhì)的烴流體。本發(fā)明還涉及可提供此類烴流體的加氫和/或加氫脫硫方法，以及可用于所述方法中的催化劑。超高純度烴流體的使用也被認(rèn)為是本發(fā)明的實(shí)施方案。在一個實(shí)施方案中，所述烴流體含有低于500ppm的芳族物質(zhì)和在優(yōu)選的實(shí)施方案中低于1Q0ppm的芳族物質(zhì)，以及在這里指定的更優(yōu)選實(shí)施方案中甚至更低量的芳族物質(zhì)。在上述實(shí)施方案的仍然甚至更優(yōu)選實(shí)施方案中，芳族化合物的低水平伴隨有含氧化合物和/或含疏物質(zhì)的低水平。在一個實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的餾出物的沸程與原料的沸程相同。在另一個實(shí)施方案中，原料沒有由根據(jù)本發(fā)明的方法實(shí)施異構(gòu)化和/或裂化。在一個實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的加氫方法包括采用根據(jù)本發(fā)明的催化劑將烴流體脫芳烴的步驟，該催化劑包括擔(dān)載的VIII族金屬(優(yōu)選地，選自鈀，鉑，銠，銦和它們的混合物)，以及任選包括粘結(jié)劑。在這里使用的術(shù)語"VIII族"采用元素周期表的傳統(tǒng)CAS命名；參見ChemicalandEngineeringNews，63(5)，27,1985。在優(yōu)選實(shí)施方案中，該催化劑沒有用硅摻雜。在另一個優(yōu)選實(shí)施方案中，所述加氫方法包括加氫處理和/或加氫精制的第一步驟(優(yōu)選包括使用第一催化劑將烴流體脫芳烴)，和使用根據(jù)本發(fā)明的催化劑將所述烴流體脫芳烴的第二步驟，其中所述第一步驟包括使用現(xiàn)有技術(shù)的催化劑以減少選自烯屬不飽和物質(zhì)、芳族化合物、硫如它們的混合物中的雜質(zhì)的量，優(yōu)選地，該催化劑選自在背景部分中列出的現(xiàn)有技術(shù)中已知的加氫催化劑，如包括鎳的催化劑。在又一個優(yōu)選實(shí)施方案中，所述第一步驟提供了具有至少約500ppm和在一些實(shí)施方案中從約1wt^到約20w"/。的芳族物質(zhì)的烴流體；以及所述第二步驟提供了這樣的烴流體，其具有低于500ppm和更優(yōu)選低于100ppm芳族物質(zhì)，再更優(yōu)選低于50ppm，仍然再更優(yōu)選低于20ppm，和再更優(yōu)選低于10ppm的芳族物質(zhì)。正如在本公開物中所使用的，ppm基于整個流體的重量，除非另作說明。在仍然再更優(yōu)選的實(shí)施方案中，芳族化合物的低水平伴隨有含氧化合物和/或含硫物質(zhì)的低水平。在另一個實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的方法是可提供含有低于約0.1ppin硫(基于原子硫)的脫硫的徑流體的、包括加氬和/或加氬脫硫的方法。在仍然另一個實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的方法是可提供烴流體的包括加氬和/或加氬脫疏的方法，該烴流體具有低于10ppm氧化物質(zhì)，在另一個實(shí)^方案中低于5ppm，在另一個實(shí)施方案中低于1ppm，和在另一個實(shí)施方案中沒有由FID可檢測的氧化物質(zhì)。在又一個實(shí)施方案，催化劑可用于烴流體的加氫和/或加氫脫硫，所述催化劑包括含有約0.10-0.25wt%Pt和約0.30-0.75wt°/。Pd的中孔MCM-41，以及具有包含氧化鋁的粘結(jié)劑。本發(fā)明的目的是在無需使用高壓的情況下提供烴流體，后者具有低含量的芳族化合物和其它不飽和雜質(zhì)，和/或具有低含量的含氧化合物，和/或低含量的含硫物質(zhì)，和/或低含量的含氮物質(zhì)，或它們的任何組合。本發(fā)明的另一個目的是提供具有超低芳族化合物的烴流體，它特別可用于消費(fèi)品如漆、清潔產(chǎn)品、需要超高純度溶劑的工業(yè)過程如半導(dǎo)體工業(yè)、和需要高水平的純度的過程如水處理過程和溶劑萃取過程、以及其它過程如鉆井流體組合物和礦石提取組合物。這些和其它實(shí)施方案、目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在參考附圖、詳細(xì)描述、實(shí)施例和所附權(quán)利要求之后會變得更加清楚。附圖簡迷在附圖中，在幾個圖中同樣的參考編號用于表示同樣的部分。圖1說明了本發(fā)明的實(shí)施方案的烴流體原料的氫化所實(shí)現(xiàn)的芳族化合物水平，與現(xiàn)有技術(shù)的工藝相比。圖2說明了圖1的放大部分，其詳細(xì)地顯示了本發(fā)明的實(shí)施方案。圖3和4說明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的各種烴流體原料的脫芳烴。詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明，包含烴流體和進(jìn)一步包括選自芳族化合物、締屬物質(zhì)、含氧化合物、含硫化合物和它們的混合物中的雜質(zhì)的原料流與選自VIII族金屬的芳族化合物飽和催化劑在反應(yīng)器中在含氫的處理氣體存在下進(jìn)行接觸，得到芳族化合物含量低的烴流體。用于本發(fā)明中的原料流包括烴流體。典型地，該原料流是來自原油的所選擇切割餾分，例如ACN(常壓粗石腦油)、HVN(重直餾石腦油)、煤油、柴油、LG0(輕瓦斯油)、PGO(加工過的瓦斯油)、和它們的混合物。原料流也可以來自化學(xué)過程。在一個實(shí)施方案中，所述原料流可以包括來自用于生產(chǎn)鏈烷烴、異鏈烷烴烯烴、異烯烴和它們的混合物的煉油廠或化學(xué)過程中的低聚物。仍然甚至更具體地說，在另一個優(yōu)選實(shí)施方案中，所述原料流可以是從由PGO衍生的煉油廠料流低聚得到的烷基化產(chǎn)物，包含主要含有異鏈烷烴屬物質(zhì)的芳族化合物萃取裝置提余液的原料流，從氣體-到-液體(GTL)工藝衍生的原料流，其也可以主要包含異鏈烷烴屬物質(zhì)。在仍然另一個優(yōu)選實(shí)施方案中，所述原料流包括上述切割餾分或通過使用例如Ni/Mo、Co/Mo催化劑預(yù)先加氫精制而將硫除去到約10ppm的水平的原料流中的一種。(在這里提及的硫含量是根據(jù)ASTMD5453(Antek裝置)，除非另作說明。硫含量也可以由ASTMD4045(HoustonAtlas裝置)測定)。加氫處理和加氫精制是現(xiàn)有技術(shù)中本身已知的術(shù)語。同時(shí)，在整個說明書中，重量百分?jǐn)?shù)和重量ppm是相對于組合物的總重量來表示的，除非另作說明。在這里使用的術(shù)語"流體"是指可作載體、稀釋劑、表面張力改性劑、分散劑等中的一種或多種的物質(zhì)，以及在使物質(zhì)(例如溶質(zhì))溶劑化的液體的傳統(tǒng)意義上用作溶劑的物質(zhì)；和術(shù)語"烴流體"另外指在環(huán)境溫度和壓力(25匸，1個大氣壓)下為液體的由氫和碳原子構(gòu)成的物質(zhì)。在一個實(shí)施方案中，所述烴流體包括至少一種C5-C19烴流體，它可以是直鏈的、支化的、環(huán)狀的、多環(huán)的或無環(huán)的，或這些烴類的混合物。在一個實(shí)施方案中，所述烴流體產(chǎn)品具有基本上與原料流中的烴流體相同的沸程，即根據(jù)本發(fā)明的加氫方法不包括裂化。在另一個實(shí)施方案中，該原料流可以預(yù)分餾和/或后分餾成較窄的切割餾分。在另一個實(shí)施方案中，在產(chǎn)品中的烴流體沒有在根據(jù)本發(fā)明的方法中異構(gòu)化。這是指異構(gòu)化產(chǎn)品不能由采用GC測試儀(能夠在0.1wt%的水平下檢測)的GC方法檢測到。用于進(jìn)行這種測定的測試儀和方法通常是本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可使用的。在優(yōu)選實(shí)施方案中，所述烴流體產(chǎn)品具有與烴流體原料流相同的沸程并且沒有被異構(gòu)化。本發(fā)明更具體地涉及制造脫芳烴的流體的方法，該流體是具有5到25個碳原子(C5-C25)，優(yōu)選5到23個碳原子的各種類型的脂肪族烴的摻混物，其中附加的所考慮的實(shí)例包括C5-C9、C5-C8、C6-C8、C9-C19，與以上列出的其它實(shí)例一起，其可以是線性的、支化的、無環(huán)的、環(huán)狀的和/或多環(huán)的分子，這取決于所考慮的具體等級。在這里使用的具有特定碳范圍Cx到Cy或Cx-Cy的烴流體是指包含在x到y(tǒng)范圍內(nèi)(包括x和y在內(nèi))的至少一種碳數(shù)的烴流體。