專利名稱：揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置及揮發(fā)性有機(jī)化合物的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置。例如曱苯、二曱苯、苯 乙烯等放出到大氣中時(shí)，形成有害的有機(jī)溶劑或其它有機(jī)化合物的蒸
氣、即揮發(fā)性有機(jī)化合物(Volatile Organic Compounds: VOC),
本裝置用于該揮發(fā)性有機(jī)化合物的分解。
背景技術(shù)：
在涂敷工廠、半導(dǎo)體工廠、或印刷工廠等中，使用大量的有機(jī)溶
劑。眾所周知，從工廠排出到大氣中的voc，與太陽光、臭氧等反應(yīng)，
形成有害的有機(jī)性微粒子，并且使大氣中的臭氧濃度增大等，對(duì)大氣
環(huán)境產(chǎn)生很不好的影響。因此，強(qiáng)烈要求回收voc，使其無害化。
已往，用少的能量回收voc并使其無害化的方法是，用無聲放 電使吸附在疏水性沸石上的VOC脫落、分解。例如專利文獻(xiàn)1提出
的方法是，使含有voc的排氣與粒子狀的光觸媒接觸，吸附了voc
后，用傳送帶一邊使光觸媒移動(dòng)， 一邊照射紫外線，進(jìn)行分解'再生。
另外，專利文獻(xiàn)2提出的方法是，使含有VOC的排氣與粒子狀
的光觸媒接觸，吸附了 voc后，用傳送帶一邊使光觸媒移動(dòng)， 一邊
照射紫外線，進(jìn)行分解■再生。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-126445號(hào)公報(bào)(圖1、 P.2 ~ P.3 ) 專利文獻(xiàn)2:日本特開2002-28445號(hào)公報(bào)(圖1、 P.4 ~ P.5 )
當(dāng)VOC吸附體吸附飽和、不能再充分繼續(xù)吸附處理對(duì)象氣體中 的VOC時(shí)，把這一現(xiàn)象稱為VOC吸附體穿透。(例如見專利文獻(xiàn)l)
使用光觸媒進(jìn)行有害物質(zhì)分解的分解裝置中， 一邊用運(yùn)送帶使從 吸附層取出的小粒子光觸媒移動(dòng)， 一邊照射紫外線，進(jìn)行分解'再生。 這時(shí)，由于光觸媒從吸附體中取出，被運(yùn)送帶移動(dòng)，所以光觸媒必須 是小粒子狀。
已往的用無聲放電使voc脫落、分解的方法，與用加熱或光照 射使voc脫落的方法相比，可以用更少的能量進(jìn)行處理，但是，由
于一次處理全部的voc,所以，對(duì)未吸附voc的部分也要均等地》文
電，這樣，加大了放電電流，從而增加了電源容量，使裝置成本提高。 另外，由于在產(chǎn)生放電時(shí)也流過與不放電時(shí)相同量的氣體，所以，
氣體中的氮和氧借助放電而反應(yīng)，產(chǎn)生大量有害的氮氧化物(NOx)。 專利文獻(xiàn)2揭示的方法中，作為吸附體的光觸媒，從氣體排出口 一邊朝著氣體導(dǎo)入口附近移動(dòng)， 一邊與氣體接觸，吸附了 VOC后， 一邊被運(yùn)送帶移動(dòng)， 一邊照射紫外線，進(jìn)行分解'再生，所以，對(duì)未 吸附voc的光觸媒不進(jìn)行處理，不需要不必要的光能。
但是，該方法中，為了均勻地照射紫外線，作為吸附體的光觸媒 必須是小粒子狀，而且必須一邊使其振動(dòng)一邊處理。吸附體呈粒子狀 的狀態(tài)下進(jìn)行無聲放電時(shí)，由于不能控制放電的間隙長(zhǎng)，所以，存在 著放電不穩(wěn)定等的問題，該方法不適用于用無聲放電脫落的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而作出的，其目的是提供不產(chǎn)生大量
有害的NOx、能有效地分解VOC、裝置成本低的揮發(fā)性有機(jī)化合物 處理裝置。
本發(fā)明的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于，具有吸附處 理室、吸附體再生處理室、和移動(dòng)機(jī)構(gòu)；
上述吸附處理室中，沿氣體的流動(dòng)方向疊層配置著吸附格框，該
吸附格框具有吸附揮發(fā)性有機(jī)化合物的吸附體；
上述吸附體再生處理室中，設(shè)置著具有高壓電極、接地電極和電 介體的》文電組件；
上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，把位于氣體上游方向的上述吸附格框移動(dòng)到上述 吸附體再生處理室，把上述吸附體再生處理室內(nèi)的上述吸附格框移動(dòng) 到氣體的下游方向。
本發(fā)明的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，由于具有吸附處理室、吸
附體再生處理室、和移動(dòng)機(jī)構(gòu)；上述吸附處理室中，沿氣體的流動(dòng)方 向疊層配置著吸附格框，該吸附格框具有吸附揮發(fā)性有機(jī)化合物的吸 附體；上述吸附體再生處理室中，設(shè)置著具有高壓電極、接地電極和 電介體的放電組件；上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，把位于氣體上游方向的上述吸附 格框移動(dòng)到上述吸附體再生處理室，把上述吸附體再生處理室內(nèi)的上 述吸附格框移動(dòng)到氣體的下游方向。所以，吸附了揮發(fā)性有機(jī)物的吸 附體之中，只是揮發(fā)性有機(jī)物的濃縮率高的吸附體得到再生，可有效
地分解揮發(fā)性有機(jī)物。


圖1是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 構(gòu)造的圖。
圖2是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 構(gòu)造的圖。
圖3是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的吸附組件的構(gòu)造的圖。 圖4是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的放電組件的構(gòu)造的圖。 圖5是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的
吸附組件再生時(shí)的構(gòu)造的圖。
圖6是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的
吸附組件的移動(dòng)方式的圖。
圖7是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的吸附組件的分離方式的圖。 圖8是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的吸附組件的結(jié)合方式的圖。 圖9是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的吸附組件的另 一結(jié)合方式的圖。 圖10是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的吸附組件的另一結(jié)合方式的圖。
圖ll是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的另一吸附組件的圖。 圖12是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的氣體密封構(gòu)造的圖。 圖13是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的另一氣體密封構(gòu)造的圖。 圖14是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的另一氣體密封構(gòu)造的圖。 圖15是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的另一氣體密封構(gòu)造的圖。
圖16是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖17是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖18是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖19是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖20是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 變型例的圖。
圖21是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖22是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖23是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 處理動(dòng)作的圖。
圖24是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的
處理動(dòng)作的圖。
圖25是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的吸附組件的構(gòu)造的圖。
圖26是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的
吸附組件再生時(shí)的構(gòu)造的圖。
圖27是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的另一吸附組件的構(gòu)造的圖。 圖28是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的另一吸附組件的構(gòu)造的圖。 圖29是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的另一吸附組件的構(gòu)造的圖。 圖30是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6中的另一吸附組件的構(gòu)造的圖。 圖31是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)7中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的
構(gòu)造的圖。
圖32是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)7中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 構(gòu)造的圖。
圖33是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)7中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 構(gòu)造的圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施形態(tài)1.