典型地，該脫芳烴的經(jīng)流體是約50'C到3801C，優(yōu)選60n到約350r的蒸餾切割餾分。在另一個實(shí)施方案中，該脫芳烴的流體是在約60匸到150'C范圍內(nèi)并具有5到10個碳原子，優(yōu)選6到8個碳原子的蒸餾切割餾分。在另一個實(shí)施方案中，該脫芳烴的烴流體是在約300到600°F(約150-315C)并具有9到19個碳原子，或在356到600。F(約180-350匸)范圍內(nèi)并具有10到19個碳原子的蒸餾切割餾分。典型地，該脫芳烴的流體具有至少5X:和高到低于IOO'C的沸程，其中優(yōu)選的沸程是約5r到約40C。附加的實(shí)施方案包括下面更詳細(xì)地指定的己烷和庚烷-沸程烴流體。借鑒本發(fā)明，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員會認(rèn)識到在這里闡述的各種實(shí)施方案可以按照許多不同方式進(jìn)行組合，以得到也屬于本發(fā)明的一部分的附加實(shí)施方案。例如，根據(jù)本發(fā)明的方法可以包括將煉油廠料流分餾獲得C5-(19烴切割餾分，加氬精制和然后氫化該切割餾分而獲得具有(在一個實(shí)施方案中)約1-20wt。/。的芳族化合物含量和約1ppm的硫含量的C5-C19混合烴流體，然后讓所述烴流體與根據(jù)本發(fā)明的催化劑在周定床反應(yīng)器中進(jìn)行接觸獲得具有〈500ppm的芳族化合物含量、具有低于約O.lppm的硫含量且具有與在所述固定床反應(yīng)器中接觸根據(jù)本發(fā)明的催化劑之前的流體相同的沸程的C5-C19烴流體，將所述C5-C19烴流體進(jìn)行后分餾而獲得一種切割餾分，后者具有從64到7(TC或65到70'C(分別6'C或5'C的沸程)的實(shí)際切割餾分并且主要包括己烷，具有低于10ppm的芳族化合物含量，和極低到無法檢測的含硫或含氧物質(zhì)。上述詳細(xì)描述的實(shí)施方案(它結(jié)合了前面列舉的許多實(shí)施方案)可以任選進(jìn)一步包括至少一個前提條件沒有檢測到由于裂化產(chǎn)生的產(chǎn)品和/或由于進(jìn)入反應(yīng)器中的原料流的異構(gòu)化所產(chǎn)生的產(chǎn)品。由于裂化產(chǎn)生的產(chǎn)品與由于異構(gòu)化產(chǎn)生的產(chǎn)品在同一基礎(chǔ)上確定，如以上所解釋。術(shù)語"主要包括"是指確定的物質(zhì)以大于任何其它物質(zhì)的量存在。對于上述實(shí)例而言，64-70'C和主要包括己炕的實(shí)際切割餾分可具有約30-99w"/。己烷或"C6"，或35-90wt。/。己烷，或35-65wt。/。己烷，或60-90wty。己烷，或60-85wt。/。己烷，其中各實(shí)施方案是從本段落闡述的任何wtW下限到任何wt。/i上限來進(jìn)行考慮。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，64-70匸(或65到70r)的實(shí)際切割餾分可具有，在優(yōu)選的實(shí)施方案中含量低于1ppm的低水平的含氧化合物，或在更優(yōu)選實(shí)施方案無法由FID檢測到的含氧化合物，這將在下面更詳細(xì)描述。類似地，可以獲得來自煉油廠或化工裝置操作中的其它C5-C19烴流>^切割餾分，該烴切割餾分具有就芳族化合物、不飽和物質(zhì)、硫和含氧化合物而言的相對于原料流的更低水平的雜質(zhì)，該水平在本發(fā)明之前，至少在沒有高壓方法的情況下是不知道能夠獲得的。例如，可由本發(fā)明獲得的重要產(chǎn)品是庚烷等級，它可被描述為約90-100。C，91-100匸，92-100"C或93-lOOt:的實(shí)際切割餾分，并且具有，在一個實(shí)施方案中由ASTMD-5453無法檢測到的含硫物質(zhì)，<7ppm的芳族化合物含量，和由FID測得的低于1ppm的含氧化合物。在這里使用的術(shù)語"庚烷等級"是指主要包含C7烴類并且包括C7烴類的異構(gòu)體的混合物的組合物。在這里使用的術(shù)語"芳族化合物"是指具有芳香性的物質(zhì)，它進(jìn)而是指有電子的閉合回路存在的環(huán)結(jié)構(gòu)，這最容易由NMR測定。在這里使用的定義旨在與在March,AdvancedOrganicChemistry(1992)，例如，第40-41頁中的闡述一致。在用于本發(fā)明中的原料中發(fā)現(xiàn)的典型芳族化合物包括苯、萘、四氫化萘等等。根據(jù)本發(fā)明的方法包括讓包含烴流體和進(jìn)一步包含在一個實(shí)施方案中以至少0.5wt%、在另一個實(shí)施方案中以至少1wt。/。以及在一個實(shí)施方案中以不超過20wt。/。的量存在的不飽和物質(zhì)的原料流，與芳族化段中在含氫處理氣體存在下進(jìn)行接觸，其中該芳族化合物飽和催化劑包括被擔(dān)載在無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的載體材料上的選自VIII族金屬和它們的混合物中的氫化組分，其中該載體材料具有至少包括鋁和二氧化硅的框架，并且其中二氧化硅與鋁的比率是大約10:1到約100:1以及該載體材料的平均孔徑是約15埃到低于約100埃。應(yīng)該理解的是，本發(fā)明考慮了包括可具有大于20wt。/。不飽和物質(zhì)的烴流體的原料流，然而優(yōu)選的是該原料包括低于30wt。/。不飽和物質(zhì)，甚至更優(yōu)選低于25wt。/。不飽和物質(zhì)。適合用于本發(fā)明中的原料流包括在烴流體加工中使用的任何常規(guī)原料流，其中包括煤油、柴油或其它煉油廠或化學(xué)操作原料流，如以上所討論的。在一個實(shí)施方案中，此類合適的原料流進(jìn)一步包括選自含硫污染物的雜質(zhì)。含氧化合物也可存在于此類原料流中，然而通?？紤]的是屬于原料制備過程、現(xiàn)有技術(shù)加氫方法和/或在其中所使用催化劑的后生物(artfact)(不希望受理論束縳)的那些含氧化合物；本發(fā)明在一個實(shí)施方案中導(dǎo)致了此類含氧化合物的減少。根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品缺少通常在由現(xiàn)有技術(shù)的加氫方法生產(chǎn)的產(chǎn)品中見到的含氧化合物例如醇，正如前面提到的那樣。根據(jù)本發(fā)明的催化劑包括氫化組分、載體組分和任選的粘結(jié)劑組分，它們?nèi)吭谶@里更詳細(xì)地描述。載體材料的框架至少包括鋁和二氧化硅，并且該載體材料進(jìn)一步的特征為具有約15埃到低于約100埃的平均孔徑。在一些實(shí)施方案中，孔隙尺寸可以是從15到約60埃，或15到約50埃，或25到約60埃，或25到約50埃，或30到約50埃，或35到約55埃，或約15到約35埃。所述催化劑還包括選自VIII族金屬和它們的混合物中的氫化組分，優(yōu)選地選自Pt和Pd，更優(yōu)選Pt和Pd的結(jié)合物。當(dāng)呈現(xiàn)為它們的煅燒形式時(shí)，具有與適合在這里使用的那些類似的特性的栽體材料一般在它們的框架中具有高的二氧化硅與鋁的比率。一般，這些材料具有約800:1的在它們的框架中的二氧化硅與鋁的比率。二氧化硅與鋁的較高比率用于防止不希望有的裂化反應(yīng)。然而，增大被引入該框架中的鋁的量，兼有以下討論的較小孔隙尺寸，可得到一種催化劑，后者具有改進(jìn)的芳族化合物飽和能力從而可用于得到具有超低芳族化合物的烴流體。因此，適合用于本發(fā)明中的載體材料包括包含超大孔隙尺寸結(jié)晶相的合成組合物。該催化劑可以進(jìn)一步由下列特性中的一個或多個來表迷。合適的載體材料是無機(jī)、多孔、非層狀的結(jié)晶相材料，其(呈現(xiàn)它的煅燒形式)由X射線衍射圖表征為在大于約18埃的d間距具有至少一個峰，有100的相對強(qiáng)度。適合在這里使用的載體材料也被表征為在50托和25t:下具有大于15克苯/100克載體材料的苯吸附能力。優(yōu)選的載體材料是具有均勻尺寸孔隙的六邊形排列的無機(jī)、多孔、非層狀材料，其具有約15埃到低于約IOO埃的最大垂直橫截面孔隙尺寸。更優(yōu)選的載體材料被確定為MCM-41。MCM-41具有至少13埃直徑的六邊形排列的、均勻尺寸的孔隙的特征結(jié)構(gòu)，顯示出六邊形電子衍射圖，該電子衍射圖可用大于約18埃的山。。值進(jìn)行標(biāo)記，它對應(yīng)于在X射線衍射圖中的至少一個峰。MCM-41和/或在其上的金屬負(fù)載物已描述在美國專利Nos.5，098,684;5,102,643;5,264,641;5,451,312;和5，573，657中。在一個實(shí)施方案中，用作本發(fā)明中的組分的所述無機(jī)、非層狀的中孔晶體載體材料具有可以由結(jié)構(gòu)式UWJbY。