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置的 示意圖。圖中，在吸附處理室l內(nèi)，由吸附體3A和保持吸附體3A的 格框3B構(gòu)成的吸附組件3，沿氣體的流動(dòng)方向疊層配置著。把揮發(fā)性 有機(jī)化合物處理裝置吸入的氣體，稱為處理對(duì)象氣體。把從揮發(fā)性有 機(jī)化合物處理裝置排出的氣體，稱為處理后氣體。為了使處理對(duì)象氣 體不流經(jīng)吸附組件3的周圍，而流過吸附組件3內(nèi)部，在吸附組件3 的周圍與吸附處理室1的壁之間，設(shè)置了密封板13。在吸附處理室1 的一面上，設(shè)有導(dǎo)入處理對(duì)象氣體的氣體導(dǎo)入口 15。在氣體導(dǎo)入口 15, 配置著過濾器11。在與氣體導(dǎo)入口 15相向的一面上，設(shè)有氣體排出 口 16。為了使處理對(duì)象氣體從氣體導(dǎo)入口 15朝著氣體排出口 16的方 向流動(dòng)，在氣體排出口 16設(shè)置了排風(fēng)扇12。過濾器ll用于除去涂料 渣和油分等粘著度高的、比較容易從處理對(duì)象氣體中分離的成分。如 果把別的裝置處理過的氣體作為處理對(duì)象氣體等，在處理對(duì)象氣體中 不含有能被過濾器11除去的成分時(shí)，則也可以不設(shè)置過濾器11。
如果在吸附組件與吸附處理室1的壁面之間有間隙，則含有VOC 的處理對(duì)象氣體不通過吸附體內(nèi)而直接放出到外部，這樣，從含有 VOC的空氣中去除VOC的處理率低。為此，要設(shè)置密封板13，使氣 體流入p及附體內(nèi)。
與吸附處理室l相鄰地設(shè)置了吸附體再生處理室2。吸附處理室1 和吸附體再生處理室2，在氣體導(dǎo)入口 15附近及氣體排出口 16附近 的兩個(gè)部位相互連通，吸附組件3可以在該兩個(gè)部位移動(dòng)。吸附處理 室1和吸附體再生處理室2的連通口 ，在吸附組件3的移動(dòng)時(shí)以外是 關(guān)閉的，這樣，處理對(duì)象氣體不流入吸附體再生處理室2。
在吸附體再生處理室2內(nèi)，設(shè)置著由高壓電極6A、接地電極6B 和玻璃或陶瓷的電介體6C構(gòu)成的放電組件6。該放電組件6在吸附組
<牛3內(nèi)it電。
另外，高壓電極6與高電壓電源7及開關(guān)元件9連接著，高電壓 電源7對(duì)高壓電極6A施加放電所需的高電壓，開關(guān)元件9用于接通 或切斷高電壓。另外，冷卻電介體6C用的冷卻水配管IOA連接在放 電組件6上。冷卻水配管IOA與冷才幾IO連接，循環(huán)冷卻水。
圖2表示圖1中A-A'斷面的示意圖。圖2概略地表示吸附組件3 的、在吸附處理室1和吸附體再生處理室2中的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
在吸附處理室1和吸附體再生處理室2的上部，設(shè)置了吸附組件 移動(dòng)才幾構(gòu)14。吸附組件3吊掛在吸附組件移動(dòng)沖幾構(gòu)14上。
為了使吸附組件3的移動(dòng)靈活，在吸附組件3的下部安裝了輪子31。
另外，接地電極6B，借助接地電極壓緊用彈簧6E支承在接地電 極壓緊用支持臺(tái)6D上。
如果吸附組件很輕，用移動(dòng)機(jī)構(gòu)吊著就可以移動(dòng)，則也不一定需 要輪子。另外，壓緊彈簧6E可以采用橡膠、氨基曱酸乙酯、膠狀固 形物等具有彈力的物體，只要是在夾入吸附劑時(shí)可以將其壓緊、使間 隙長(zhǎng)成為一定的物體即可。另外，如果接地電極的重量較重，則用另 外固定支承臺(tái)上的桿等支承接地電極。
圖3 (a)是吸附組件的平面圖。
吸附組件3由格框3B和吸附體3A構(gòu)成，該吸附體3A由蜂窩基 臺(tái)構(gòu)成。吸附體3A嵌入在格框3B內(nèi)。吸附體3A是將疏水性沸石裝 在有15.5~77.5個(gè)/cii^空穴的蜂窩基臺(tái)上而形成的。蜂窩基臺(tái)是用陶 瓷或微粒陶瓷、或者沸石本身作為材料燒制而成的。如圖3(b)所示， 為了盡量減小移動(dòng)時(shí)的旋轉(zhuǎn)半徑，把格框做成為鉸鏈狀。處理量為 10000m3/hr時(shí)，吸附組件的大小是一邊為1 ~ 2m左右，厚度為3 ~ 50cm 左右。將若干個(gè)該吸附組件3疊置，進(jìn)行吸附處理。吸附體的壓力損 失增加時(shí)，運(yùn)轉(zhuǎn)電力也增加，所以，最好盡可能地減小壓力損失。為 此，調(diào)節(jié)開口面積，使通過吸附體的前面的風(fēng)速在每秒0.3米至每秒2 米的范圍內(nèi)。另外，吸附組件3的片數(shù)增加時(shí)，壓力損失也增加，所
以，使吸附組件的沿風(fēng)流動(dòng)方向的長(zhǎng)度(吸附體厚度)在100至1000m 之間。
這樣，由于用格框加強(qiáng)吸附體，所以，可防止移動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的磨耗 等導(dǎo)致吸附體損傷。
圖4是沒有吸附組件3狀態(tài)的、放電組件6的示意圖。高壓電極 6A和電介體6C固定在吸附體再生處理室2內(nèi)。接地電極6B是與吸 附組件3的格框形狀對(duì)應(yīng)的凸形狀。
圖5是表示吸附組件3和放電組件6結(jié)合著的狀態(tài)的示意圖。
如圖5所示，電介體與接地電極之間有吸附組件3時(shí)，接地電極 移動(dòng)用輪子移動(dòng)，將吸附組件3夾入。這樣，吸附體3A與電介體6C、 吸附體3A與接地電極6B緊密接觸。借助該構(gòu)造，可以減少因放電時(shí) 的空隙引起的異常放電。
另外，用接地電極壓緊用彈簧6E壓緊接地電極6B，可以精度良 好地形成放電間隙長(zhǎng)。如果放電間隙均勻，則放電不集中在一個(gè)部位， 可以使放電在電極面均勻擴(kuò)展，可大范圍地分解處理VOC。這時(shí)，在 吸附組件3的格框3B內(nèi)的被分隔的空間中，形成了由電介體6C和接 地電極6B閉鎖的空間。這樣，處理VOC時(shí)，可以使放電生成的臭氧、 氮氧化物不泄漏到周圍。另外，使吸附體接觸放電，將吸附體再生時(shí)，把吸附體放入由高 壓電極或接地電極與構(gòu)成吸附體的吸附格框密閉的空間內(nèi)，這樣，可 有效分解VOC，并且能減少放電產(chǎn)生的臭氧、氮氧化物。
用高壓電極或接地電極和電介體夾入吸附體時(shí)，借助彈簧等彈性 體的壓緊，可以使放電的空隙均勻，所以，可以均等地投入放電能。
另外，本實(shí)施形態(tài)中，如圖l所示，設(shè)有3組放電組件6。吸附 組件3被各放電組件6同時(shí)放電，最后，返回到吸附處理室l內(nèi)的氣 體流的最下風(fēng)位置。
當(dāng)氣體的流速慢時(shí)、或者從吸附處理室1流入吸附體再生處理室 2的氣體少時(shí)，可同時(shí)移動(dòng)3片吸附組件，把3片作為一組，可用各 放電組件處理。吸附組件依次在放電組件之間移動(dòng)時(shí)，必須暫時(shí)停止
放電。該方式中，如依次在放電組件間移動(dòng)的方式那樣，因接觸放電 而溫度上升了的吸附體，其溫度不下降，所以效率高。
本實(shí)施形態(tài)中的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，如圖1所示，用排
風(fēng)扇12從裝置中排氣，從吸入口吸入同量的氣體。
下面說明動(dòng)作。先說明吸附處理室1內(nèi)的動(dòng)作狀態(tài)。在吸附處理 室1內(nèi)，吸附組件3重疊成幾層地設(shè)置著。用安裝在格框上部的臂， 吊掛在吸附組件移動(dòng)機(jī)構(gòu)14上。如圖6所示，吸附組件移動(dòng)機(jī)構(gòu)備有 吸附室內(nèi)的吸附組件移動(dòng)機(jī)構(gòu)14A、和通往再生處理室的吸附組件移 動(dòng)才幾構(gòu)14B這樣兩個(gè)系統(tǒng)，分別獨(dú)立地動(dòng)作。
吸附體吸附了一定量的VOC后，就不能再繼續(xù)吸附。本處理裝 置中，從處理對(duì)象氣體進(jìn)入的上風(fēng)位置的吸附體開始，依次朝著吸附 體再生處理室移動(dòng)，借助放電進(jìn)行再生處理。將吸附組件如窗簾軌那 樣地吊掛著，如圖6所示，用自動(dòng)移動(dòng)裝置14B，將吸附組件移動(dòng)到 吸附體再生處理室2。把移動(dòng)后的吸附組件與電介體6C—起，夾入高 壓電極6A與接地電極6B之間。另外，該電介體可以放在高壓電極側(cè) 或低壓電極側(cè)的任一方，或者，也可以放在高壓電極側(cè)、低壓電極側(cè) 雙方。
如果電介體超過了 100°C，則對(duì)電絕緣的耐電性降低。為此，要
用冷卻水將電介體冷卻。這時(shí)，把電介體放在高壓電極側(cè)時(shí)，將高壓 電極冷卻。把電介體放在接地電極側(cè)時(shí)，將接地電極冷卻。但是，冷
卻高壓電極時(shí)，為了避免電導(dǎo)通，冷卻水要采用比電阻為104(Qxm) 以上的純水。圖1中，高壓電極和冷才幾10通過冷卻水配管IOA、 10B 連接著。
在吸附處理室1內(nèi)，如果吸附組件3沿著垂直于地面的方向重疊， 則最下部要承受相當(dāng)大的重量，這樣的配置方式不好。因此，吸附組 件3最好沿著平行于地面的方向重疊。另外，要用吸附組件3的下部 作為支承時(shí)，為了不倒塌，必須設(shè)置具有大面積的基臺(tái)部。而從上部 吊下時(shí)，可以設(shè)計(jì)得小型化，移動(dòng)時(shí)不承受多余的應(yīng)力，所以，可防 止格框部的歪斜、吸附體的破損。
固定在吸附組件上的吸附體，是采用疏水性沸石。該疏水性沸石
稱為高硅沸石，由于沸石中含有很多硅(Si02)成分，所以水分吸附
得很少。在處理對(duì)象氣體中，除了作為處理對(duì)象的voc夕卜，還含有
很多空氣中的水分。尤其是夏季等的高濕度下，水分濃度高達(dá)3%(體
積比率)左右，是voc的ioo倍以上濃度。因此，使用疏水性沸石，
即使在夏季的高濕度下，其吸附性能也不降低，是很有效的。如果裝 置中備有除濕機(jī)，可以除去水分，則不一定要具有疏水性，也可以使
用具有5A以上細(xì)孔徑的沸石。
疏水性沸石是蜂窩狀，但是，吸附體也可以是任何形狀，例如， 可以把球狀、圓柱狀的物體放在格框內(nèi)等，只要能使處理對(duì)象氣體通 過、并且能配置在電極間即可。吸附體除了釆用沸石外，也可以采用 中多孔硅酸鹽、脫鋁八面沸石、高硅戊基沸石、硅膠等的高硅吸附體， 也可以采用其它類的吸附體。只要能吸附并能脫落VOC的物體，都 可以作為吸附體。
吸附體飽和地吸附了處理對(duì)象氣體后、不能再繼續(xù)吸附的狀態(tài)， 稱為吸附穿透。重疊為幾層的吸附組件3中，從處理對(duì)象氣體流入的 氣體上游的吸附體開始，吸附體依次地穿透。由于本裝置的目的是處 理VOC，所以，裝置出口處的VOC濃度必須在環(huán)境基準(zhǔn)值等的設(shè)定 排出值以下。
本實(shí)施形態(tài)中，雖然入口附近的吸附組件內(nèi)的吸附體已經(jīng)穿透， 但氣體出口附近的吸附組件3內(nèi)的吸附體尚未到達(dá)穿透的程度，還可 以繼續(xù)吸附處理VOC。另外，如專利文獻(xiàn)1也示出的那樣，VOC的 濃度越高，處理VOC所需的能量越少。因此，如果在吸附體穿透后
進(jìn)行處理，則分解所需的能量少，可以高效率地分解voc。
本發(fā)明的voc處理裝置中，由于從已吸附穿透的、設(shè)置在氣體
上游的吸附組件開始，依次地進(jìn)行處理，所以可高效率地分解。另外， 分解已完成并且吸附體的再生已結(jié)束的吸附組件，被移動(dòng)到氣體的最 下游位置，這樣，可以繼續(xù)地依次連續(xù)處理具有已吸附穿透的吸附體 的吸附組件。如果處理氣體不通過吸附體而通過組件周邊，則voc的處理率降低，所以，在吸附組件周圍，為了防止氣體泄漏通過，必
須要設(shè)置氣體密封用的密封板13。另外，移動(dòng)時(shí)，吸附處理室內(nèi)的吸 附組件的移動(dòng)，最好將組件一體化地進(jìn)行，這樣比較穩(wěn)定。