ZdOh)表述的組成。在本結(jié)構(gòu)式中，W是選自二價(jià)的第一排過渡金屬中的二價(jià)元素，優(yōu)選錳、鈷、鐵和/或鎂，更優(yōu)選鈷。X是三價(jià)元素，優(yōu)選鋁、硼、鐵和/或鎵，更優(yōu)選鋁。Y是四價(jià)元素如硅和/或鍺，優(yōu)選硅。Z是五價(jià)元素，如磷。M是一種或多種離子，例如銨、IA、IIA和VIIB族離子，通常氫、鈉和/或氟離子,。"n"是在排除了表示為氧化物的M之后的組合物的電荷；q是M的加權(quán)摩爾平均價(jià)態(tài)；n/q是M的摩爾數(shù)或摩爾分?jǐn)?shù)；a、b、c和d分別是W、X、Y和Z的摩爾分?jǐn)?shù)；h是1到2.5的數(shù)；和(a+b+c+d)=1。在適合這里使用的載體材料的優(yōu)選實(shí)施方案中，(a+b+c)大于d，和h=2。另.一個進(jìn)一步的實(shí)施方案是當(dāng)a和d-0，和h-2時(shí)。用于制造適合在這里使用的載體材料的優(yōu)選材料是鋁硅酸鹽，雖然也可使用其它金屬硅酸鹽。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，在以上結(jié)構(gòu)式中X是鋁(A1)、Y是硅(Si)以及下標(biāo)a和d都是零。如上所述，適合在這里使用的載體材料優(yōu)選具有更高濃度的被引入到它們的框架中的鋁。因此，適合在這里使用的栽體材料具有約10:1到約850:1，或在一個實(shí)施方案中約10:1到約800:1，或10:1到400:1，或10:1到200:1，或20:1到400:1，或20:1到200:1，或30:1到200:1的框架二氧化硅與鋁比率。在按合,成原樣(as-synthesized)形式下，適合這里使用的載體材料具有(按照無水基礎(chǔ))由經(jīng)驗(yàn)式rRNU(WJJ。Zd()h)表示的組成，其中R是未作為離子包括在M中的總有機(jī)材料；和r是R的系數(shù)，即R的摩爾數(shù)或摩爾分?jǐn)?shù)。該M和R組分與該材料締合(因?yàn)樵诮Y(jié)晶過程中它們的存在)，并且容易被除去，或?qū)τ贛的情況，容易被如下所述的后結(jié)晶方法所置換。在所希望的程度上，本發(fā)明的按合成原樣的材料的最初M(例如鈉或氯)離子可根據(jù)常規(guī)的離子交換技術(shù)被置換。優(yōu)選的置換用離子包括金屬離子，氫離子，氫前體，例如銨、離子和這些離子的混合物。特別優(yōu)選的離子是在最終催化劑中提供所需金屬官能度的那些。這些包括氫，稀土金屬和元素周期表的VIIA族(例如Mn)、VIIIA族(例如Ni)、IB族(例如Cu)、IVB族(例如Sn)的金屬以及這些離子的混合物。所述結(jié)晶(即具有足夠的有序性可得到衍射圖，例如利用X射線、電子或中子衍射，在煅燒之后有至少一個峰)中孔載體材料是通過它們的包括極大孔隙窗口的結(jié)構(gòu)以及通過它們的高吸附能力來表征的。在這里使用的術(shù)語"中孔"是指晶體具有在約13埃到約200埃范圍內(nèi)的均勻孔隙。應(yīng)該指出的是，在這里使用的"多孔"是指一種材料，其吸附至少1克的小分子(如Ar、N2、正己烷或環(huán)己烷)/100克該多孔材料。如上所述，本發(fā)明的特征在于對于以上闡述的附加實(shí)施方案，使用具有約15埃到低于約IOO埃的平均孔徑的載體材料。的大的開孔的規(guī)則性，其孔隙尺寸更象無定形或次晶材料的孔隙尺寸，該相的平均孔隙尺寸的±25%,通?！?5%或更低)更象結(jié)晶框架材料如沸石的那些。因此，適合這里使用的載體材料也可以被表述為具有能夠合成的大的開孔通道的六邊形排列，該開孔通道具有從約15埃到低于約IOO埃的開孔內(nèi)徑。在這里使用的術(shù)語"六邊形"旨在不僅包括在實(shí)驗(yàn)測量的限度之內(nèi)顯示出數(shù)學(xué)完美的六邊形對稱的材料，而且包括與理想狀態(tài)之間有相當(dāng)大的可觀察到的偏差的那些材料。因此，用于表述適合這里使用的載體材料的術(shù)語"六邊形"是指以下事實(shí)在材料中的大部分通道將以大致相同的距離被六個最鄰近通道包圍。然而，應(yīng)當(dāng)指出，在載體材料中的缺陷和不完整性將引起顯著量的通道在不同程度上違反這一標(biāo)準(zhǔn)，這取決于材料制備的質(zhì)量。與在相鄰?fù)ǖ乐g的平均重復(fù)距離有高達(dá)±25%無規(guī)性偏差的樣品將仍然清楚地得到MCM-41材料的可識別的圖像?？杀鹊淖兓惨詃，值從電子衍射圖觀察到。適合這翼使用的載體材料可以通過現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方法來制備，并且一般通過在這里列出的現(xiàn)有技術(shù)如以上討論的美國專利(例如U.S.5，098，684和5，573，657)中描述的方法來形成。通常，載體材料的最規(guī)則制備產(chǎn)物可得到X射線衍射圖，在極小角度區(qū)域中具有少許明顯最高點(diǎn)。這些峰的位置大約擬合了從六邊形晶格的hkO反射的位置。然而該X射線衍射圖并不總是這些材料的存在的充分標(biāo)志，因?yàn)樵谖⒂^結(jié)構(gòu)中的規(guī)則度和在單個顆粒內(nèi)結(jié)構(gòu)的重復(fù)程度會影響到所觀察到的峰的數(shù)目。實(shí)際上，在X射線衍射圖的小角度區(qū)域中具有僅僅一個明顯峰的制備產(chǎn)物已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在它們中含有相當(dāng)大量的該材料。闡明這一材料的微觀結(jié)構(gòu)的其它技術(shù)是透射電子顯微鏡方法和電子衍射方法。合適栽體材料的適當(dāng)取向試樣顯示出了大通道的六邊形排列并且相應(yīng)的電子衍射圖得到了衍射最大值的大約六邊形排列。電子衍射圖的d則間距是在六邊形晶格的hkO投影上的相鄰斑點(diǎn)之間的距離并且通過公式cU-a?！?/2與在電子顯微照片上觀察到的通道之間的重復(fù)距離a.sub.0有關(guān)。在電子衍射圖上觀察到的d則間距對應(yīng)于在合適載體材料的X射線衍射圖中的小角度峰的d間距。迄今為止獲得的合適載體材料的最高度有序的制備產(chǎn)物具有可在電子衍射圖中觀察到的20-40個明顯斑點(diǎn)。這些圖案能夠用100、110、200、210等等的獨(dú)特反射的六邊形hkO子集，以及它們的對稱性相關(guān)反射來進(jìn)行標(biāo)記。在呈現(xiàn)它的煅燒形式時(shí)，適合這里使用的載體材料也可以通過在大于約18埃d-間距(對于CuK-ct射線的4.909。26)的位置上有至少一個峰的X射線衍射圖來表征，該d-間距對應(yīng)于載體材料的電子衍射圖的d剛值。同樣，如上所述，合適載體材料在50托和25"下顯示了大于約15克苯/100克晶體的平衡苯吸附容量。(基準(zhǔn)如果必要，晶體材料已進(jìn)行了處理以試圖確?？紫稕]有被偶然污染物阻斷)。應(yīng)該指出的是，合適載體材料的平衡苯吸附容量特性是以孔隙沒有被偶然污染物阻斷為基準(zhǔn)來測量的。例如，吸附試驗(yàn)是在沒有孔隙阻斷污染物和由普通方法除去水的結(jié)晶材料相上進(jìn)行的。水可以通過脫水技術(shù)例如熱處理被除去?？紫蹲钄酂o機(jī)無定形材料例如二氧化硅以及有機(jī)物可以通過與酸或堿或其它化學(xué)試劑接觸被除去，使得碎屑物質(zhì)會被除去但對于晶體沒有有害影響。在更優(yōu)選的實(shí)施方案中，適合這里使用的鍛燒、結(jié)晶、非層狀的載體材料可以通過在大于約10埃d-間距(對于CuK-oc射線的8.842。26)的位置上有至少兩個峰的X射線衍射圖來表征，該d-間距對應(yīng)于載體材料的電子衍射圖的山。。值，其中的至少一個峰是在大于約18埃d-間距的位置上，以及在低于約10埃d-間距的位置上沒有相對強(qiáng)度大于最強(qiáng)峰的約20%的峰。仍然最優(yōu)選的，本發(fā)明的煅燒材料的X射線衍射圖在低于約10埃d-間距的位置上沒有相對強(qiáng)度大于最強(qiáng)峰的約10%的峰。在任何情況下，在X射線衍射圖中的至少一個峰具有與該材料的電子衍射圖的山。。值對應(yīng)的d-間距。適合這里使用的煅燒、無機(jī)、非層狀、結(jié)晶的載體材料也可以表征為具有由物理吸附測量法測量的約15埃到低于約40埃或更高值的孔隙尺寸。應(yīng)該指出的是，在這里使用的孔隙尺寸被認(rèn)為是該晶體的最大垂直橫截面孔隙尺寸。如上所述，適合在這里使用的載體材料可以通過現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方法來制備，并且一般是由美國專利Nos.5,098,684和5，573，657中描述的方法來形成的。