另外，本實(shí)施形態(tài)中，在吸附處理室內(nèi)由于使吸附板平行移動(dòng)， 在板面上可以均勻地吸附揮發(fā)性有機(jī)物，所以，可以均等地投入用于 分解揮發(fā)性有機(jī)物的放電能，可以有效地分解揮發(fā)性有機(jī)物。
圖7和圖8是說明在吸附處理室中，將吸附組件結(jié)合在一起的吸 附組件結(jié)合機(jī)構(gòu)的圖。吸附組件結(jié)合機(jī)構(gòu)5，如圖7所示，由安裝在 吸附組件3上的楔形鍵5A、鉤5B以及設(shè)在鉤5B與格框3B間的彈簧 5C構(gòu)成。吸附組件3在吸附處理室內(nèi)借助鍵5A和鉤5B連接著。吸 附組件3通過安裝在吸附處理室l外壁上的突起23時(shí)，鍵5A卡在突 起23上，鍵與鉤可自動(dòng)分離。
結(jié)合時(shí)，如圖8所示，再生結(jié)束后的吸附組件3，朝著已成一體 化的組件方向前進(jìn)時(shí)，由于鉤5B帶有圓角，所以，鍵自動(dòng)打開，吸 附組件3結(jié)合成為一體。另外，該吸附組件結(jié)合機(jī)構(gòu)，也可以在圖9 所示的格框中，把電磁鐵24埋入格框內(nèi)部，用磁性體制作格框，利用 磁力進(jìn)行結(jié)合。另外，也可以如圖10所示，在格框3B上設(shè)置凹凸， 通過嵌合將吸附體一體化。這時(shí)，也可以從側(cè)面放入板狀的突起，進(jìn) 行結(jié)合及分離。
穿透后的吸附組件，依次被送入吸附體再生處理室2。處理對(duì)象 氣體連續(xù)地流入吸附處理室。在吸附處理室1與吸附體再生處理室2 之間，設(shè)置懸垂?fàn)畹暮熥?，這樣，吸附組件3從吸附處理室l往吸附 體再生處理室2移動(dòng)時(shí)、或者從吸附體再生處理室2往吸附處理室1 移動(dòng)時(shí)，處理對(duì)象氣體不流入吸附體再生處理室2。
在吸附體再生處理室2，至少有1組以上的;^文電組件6。實(shí)施形態(tài) l中，備有3組放電組件6。放電組件的數(shù)目越多，單位面積投入的放 電能就可以越少，；改電處理時(shí)間可以加長(zhǎng)。
吸附組件3被送到吸附體再生處理室2后，如前所述，吸附組件 3內(nèi)的吸附體被夾入在玻璃或陶瓷等的電介體與接地電極之間，形成
了閉鎖空間。然后，開關(guān)元件接通，峰值為10~30kV左右的電壓以 50 ~ 10000Hz左右的頻率施加在高壓電極6A上。
VOC與^t電生成的電子碰撞而反應(yīng)分解或者^t電生成的電子與
氧分子碰撞而產(chǎn)生氧原子、臭氧等的活性成分，voc與該活性成分反 應(yīng)而分解。因此，處理對(duì)象氣體中的voc濃度越高，voc與電子或 活性成分的反應(yīng)確率越高，處理效率也就越高。因此，不濃縮voc
的連續(xù)方式，與濃縮voc的本方式及間歇方式相比，消耗電量更大。 氧原子分解VOC的能力比臭氧強(qiáng)，但是氧原子的壽命很短，僅l微
秒左右， 一旦產(chǎn)生幾乎還沒有移動(dòng)就消失了 。因此，用氧原子進(jìn)行voc
分解，是在極靠近放電發(fā)生的部位進(jìn)行的。臭氧的壽命比較長(zhǎng)，約為
ioo秒左右，所以，即使在遠(yuǎn)離氣體處理組件1內(nèi)部的i文電部位的地
方，只要臭氧移動(dòng)，臭氧與voc反應(yīng)，就能將voc分解。
吸附體3A接觸放電而溫度上升，放出吸附了的VOC。放出的 voc與電子碰撞，或者與放電產(chǎn)生的氧原子、臭氧等活性成分反應(yīng)， 分解為水和二氧化碳。VOC從吸附體3A上脫落，吸附體3A被再生 成為能吸附VOC的狀態(tài)。
本實(shí)施形態(tài)中，在放電處理時(shí)，使處理對(duì)象氣體不流入吸附組件 3內(nèi)，這樣做是為了盡量不產(chǎn)生NOx。由于注入放電能時(shí)，會(huì)生成高 速電子，生成的高速電子與處理對(duì)象氣體中的氧分子、氮分子碰撞， 生成有害的NOx。在放電處理時(shí)，如果預(yù)先止住氣體流，雖然氣體處 理組件1內(nèi)的NOx濃度增高，但由于氣體量少，所以NOx的生成量 少。氣體中的NOx濃度達(dá)到3%左右時(shí)，NOx的分解與生成成為大體 平衡狀態(tài)，即使投入的放電能大，NOx的濃度也不上升。
止住氣體流時(shí)，氣體處理組件1的內(nèi)部空間成為上述平衡狀態(tài)， 產(chǎn)生的NOx量，僅占?xì)怏w處理組件1內(nèi)部空間體積的3%左右。氣體 處理組件1內(nèi)部空間的體積，比氣體流量小得多，產(chǎn)生的NOx量少。 另一方面，；改電時(shí)以及不^t電時(shí)都流過相同量氣體的情況下，NOx的 生成量與投入的放電能大體成正比。
另外，在放電中通過止住氣體流來減少NOx生成量的做法，也適
用于間歇方式。但是，用于間歇方式時(shí)，在放電中，必須使處理對(duì)象
氣體不流過voc處理裝置，要把在該期間產(chǎn)生的處理對(duì)象氣體儲(chǔ)存
在某處，或者使處理對(duì)象氣體不產(chǎn)生。而本方式中，止住氣體流的只
是一部分氣體處理組件，對(duì)于整個(gè)voc處理裝置而言，不中斷對(duì)處
理對(duì)象氣體的處理。
但是，由于必須供給voc分解所需的氧氣，所以，如果能在放 電分解時(shí)供給氧氣，則放電不生成NOx，另外，由于有效地生成上述 的氧原子、臭氧，可以實(shí)現(xiàn)用低能量進(jìn)行揮發(fā)性有機(jī)化合物的分解。
另外，使充分吸附了 VOC的吸附體接觸放電時(shí)，吸附體溫度上
升，被吸附的voc迅速脫落，使氣體流過時(shí)，未被放電分解完的voc 會(huì)作為處理后氣體漏出到voc處理裝置外面。但是，在放電時(shí)止住 氣體流，voc就不會(huì)跑到氣體處理組件的外部。脫落后的voc,停
留在吸附組件3內(nèi)，與電子、活性成分反應(yīng)而分解。
另外，如果使放電時(shí)脫落的氣體不泄漏到外部，而是在閉鎖空間
內(nèi)使氣體接觸放電并循環(huán)，則不必止住氣體流，放電未分解完的voc 不會(huì)作為處理后氣體泄漏到voc處理裝置外部，可得到與前述止住
氣體流時(shí)同樣的效果。
使VOC從吸附體3A上脫落時(shí)，吸附體3A的溫度越高，脫落效 率越高。但是，如果發(fā)生放電的空間內(nèi)的氣體溫度增高，電介體6C 的溫度過高時(shí)，則電介體6C的耐電壓降低，會(huì)導(dǎo)致電介體6C絕緣破 壞。如果電介體6C絕緣破壞，則不能通過放電來分解VOC，也就不 能進(jìn)行吸附體3A的再生。即使不到絕緣破壞的程度，如果電介體6C 的溫度上升，電介體6C的電介體損失tanS也增大，消耗電力增加。
為此，本實(shí)施形態(tài)l中，如圖1所示，將接地電極6B水冷，間 接地抑制電介體6C的溫度上升，即使在放電中，使電介體6C、吸附 體3A的溫度也保持在100。C左右。已往的氣體濃縮回轉(zhuǎn)器等中，出現(xiàn) 了吸附體周圍的VOC濃度增高，使VOC從吸附體上脫落的速度降低 的現(xiàn)象(稱為飽和現(xiàn)象)，為了即使出現(xiàn)該現(xiàn)象也能使VOC脫落， 將吸附體加熱到約300°C，使VOC脫落。而通過放電使VOC脫落的
本方式中，由于使脫落后的voc當(dāng)場(chǎng)分解，所以，不產(chǎn)生飽和現(xiàn)象， 即使將吸附體的溫度抑制在100。C左右，也能使voc脫落。另外，也 不一定非是IO(TC左右。只要是能保護(hù)電介體、有效地進(jìn)行脫落處理 的溫度均可，可以高于或低于100。C左右。
由于即使在放電中也只將吸附體3A加熱到IO(TC，所以，放電結(jié) 束后，吸附體的溫度立即降低，可以吸附VOC。另外，不放電時(shí)的吸 附組件3的溫度，是冷卻水的溫度左右。即使存在著放電結(jié)束后不能 立即充分吸附VOC的吸附組件3，但過半的吸附組件3是能充分吸附 VOC的狀態(tài)，為了再生吸附體，可以不設(shè)置停止VOC分解的工序。
上述的吸附體是把疏水性沸石等的吸附體裝入蜂窩內(nèi)而形成的。 除此以外，如圖ll所示的吸附組件，是把粉狀、球狀、圓柱狀的顆粒 放入吸附組件3內(nèi)而形成的，也能取得同樣的效果。
另外，使貴金屬的白金、把、銠、銀等貴金屬觸媒與吸附體混合， 可以減少分解所需的能量，提高分解效率。
另外，作為揮發(fā)性有機(jī)化合物的代表性物質(zhì)的曱苯與氧原子的反
應(yīng)速度、以及甲苯與臭氧的反應(yīng)速度，二者相比時(shí)，在曱苯與臭氧的 反應(yīng)中，根據(jù)在J.Phys.Chem.89， 1982 ( 1985)中的、Toby， S.等的 [Kinetics and chemiluminescence of ozone-aromatic reactions in the gas phase]，反應(yīng)速度為k=5.23xl0.12x ( T/298 ) 121xexp (-6713.5/T ) cm3/( molecule's) )[T:反應(yīng)溫度],25°C下的反應(yīng)速度是3.89xl(r22cm3/ (molecules )。另 一方面，在J.Phys.Chem.Ref.Data 23, 847畫1033( 1994 ) 中的、Baukh ， D丄等的[Evaluated kinetic data for combustion modeling.Supplementl]中，甲苯與氧原子的反應(yīng)速度為k=5.23xl(T12* (T/298 ) 121*exp (誦1261.13/T ) cm3/ (molecule's) , 25。C下的反應(yīng)速 度是7.62xl(T"cm3/ ( molecule's )。因此，甲苯與氧原子的反應(yīng)速度， 比與臭氧的反應(yīng)速度快約5800倍。
因此，為了有效地分解甲苯，使它與臭氧分解產(chǎn)生的氧原子反應(yīng)， 比與放電產(chǎn)生的臭氧反應(yīng)更好。另一方面，由于氧原子的壽命短，所 以，為了使氧原子與揮發(fā)性有機(jī)化合物反應(yīng)，只要在吸附劑附近分解
放電生成的臭氧即可。因此，把臭氧分解觸媒放在揮發(fā)性有機(jī)化合物 被濃縮了的吸附劑附近是有效的。作為臭氧分解觸媒，可以采用錳、 鎳、鈦白、銅、鐵、鈷或它們的氧化物。把它們的粉末添加到吸附劑 上，可以增加短壽命的氧原子與吸附劑上的有機(jī)化合物的碰撞、分解 確率，更提高分解效果。
另外，上述用于吸附揮發(fā)性有機(jī)物的疏水性沸石、貴金屬觸媒、 臭氧分解觸媒，即使僅將各自做成為粒狀而加以混合，如上所述，也 能得到促進(jìn)揮發(fā)性有機(jī)物分解的效果。但是，由于氧原子的壽命只有 短短的數(shù)微秒，所以，使用氧原子與揮發(fā)性有機(jī)化合物分解時(shí)，把貴 金屬或臭氧分解觸媒或它們的組合物形成為微粒子狀，添加到疏水性 沸石上，可以在氧原子消失并變成為氧分子或其它分子前用于分解， 所以，可有效地分解揮發(fā)性有機(jī)化合物。
密封板13防止氣體不接觸吸附體地穿過，如圖12所示，該密封 板13是把具有彈性的硅橡膠等的板安裝在容器壁面上而形成的。該密 封板13，如圖13所示，即使把轉(zhuǎn)動(dòng)式的密封板設(shè)置在吸附組件3的 四邊外周，也能防止氣體泄漏。另外，如圖14所示，也可以把密封板 13巻繞在輥上。該圖13、圖14的方式中，移動(dòng)時(shí)密封板旋轉(zhuǎn)，氣體 的泄漏少，摩擦也少，所以很容易構(gòu)成。另外，如圖16所示，把密封 板安裝在吸附組件的周圍也能得到同樣的效果。
已往，對(duì)未吸附穿透的吸附體，也要同時(shí)進(jìn)行再生處理，但是本 發(fā)明中，由于能處理吸附穿透后的濃縮率高的VOC，所以，可實(shí)現(xiàn)效 率高裝置。另外，所需的放電組件的數(shù)量也少，可實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的裝置。
實(shí)施形態(tài)2
圖16~19是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2中的VOC處理裝置的圖。實(shí) 施形態(tài)2中，只有對(duì)吸附后的吸附體進(jìn)行再生的再生處理室2的形態(tài) 與實(shí)施形態(tài)l不同，其它的結(jié)構(gòu)都與實(shí)施形態(tài)l相同，其說明從略。