測量X射線衍射數(shù)據(jù)、平衡苯吸附和將材料從銨轉(zhuǎn)化成氫形式的方法是現(xiàn)有技術(shù)中已知的并且在美國專利No.5，573，657中有評述?？梢詫⑦m合在這里使用的載體材料成形為各種顆粒尺寸。一般而言，載體材料顆?？梢猿尸F(xiàn)粉末、微?；蚰Ｋ墚a(chǎn)品的形式，如粒度足以穿過2目(Tyler)篩網(wǎng)但保留在400目(Tyler)篩網(wǎng)上的擠出物。當(dāng)將對最終催化劑進(jìn)行模塑時(shí)(如由擠出)，該載體材料顆?？梢栽诟稍镏氨粩D出或先部分地干燥和然后擠出。對在本載體材料中的孔隙的尺寸加以控制，使得它們足夠大，因此相對于在反應(yīng)如裂化中的過渡狀態(tài)物質(zhì)而言的空間特異(spatiospecific)選擇性減到最少(Chen等人,"ShapeSelectiveCatalysisinIndustrialApplications",36CHEMICALINDUSTRIES,第41-61頁(1989)，可參考其對于影響形狀選擇性的因素的討論)。也應(yīng)該指出的是，因?yàn)榉浅４蟮目紫?，擴(kuò)散限制也減到最少。適合在這里使用的載體材料可以是自粘結(jié)的，即無粘結(jié)劑的。然而，優(yōu)選的是本發(fā)明還包括合適的粘結(jié)劑材料。該粘結(jié)劑材料選自對于在利用了本發(fā)明的那些方法中所使用的溫度和其它條件有耐受性的任何已知粘結(jié)劑材料。該載體材料與粘結(jié)劑材料復(fù)合而形成成品催化劑，在該催化劑上可以添加金屬。適合在這里使用的粘結(jié)劑材料包括活性和非活性的材料和合成或天然沸石以及無機(jī)材料如粘土和/或氧化物如氧化鋁、二氧化硅或二氧化硅-氧化鋁。二氧化硅-氧化鋁、氧化鋁和沸石是優(yōu)選的粘結(jié)劑材料，以及氧化鋁是更優(yōu)選的粘結(jié)劑載體材料。二氧化硅-氧化鋁可以是天然的或呈現(xiàn)為凝膠狀沉淀物形式或包括二氧化硅和金屬氧化物的混合物的凝膠形式?？梢詫⒎腔钚缘牟牧弦氲教烊徽惩晾缗驖櫷梁透邘X土中以改進(jìn)該催化劑在工業(yè)操作條件下的壓碎強(qiáng)度并用作催化劑的粘結(jié)劑或基質(zhì)。在一個實(shí)施方案中，本發(fā)明典型地包括，按復(fù)合的形式，從約80份載體材料20份粘結(jié)劑材料到20份載體材料80份粘結(jié)劑材料的載體材料粘結(jié)劑材料比率，全部比率按重量計(jì)，典型地從80:20到50:50的載體材料粘結(jié)劑材料，優(yōu)選從65:35到35:65。該復(fù)合可以通過常規(guī)方式來進(jìn)行，其中包括將材料一起研磨、接著擠出造粒成所需的成品催化劑顆粒。如上所述，本發(fā)明進(jìn)一步包括選自VIII族金屬和它們的混合物中的氫化-脫氫組分。優(yōu)選的是，該氫化-脫氫組分選自鈀、鉑、銠、銥、和它們的混合物，更優(yōu)選柏、鈀和它們的混合物。最優(yōu)選的是，該氫化-脫氫組分是鉑和鈀的混合物。在一個實(shí)施方案中，所述氫化-脫氫組分典型地是以約0.1wtW到約2.Owt、優(yōu)選約0.2wt。/。到約1.8wt%,更優(yōu)選0.3wt闊約1.6wt%，和最優(yōu)選0.4w"/。到約1.4wt。/。的量存在。全部金屬重量百分?jǐn)?shù)是基于載體的。對于"基于載體"，我們指該百分?jǐn)?shù)是以載體(即復(fù)合的載體材料和粘結(jié)劑材料)的重量為基礎(chǔ)的。例如，如果載體稱量為100g，則20wt。/。氫化-脫氫組分指在載體上有20g的該氫化-脫氫金屬。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述催化劑將同時(shí)含有Pt和Pd，在再更優(yōu)選實(shí)施方案中，按照約l:2到約1:4的重量比。在再更優(yōu)選的實(shí)施方案中，該催化劑將含有基于MCM-41的約0.3±0.1wt%Pt(更優(yōu)選±0.t)5)和約0.9±0.1wt%Pd(更優(yōu)選土0.05)，其中Pt/Pd的原子比是在約1:6.5至約l:7范圍內(nèi)。在另一個更優(yōu)選實(shí)施方案中，該催化劑包括中孔MCM-41，后者具有包括氧化鋁的粘結(jié)劑并包含約0.10-0.25wt%Pt和約0.30-0.75wt%Pd。在一個實(shí)施方案中，其可以與本段落中描述的更優(yōu)選實(shí)施方案相結(jié)合，在包括粘結(jié)劑(如果存在的話)的催化劑中二氧化硅與氧化鋁的總比率將是約35wt。/o氧化鋁和約65w"/。二IU匕珪?？梢詫⑺鰵浠?脫氫組分交換到所述載體材料之上，滲透到它之中或與它進(jìn)行物理摻混。優(yōu)選的是，該氫化/脫氫組分通過浸漬而引入。如果該氫化-脫氫組分需要浸漬或交換到復(fù)合的載體材料和粘結(jié)劑上，則可通過用含有該氫化-脫氫組分的合適離子處理該復(fù)合物來進(jìn)行。如果該氳化-脫氫組分是柏，則合適的柏化合物包括氯柏酸，氯化亞柏和含有鉑胺配合物的各種化合物。所述氫化-脫氫組分也可以借助于一種和/或多種化合物而引入到所述復(fù)合的載體和粘結(jié)劑材料之中、之上或與它摻混，其中該氫化-脫氫組分存在于該一種和/或多種化合物的陽離子中或存在于該一種和/或多種化合物的陰離子中。應(yīng)該指出的是，陽離子和陰離子化合物都能夠使用。其中金屬是陽離子或陽離子配合物的形式的合適鈀或鉑化合物的非限制性例子是Pd(NH3)Xh或Pt(NH3)4Cl2，這是特別有用的，正如陰離子配合物如釩酸根和偏鎢酸根離子一樣。其它金屬的陽離子形式也是非常有用的，因?yàn)樗鼈兛梢越粨Q到結(jié)晶材料之上或浸漬到其中。將原料裝入到包括反應(yīng)階段的裝置中，該反應(yīng)階段包括根據(jù)本發(fā)明的催化劑。在一個實(shí)施方案中，如上所述的催化劑與原料流在固定床反應(yīng)器中在氫處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件下進(jìn)行接觸。盡管此類有效的條件可以通過閱讀了本公開物的本領(lǐng)域中的普通技水人員在沒有過多常規(guī)實(shí)驗(yàn)的情況下確定，但是，典型的氫分壓可以是約1000psig或更低，在一個實(shí)施方案中低于900psig，在另一個實(shí)施方案中低于800psig，在另一個實(shí)施方案中低于750psig，在另一個實(shí)施方案中低于600psig，在另一個實(shí)施方案中低于500psig，在另一個實(shí)施方案中低于400psig,在另一個實(shí)施方案中低于300psig;而優(yōu)選的條件是約300-700psig的氫分壓兼有約500-2000scf/bbl原料的處理率(約87-348ccH2/cc原料，基于5.74scf/bbl/ccH2/cc原料),更優(yōu)選約1100-1300scf/bbl原料；約150。C到約300。C，或約160'C到約250°C,或約170'C到約低于232'C,或約175。C到約225'C，或約18(TC到約220'C的溫度(認(rèn)為另外合適的溫度范圍包括上述下限值中的任何一個到上述上限值中的任何一個，例如，約15(TC到約225。C，或170。C到約低于232°C，諸如此類)；約0.5到5.0hr-1,更優(yōu)選1.5到3.0hr^的空間速度。處理率是以高于消耗的SCF/Bbl給出的。典型地，使用包括lwt"/。芳族化合物的原料，消耗是大約25scf/bbl原料；使用包括20wt"/。芳族化合物的原料，消耗是大約500scf/bbl原料。再次，盡管各種條件可以由閱讀了本公開物的本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員確定，但是本發(fā)明的重大優(yōu)點(diǎn)中的一個是芳族化合物含量可以在包括低溫(如約232。C以下)的有效芳族化合物飽和條件下降低至極低水平。根據(jù)本發(fā)明的催化劑典型地與原料流在固定床反應(yīng)器中進(jìn)行接觸。然而，也可以使用讓原料流與擔(dān)載的催化劑進(jìn)行接觸的其它已知方法，如通過原料流與催化劑在塔中接觸，即反應(yīng)蒸餾或催化蒸餾。正如前面提到的那樣，.也可考慮多個反應(yīng)器，例如，具有第一加氫催化劑的第一反應(yīng)器和具有根據(jù)本發(fā)明的被擔(dān)栽在MCM-41上的VIII族催化劑的第二反應(yīng)器。由根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的烴流體的特征可在于芳族化合物含量低于500ppm,在一個實(shí)施方案中低于100ppm，在另一個實(shí)施方案中低于"ppm，.和在另一個實(shí)施方案中低于10ppm。芳族化合物可以通過閱讀了本公開物的本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員所熟知的各種技術(shù)來測定?！赴憧衫玫纳藤廢V分光光度計(jì)能夠檢測到低至約10ppm的水平的芳族化合物。一般可利用的商購GC-質(zhì)鐠儀能夠檢測到低至約0.4ppm的水平的芳族化合物。在這里使用的含氧化合物測定方法在實(shí)驗(yàn)部分之后說明并且也可以由閱讀了本公開物的本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員確定。在一個實(shí)施方案中，產(chǎn)品的硫含量低于100ppm，在另一個實(shí)施方案中低于IOppm，和在另一個實(shí)施方案中低于1ppm。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，#據(jù)在這里指定的ASTM方法，在產(chǎn)品中不能檢測到硫。在一個實(shí)施方案中，含氧化合物的含量低于10ppm,優(yōu)選低于ppm，更優(yōu)選低于1ppm，和再更優(yōu)選地，沒有可由UV-vis檢測方法檢測到的含氧化合物。由本發(fā)明生產(chǎn)的烴流體可用于消費(fèi)品如漆(例如包括樹脂、顏料、染料等等)；清潔產(chǎn)品；需要超高純度溶劑的工業(yè)過程如半導(dǎo)體工業(yè)；和需要高純度的過程如水處理過程、溶劑萃取(例如，在大豆加工中)、金屬軋制、和礦石提??；或用于如鉆井液配制劑、農(nóng)業(yè)配制劑(例如包括殺蟲劑、農(nóng)藥、肥料等等)的組合物中，和用于混雜的組合物如包括硅酮密封劑的那些中。在某些最終應(yīng)用中，如金屬加工和鋁軋制中，重要的是所述烴流體組合物符合對于芳族化合物水平的法規(guī)要求，例如美國的FDA法規(guī)。在其它最終用途中，烴流體被用作在使用過程中需要高的化學(xué)穩(wěn)定性的反應(yīng)活性介質(zhì)中的溶劑或試劑栽體。此類用途的例子是聚合反應(yīng)，其中溶劑用作分散介質(zhì)或用作催化劑(例如過氧化物載體)。在仍然其它最終用途中，如在鉆探泥漿油配制劑或礦石提取配制劑中，重要的是該烴流體具有低環(huán)境影響，尤其水體毒性。在仍然其它應(yīng)用中，如涂料或硅酮密封配制劑中，非常希望使用在長的時(shí)間中，有時(shí)在極端磨損條件下具有高的顏色和氣味穩(wěn)定性的烴流體。本發(fā)明確保烴流體的切割餾分或等級符合上述要求中的一個或多個。實(shí)施例下列實(shí)施例用于說明本發(fā)明。很多的改進(jìn)和變化是可能的并且可以理解的是，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以與在這里具體描述的方式不同地來實(shí)施本發(fā)明。實(shí)施例1-4和對比實(shí)施例優(yōu)選的芳族化合物飽和催化劑用于下列實(shí)施例中，并且由具有約40埃的孔隙直徑的、含有65wt%MCM-41的載體和35wt。/。氧化鋁粘結(jié)劑組成。如下所述，該載體涂有0.9wt^鈀和0.3wt。/。鉬。附加的改進(jìn)可通過將鋁引入到MCM-41結(jié)構(gòu)中，減小MCM-41組分的孔隙直徑和減少貴金屬載量來看出，如下表l中所示。一系列的催化劑通過使用MCM-41來制造，該MCMMl具有在表1中列出的Si02:A1203、孔隙開孔和其它特性。合成MCM-41中孔材料，然后潷析并制備成濾餅。該濾餅用DI(去離子)水洗滌，然后在氮?dú)庵性诖蠹s540。C下初步煅燒。初步煅燒的MCM-41材料然后與Versal-300氧化鋁粘結(jié)劑混合并擠出成1/16"圓柱體。將擠出物加以干燥，然后在空氣中在大約538。C下煅燒。煅燒的擠出物然后用含有鉑和鈀鹽的溶液共同浸漬，并在120TC下干燥。該催化劑然后接受在空氣中在304。C下的最終煅燒，以分解鉑和鈀化合物。在煅燒之后在表l中指定的Pt和Pd載量是按金屬計(jì)的，百分?jǐn)?shù)基于整個組合物。為了對比，通過將80wt。/。氧化鋁(Versal300氧化鋁)和20wt%(Ultrasil二氧化硅)擠出成1/16"圓柱體來制備無定形催化劑。將擠出物加^干燥，然后在空氣中在大約538'C下煅燒。煅燒的擠出物然后用鉑和鈀鹽.進(jìn)行共浸漬，并在120'C下干燥。該催化劑然后接受在空氣中在304匸下的最終煅燒以分解鉑和鈀化合物，在煅燒之后得到在表中指明的金屬載量。成品催化劑的性能總結(jié)在下表l中。需要指出的是，由氧化學(xué)吸附法測量的金屬分散性對于全部成品催化劑是類似的，但是苯氬化活性(BHA)指數(shù)隨著MCM-41孔隙開孔的直徑的減小而提高。BHA試驗(yàn)在下面詳細(xì)描述。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>在催化劑制備之后，各催化劑的性能通過加氫精制烴原料來進(jìn)行評價(jià)，該烴原料主要包括代表282。C到310。C(540-590。F)的實(shí)際切割餾分的C16到C19烴流體，含有低于5ppm硫和氮，和約1.8wt。/。芳族化合物。將大約20cc的各催化劑裝載到上流式微型反應(yīng)器中。將約"cc的80-120目砂子添加到催化劑中以確保均勻的液體流動。在用氮?dú)夂蜌錃膺M(jìn)行壓力試驗(yàn)之后，將催化劑在氮?dú)庵性?60匸下干燥約3小時(shí)，冷卻到室溫，在100psia的氫氣中和在大約26(TC下活化8小時(shí)，然后在相同的氫氣氣氛中冷卻到150'C。將包括烴流體的原料引入其中，操作條件被調(diào)節(jié)到1LHSV(lhr—1的液體時(shí)空速度)、350psig和1,000scfH2/bbl。反應(yīng)器溫度經(jīng)過約10天的時(shí)間從175C提高到220C。氯氣純度是100%和不使用氣體再循環(huán)。每日監(jiān)測芳族化合物，由UV吸收測量(ppffl)。對于使用不同MCM-41材料制得的無定形二氧化硅-氧化鋁催化劑，總芳族化合物含量與溫度的關(guān)系示于圖1中。圖2更詳細(xì)地顯示了MCM-41材料的結(jié)果。正如所示，使用MCM-41制得催化劑顯示出更好的芳族化合物飽和活性以及含有較高量的鋁和具有較小直徑孔隙開孔的MCM-41材料提供了最高的芳族化合物飽和水平。負(fù)載了0.57wt。/。金屬的催化劑具有與負(fù)載了1.16wa金屬的催化劑基本上相同的芳族化合物飽和活性，這是令人吃驚的結(jié)果。實(shí)施例5優(yōu)選的芳族化合物飽和催化劑用于下列實(shí)施例中，并且由具有約40埃的孔隙直徑的、含有65wt%MCM-41的載體和35wt。/。氧化鋁粘結(jié)劑組成。該載體涂有0.9wt。/。鈀和0.3w"/。鉑，如前所述。試驗(yàn)了包括代表455-515°F的蒸餾切割餾分的C12-C15烴類的三種脂肪族流體。原料A在工業(yè)上是通過首先在常規(guī)CoMo催化劑上進(jìn)行加氫處理，然后分餾到460-506。F(238-263。C)的所需實(shí)際切割餾分，得到具有約2ppm硫和25wt。/。芳族化合物的原料來生產(chǎn)的。原料B在工業(yè)上是通過在常規(guī)NiMo催化劑上處理原料A,得到具有約1ppm硫和20wt。/。芳族化合物的原料來生產(chǎn)的。原料C是在中試裝置中通過在常規(guī)鎳催化劑上處理原料A得到具有無法檢測到的硫和約10wt。/。芳族化合物的原料來生產(chǎn)的。這些原料然后在優(yōu)選的催化劑上在23巴總壓力下通過使用純H2來進(jìn)行處理。結(jié)果示于圖3中。圖3說明了通過使用原料B和C，在已通過處理其它ji!i備料(stock)而被老化的催化劑之上，生產(chǎn)和維持超低芳族化合物的爛流體產(chǎn)品的能力。原料B提供了當(dāng)在1hr—i空間速度下處理時(shí)具有10ppm芳族化合物的產(chǎn)品，當(dāng)將空間速度加倍時(shí)芳族化合物僅僅適度提高至30ppm。雖然原料A導(dǎo)致催化劑活性的顯著下降，但是主要的活性通過用原料B處理得以恢復(fù)，使得能夠連續(xù)地生產(chǎn)出超低芳族化合物的產(chǎn)品。實(shí)驗(yàn)表明，由原料A所引起的臨時(shí)減活通過在NiMo或鎳上處理原料而消除。實(shí)施例6原料D，主要包括C16-C19烴類，具有從540-590。F的實(shí)際切割餾分和此外包括2wt。/。芳族化合物的流體，在實(shí)施例5中所述的催化劑上進(jìn)行處理。圖4顯示了恢復(fù)活性和生產(chǎn)出含有低于50ppm芳族化合物的重質(zhì)高沸點(diǎn)(heavyboiling)溶劑的能力。實(shí)施例7原料E，主要包括C13-C15烴類，具有從480-510。F的實(shí)際切割餾分和此外包括0.4wt。/。芳族化合物的流體，在實(shí)施例5中所述的催化劑上進(jìn)行處理。