該實(shí)施形態(tài)2中，在吸附體再生處理2內(nèi)收納著吸附組件3，再 生處理室2是移動(dòng)式的。
圖16表示吸附組件3還未進(jìn)入吸附再生處理室內(nèi)的狀態(tài)。與實(shí)施
形態(tài)1同樣地，把在吸附處理室內(nèi)吸附穿透后的吸附組件3,從氣體 流的上游側(cè)，如圖17所示地依次送入再生處理室2。吸附組件3被設(shè) 置在高壓電極6A、接地電極6B及位于它們之間的玻璃或陶資等的電 介體6C之間后，接地電極6B移動(dòng)，將吸附體夾入。這時(shí)，為了使電 介體6C與接地電極6B之間的距離、即放電間隙長(zhǎng)保持一定，電介體 6C和接地電極6B被彈簧等的力推壓著。吸附組件3被^沒置后，放電 處理室移動(dòng)，如圖18所示，用預(yù)先固定在處理室內(nèi)的蓋將處理室密閉。 被密閉后，對(duì)高壓電極施加高電壓，產(chǎn)生等離子。
通過放電來分解VOC的原理如前述。另外，本實(shí)施形態(tài)中，吸 附再生室2與蓋共同構(gòu)成閉鎖空間，所以，吸附組件3的格框3B和 電介體6C、接地電極6B，不必形成為閉鎖空間。吸附體的再生借助 放電結(jié)束后，如圖19所示，吸附組件3返回吸附處理室，配置在氣體 流的最下風(fēng)位置。
該實(shí)施形態(tài)2中，也與實(shí)施形態(tài)l同樣地，由于能處理吸附穿透 后的濃縮率高的VOC，所以可實(shí)現(xiàn)效率高裝置。所需的放電組件數(shù)量 也少，可實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的裝置。
圖20表示在圖16所示的VOC處理裝置上，增加了氧氣發(fā)生裝 置33和壓力調(diào)節(jié)器34。由于增加了氧氣發(fā)生裝置33和壓力調(diào)節(jié)器34, 在吸附組件被收納到吸附劑再生處理室2的時(shí)刻，從氧氣發(fā)生裝置把 氧氣供給到吸附劑再生處理室2內(nèi)。這時(shí)，氧氣的供給方法可以是間 歇地供給，也可以是連續(xù)地供給。因供給氧氣而導(dǎo)致吸附劑再生處理 室內(nèi)的壓力增加時(shí)，用于產(chǎn)生放電的電壓就增大。為此，要用壓力調(diào) 節(jié)器34將壓力保持為大氣壓。
如上所述，用放電使空氣中的氧產(chǎn)生氧原子或臭氧，揮發(fā)性有機(jī) 化合物被該氧原子或臭氧分解。因此，增加氧氣發(fā)生裝置33和壓力調(diào) 節(jié)器34，供給氧氣，可以提高氧濃度，可相應(yīng)地提高分解效率。
實(shí)施形態(tài)3
圖21是本實(shí)施形態(tài)中的VOC處理裝置的示意圖。圖中，旋轉(zhuǎn)部 件13兼作為密封件和吸附組件移動(dòng)時(shí)的導(dǎo)引件。具有吸附組件移動(dòng)用
的驅(qū)動(dòng)用旋轉(zhuǎn)部件14、和運(yùn)送用旋轉(zhuǎn)部件15,該運(yùn)送用旋轉(zhuǎn)部件15 是為了運(yùn)送沒有驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的吸附組件3而設(shè)置的。
本實(shí)施形態(tài)中，將吸附組件3連成一串。將驅(qū)動(dòng)用旋轉(zhuǎn)部件32 旋轉(zhuǎn)，使該成串的吸附組件3從吸附處理室1往吸附體再生處理室2 移動(dòng)。通過放電將VOC分解，把再生結(jié)束后的吸附體再返回到吸附 處理室。位于氣體流入的氣體上游側(cè)的吸附體，最先吸附穿透。把吸 附穿透后的吸附組件3中的一列，送入吸附體再生處理室。移動(dòng)后， 開關(guān)元件接通，開始放電。放電條件以及分解VOC的原理如前述。
由吸附組件3的格框3B、電介體6C及接地電極6B圍成的空間， 與實(shí)施形態(tài)l同樣地，是閉空間。在開關(guān)元件接通著并且實(shí)施放電的 狀態(tài)，放電產(chǎn)生的熱使空間內(nèi)的溫度、以及高壓電極、接地電極、電 介體的溫度上升。與前述實(shí)施形態(tài)同樣地，溫度上升后，吸附在吸附 體上的VOC脫落，更容易被放電，所以是有利的，但是，如果電介 體的溫度超過了 100°C,則絕緣破壞、ta"的增加導(dǎo)致效率降低。為 此，將純水流過冷機(jī)，使電介體的溫度冷卻到IO(TC附近。本實(shí)施形 態(tài)中，也與實(shí)施形態(tài)l、 2同樣地，能處理吸附穿透后的、濃縮率高的 VOC,所以可實(shí)現(xiàn)效率高的裝置。所需的放電組件數(shù)量也少，可實(shí)現(xiàn) 經(jīng)濟(jì)的裝置。另外，可得到吸附組件的移動(dòng)容易的揮發(fā)性有機(jī)物除去 裝置。
實(shí)施形態(tài)4
圖22是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的VOC處理裝置的示意圖。圖23是 橫斷面圖。圖中，將吸附組件3連成為一串。把該吸附組件3巻成螺 旋狀，成串地從吸附處理室l往吸附體再生處理室2移動(dòng)，進(jìn)行吸附 處理、分解再生處理。給氣口 19和排氣口 20設(shè)在吸附處理室1內(nèi)， 給氣口 19配置在巻成螺旋狀的吸附組件3的外部，供給氣體。排氣口 20配置在巻成螺旋狀的吸附組件3的內(nèi)部。遮蔽板21配置在巻成螺 旋狀的吸附組件3與吸附處理室1之間，使氣體不能流過。
排氣口 20與風(fēng)扇連接，從給氣口 19吸入處理對(duì)象氣體，其吸入 的處理對(duì)象氣體的量，相當(dāng)于被風(fēng)扇排出的VOC處理裝置的氣體量。
被吸入VOC處理裝置內(nèi)的處理對(duì)象氣體，從巻成螺旋狀的吸附組件3 的外周部流向內(nèi)周部時(shí)，VOC成分被吸附體3A吸附，成為清潔空氣 從排氣口 20排出到外部。另外，本裝置中，把吸附組件3巻成螺旋狀， 使驅(qū)動(dòng)用旋轉(zhuǎn)部件14旋轉(zhuǎn)時(shí)，吸附組件3移動(dòng)。朝中心部流動(dòng)的吸附 量少的吸附組件、和從中心部朝外周部移動(dòng)的吸附量多的吸附組件， 交替排列著。被送入分解再生處理的吸附組件，是VOC吸附量多的 吸附組件。
實(shí)施形態(tài)5
圖24是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的VOC處理裝置的示意圖。本實(shí)施形 態(tài)中設(shè)有傳感器17。該傳感器17用于測(cè)定處理后氣體中所含的VOC。 其它的結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)1相同，其說明從略。本實(shí)施形態(tài)中，用傳感 器17常時(shí)地監(jiān)視處理后氣體中所含的VOC。當(dāng)處理后氣體中所含的 VOC濃度達(dá)到預(yù)定濃度時(shí)，根據(jù)傳感器17的信號(hào)，從控制裝置18 發(fā)出控制信號(hào)，使吸附組件3移動(dòng)。另外，根據(jù)吸附體3A吸附的VOC 量，控制》丈電施加的電力。
根據(jù)該方式，可以使排出氣體中所含的VOC常時(shí)地在預(yù)定量以 下，吸附體的吸附量也可保持一定，所以，不浪費(fèi)電力，可有效地處
理voc。
圖24中，只在處理裝置的出口安裝了 VOC傳感器17，但是， VOC傳感器的安裝位置，也可以在VOC處理裝置的入口。從預(yù)先存 儲(chǔ)著的、入口濃度與吸附時(shí)間或吸附量的關(guān)系，根據(jù)入口濃度自動(dòng)地 計(jì)算移動(dòng)時(shí)間，由控制裝置進(jìn)行吸附組件的移動(dòng)、放電電力的控制， 可得到同樣的效果。另外，如果經(jīng)費(fèi)容許，也可以在入口側(cè)和出口側(cè) 都安裝VOC傳感器，這樣，可監(jiān)視入口濃度和出口濃度，可從它們 的差值監(jiān)視吸附到吸附體上的VOC吸附量。因此，與只監(jiān)視入口、 或只監(jiān)視出口的VOC濃度相比，能進(jìn)行更高精度的控制。
實(shí)施形態(tài)6
前述的實(shí)施形態(tài)中，吸附組件3是由吸附體3A和格框3B構(gòu)成的。 本實(shí)施形態(tài)中，如圖25所示，將接地電極6B和吸附組件3形成為一
體。該形態(tài)中，由于吸附組件3和接地電極6B是一體的，所以，接 地電極6B具有加強(qiáng)吸附組件3的功能。因此，可以將格框做得較薄， 可實(shí)現(xiàn)輕量化。由于氣體要在吸附處理室1中流動(dòng)，所以接地電極6B 最好采用在金屬板上開有空孔的沖孔板、或者是金屬制的網(wǎng)、鋼絲繩 等具有導(dǎo)電性的物體。這時(shí)，由于接地電極上有空孔，所以放電時(shí)氣 體可能會(huì)泄漏。為此，如圖26所示，需要借助壓板22均勻地保持放 電間隙長(zhǎng)，同時(shí)，用壓板22堵住接地電極的空孔。
另外，如圖27所示，也可以用接地電極6B和電介體6C夾入吸 附體3A，將吸附組件3—體化。本方式中，由于放電間隙是預(yù)先設(shè)定 的，所以，能精度良好地均勻放電。另外，由于氣體要在處理室l中 流動(dòng)，所以，接地電極6B和電介體6C必須開有空孔。因此，接地電 極最好采用沖孔板、或者金屬制的網(wǎng)、鋼絲繩等具有導(dǎo)電性的物體。
在吸附體再生處理室2中，與冷卻了的高壓電極相接，產(chǎn)生放電。 電介體上，在與高壓電極相接的部分、即在放電面相反的面上，用金、 鉻、鎳等的蒸鍍、電鍍等設(shè)置給電層，可以降低與高壓電極的接觸阻 力。另外，也可以不設(shè)置導(dǎo)電層，而如圖28所示那樣，用電介體覆蓋 設(shè)有水冷部的高壓電極6A,或者也可以如圖29所示那樣，把金屬線 30、沖孔板等埋入電介體的內(nèi)部。
另外，也可以如圖30所示那樣，用吸附體3A夾入接地電極6B， 構(gòu)成吸附組件3。這時(shí)，在吸附體再生處理室2進(jìn)行放電時(shí)，可以在 接地電極6B的表里兩面方文電。
實(shí)施形態(tài)7
如圖31所示，在吸附體再生處理室2中，吸附體也可以排列成站 臺(tái)狀。這樣，可以自由地決定在吸附體再生處理室2中的吸附體處理 數(shù)。
另外，吸附處理室1和吸附體再生處理裝置2的配置，可以如圖 32所示那樣橫向地配置，也可以如圖33所示那樣縱向地配置。吸附 處理室1和吸附體再生處理室2的配置，可根據(jù)本處理裝置的設(shè)置空 間、處理風(fēng)量決定的吸附體重量，自由地決定。另外，在吸附體再生
處理室2中，吸附組件3與吸附體再生處理室的吸附組件是垂直的關(guān) 系，這樣，在吸附體再生室2中可以收納較多的吸附組件3。
上面，說明了通過放電進(jìn)行再生，但是，關(guān)于吸附體的再生，也 可以用熱等進(jìn)行氧化分解，這樣來分解VOC，使吸附體再生。
另外，為了散發(fā)放電產(chǎn)生的熱，是用冷機(jī)進(jìn)行冷卻，但是，也可 以用吸收式的熱交換器等進(jìn)行散熱，也可以利用生成的熱水。
權(quán)利要求
1.揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于，具有吸附處理室、吸附劑再生處理室、和移動(dòng)機(jī)構(gòu)；上述吸附處理室中，沿氣體的流動(dòng)方向疊層配置著若干層的吸附組件，該吸附組件具有吸附揮發(fā)性有機(jī)化合物的吸附體；上述吸附劑再生處理室，與吸附處理室隔離；上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使位于氣體上游方向的上述吸附組件移動(dòng)到上述吸附劑再生處理室，使上述吸附劑再生處理室內(nèi)的上述吸附組件移動(dòng)到氣體的下游方向。