將二苯并噻吩添加到這一原料中以評價(jià)在原料流中的硫?qū)τ谏a(chǎn)超低芳族化合物含量的烴流體產(chǎn)品的能力的影響。如表2中所示，甚至對于在原料存在硫(在表2中作為"原料S"顯示的量)的情況，在產(chǎn)品中不存在可檢測到的水平(ASTMD-5453)的硫的超低芳族化合物能力得以維持。0.1ppmS是根據(jù)ASTMD-5453測試的可檢測性極限。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>實(shí)施例8通過使用C6異構(gòu)體占優(yōu)勢的原料來進(jìn)行優(yōu)選的催化劑和常規(guī)的鎳的對比試驗(yàn)以評價(jià)含氧化合物除去性能，該原料具有150-156。F(約65-69。C)的實(shí)際切割餾分和此外含有約20ppm含氧化合物。通過使用大約1000scf/bbl純氬，用各催化劑在1.7hr—1LHSV,266。F(約130'C)的溫度和335psig總壓力下進(jìn)行中試裝置試驗(yàn)。使用鎳催化劑生產(chǎn)的產(chǎn)品的含氧化合物含量等于該原料的含氧化合物含量，而在優(yōu)選的催化劑上產(chǎn)生的含氧化合物含量是無法檢測到的。在這里報(bào)導(dǎo)的苯加氫活性指數(shù)按照以下方式測定。在載體上的活性金屬對于在苯加氨活性(BHA)試驗(yàn)中的加氫活性進(jìn)行篩選。催化劑樣品(大約0.2克)首先在氦氣中在IOOC下干燥1小時(shí)，然后在流動的氫氣中在選擇的溫度(120-350"，名義上為250"C)下還原1小時(shí)。催化劑在氫氣中被冷卻到50X:,然后在50、75、IOO和125'C下測量苯氬化的速率，氫氣以200sccm流動并通過被保持在IO'C下的苯噴霧器(sparger)。將數(shù)據(jù)擬合成零階的阿累尼烏斯曲線圖，并且報(bào)導(dǎo)了在100匸下按產(chǎn)品摩爾數(shù)/摩爾金屬/小時(shí)計(jì)的速率常數(shù)。壓力是常壓。按以下方式測定痕量含氧化合物。在各樣品中的含氧化合物用質(zhì)量選擇性檢測器(MSD)鑒別和用火焰電離檢測器(FID)來定量分析。在這些樣品中存在的含氧化合物的定量分析是通過使用FID檢測器，以10ppmC6醇(2-甲基-環(huán)戊醇)標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的。這一方法的檢測下限是1ppm。下面是用于該分析中的儀器參數(shù)。GC#25,HP6890含氧化合物的鑒別柱HP-5(30mx0.32mmID,0.25nmdf);LowOx(10m，0.53mmID,0.10pindf)注射器250°C，分配比(Split)5:l，He載氣，總流量49.1ml/min,22.0psi排出壓力(在35。C下)，2.0pL樣品注射。FID檢測器:250°C，40cc/min氫氣，450cc/min空氣；Range0MSD:SIM模式，源(Source)溫度230°C，四極(Quad)溫度150。C。烘箱40。C的初始溫度保持4分鐘；溫度以20°C/min速度從40'C提高到200°C。溫度以5X:/min速度提高到300'C并保持15min。在這里報(bào)導(dǎo)的芳族化合物含量是從由樣品在UV分光光度計(jì)中在260到280-nm區(qū)域中產(chǎn)生的峰的基線吸收度計(jì)算的。吸收系數(shù)借助于通過從貯備料(stock)(它代表樣品)的硅膠滲濾作用所分離的芳族化合物餾分來校正。它們還可以從提供類似UV吸收光謙的已知芳族化合物的混合物來評估。使用單次硅膠校正的試驗(yàn)方法的準(zhǔn)確性估計(jì)是在所報(bào)導(dǎo)的芳族化合物濃度的約10%之內(nèi)。這一評估基于同一樣品的相差10%的兩次校正并且不引起在不同的制造批料之間的變化。這一方法的可檢測性極限是約10ppm。商購GC-質(zhì)譜儀對于芳族化合物具有低到約0.4ppm的檢測極限。在這里指定的沸點(diǎn)和沸程是根據(jù)ASTMD-86或ASTMD-1078測定的，這取決于烴流體的特性。本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以確定合適的ASTM方法。當(dāng)組合物被描述為"主要包括"一種指定的物質(zhì)時(shí)，這是指沒有其它物質(zhì)以等于或大于所指定物質(zhì)的含量存在。當(dāng)指定了一種以上的物質(zhì)(例如，"主要包括C16、C17和C18")時(shí)，指定的那些是以大于未指定的任何物質(zhì)的含量存在。本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員在理解本發(fā)明之后會認(rèn)識到，在這里闡述的各種實(shí)施方案，包括優(yōu)選的和更優(yōu)選的實(shí)施方案，可以按照與實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目標(biāo)一致的方式來進(jìn)行組合。因此舉例來說，本發(fā)明的實(shí)施方案包括將烴流體脫芳烴的方法，其中原料流和產(chǎn)品具有基本上相同的沸程和其中烴流體沒有由該方法異構(gòu)化，以及其中該產(chǎn)品具有低于100ppm芳族化合物。變化形式。優(yōu)選的實(shí)施方案包括(I)將包括芳族化合物分子的烴流體原料流進(jìn)行氫化的方法，該方法包括讓沸點(diǎn)低于350。C、優(yōu)選低于330°C、更優(yōu)選低于315。C并且包括C5-C25烴流體、優(yōu)選C5-C19烴流體的所述爛原料流，在含氫的處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件(特別地，其中所述條件包括低于約232TC的溫度，優(yōu)選在約150。C至約低于232。C的范圍內(nèi)或在以上段落中列出的那些范圍中的一個范圍內(nèi)的溫度)下操作的反應(yīng)階段中與芳族化合物飽和催化劑進(jìn)行接觸，其中所述芳烴飽和催化劑包括選自于被擔(dān)載在無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的載體材料上的VIII族貴金屬和它們的混合物中的氫化-脫氫組分，其中該載體材料具有至少包括鋁和二氧化硅的框架，以及其中二氧化硅與鋁的比率是約10:1到約100:1和載體材料的平均孔徑是約15埃到低于約100埃，并且回收包含具有至少51C的沸程的烴流體和包含低于100ppm芳族化合物的蒸餾餾分產(chǎn)品；其可進(jìn)一步以下列限制中的一個或多個來表征其中所述產(chǎn)品的沸程與所述原料流的沸程相同；其中所述產(chǎn)品沒有從所述原料流異構(gòu)化；其中所述產(chǎn)品不具有因?yàn)榕c所述氫化-脫氫組分接觸所導(dǎo)致的異構(gòu)化或裂化而產(chǎn)生的可檢測到的物質(zhì)；其中所述原料具有至少500ppm的芳族化合物含量，優(yōu)選在約1w"A和20wW之間的芳族化合物含量；其中所述產(chǎn)品具有低于500ppm，優(yōu)選低于100ppm，更優(yōu)選低于50ppm,再更優(yōu)選低于20ppm,再一次更優(yōu)選低于10ppm的芳族化合物含量；其中所述產(chǎn)品包括低于10ppm含氧化合物，優(yōu)選低于5ppm，更優(yōu)選低于1ppm，和再更優(yōu)選地由FID無法檢測到的水平的含氧化合物；其中所述產(chǎn)品包括由ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫；其中所述產(chǎn)品具有約60-150'C的并有5到10個碳原子、優(yōu)選6-8個碳原子的蒸餾切割餾分；其中所述產(chǎn)品具有約150-315°C、優(yōu)選180-350匸的，有約5X:到約40t:的沸程的，并且具有9到19個碳原子、優(yōu)選10到19個碳原子的蒸餾切割餾分；其中所述方法進(jìn)一步包括對選自ACN(常壓粗石腦油)、HVN(重質(zhì)直餾石腦油)、煤油、柴油、LG0(輕瓦斯油)、PGO(加工過的瓦斯油)、在化學(xué)過程中產(chǎn)生的低聚物、從GTL過程衍生的原料流和它們的混合物中的第一原料流進(jìn)行加氫處理和/或加氫精制的步驟，從而獲得包括具有至少5'C的沸程的C5-C19烴流體并具有至少500ppm的芳族化合物含量的第二原料流，然后讓所述第二原料流與所述芳族化合物飽和催化劑在含氫的處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件下操作的反應(yīng)階段中進(jìn)行接觸，以及回收包含具有至少5t:的沸程的烴流體并包含低于100ppm芳族化合物的蒸餾餾分；其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