2. 揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于，具有吸附處理室、 吸附劑再生處理室、和移動(dòng)機(jī)構(gòu)；上述吸附處理室中，沿氣體的流動(dòng)方向疊層配置著吸附組件，該 吸附組件具有吸附揮發(fā)性有機(jī)化合物的吸附體；上述吸附劑再生處理室中，設(shè)置著具有高壓電極、接地電極和電 介體的力文電組件；上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使位于氣體上游方向的上述吸附組件移動(dòng)到上述 吸附劑再生處理室，使上述吸附劑再生處理室內(nèi)的上述吸附組件移動(dòng) 到氣體的下游方向。
3. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 吸附劑再生處理室中，在放電組件內(nèi)的放電空間設(shè)置著吸附組件內(nèi)的 吸附體，通過放電，把吸附在上述吸附體上的揮發(fā)性有機(jī)化合物分解， 使上述吸附組件再生。
4. 如權(quán)利要求3所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 放電時(shí)，吸附體被放電組件密閉著。
5. 如權(quán)利要求4所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 用彈性體壓緊放電組件，使吸附體被放電組件密閉。
6. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 吸附組件形成為鎖鏈狀。
7. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 吸附組件是吊掛著的。
8. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 將上述吸附組件再生時(shí)，供給含有氧氣的氣體。
9. 如權(quán)利要求8所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在于， 將上述吸附組件再生時(shí)，間歇地供給含有氧氣的氣體。
10. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，具有測(cè)定處理后氣體中所含的揮發(fā)性有機(jī)物濃度的傳感器。
11. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，通過熱交換，二次利用放電生成的熱。
12. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，吸附組件由疏水性沸石構(gòu)成。
13. 如權(quán)利要求12所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，吸附組件成形為板狀。
14. 如權(quán)利要求12所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，吸附組件中含有貴金屬觸媒。
15，如權(quán)利要求12所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，吸附組件中，含有具有分解臭氧的能力的觸媒。
16. 如權(quán)利要求15所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，在形成吸附組件的吸附劑中，添加了具有分解臭氧的能力的觸媒。
17. 如權(quán)利要求2所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，其特征在 于，在放電組件內(nèi)，備有加熱吸附組件的機(jī)構(gòu)。
18. 揮發(fā)性有機(jī)化合物的處理方法，其特征在于，具有吸附揮發(fā) 性有機(jī)化合物的吸附體的吸附組件，沿著氣體流動(dòng)方向疊置著，使位 于氣體上游方向的上述吸附組件移動(dòng)，把吸附在移動(dòng)的上述吸附組件 上的揮發(fā)性有機(jī)化合物分解，依次地使上述吸附組件再生，再生后， 使上述吸附組件依次移動(dòng)設(shè)置到氣體的下游方向。
19. 如權(quán)利要求18所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理方法，其特征在 于，通過放電，將揮發(fā)性有機(jī)化合物分解。
20.如權(quán)利要求19所述的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理方法，其特征在 ，測(cè)定處理后氣體中所含的揮發(fā)性有機(jī)物的濃度，在達(dá)到預(yù)定濃度-' ,丄"<^于.以上的時(shí)刻，使吸附組件移動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明提供的揮發(fā)性有機(jī)化合物處理裝置，不產(chǎn)生大量有害的NOx，可有效地分解VOC，裝置成本低廉。該處理裝置具有吸附處理室、吸附體再生處理室、和移動(dòng)機(jī)構(gòu)。在上述吸附處理室中，吸附格框沿氣體的流動(dòng)方向疊層地配置，該吸附格框具有吸附揮發(fā)性有機(jī)化合物的吸附體。上述吸附體再生處理室中，設(shè)置著具有高壓電極、接地電極和電介體的放電組件。上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使位于氣體上游的上述吸附格框移動(dòng)到上述吸附體再生處理室，使上述吸附體再生處理室內(nèi)的上述吸附格框，移動(dòng)到氣體的下游方向。
文檔編號(hào)B01D53/44GK101189059SQ20068001939
公開日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2006年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
發(fā)明者中谷元, 前川滋樹, 增田曉雄, 太田幸治, 市村英男, 森安雅治, 稻永康隆, 葛本昌樹, 谷村泰宏 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社