括低于1000psig，任選低于800psig，^壬選低于700psig，任選低于650psig,任選低于600psig，任選低于500psig，任選低于400psig，任選約300psig或更低的氫氣分壓；以及還有(II)由根據(jù)本發(fā)明的方法制備的具有至少5'C的沸程的C5-C25烴流體在選自半導(dǎo)體制造、水處理、溶劑萃取、礦石提取、金屬軋制的過程中的應(yīng)用，或用作聚烯烴制造中的加工助劑，用于鉆井液配制劑中，用于印刷油墨中，用于農(nóng)業(yè)配制劑中，或用于包括硅酮密封劑、著色劑、或它們的組合的組合物中；例如用于以下應(yīng)用中用于包括樹脂、著色劑和所述烴流體的漆組合物；用于包括讓大豆與所述烴流體接觸的溶劑萃取過程中；用于包含所述烴流體和選自殺蟲劑、植物生長調(diào)節(jié)劑和它們的混合物中的至少一種物質(zhì)的農(nóng)業(yè)配制劑中；以及還有(III)包括在其中引入了約0.10-0.25wt°/Pt和約0.30-0.75wt%Pd的無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的MCM-41的一種催化劑，所述中孔的MCM-41以至少包括鋁和二氧化硅的框架為特征，和其中二氧化硅與鋁的比率是約10:1到約100:1并具有約15埃到低于約IOO埃的平均孔徑；或該催化劑進(jìn)一步的特征在于進(jìn)一步包括氧化鋁-二氧化硅粘結(jié)劑；其中所述MCM-41具有約100:1到約10:1，優(yōu)選約60:1到約20:1，和更優(yōu)選約40:1到約20:1的二氧化硅與鋁比率；其中所述框架具有約15埃到約50埃，優(yōu)選約20埃到約40埃的平均孔徑；以及還有(IV)在這里描述的組合物，尤其由根據(jù)本發(fā)明的方法制得或可由根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的組合物，特別地在由根據(jù)本發(fā)明的方法制備的C9-C25烴流體中，它在一個實(shí)施方案中可以表征為其中改進(jìn)之處包括所述烴流體具有低于100ppm芳族化合物，低于10ppm硫(根據(jù)ASTMD-5453)，和低于1ppm含氧化合物(由FID測定)，和甚至更特別地其中所述流體具有約5°C到約50'C的沸程，和分別選自(a)157-207。C和低于100ppm芳族化合物；(b)196-235。C和低于100ppin芳族化合物；(c)238-263。C和低于100ppm芳族化合物；和(d)282-3irC和低于300ppm芳族化合物中的蒸餾切割餾分和芳族化合物含量，和/或表征為無法由ASTMD-5453檢測到的硫和無法由火焰電離檢測(FID)檢測到的含氧化合物；以及組合物表征為由根據(jù)本發(fā)明的方法制得的主要包括C6(己烷)的烴流體，其進(jìn)一步的特征在于具有根據(jù)UV光譜分析法測得的低于1ppm的芳族化合物含量，根據(jù)ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫，和由FID無法檢測到的含氧化合物，以及表征為由根據(jù)本發(fā)明的方法制得的主要包括C7(庚烷)的爛流體，其進(jìn)一步的特征在于具有由UV光謙分析法測得的低于1ppm的芳族化合物，根據(jù)ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫和由FID無法檢測到的含氧化合物。在這里使用的商品名由tm符號或逸符號指明，表示該名稱被某些商標(biāo)權(quán)保護(hù)，例如，它們可以是各種權(quán)限的注冊商標(biāo)。在這里列舉的全部專利和專利申請、試驗(yàn)方法(如ASTM方法、UL方法等等)和其它文件在一定程度上被充分引入供參考，在該程度上這些公開物與本發(fā)明一致并且對于此類引入是允許的全部權(quán)限。當(dāng)在這里給出數(shù)值下限和數(shù)值上限時(shí)，從任何下限到任何上限的范圍都是考慮的。盡管已經(jīng)具體地描述了本發(fā)明的舉例性的實(shí)施方案，但應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，各種其它改進(jìn)對于本領(lǐng)域中的那些技術(shù)人員是顯而易見的并能夠容易地實(shí)現(xiàn)。因此，不認(rèn)為本說明書所附的權(quán)利要求的范圍限于這里給出的實(shí)施例和描述，而是權(quán)利要求被認(rèn)為包括在本發(fā)明中存在的可以取得專利權(quán)的新穎性的所有特征，其中包括由本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中的技術(shù)人員認(rèn)為是這些特征的等同物的所有其它特征。本發(fā)明在以上參考很多的實(shí)施方案和特定的實(shí)施例進(jìn)行了描述'建議的變化。所有這些明顯的變化是在所附權(quán)利要求的全部預(yù)期的范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.將包括芳族化合物分子的烴流體原料流氫化的方法，該方法包括讓沸點(diǎn)低于350℃并包括C5-C25烴流體的所述烴原料流，在含氫的處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件下操作的反應(yīng)階段中與芳族化合物飽和催化劑進(jìn)行接觸，其中所述芳族化合物飽和催化劑包括被擔(dān)載在無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的載體材料上的選自VIII族貴金屬和它們的混合物中的氫化-脫氫組分，其中該載體材料具有至少包括鋁和二氧化硅的框架，和其中二氧化硅與鋁的比率是約10∶1到約100∶1以及該載體材料的平均孔徑是約15到低于約100埃，并且回收包含具有至少5℃的沸程的烴流體且包含低于500ppm芳族化合物的蒸餾餾分產(chǎn)品。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括低于約232'C的溫度。3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品的沸程與該原料流的沸程相同。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品沒有從所述原料流異構(gòu)化。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品不具有因?yàn)榕c所述氫化-脫氫組分接觸所導(dǎo)致的異構(gòu)化或裂化而產(chǎn)生的可檢測到的物質(zhì)。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述原料具有至少500ppm的芳族化合物含量。7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述原料具有在約500ppm和約20wty。之間的芳族化合物含量。8.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任何一項(xiàng)的方法，其中所述原料具有在約1w"和約20wty。之間的芳族化合物含量。9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品具有低于約100ppra的芳族化合物含量。10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品具有低于約50ppm的芳族化合物含量。11.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品具有低于約1Qppm的芳族化合物含量。12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品包括低于10ppm含氧化合物。13.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品包括低于5ppm含氧化合物。14.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品不具有由FID可檢測到的水平的含氧化合物。15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品包括由ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫。16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品是從約60-150t:的并具有5到10個碳原子的蒸餾切割餾分。17.權(quán)利要求16的方法，其中所述產(chǎn)品具有6到8個碳原子。18.根據(jù)權(quán)利要求1-15中任何一項(xiàng)的方法，其中所述產(chǎn)品是約1S0-315'C的，具有約51C到約40匸的沸程的，并具有9到19個碳原子的蒸餾切割餾分。19.根據(jù)權(quán)利要求l-5、7、10-18中任何一項(xiàng)的方法，進(jìn)一步包括將選自ACN(常壓粗石腦油)、HVN(重質(zhì)直餾石腦油)、煤油、柴油、LGO(輕瓦斯油)、PGO(處理過的瓦斯油)、在化學(xué)過程中產(chǎn)生的低聚物、從GTL過程衍生的原料流和它們的混合物中的笫一原料流進(jìn)行加氯處理和/或加氫精制的步驟，以獲得包括具有至少5t:的沸程的C5-C19烴流體并具有至少500ppm的芳族化合物含量的第二原料流，然后讓所述第二原料流與所述芳族化合物飽和催化劑在含氫的處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件下操作的反應(yīng)階段中進(jìn)行接觸，并且回收包含具有至少5匸的沸程的烴流體和包含低于100ppm芳族化合物的蒸餾餾分。20,根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括低于約1000psig的氫氣分壓和低于約232。C的溫度。21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括約300psig到約1000psig的氬氣分壓。22.根據(jù)權(quán)利要求l、3-19、21中任何一項(xiàng)的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括約15(TC到約30(TC的溫度。23.根據(jù)權(quán)利要求l、3-19、21中任何一項(xiàng)的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括約300psig到約1000psig的氫氣分壓和約150TC到約250X:的溫度。24.權(quán)利要求23的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括約15(TC到低于約232。C的溫度。25.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括約300-1000psig的氫氣分壓，約500-2000scf/bbl原料的處理率，和約0.5-5.0hr^的空間速度。26.根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中所述芳族化合物飽和催化劑包括在其中引入了約0.10-0.25wt%Pt和約0.30-0.75wt%Pd的基本上由無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的MCM-41組成的氫化-脫氫組分，所述中孔MCM-41的特征在于至少包括鋁和二氧化硅的框架，和其中二氧化硅與鋁的比率是約IO:I到約IOO:I并具有約15埃到低于約IOO埃的平均孔徑。27.權(quán)利要求26的方法，其中Pt/Pd的重量比是在約1/2到約1/4的范圍內(nèi)。28.包括供給、添加或混合烴流體的步驟的方法，改進(jìn)之處包括由根據(jù)權(quán)利要求1的方法制得的選自具有至少5。C的沸程的C5-C25烴流體中的所述烴流體。29.權(quán)利要求28的方法，其中所述方法選自半導(dǎo)體的制造、水處理、溶劑萃取、礦石提取、金屬軋制和聚烯烴制造。30.由權(quán)利要求28的方法制得的配制劑，其中所述配制劑選自印刷油墨、農(nóng)業(yè)配制劑、硅酮密封劑組合物和包括著色劑的組合物。31.根據(jù)權(quán)利要求30的組合物，其包括樹脂、著色劑和所述烴流體。32.根據(jù)權(quán)利要求28的溶劑萃取方法，所述方法包括使大豆與所述烴流體接觸。33.根據(jù)權(quán)利要求30的農(nóng)業(yè)配制劑，其包括所迷烴流體和選自殺蟲劑、植物生長調(diào)節(jié)劑和它們的混合物中的至少一種物質(zhì)。34.—種催化劑，其包括在其中引入了約0.10-0.25wt°/。Pt和約0.30-0.75wt%Pd的無機(jī)、多孔、非層狀、結(jié)晶、中孔的MCM-41,所述中孔MCM-41的特征在于至少包括鋁和二氧化硅的框架，以及其中二氧化硅與鋁的比率是約10:1到約100:1和具有約15埃到低于約100埃的平均孔徑。35.權(quán)利要求34的催化劑，其進(jìn)一步包括氧化鋁-二氧化硅粘結(jié)劑。36.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述MCM-41具有約100:1到約10:1的二氧化硅與鋁比率。37.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述MCM-41具有約60:l到約20:1的二氧化硅與鋁比率。38.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述MCM-41具有約40:1到約20:1的二氧化硅與鋁比率。39.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述框架具有約15埃到約50埃的平均孔徑。40.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述框架具有約20埃到約40埃的平均孔徑。41.權(quán)利要求34的催化劑，其中所述Pt/Pd的重量比是約1/2到約1/4。42.權(quán)利要求41的催化劑，所述催化劑的特征在于能夠?qū)ㄖ辽?wtM芳族化合物和沸點(diǎn)低于3501C的烴原料流，在含氬的處理氣體存在下在有效的芳族化合物飽和條件下操作的反應(yīng)階段中加以氬化，所述條件包括低于約2321C的溫度，以便回收包含具有至少5C的沸程的烴流體并包含低于10Gppm芳族化合物的蒸餾餾分。43.加氫方法，其包括讓沸點(diǎn)低于350匸的C5-C25烴原料流與根據(jù)權(quán)利要求34的氫化-脫氫催化劑，在含氫的處理氣體存在下在包括低于4S0。C的溫度在內(nèi)的有效的芳族化合物飽和條件下操作的反應(yīng)階段中進(jìn)行接觸，所述原料流進(jìn)一步的特征為包括芳族化合物分子，并且回收與所述原料流相比具有減小的芳族化合物分子的含量的產(chǎn)品。44.由權(quán)利要求1-8、19-27中任何一項(xiàng)的方法制得的C9-C25烴流體，改進(jìn)之處包括所述經(jīng)流體具有低于100ppm的芳族化合物，根據(jù)ASTMD-5453測得的低于10ppm的硫，和由FID測得的低于1ppm的含氧化合物。45.根據(jù)權(quán)利要求44的烴流體，其中所述流體具有約5'C到約50匸的沸程，并且是蒸餾切割餾分和具有一定的芳族化合物含量，其分別選自(a)157-207'C和低于100ppm的芳族化合物；(b)196-235。C和低于100ppm的芳族化合物；(c)238-263t:和低于100ppm的芳族化合物；和(d)282-3irC和低于300ppm的芳族化合物。46.根據(jù)權(quán)利要求44-45中任何一項(xiàng)的烴流體，其具有無法由ASTMD-5453檢測到的硫和使用火焰電離檢測(FID)無法檢測到的含氧化合物。47.由根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法制得的主要包括己烷的烴流體，其進(jìn)一步的特征在于具有根據(jù)UV光i普分析法測得的低于1ppm的芳族化合物含量，.根據(jù)ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫，和無法由FID檢測到的含氧化合物。48.由根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法制得的主要包括庚烷的烴流體，其進(jìn)一步的特征在于具有根據(jù)ASTMD-5453無法檢測到的水平的硫和無法由FID檢測到的含氧化合物。全文摘要本發(fā)明涉及就含硫物質(zhì)、含氮物質(zhì)、氧化的物質(zhì)和不飽和物質(zhì)中的至少一種而言具有高純度的烴流體，特別地缺乏芳族化合物的烴流體，制造所述烴流體的方法，用于所述方法中的催化劑，實(shí)施所述方法的裝置和所述流體的用途。文檔編號B01J29/04GK101115821SQ200580047999公開日2008年1月30日申請日期2005年12月19日優(yōu)先權(quán)日2005年1月14日發(fā)明者S·J·麥卡錫,S·漢茨爾,S·西爾弗伯格,T·A·格里布肖,V·斯瓦魯普申請人:埃克森美孚化學(xué)專利公司